专利名称：太阳电池硅片湿法刻蚀补液装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种太阳电池硅片湿法刻蚀补液装置。
背景技术：
目前通常采用HF/HN03体系对太阳电池的PN结进行刻蚀，酸位于硅片上在硅片移动过程中进行刻蚀，形成选择性发射结，在此期间，刻蚀或多或少都不好，在实际生产过程中，硅片上载有的酸会随着硅片的移动，呈现加速刻蚀，刻蚀终了时的刻蚀速率会非常快， 以至于造成刻蚀过度，这种常规刻蚀方式刻蚀均勻度不理想，也不便于刻蚀过程中的有效控制。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术中之不足，提供一种刻蚀效果好、 可提高刻蚀均勻度的太阳电池硅片湿法刻蚀补液装置。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种太阳电池硅片湿法刻蚀补液装置，包括待刻蚀的硅片和支撑硅片并带动硅片移动的滚轮，硅片下方设有存液槽，硅片上方设有至少两根向硅片正面滴落酸液的补液管道。优选地，所述的补液管道数量为三根。本实用新型的有益效果是本实用新型通过设置两根以上的补液管道，在刻蚀过程中向硅片补加新的酸液而来降低刻蚀速率，从而较好地控制刻蚀工艺点，确保刻蚀更加均勻。
以下结合附图和实施方式对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。图中1.硅片2.滚轮3.存液槽4.补液管道
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。如图1所示的一种太阳电池硅片湿法刻蚀补液装置，包括待刻蚀的硅片1和支撑硅片ι并带动硅片1移动的滚轮2，硅片1下方设有用于存储从硅片1上落下的酸液的存液槽3，硅片1上方设有三根向硅片1正面滴落酸液的补液管道4。采用本装置对硅片1进行湿法刻蚀时，可以在刻蚀中间过程中通过补液管道4对硅片1正面补加新酸，补液后，后一次补加的新酸可将前一次补加并且已经反应后的酸液挤出硅片1表面，这时硅片1表面的酸液为新的酸液，刻蚀反应重新开始，刻蚀的速率重新从慢到快，从而相对降低了刻蚀速率，能较好的控制刻蚀工艺点。相对一个补液管道4，采用两道以上补液流量会增加，需要匹配相应补液管道4的流量设计，如果只是一道补液，对应的流量设计需要XL/min，如果改成三道补液，对应的流量需要3XL/min，与之配套的管路需要能满足补液需求。 上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种太阳电池硅片湿法刻蚀补液装置，包括待刻蚀的硅片(1)和支撑硅片(1)并带动硅片(1)移动的滚轮O)，硅片(1)下方设有存液槽(3)，其特征是硅片(1)上方设有至少两根向硅片(1)正面滴落酸液的补液管道G)。
2.根据权利要求1所述的太阳电池硅片湿法刻蚀补液装置，其特征是所述的补液管道⑷数量为三根。
专利摘要本实用新型公开了一种太阳电池硅片湿法刻蚀补液装置，包括待刻蚀的硅片和支撑硅片并带动硅片移动的滚轮，硅片下方设有存液槽，硅片上方设有至少两根向硅片正面滴落酸液的补液管道。本实用新型通过设置两根以上的补液管道，在刻蚀过程中向硅片补加新的酸液而来降低刻蚀速率，从而较好地控制刻蚀工艺点，确保刻蚀更加均匀。
文档编号H01L31/18GK202164353SQ20112022606
公开日2012年3月14日 申请日期2011年6月30日 优先权日2011年6月30日
发明者叶权华 申请人:常州天合光能有限公司