专利名称：多芯片集成封装led的制作方法
技术领域：
本发明涉及LED芯片封装领域。
背景技术：
多芯片集成封装因其低成本、高高度成为新一代封装方式，然而传统集成封装基板通常是MCPCB金属基板(铝基板)，电路置于绝缘层，电路绝缘层带来的热阻使芯片散热困难；此外芯片通常简单串联或并联，一旦有单颗失效，整个芯片组也随之失效。
发明内容
本发明目的是本方案通过重新设计基板与电路，提高集成封装的散热性、出光效率及可靠性。本发明所采用的技术方案为一种多芯片集成封装LED，包括位于底层的金属基板，所述的金属基板的上表面镀有银层，所述的金属基板的预定位置向下凹陷形成若干凹杯，各个所述的凹杯的底部设置有电路、多个LED芯片，所述的电路包括正极电路、负极电路以及中间电路，其中一部分LED芯片并联于所述的中间电路与正极电路之间，另一部分 LED芯片并联于所述的中间电路与负极电路之间构成通路，所述的凹杯的内腔中填充有封装胶。优选地，所述的金属基板为铝基板。优选地，所述的金属基板为不锈钢基板。优选地，所述的封装胶为荧光粉封装胶。由于采用上述技术方案，本发明通过重新设计基板和电路，将芯片直接置于金属基板从而提高散热性，镀银凹杯设计将有效增加出光，独特的电路设计将提高芯片可靠性。
附图1为根据本发明的多芯片集成封装LED的侧视图； 附图2为根据本发明的多芯片集成封装LED的正视其中1、金属基板；2、银层；3、LED芯片；4、封装胶；5、凹杯；6、电路。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。參见附图1与附图2所示，本实施例中的多芯片集成封装LED，包括位于底层的金属基板1，金属基板1的上表面镀有银层2，金属基板1的预定位置向下凹陷形成若干凹杯 5，各个凹杯5的底部设置有电路6、多个LED芯片3，电路6包括正极电路、负极电路以及中间电路，其中一部分LED芯片3并联于中间电路与正极电路之间，另一部分LED芯片3并联于中间电路与负极电路之间构成通路，凹杯5的内腔中填充有封装胶6。其中，金属基板1为铝基板、不锈钢基板或者由其它金属材料制成；封装胶6为荧光粉封装胶。本发明的设计要点在干
1.提高散热集成封装所用基板为金属基板，将芯片直接置于金属基板上，避开传统 MCPCB的绝缘层；
2.提高出光金属基板并且做出若干凹杯，并且基板整面镀银；
3.提高可靠性使用三条电路(正极电路、中间电路、负极电路)，所有芯片都与中间电路联接，万一有单颗芯片失效，也不会影响其余芯片。从而，将芯片直接置于金属基板从而提高散热性，镀银凹杯设计将有效增加出光， 独特的电路设计将提高芯片可靠性。以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
权利要求
1.ー种多芯片集成封装LED，其特征在于包括位于底层的金属基板(1)，所述的金属基板(1)的上表面镀有银层(2)，所述的金属基板(1)的预定位置向下凹陷形成若干凹杯 (5),各个所述的凹杯(5)的底部设置有电路(6)、多个LED芯片(3)，所述的电路(6)包括正极电路、负极电路以及中间电路，其中一部分LED芯片(3)并联于所述的中间电路与正极电路之间，另一部分LED芯片(3)并联于所述的中间电路与负极电路之间构成通路，所述的凹杯(5)的内腔中填充有封装胶(6)。
2.根据权利要求1所述的多芯片集成封装LED，其特征在于所述的金属基板(1)为铝基板。
3.根据权利要求1所述的多芯片集成封装LED，其特征在于所述的金属基板(1)为不锈钢基板。
4.根据权利要求1所述的多芯片集成封装LED，其特征在于所述的封装胶(6)为荧光粉封装胶。
全文摘要
本发明涉及一种多芯片集成封装LED，包括位于底层的金属基板，所述的金属基板的上表面镀有银层，所述的金属基板的预定位置向下凹陷形成若干凹杯，各个所述的凹杯的底部设置有电路、多个LED芯片，所述的电路包括正极电路、负极电路以及中间电路，其中一部分LED芯片并联于所述的中间电路与正极电路之间，另一部分LED芯片并联于所述的中间电路与负极电路之间构成通路，所述的凹杯的内腔中填充有封装胶。本发明通过重新设计基板和电路，将芯片直接置于金属基板从而提高散热性，镀银凹杯设计将有效增加出光，独特的电路设计将提高芯片可靠性。
文档编号H01L25/13GK102569626SQ20121000677
公开日2012年7月11日 申请日期2012年1月11日 优先权日2012年1月11日
发明者华斌 申请人:苏州玄照光电有限公司