专利名称：发光二极管晶粒的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管晶粒。
背景技术：
现有的发光二极管(Light Emitting Diode, LED)晶粒包括基板、在基板上生长的磊晶层结构以及电极。磊晶层结构通常包括N型半导体层、有源层、P型半导体层，依次自基板向上生长形成。为使得电流均匀分布以提升晶粒的发光效率，业界通常在P型半导体层和电极之间增设透明电极。然而依次生长于基板上的磊晶层结构远离基板的顶部边缘通常为垂直的尖角，请参阅图1，自有源层3发出的一些光线，如与有源层3之间夹角为Y的光线A射向磊晶层侧面2的入射角α较大，从而易于全反射，不利于磊晶层结构的侧面的出光，进而影响整个发光二极管晶粒的出光效率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种出光效率闻的发光_■极管晶粒。一种发光二极管晶粒，包括基板和形成于基板上的磊晶层，该基板包括上表面，该磊晶层包括靠近基板的第一半导体层、远离基板的第二半导体层、夹设在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层，所述磊晶层远离基板的顶部的边缘为圆弧角或倾斜的倒角。上述发光二极管晶粒中，将磊晶层的顶部边缘做成圆弧角或倒角，该圆弧角或倒角可减小光线射向磊晶层侧面的入射角，从而减少全反射的几率，利于磊晶层侧面的出光，提高发光二极管晶粒整体的发光效率。
图1是现有技术的发光二极管晶粒的光线出射示意图。图2是本发明一实施方式提供的一种发光二极管晶粒的俯视示意图。图3是图2中的发光二极管晶粒沿I1-1I方向的剖视图。图4是本发明实施方式提供的发光二极管晶粒的光线出射示意图。主要元件符号说明 _
权利要求
1.一种发光二极管晶粒，包括基板和形成于基板上的磊晶层，该基板包括上表面，该磊晶层包括靠近基板的第一半导体层、远离基板的第二半导体层、夹设在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层，其特征在于所述磊晶层远离基板的顶部的边缘为圆弧角或倾斜的倒角。
2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于所述圆弧角或倾斜的倒角形成在第二半导体层的边缘上。
3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于该磊晶层还包括形成在第二半导体层上的透明导电层，所述圆弧角形成在透明导电层与第二半导体层上。
4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于所述磊晶层覆盖部分基板的上表面，于基板的边缘形成切割道。
5.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于所述切割道的面积占基板面积的5%至25%。
6.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于所述切割道上形成有微结构。
7.如权利要求6所述的发光二极管晶粒，其特征在于所述切割道上的微结构裸露于空气中。
8.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于所述基板一端的切割道朝向磊晶层延伸形成电极区。
9.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于所述第一半导体层为N型氮化镓半导体层，第二半导体层为P型氮化镓半导体层。
全文摘要
一种发光二极管晶粒，包括基板和形成于基板上的磊晶层，该基板包括上表面，该磊晶层包括靠近基板的第一半导体层、远离基板的第二半导体层、夹设在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层，所述磊晶层远离基板的顶部的边缘为圆弧角或倾斜的倒角，从而利于磊晶层侧面的光线的出射，提高发光二极管晶粒的出光效率。
文档编号H01L33/20GK103066177SQ20111031827
公开日2013年4月24日 申请日期2011年10月19日 优先权日2011年10月19日
发明者洪梓健, 沈佳辉, 彭建忠 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司