专利名称：有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域：
所描述的技术总体上涉及一种具有底栅结构的有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
背景技术：
有机发光二极管(OLED)显示器由于其诸如宽视角、快响应速度和相对低的功耗以及较轻的重量和较小的尺寸的优点已经作为下一代显示器而备受关注。OLED显示器通常采用可以用在高速运算电路和CMOS电路中的具有良好的载流子迁移率的低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)。LTPS TFT在其形成过程中需要次数相对较多的薄膜工艺。然而，随着OLED显示器变大并且在制造工艺中需要次数更多的薄膜工艺， OLED显示器的产率会劣化。在本背景技术部分中公开的以上信息仅是为了增强对所描述技术的背景的理解， 因此其可以包含不构成对本领域普通技术人员来说在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术致力于提供一种具有简化的制造工艺的底栅结构的OLED显示器。所描述的技术也致力于提供一种用于制造具有底栅结构的OLED显示器的简化的方法。一个示例性实施例提供了一种OLED显示器，所述OLED显示器包括第一多晶硅层图案，位于基底上，所述第一多晶硅层图案被杂质掺杂并且包括第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极；栅极绝缘层图案，位于第一多晶硅层图案上；第二多晶硅层图案，包括分别位于第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极上的第一有源层、第二有源层和电容器多晶 层；第三非晶硅层图案，所述第三非晶硅层图案被杂质掺杂并且包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层、位于电容器多晶 层上的电容器非晶哑层；数据金属层图案，包括分别位于第一源极抵抗接触层、第一漏极抵抗接触层、第二源极抵抗接触层、第二漏极抵抗接触层和电容器非晶 层上的第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。栅极绝缘层图案可以包括部分暴露第一多晶硅层图案的多个接触孔，除了接触孔之外，所述栅极绝缘层图案与第一多晶硅层图案叠置并且具有与第一多晶硅层图案基本相同的图案。第三非晶硅层图案可以具有与数据金属层图案基本相同的图案。所述数据金属层图案可以包括铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金 (Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu) 中的至少一种。所述OLED显示器还可以包括层间绝缘层，位于数据金属层图案上；连接金属层图案，位于层间绝缘层上，所述连接金属层图案包括连接到第一栅电极的栅极线、连接第二栅电极和第一漏电极的第一连接件、连接第一源电极和数据线的第二连接件、连接第二源电极和共电源线的第三连接件以及连接第二漏电极和第二电容器电极的第四连接件；透明导电层图案，位于层间绝缘层和连接金属层图案上。所述透明导电层图案可以包括位于层间绝缘层上并且连接到第二漏电极的像素电极。所述OLED显示器还可以包括堆叠在像素电极上的有机发射层和共电极。所述透明导电层图案可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(SiO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。另一示例性实施例提供了一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法，所述方法包括以下步骤在基底上顺序堆叠杂质掺杂的第一非晶硅层、栅极绝缘层和未被杂质掺杂的第二非晶硅层；通过分别使第一非晶硅层和第二非晶硅层晶化来形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；通过将第一多晶硅层、栅极绝缘层和第二多晶硅层图案化，以相同的图案形成第一多晶硅层图案、栅极绝缘层图案和第二多晶硅层图案中间物；在第二多晶硅层图案中间物上顺序堆叠杂质掺杂的第三非晶硅层和数据金属层；在数据金属层上形成具有多个厚度的感光膜图案；通过感光膜图案使第二多晶硅图案中间物、第三非晶硅层和数据金属层图案化来形成第二多晶硅层图案、第三非晶硅层图案和数据金属层图案。形成第二多晶硅层图案、第三非晶硅层图案和数据金属层图案的步骤可以包括 利用感光膜图案通过第一蚀刻工艺将第二多晶硅层图案中间物、第三非晶硅层和数据金属层图案化，来形成第二多晶硅层图案、第三非晶硅层图案中间物和数据金属层图案中间物； 利用感光膜图案通过第二蚀刻工艺将第三非晶硅层图案中间物和数据金属层图案中间物图案化，来形成第三非晶硅层图案和数据金属层图案。第一多晶硅层图案可以包括第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极，第二多晶硅层图案可以包括分别形成在第一栅电极和第二栅电极上的第一有源层和第二有源层以及形成在第一电容器电极上的电容器多晶哑层，第三非晶硅层图案可以包括分别形成在第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、形成在第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层、形成在电容器多晶哑层上的电容器非晶哑层以及哑数据线和哑共电源线，数据金属层图案可以包括分别形成在第一源极抵抗接触层、第一漏极抵抗接触层、第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层上的第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极以及形成在电容器非晶哑层上的第二电容器电极、形成在哑数据线上的数据线和形成在哑共电源线上的共电源线。所述感光膜图案可以包括第一厚度单元、比第一厚度单元薄的第二厚度单元以及基本没有厚度的开口。感光膜图案的第一厚度单元可以与将要形成第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极的位置对应，感光膜图案的第二厚度单元可以与第一有源层和第二有源层的不与第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极叠置的沟道区对应。可以通过感光膜图案的第一厚度单元和第二厚度单元执行第一蚀刻工艺，在去除感光膜图案的第二厚度单元后，可以通过第一厚度单元执行第二蚀刻工艺。
所述数据金属层可以由铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍 (Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种形成。所述方法还可以包括在数据金属层图案上形成层间绝缘层；通过蚀刻层间绝缘层和栅极绝缘层图案的至少一个形成用于部分地暴露第一栅电极、第二栅电极、第一源电极、第二源电极、第一漏电极、第二漏电极和第二电容器电极的多个接触孔；在层间绝缘层上形成连接金属层图案；在层间绝缘层和连接金属层图案上形成透明导电层图案。所述透明导电层图案可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(SiO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种形成。所述连接金属层图案可以包括通过多个接触孔连接到第一栅电极的栅极线、用于连接第二栅电极和第一漏电极的第一连接件、用于连接第一源电极和数据线的第二连接件、用于连接第二源电极和共电源线的第二连接件以及用于连接第二漏电极和第二电容器电极的第四连接件。所述透明导电层图案还可以包括形成在层间绝缘层上并且连接到第二漏电极的像素电极。所述方法还可以包括在像素电极上形成有机发射层；在有机发射层上形成共电极。
图1至图13示出了根据示例性实施例的制造OLED显示器的工艺的布局图和剖视图。图14示出了根据示例性实施例的OLED显示器的像素布局图。
具体实施例方式在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例，附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域技术人员所将认识到的，在所有不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同方式修改所描述的实施例。另外，为了清晰地描述示例实施例，省略了与说明书无关的部件，相同的标号在整个说明书中表示相同的元件或者相似的组成元件。另外，在附图中，为了便于解释，仅示出了组件的尺寸和厚度，因此示例实施例不必限于这里描述和示出的图示。在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接位于另一元件上或者也可以存在中间元件。参照图14，现在将描述根据示例性实施例的OLED显示器101及其制造方法。现在将根据堆叠顺序针对薄膜晶体管10、有机发光元件70和电容器90来描述根据示例性实施例的制造OLED显示器101的方法。如图1和图2中所示，在基底110上形成缓冲层120。基底110形成为例如由玻璃、石英、陶瓷或塑料制成的基底的透明绝缘基底。然而，示例性实施例不限于此。此外，当基底110由塑料制成时，基底110可以形成为柔性基底。通过利用本领域技术人员已知的化学气相沉积或者物理气相沉积，将缓冲层120形成为包括氧化硅层和氮化硅层中的至少一种的单层或多层。缓冲层120防止基底110产生的潮气或杂质的扩散或渗透、使基底110的表面平滑并且在形成半导体层的晶化工艺期间控制热的传递速率。根据基底110的类型和工艺条件可以省略缓冲层120。在缓冲层120上顺序堆叠第一非晶硅层(即，杂质掺杂的第一非晶硅层)、栅极绝缘层和第二非晶硅层(即，未用杂质掺杂的第二非晶硅层)。使第一非晶硅层和第二非晶硅层晶化，以形成对应的第一多晶硅层(即，杂质掺杂的第一多晶硅层)和第二多晶硅层(即，未用杂质掺杂的第二多晶硅层)。在这种情况下，对于晶化方法，采用快速热退火 (RTA)工艺。然而，示例性实施例不限于此，可以使用本领域技术人员已知的各种晶化方法。 例如，掺杂到第一非晶硅层中的杂质是N型杂质。对于N型杂质，可以使用本领域技术人员已知的各种杂质。通过第一光刻工艺将堆叠的第一多晶硅层、栅极绝缘层和第二多晶硅层图案化， 以分别形成第一多晶硅层图案130、栅极绝缘层图案140和第二多晶硅层图案中间物1501。 如图1中所示，第一多晶硅层图案130、栅极绝缘层图案140和第二多晶硅层图案中间物 1501采用相同的图案形成，例如，具有基本相同的形状并且完全彼此叠置。如图2中所示，第一多晶硅层图案130包括第一栅电极133、第二栅电极134和第一电容器电极139。另外，栅极绝缘层图案140由包括本领域技术人员已知的各种绝缘材料在内的例如原硅酸四乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)形成。如图3中所示，在第二多晶硅层图案中间物1501上顺序堆叠第三非晶硅层 1600(即，杂质掺杂的非晶硅层)和数据金属层1700。这里，掺杂到第三非晶硅层1600中的杂质为N型杂质。另外，数据金属层1700包括例如铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁 (Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W) 和铜(Cu)中的至少一种。通过曝光和显影工艺在数据金属层1700上形成感光膜图案800。例如，曝光工艺可以包括半色调曝光工艺或者双曝光工艺。感光膜图案800具有多个厚度。例如，感光膜图案800包括第一厚度单元801、比第一厚度单元801薄的第二厚度单元802和基本上没有厚度的开口。这里，“基本上没有厚度”表示可以剩余不影响工艺的非常薄的膜。如图4中所示，利用包括第一厚度单元801和第二厚度单元802的感光膜图案 800通过第一蚀刻工艺将第二多晶硅层图案中间物1501、第三非晶硅层1600和数据金属层 1700图案化，形成第二多晶硅层图案150、第三非晶硅层图案中间物1601和数据金属层图案中间物1701。第二多晶硅层图案150包括第一有源层153、第二有源层巧4和电容器多晶哑层 159。第一有源层153形成在第一栅电极133上，第二有源层巧4形成在第二栅电极134上。 电容器多晶哑层159形成在第一电容器电极139上。如图5中所示，通过灰化工艺去除感光膜图案800的第二厚度单元802。在这种情况下，感光膜图案800的第一厚度单元801的厚度减少了预定程度。如图6和图7中所示，利用包括第一厚度单元801的感光膜图案800通过第二蚀刻工艺将第三非晶硅层图案中间物1601和数据金属层图案中间物1701图案化，形成第三非晶硅层图案160和数据金属层图案170。第三非晶硅层图案160包括第一源极抵抗接触层165、第一漏极抵抗接触层167、第二源极抵抗接触层166、第二漏极抵抗接触层168和电容器非晶哑层169。第一源极抵抗接触层165和第一漏极抵抗接触层167分别形成在第一有源层153 的预定区域中。第一源极抵抗接触层165和第一漏极抵抗接触层167彼此分开。第二源极抵抗接触层166和第二漏极抵抗接触层168形成在第二有源层154的预定区域中。第二源极抵抗接触层166和第二漏极抵抗接触层168彼此分开。电容器非晶哑层169形成在电容器多晶哑层159上。数据金属层图案170包括第一源电极175、第一漏电极177、第二源电极176、第二漏电极178和第二电容器电极179。第一源电极175形成在第一源极抵抗接触层165上。第一漏电极177形成在第一漏极抵抗接触层167上。第二源电极176形成在第二源极抵抗接触层166上。第二漏电极 178形成在第二漏极抵抗接触层168上。第二电容器电极179形成在电容器非晶哑层169 上。第一电容器电极139和第二电容器电极179为电容器90的两个电极。数据金属层图案170还包括数据线171和共电源线172。非晶硅层图案160还包括分别在数据线171和共电源线172下方以与数据线171和共电源线172的图案相同的图案形成的哑数据线161和哑共电源线162。去除剩余的感光膜图案800。参照图3至图7描述的曝光工艺、显影工艺、第一蚀刻工艺、灰化工艺和第二蚀刻工艺包括在第二光刻工艺中。具体地讲，感光膜图案800的第一厚度单元801与将要形成第一源电极175、第一漏电极177、第二源电极176、第二漏电极178和第二电容器电极179 的位置对应。感光膜图案800的第二厚度单元802与第一有源层153和第二有源层154的没有与第一源电极175、第一漏电极177、第二源电极176和第二漏电极178叠置的沟道区对应。如图8和图9中所示，在数据金属层图案170上形成层间绝缘层180。通过第三光刻工艺形成穿过层间绝缘层180或者穿过层间绝缘层180和栅极绝缘层图案140的多个接触孔 182、183、184、185、186、187、188 和 189。接触孔182、183、184、185、186、187、188和189部分暴露了共电源线172、第一栅电极133、第二栅电极134、第一源电极175、第二源电极176、第一漏电极177、第二漏电极178 和第二电容器电极179。如图10和图11中所示，在层间绝缘层180上形成连接金属层图案190。连接金属层图案190包括栅极线191、第一连接件196、第二连接件197、第三连接件198和第四连接件 199。栅极线191通过接触孔183连接到第一栅电极133。第一连接件196通过接触孔 184和187连接第二栅电极134和第一漏电极177。第二连接件197通过接触孔185连接第一源电极175和数据线171。第三连接件198通过接触孔186连接第二源电极176和共电源线172。第四连接件199通过接触孔188和189连接第二漏电极178和第二电容器电极 179。另外，连接金属层图案190还可以包括连接到共电源线172的线连接件192。通过第四光刻工艺形成连接金属层图案190。在层间绝缘层180的预定区域和连接金属层图案190的整个区域上形成透明导电层图案270，如图12和图13中所示。通过第五光刻工艺形成透明导电层图案270。透明导电层图案270可以包含例如氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化锌 (ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铝锌(AZO)中的至少一种。透明导电层图案 270刚好形成在层间绝缘层180上，以进一步包括连接到第四连接件199的像素电极71。如图13中所示，在透明导电层图案270上形成像素限定层观0。如图14中所示， 像素限定层280包括用于部分地暴露像素电极71的像素开口观5。通过第六光刻工艺形成像素限定层观0。如图14中进一步示出的，在像素开口 285中的像素电极71上形成有机发射层72。 低分子量有机材料或者高分子量有机材料可以用于有机发射层72。有机发射层72包括相对于发射层沿着像素电极71的方向的空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)，还包括沿着共电极(未示出)的方向的电子传输层(ETL)和电子注入层 (EIL)。另外，如果需要，可以堆叠各种层。在有机发射层72上形成共电极(未示出)。OLED显示器101利用像素电极71作为阳极，并且利用共电极作为阴极。然而，示例性实施例不限于此，像素电极71和共电极的极性可以颠倒。此外，共电极由包括反射材料的材料制成。S卩，OLED显示器101具有背部发光结构。具体地，共电极可以由例如Al、Ag、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和/或LiF/Al制成。因此，完成了包括像素电极71、有机发射层72和共电极的有机发光元件70。尽管未示出，但是OLED显示器101还可以包括防止潮气或氧渗透到有机发光元件70的有机发射层72中的密封构件。如上所述，根据示例性实施例的OLED显示器101可以经过简化的制造方法采用底栅结构(即，栅电极133和134位于对应的有源层153和IM下方)制造。尽管已经结合目前被认为实际的示例性实施例描述了本公开，但是应该理解，本发明不限于公开的实施例，而是相反，本发明意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
权利要求
1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括第一多晶硅层图案，位于基底上，所述第一多晶硅层图案被杂质掺杂并且包括第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极；栅极绝缘层图案，位于第一多晶硅层图案上；第二多晶硅层图案，包括分别位于第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极上的第一有源层、第二有源层和电容器多晶哑层；第三非晶硅层图案，所述第三非晶硅层图案被杂质掺杂并且包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层、位于电容器多晶 层上的电容器非晶 层；数据金属层图案，包括分别位于第一源极抵抗接触层、第一漏极抵抗接触层、第二源极抵抗接触层、第二漏极抵抗接触层和电容器非晶 层上的第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，栅极绝缘层图案包括部分暴露第一多晶硅层图案的多个接触孔，除了接触孔之外，所述栅极绝缘层图案与第一多晶硅层图案叠置并且具有与第一多晶硅层图案基本相同的图案。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，第三非晶硅层图案具有与数据金属层图案基本相同的图案。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述数据金属层图案包括铝、 钼、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括层间绝缘层，位于数据金属层图案上；连接金属层图案，位于层间绝缘层上，所述连接金属层图案包括连接到第一栅电极的栅极线、连接第二栅电极和第一漏电极的第一连接件、连接第一源电极和数据线的第二连接件、连接第二源电极和共电源线的第三连接件以及连接第二漏电极和第二电容器电极的第四连接件；透明导电层图案，位于层间绝缘层和连接金属层图案上。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述透明导电层图案包括位于层间绝缘层上并且连接到第二漏电极的像素电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括堆叠在像素电极上的有机发射层和共电极。
8.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述透明导电层图案包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌中的至少一种。
9.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括以下步骤在基底上顺序堆叠杂质掺杂的第一非晶硅层、栅极绝缘层和未被杂质掺杂的第二非晶硅层；通过分别使第一非晶硅层和第二非晶硅层晶化来形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；通过将第一多晶硅层、栅极绝缘层和第二多晶硅层图案化，以相同的图案形成第一多晶硅层图案、栅极绝缘层图案和第二多晶硅层图案中间物；在第二多晶硅层图案中间物上顺序堆叠杂质掺杂的第三非晶硅层和数据金属层； 在数据金属层上形成具有多个厚度的感光膜图案；通过感光膜图案使第二多晶硅图案中间物、第三非晶硅层和数据金属层图案化来形成第二多晶硅层图案、第三非晶硅层图案和数据金属层图案。
10.根据权利要求9所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，形成第二多晶硅层图案、第三非晶硅层图案和数据金属层图案的步骤包括利用感光膜图案通过第一蚀刻工艺将第二多晶硅层图案中间物、第三非晶硅层和数据金属层图案化，来形成第二多晶硅层图案、第三非晶硅层图案中间物和数据金属层图案中间物；利用感光膜图案通过第二蚀刻工艺将第三非晶硅层图案中间物和数据金属层图案中间物图案化，来形成第三非晶硅层图案和数据金属层图案。
11.根据权利要求10所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中 第一多晶硅层图案包括第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极，第二多晶硅层图案包括分别形成在第一栅电极和第二栅电极上的第一有源层和第二有源层以及形成在第一电容器电极上的电容器多晶哑层，第三非晶硅层图案包括分别形成在第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、形成在第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层、形成在电容器多晶哑层上的电容器非晶哑层以及哑数据线和哑共电源线，数据金属层图案包括分别形成在第一源极抵抗接触层、第一漏极抵抗接触层、第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层上的第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极以及形成在电容器非晶哑层上的第二电容器电极、形成在哑数据线上的数据线和形成在哑共电源线上的共电源线。
12.根据权利要求11所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述感光膜图案包括第一厚度单元、比第一厚度单元薄的第二厚度单元以及基本没有厚度的开口。
13.根据权利要求12所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中感光膜图案的第一厚度单元与将要形成第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极的位置对应，感光膜图案的第二厚度单元与第一有源层和第二有源层的不与第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极叠置的沟道区对应。
14.根据权利要求13所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中 通过感光膜图案的第一厚度单元和第二厚度单元执行第一蚀刻工艺，在去除感光膜图案的第二厚度单元之后，通过第一厚度单元执行第二蚀刻工艺。
15.根据权利要求9所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述数据金属层由铝、钼、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜中的至少一种形成。
16.根据权利要求9所述的制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法还包括 在数据金属层图案上形成层间绝缘层；通过蚀刻层间绝缘层和栅极绝缘层图案的至少一个形成用于部分地暴露第一栅电极、 第二栅电极、第一源电极、第二源电极、第一漏电极、第二漏电极和第二电容器电极的多个接触孔；在层间绝缘层上形成连接金属层图案；在层间绝缘层和连接金属层图案上形成透明导电层图案。
17.根据权利要求16所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述透明导电层图案由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌中的至少一种形成。
18.根据权利要求16所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述连接金属层图案包括通过多个接触孔连接到第一栅电极的栅极线、用于连接第二栅电极和第一漏电极的第一连接件、用于连接第一源电极和数据线的第二连接件、用于连接第二源电极和共电源线的第三连接件以及用于连接第二漏电极和第二电容器电极的第四连接件。
19.根据权利要求16所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述透明导电层图案还包括形成在层间绝缘层上并且连接到第二漏电极的像素电极。
20.根据权利要求19所述的制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法还包括在像素电极上形成有机发射层；在有机发射层上形成共电极。
全文摘要
本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括第一多晶硅层图案，位于基底上并且具有第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极；栅极绝缘层图案；第二多晶硅层图案，包括第一有源层、第二有源层和电容器多晶硅哑层；第三非晶硅层图案，包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层以及位于电容器多晶硅哑层上的电容器非晶哑层；数据金属层图案，包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。
文档编号H01L27/32GK102456708SQ201110291090
公开日2012年5月16日 申请日期2011年9月23日 优先权日2010年10月27日
发明者崔埈厚, 崔宝京, 文相皓, 曹圭湜, 朴容焕, 李仑揆, 李源规, 梁泰勋, 申旼澈, 秋秉权 申请人:三星移动显示器株式会社