专利名称：显示器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种显示器件及其制造方法，更具体地，涉及包括形成在基板上的像素电极的显示器件。
背景技术：
在显示器件当中，液晶显示器是最广泛使用的平板显示器之一。液晶显示器包括其上形成有场产生电极诸如像素电极和公共电极的两个显示面板、以及插置在两个显示面板之间的液晶层。通过施加电压到场产生电极以在液晶层上产生电场从而确定液晶层的液晶分子的方向并控制入射光的偏振，液晶显示器显示图像。作为显示器件，除了液晶显示器之外，还存在有机发光二极管显示器、等离子体显示面板以及电泳显示器。
显示器件通常包括显示面板，提供有包括开关元件和显示信号线的像素；栅驱动器，通过传送栅信号到显示信号线的栅极线来开启和关闭像素的开关元件；数据驱动器， 施加数据电压到数据线；以及控制它们的信号控制器。
栅驱动器和数据驱动器可以以集成电路(IC)芯片形式安装在显示器件上、以安装在柔性印刷电路膜上的带载式封装(TCP)形式附接到显示器件、或安装在印刷电路板上。特别地，通过用与显示信号线和开关元件相同的工艺形成，栅驱动器可以被集成在显示面板上。
显示器件可以在多层上形成多个开关元件和多条信号线。入射在显示器件上的入射光可以穿透该多层或在层界面上反射。在入射光的透射率低并且反射率高的情形下，存在显示器件的效率降低(例如，功耗增加)的问题。
在本背景部分公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景的理解，因此，其可以包含不构成在该国中对于本领域的普通技术人员来说已经知晓的现有技术的信息。发明内容
本发明致力于提供一种具有增加透射率的优点的显示器件以及制造该显示器件的方法。
本发明的示范性实施例提供一种显示器件，该显示器件包括第一基板以及在第一基板上的像素电极。像素电极的厚度为约40纳米(nm)或更小。
在示范性实施例中，像素电极的厚度可以为约30纳米。
在示范性实施例中，像素电极可以包括铟锡氧化物(ITO)。
在示范性实施例中，像素电极可以包括多个精细分支部。
在示范性实施例中，像素电极可以包括彼此分离的第一子像素电极和第二子像素电极，并且第一子像素电极和第二子像素电极可以每个包括多个精细分支部。
在示范性实施例中，显示器件还可以包括在第一基板上的数据线和栅极线。第一子像素电极可以通过第一开关元件连接到数据线和栅极线，第二子像素电极可以通过第二开关元件连接到数据线和栅极线，第二子像素电极可以通过第三开关元件连接到电容器。
在示范性实施例中，显示器件还可以包括面对第一基板的第二基板。接收公共电压的公共电极可以在第二基板上。
本发明的另一示范性实施例提供一种显示器件，该显示器件包括基板；像素部， 在基板上并包括像素电极；在基板上的接触孔；以及在接触孔中的接触部分。像素电极的厚度为约40纳米或更小，接触部分的厚度大于像素电极的厚度。
在示范性实施例中，接触部分的厚度可以比像素电极的厚度大大约10纳米或更^^ ο
在示范性实施例中，接触部分可以包括接触构件和在接触构件上的辅助构件，接触构件可以在与像素电极相同的层，接触构件可以包括与像素电极相同的材料。
在示范性实施例中，辅助构件可以具有比接触构件高的蚀刻速度。
在示范性实施例中，辅助构件可以仅在接触孔上。
在示范性实施例中，显示器件还可以包括在基板上并传送信号到像素部的驱动器。接触孔可以在驱动器上。
在示范性实施例中，像素部还可以包括开关元件，连接到像素电极；栅极线，连接到开关元件，并传送栅信号到开关元件；以及数据线，连接到开关元件并传送数据信号到像素电极。
在示范性实施例中，显示器件还可以包括连接到栅极线一端的栅极焊盘。接触孔可以在驱动器上。
在示范性实施例中，显示器件还可以包括连接到数据线一端的数据焊盘。接触孔可以在数据焊盘上。
本发明的另一示范性实施例提供一种显示器件，该显示器件包括基板；像素部， 在基板上并包括像素电极；以及驱动器，在基板上并传送信号到像素部。像素电极的厚度为约40纳米或更小。驱动器包括在基板上的栅极层；在栅极层上的栅绝缘层；第一接触孔，延伸穿过栅绝缘层的厚度；数据层，在第一接触孔和栅绝缘层上并连接到栅极层；以及钝化层，与数据层重叠。
在示范性实施例中，钝化层可以包括延伸穿过钝化层的厚度并暴露数据层的第二接触孔。接触构件可以在第二接触孔中。
在示范性实施例中，像素部还可以包括在基板上的栅极线和数据线。显示器件还可以包括连接到栅极线一端的栅极焊盘，栅绝缘层覆盖栅极焊盘；第三接触孔，延伸穿过栅绝缘层的厚度并在栅极焊盘上；连接到栅极焊盘的第二数据层，在第三接触孔中以及在栅绝缘层上，钝化层与该第二数据层重叠；以及第四接触孔，延伸穿过钝化层的厚度并与第二数据层重叠。接触构件可以在第四接触孔中。第二数据层可以在与数据线相同的层，第二数据层可以包括与数据线相同的材料，并且第二数据层可以不连接到数据线。
在示范性实施例中，接触构件可以在与像素电极相同的层，并且接触构件可以包括与像素电极相同的材料。
本发明的另一示范性实施例提供一种显示器件，该显示器件包括基板；像素部， 在基板上并包括像素电极；在基板上的接触孔；以及填充接触孔的金属层；以及连接到金属层的接触构件。像素电极的厚度为约40纳米或更小。
在示范性实施例中，接触构件可以在与像素电极相同的层，并且接触构件可以包括与像素电极相同的材料。
在示范性实施例中，显示器件还可以包括在基板上并传送信号到像素部的驱动器。接触孔可以在驱动器上。
在示范性实施例中，像素部还可以包括连接到像素电极的开关元件；栅极线，连接到所述开关元件，并传送栅信号到开关元件；以及数据线，连接到开关元件并传送数据信号到像素电极。
在示范性实施例中，显示器件还可以包括连接到栅极线一端的栅极焊盘。接触孔可以在栅极焊盘上。
在示范性实施例中，显示器件还可以包括连接到数据线一端的数据焊盘。接触孔可以在数据焊盘上。
在示范性实施例中，开关元件可以包括连接到栅极线的栅电极；连接到数据线的源电极；以及连接到像素电极的漏电极。接触孔可以在漏电极上。
在示范性实施例中，金属层可以通过使用无电镀方法填充接触孔。
本发明的另一示范性实施例提供一种用于制造显示器件的方法，该方法包括在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘层；形成延伸穿过绝缘层的厚度的接触孔，其暴露所述第一导电层；在绝缘层上和接触孔中形成透明层；在透明层上形成第二导电层；通过一个蚀刻操作形成重叠接触孔的接触构件并形成像素电极。像素电极由透明层和第二导电层形成，接触构件由透明层和第二导电层形成。该方法还包括通过局部蚀刻去除像素电极的第二导电层。
在示范性实施例中，像素电极的厚度可以为约40纳米或更小。
根据本发明的示范性实施例，可以通过减小显示器件的像素电极的厚度来增大显示器件的透射率。
通过参照附图更详细地描述本公开的示范性实施例，本公开的以下和其它的方面、优点和特征将变得明显，在附图中
图1是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的示范性实施例的结构；
图2是曲线图，示出透射率随像素电极的厚度变化的示范性实施例；
图3是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构；
图4至图7示出图3的显示器件的制造方法的示范性实施例；
图8是截面图，示意地示出根据本发明的图3的显示器件的修改示范性实施例的结构；
图9是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构；
图10是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构；
图11示出根据本发明显示器件的另一示范性实施例的结构；
图12是在图11中示出的栅驱动器的示范性实施例的一部分的截面图13是平面图，示出当图11中示出的显示器件为液晶显示器时该液晶显示器的像素电极的示范性实施例；
图14是沿图13的线XIV-XIV截取的截面图；以及
图15是沿图13的线XV-XV'和XV，-XV”截取的截面图。
具体实施方式
在下文将参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示范性实施例。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施例可以各种不同的方式修改，所有修改都不脱离本发明的精神或范围。
在附图中，为了清晰，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的元件。
将理解，当元件诸如层、膜、区域或基板被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时， 不存在中间元件。
将理解，虽然这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区别开。因而，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本发明的教导。
为便于描述这里可以使用空间相对性术语(例如，“在...下面”、“下”、“在...之上”、“上”等)来描述如附图所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征之间的关系。将理解，空间相对性术语旨在涵盖除附图所示取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转过来，相对于其它元件或特征被描述为“在......下”或“在......下面”的元件则可以取向为相对于另一元件或特征“在......上"。因此，示范性术语“在...下面”能够涵盖之上以及之下两种取向。器件可以采取其他取向(旋转90 度或在其他取向)，这里所用的空间相对性描述符做相应地解释。
这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并非要限制本发明。如这里使用的，除非上下文另有明确表述，否则单数形式“一”、“一个”和“该”均旨在包括复数形式。 将进一步理解的是，术语“包括”和/或“包含”，当在本说明书中使用时，指定了所述特征、 整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或增加。
这里参照截面图描述了本发明的实施例，这些截面图是本发明的理想化的实施例 (和中间结构)的示意图。因此，由于例如制造技术和/或公差引起的图示形状的偏离是可以预期的。因而，本发明的实施例不应被解释为限于这里示出的区域的特定形状，而是包括例如由制造引起的形状的偏离。
除非另行定义，此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有本发明所属领域内的普通技术人员所通常理解的同样的含义。将进一步理解的是，诸如通用词典中所定义的术语，除非此处加以明确定义，否则应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化的或过度形式化的意义。
这里描述的所有方法都能以适当的顺序被执行，除非这里另外地陈述或另外地通过上下文明显矛盾。任何和所有示例、或示例性语言(例如，“诸如”)的使用仅意在更好地示出本发明，而不对本发明的范围施加限制，除非另外地要求。说明书中的语言都不应被解释为表示任何没有被要求的元件如这里使用的对于本发明的实践所必需。
在下文，将参照附图详细地描述本发明。
图1是截面图，示意地示出根据本发明的显示器件的示范性实施例的结构。
参照图1，显示器件包括基板10以及在基板10上的第一导电层20、第一绝缘层 30、第二导电层40、第二绝缘层50和透明层60。在一个示范性实施例中，例如，第一导电层 20可以是用于栅线或栅电极的栅极层，第二导电层40可以是数据线以及用于源电极和漏电极的数据层。
为了便于描述，虽然示出了其中两个导电层20和40以及两个绝缘层30和50在基板10上的情形，但是这并不限制包括在显示器件中的导电层的数目和绝缘层的数目。此外，除导电层之外，其它层诸如半导体层(未示出)可以在基板10上。
如上所述，显示器件具有多层结构。为了在显示器件的多层结构中形成多个开关元件和多条信号线，不同层的导电层可以彼此物理地和/或电连接，或者导电层可以连接到显示器件的多层结构的外部。图1中的区域A、B、C和D示意性地示出接触孔和接触部分使不同层的导电层彼此连接或将导电层连接到显示器件外部的情形。
第一导电层20包括A区域中第一导电的第一子层21以及与A区域直接相邻的B 区域中的第一导电的第二子层22。第二导电层40包括A区域中第二导电的第一子层41、 与B区域直接相邻的C区域中的第二导电的第二子层43、以及与C区域直接相邻的D区域中的第二导电的第三子层44。
在不同区域中的第一导电的子层21和22可以彼此连接或可以彼此不连接。在不同区域中的第二导电的子层41、43和44可以彼此连接或可以彼此不连接。
基板10上的第一导电层20和第二导电层40可以连接到显示器件外部，或者在多层结构的不同层上的第一导电层20和第二导电层40可以彼此连接。为了该连接，接触孔 Cl、C2、C3、C4和C5是第一和第二导电层20和40的暴露部分，并且透明层60包括第一至第四接触构件61、62、63和64。接触孔Cl、C2、C3、C4和C5完全地延伸穿过分别重叠第一导电层20和第二导电层40的第一绝缘层30和第二绝缘层50的厚度，以暴露第一和第二导电层20和40的部分。在第一和第二绝缘层30和50的每一个限定接触孔C1、C2、C3、C4 和C5的一部分的情形下，第一和第二绝缘层30和50中的相应的接触孔彼此对准以形成接触孔 C1、C2、C3、C4 和 C5。
透明层60包括分别在A至C区域中的第一至第三接触构件61、62和63，以及在 D区域中作为第四接触构件的像素电极64。像素电极64包括接触第二导电的第三子层44 的第四接触第一子构件64a、以及除第四接触第一子构件6 之外的第四接触第二子构件 64b。第一至第四接触构件61至64每个可以是单个一体的不可分的构件，使得它们如上所述地连续延伸。
透明层60可以包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。ITO可以是非晶 ITO(a-ITO)。
在A区域中，第一导电的第一子层21和第二导电的第一子层41彼此电连接。接触孔Cl和C2暴露部分的导电子层21和41，并且第一接触构件61从接触孔Cl连续延伸到接触孔C2，使得第一接触构件61覆盖(例如，接触并重叠)该多层结构在接触孔Cl和C2 中的暴露表面。第一接触构件61可以是单个一体不可分的构件，使得其如上所述地连续延伸。
在B区域的情形下，第一导电的第二子层22可以连接到显示器件外。接触孔C3 暴露部分第一导电的第二子层22。第二接触构件62延伸以覆盖(例如，接触并重叠)该多层结构在接触孔C3中的暴露表面。
在C区域的情形下，第二导电的第二子层43可以连接到显示器件外。接触孔C4 暴露部分第二导电的第二子层43。第三接触构件63延伸以覆盖(例如，接触并重叠)该多层结构在接触孔C4中的暴露表面。
在D区域的情形下，第二导电的第三子层44电连接到像素电极64。接触孔C5暴露部分第二导电的第三子层44。像素电极64延伸以覆盖(例如，接触并重叠)该多层结构在接触孔C5中的暴露表面。
在该多层结构内的不同层的膜可以包括不同的材料，使得不同层的膜可以具有不同的折射率。在其中耗散干涉(dissipation interference)通过在具有不同折射率的层的界面处产生的反射光而发生的情形下，可以使透射率最大化。因此，通过控制层的厚度可以使透射率最大化。然而，具有能够被控制的厚度的层限于包括像素电极64的透明层60。
图2是曲线图，示出以百分比(％ )为单位的透射率关于以纳米(nm)为单位的像素电极的厚度的示范性实施例。
参照图2，如果像素电极的厚度减小，则透射率提高。在像素电极的厚度为约30nm 的情形下，透射率被提高2%至4%。因此，可以通过将像素电极的厚度形成为约40nm或更小来提高显示器件的透射率。
参照图1，为了减小像素电极64的厚度，需要减小透明层60的厚度。
然而，透明层60还用作第一至第四接触构件61、62、63和64a。在透明层60的厚度减小的情形下，会出现透明层60在接触孔C1、C2、C3、C4和C5中断裂的问题。与透明层 60的厚度相比，在接触孔Cl、C2、C3、C4和C5的深度非常大和/或接触孔Cl、C2、C3、C4和 C5的侧壁的倾度非常陡的情形下，透明层60可能在接触孔C1、C2、C3、C4和C5中断开。在透明层60在接触孔Cl、C2、C3、C4和C5中断开的情形下，第一和第二导电层20和40与显示器件外部之间的连接或者第一和第二导电层20和40自身之间的连接会断开，使得显示器件内的信号传送存在问题。这会导致显示器件的可靠性中的缺陷的问题。
在下文，将描述用于在减小像素电极的厚度的同时解决导电层之间的连接缺陷问题的方法。
像素电极、接触孔和接触孔中的接触部分在基板上。接触部分的厚度可以与像素电极的厚度不同。厚度是垂直于基板取得。也就是说，接触部分的厚度可以增加而像素电极的厚度可以减小，二者彼此无关。像素电极的厚度可以为约40nm或更小，接触部分的厚度可以为约40nm或更大。在一个示范性实施例中，接触部分的厚度可以比像素电极的厚度大大约IOnm或更多。
由此结构，通过减小像素电极的厚度并增大接触部分的厚度，可以最大化显示器件内的透射率并且可以解决在接触孔中产生的连接缺陷问题。
图3至图8示出根据本发明的具有比像素电极大的厚度的接触部分的结构的示范性实施例。
图3是截面图，示意性地示出根据本发明的显示器件的另一示范性实施例的结构。
参照图3，显示器件包括在接触孔中的第一透明层60和第三导电层70。
第一透明层60包括分别在A至C区域中的第一至第三接触构件61、62和63，以及在D区域中的像素电极64。第四接触构件64包括接触第二导电的第三子层44的第四接触第一子构件64a、以及除第四接触第一子构件6 之外的第四接触第二子构件64b。
第三导电层70包括分别在A至D区域中的第一至第四辅助构件71、72、73和74。 在A区域中，第一辅助构件71从接触孔Cl连续延伸到接触孔C2，使得第一辅助构件71重叠一部分第一接触构件61。在B和C区域中，第二辅助构件72和第三辅助构件73分别重叠第二接触构件62在接触孔C3中的部分和第三接触构件63在接触孔C4中的部分。第一至第四辅助构件71至74每个可以是单个一体的不可分的构件，使得它们如上所述地连续延伸。
在D区域中，第四辅助构件74仅重叠第四接触第一子构件64a。除了第三导电层 70之外，图3中的结构与图1的显示器件基本相同，将省略重复的描述。
在第四接触第二子构件64b的区域中的第二绝缘层50上的层的第一厚度只由第四接触第二子构件64b的厚度限定。在第四接触第一子构件6 区域中的第二绝缘层50 上的层的第二厚度由第四接触第一子构件64a的厚度和第四辅助构件74的厚度的总和限定。
在示范性实施例中的显示器件的最终像素电极只由第四接触第二子构件64b限定，而不包括第四接触第一子构件64a。因此，最终的像素电极的厚度分别小于第一至第四接触构件61-6 和第一至第四辅助构件71至74的总厚度。通过减小最终的像素电极的厚度并保持其它接触构件的较大厚度，显示器件内的透射率可以被最大化并且可以解决在接触孔中产生的连接缺陷问题。
图4至图7示出图3的显示器件的制造方法的示范性实施例。
参照图4，第一导电层20形成在基板10上，第一绝缘层30层叠在其上。第二导电层40形成在第一绝缘层30上，第二绝缘层50层叠在其上。接触孔C1、C2、C3、C4和C5分别延伸穿过第一和第二绝缘层30和50的厚度而形成，并暴露部分第一和第二导电层20和 40。接触孔Cl、C2、C3、C4和C5可以通过光刻和蚀刻工艺形成。
在A区域中，接触孔Cl形成为暴露部分第一导电的第一子层21，接触孔C2形成为暴露部分第二导电的第一子层41。
在B区域的情形下，接触孔C3形成为暴露部分第一导电的第二子层22。
在C和D区域的情形下，接触孔C4和C5形成为分别暴露部分第二导电的第二子层43和部分第二导电的第三子层44。
参照图5，第一透明层60和第三导电层70形成在第二绝缘层50上，诸如分别通过溅射形成的透明材料和导电材料。
参照图6，光致抗蚀剂(PR)层形成在第三导电层70上，并且冊图案80通过由掩模1移除一部分I3R层而形成。
在冊为正性的情形下，掩模1包括允许光穿过的完全透射部la、完全阻挡光的光阻挡部Ib以及允许部分光穿过的半透射部lc。半透射部Ic可以是半色调图案(halftone pattern)或狭缝图案。
在A、B和C区域的情形下，掩模1可以包括完全透射部Ia和光阻挡部lb，并且可以形成PR图案PR1、PR2和PR3。
在D区域的情形下，掩模1可以包括完全透射部la、光阻挡部Ib和半透射部lc， 并且可以形成I3R图案PR4。ra图案PR4可以包括第一 ra子图案PRa和比第一 ra子图案 PRa薄的第二 I3R子图案PRb。第一 I3R子图案PRa可以对应于光阻挡部lb，第二 I3R子图案 PRb可以对应于半透射部Ic。
参照图7，第一透明层60和和第三导电层70使用ra图案来蚀刻。在没有ra图案的部分中，第一透明层60和第三导电层70在一个蚀刻操作中被蚀刻。这被称为蚀刻/回蚀(etch/back, "E/B")工艺。
PR图案rai、PR2, PR3和PR4分别填充其中具有第一透明层60和第三导电层70 的接触孔(1丄2工3、(4和05。I3R图案的上表面比第三导电层70的上表面延伸得更高。
在D区域的情形下，PR图案PR4通过去除图6的一部分第一 I3R子图案PRa而形成，并且第三导电层70通过完全移除第二 ra子图案PRb而暴露。
在第一透明层60和第三导电层70中，第三导电层70根据冊图案被选择性地蚀刻以形成第一至第四辅助构件71至74。这被称为选择性蚀刻工艺。
在D区域的情形下，第四接触子构件64b (作为最终的像素电极)通过进一步移除一部分第三导电层70以最终形成第四辅助构件74而暴露。在接触孔Cl、C2、C3、C4和C5 中，第三导电层70形成在第一透明层60上并重叠第一透明层60。
第一透明层60和第三导电层70可以由不同的材料形成，使得可以进行选择性蚀刻。在一个示范性实施例中，第一透明层60可以由ITO形成，第三导电层70可以由IZO形成。作为另一示范性实施例，第一透明层60可以由ITO形成，第三导电层70可以由金属层形成。
在第一透明层60由ITO形成并且第三导电层70由IZO形成的情形下，兆声波搅拌模(megasonic-agitated module,"MAM")集成的蚀刻剂可以用作蚀刻剂。在使用MAM集成的蚀刻剂的情形下，第三导电层70的蚀刻速度与第一透明层60的蚀刻速度的比例可以为约8 1或更高。
在使用MAM集成的蚀刻剂并且操作温度为约40摄氏度(°C )的情形下，在以下的表格中描述IZO层的蚀刻速度和ITO层的蚀刻速度。
[表1]
权利要求
1.一种显示器件，包括 第一基板；以及在所述第一基板上的像素电极，其中所述像素电极的厚度为40纳米或更小。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其中 所述像素电极的厚度为约30纳米。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其中 所述像素电极包括铟锡氧化物。
4.根据权利要求3所述的显示器件，其中 所述像素电极包括多个精细分支部。
5.根据权利要求4所述的显示器件，其中所述像素电极包括彼此分离的第一子像素电极和第二子像素电极，并且所述第一子像素电极和所述第二子像素电极每个均包括多个精细分支部。
6.根据权利要求5所述的显示器件，还包括 在所述第一基板上的数据线和栅极线，其中所述第一子像素电极通过第一开关元件连接到所述数据线和所述栅极线， 所述第二子像素电极通过第二开关元件连接到所述数据线和所述栅极线，以及所述第二子像素电极通过第三开关元件连接到电容器。
7.根据权利要求1所述的显示器件，还包括 面对所述第一基板的第二基板，以及公共电极，接收公共电压并且在所述第二基板上。
8.一种显示器件，包括 基板；像素部，在所述基板上并包括像素电极； 在所述基板上的接触孔；以及在所述接触孔中的接触部分， 其中所述像素电极的厚度为40纳米或更小，以及所述接触部分的厚度比所述像素电极的厚度大。
9.根据权利要求8所述的显示器件，其中所述接触部分的厚度比所述像素电极的厚度大10纳米或更多。
10.根据权利要求8所述的显示器件，其中所述接触部分包括在所述接触孔中的接触构件和辅助构件两者， 所述接触构件在与所述像素电极相同的层上，以及所述接触构件包括与所述像素电极相同的材料。
11.根据权利要求10所述的显示器件，其中所述辅助构件具有比所述接触构件高的蚀刻速度。
12.根据权利要求10所述的显示器件，其中所述辅助构件仅在所述接触孔上。
13.根据权利要求10所述的显示器件，还包括 驱动器，在所述基板上并传送信号到所述像素部， 其中所述接触孔在所述驱动器上。
14.根据权利要求10所述的显示器件，其中 所述像素部还包括连接到所述像素电极的开关元件，栅极线，连接到所述开关元件，并传送栅信号到所述开关元件，以及数据线，连接到所述开关元件并传送数据信号到所述像素电极。
15.根据权利要求14所述的显示器件，还包括 栅极焊盘，连接到所述栅极线的一端，其中所述接触孔在所述栅极焊盘上。
16.根据权利要求14所述的显示器件，还包括 数据焊盘，连接到所述数据线的一端，其中所述接触孔在所述数据焊盘上。
17.一种显示器件，包括 基板；像素部，在所述基板上并包括像素电极；以及在所述基板上的驱动器，其中所述驱动器传送信号到所述像素部，其中所述像素电极的厚度为40纳米或更小，以及所述驱动器包括在所述基板上的栅极层，在所述栅极层上的栅绝缘层，第一接触孔，延伸穿过所述栅绝缘层的厚度，数据层，在所述第一接触孔和所述栅绝缘层上并连接到所述栅极层，以及钝化层，重叠所述数据层。
18.根据权利要求17所述的显示器件，还包括第二接触孔，延伸穿过所述钝化层的厚度并暴露所述数据层，以及在所述第二接触孔中的接触构件。
19.根据权利要求18所述的显示器件，其中所述像素部还包括在所述基板上的栅极线和数据线， 所述显示器件还包括栅极焊盘，连接到所述栅极线的一端，所述栅绝缘层重叠所述栅极焊盘， 第三接触孔，延伸穿过所述栅绝缘层的厚度并暴露所述栅极焊盘， 第二数据层，连接到所述栅极焊盘、在所述第三接触孔中以及在所述栅绝缘层上，所述钝化层重叠该第二数据层，以及第四接触孔，延伸穿过所述钝化层的厚度并重叠所述第二数据层， 其中所述接触构件在所述第四接触孔中，以及所述第二数据层在与所述数据线相同的层上，包括与所述数据线相同的材料，并且不连接到所述数据线。
20.根据权利要求19所述的显示器件，其中 所述接触构件在与所述像素电极相同的层上，以及所述接触构件包括与所述像素电极相同的材料。
21.—种显示器件，包括 基板；像素部，在所述基板上并包括像素电极； 在所述基板上的接触孔；以及填充所述接触孔的金属层；以及连接到所述金属层的接触构件， 其中所述像素电极的厚度为40纳米或更小，以及所述接触部分的厚度比所述像素电极的厚度大。
22.根据权利要求21所述的显示器件，其中 所述接触构件在与所述像素电极相同的层上，以及所述接触构件包括与所述像素电极相同的材料。
23.根据权利要求21所述的显示器件，还包括 驱动器，在所述基板上并传送信号到所述像素部， 其中所述接触孔在所述驱动器上。
24.根据权利要求22所述的显示器件，其中 所述像素部还包括连接到所述像素电极的开关元件，栅极线，连接到所述开关元件，并传送栅信号到所述开关元件，以及数据线，连接到所述开关元件并传送数据信号到所述像素电极。
25.根据权利要求M所述的显示器件，还包括 栅极焊盘，连接到所述栅极线的一端，其中所述接触孔在所述栅极焊盘上。
26.根据权利要求25所述的显示器件，还包括 数据焊盘，连接到所述数据线的一端，其中所述接触孔在所述数据焊盘上。
27.根据权利要求沈所述的显示器件，其中 其中所述开关元件包括连接到所述栅极线的栅电极， 连接到所述数据线的源电极，以及连接到所述像素电极的漏电极，并且其中所述接触孔重叠所述漏电极。
28.根据权利要求27所述的显示器件，其中所述金属层通过使用无电镀方法填充所述接触孔。
29.一种制造显示器件的方法，该方法包括 在基板上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成绝缘层；形成延伸穿过所述绝缘层的厚度的接触孔，该接触孔暴露所述第一导电层； 在所述绝缘层上和所述接触孔中形成透明层； 在所述透明层上形成第二导电层；通过一个蚀刻操作形成重叠所述接触孔的接触构件以及像素电极， 其中所述像素电极由所述透明层和所述第二导电层形成，所述接触构件由所述透明层和所述第二导电层形成；以及通过局部蚀刻去除所述像素电极的第二导电层。
30.根据权利要求四所述的方法，其中 其中所述像素电极的厚度为40纳米或更小。
全文摘要
本发明提供一种显示器件及其制造方法，该显示器件包括第一基板和在第一基板上的像素电极。该像素电极的厚度为约40纳米(nm)或更小。
文档编号H01L29/786GK102540602SQ20111041057
公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月12日 优先权日2010年12月10日
发明者姜成昊, 安炳宰, 宋俊昊, 尹汝建 申请人:三星电子株式会社