具有表面微结构的发光二极管及其制造方法
【专利摘要】本申请提供了一种具有表面微结构的发光二极管，所述发光二极管发光的一侧表面制备有镶嵌式微结构，所述镶嵌式微结构包括第一微结构和制备在所述第一微结构表面的第二微结构，所述第一微结构的图案与所述发光二极管的金属电极的导线图案相匹配，且为微米级尺寸；所述第二微结构的尺寸小于所述第一微结构，为纳米级。本申请还提供了相应的发光二极管制备方法。本发明既能够提高芯片的电流扩展能力，又能够提升芯片的光提取率，因此能显著提高芯片的整体电光转换效率。
【专利说明】具有表面微结构的发光二极管及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光二极管(LED)【技术领域】，具体地说，本发明涉及一种具有表面微结构的LED及其制造方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light Emitting Diodes, LED)具有电光转换效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点，使得基于LED的半导体照明被认为是二十一世纪最有可能进入普通照明领域的一种新型固体冷光源和最具发展前景的高新【技术领域】之一。
[0003]半导体照明广泛应用的前提是要提高其电光转换效率，其中，提高氮化物LED芯片的内量子效率和出光效率是提高LED的整体电光转换效率的有效途径之一。LED芯片的内量子效率主要取决于外延材料的质量和外延结构，而出光效率主要与芯片结构有关。因此，需要从材料、外延结构、芯片表面、侧面以及背面形态等方面去提高LED芯片的内量子效率与出光效率。另外，表面粗化是提高LED光提取效率的有效方法之一。
[0004]目前，在生长P型氮化镓半导体层时，通过改变生长温度，在外延层表面形成以位错线为中心的一系列凹坑，从而达到表面粗化的效果。以被业界广泛采用的图形衬底(Patterned Sapphire Substrate, PSS)为例,采用PSS衬底生长的外延片，其芯片出光效率比平面衬底片芯片高出20-40%。然而，对于图形化蓝宝石衬底上所生长的氮化镓外延层而言，由于晶体质量较好，外延缺陷较少，因此很难通过改变生长温度来使外延层表面变得粗糙不平。这会导致PSS衬底生长的外延片的制备工艺复杂，控制难度大，成本高。
[0005]另一方面，提高LED芯片电流注入效率是提高LED的整体电光转换效率的另一重要途径。例如中国专利200880118412.8公开了一种LED，其具有设置在有源层和η接触部之间的电流扩展层，该电流扩展层具有多次重复的层序列，层序列至少具有η掺杂层、未掺杂层和AlxGahN构成的层，其中0〈χ〈1。AlxGapN构成的层具有Al含量的浓度梯度，该LED带有电流扩展结构，能够改进电流的横向导电性和电流垂直传输性能，进而提高LED的整体电光转换效率。然而该方案主要考虑的是LED的电流注入性能，其出光效率未得到明显改善，因此整体的电光转换效率还有待提高。并且采用MOCVD生长成本高昂。
[0006]综上所述，当前迫切需要一种工艺条件简单、制作成本低、制程容易控制且电光转换效率高的LED及其制造方法。
【发明内容】
[0007]为克服现有的缺陷，本发明提出一种工艺条件简单、制作成本低、制程容易控制且电光转换效率高的LED及其制造方法。
[0008]根据本发明的一个方面，提出了一种具有表面微结构的发光二极管，其中，所述发光二极管的发光侧表面制备有镶嵌式微结构，所述镶嵌式微结构包括第一微结构和制备在所述第一微结构表面的第二微结构，所述第一微结构的图案与所述发光二极管的金属电极的导线图案相匹配，所述第二微结构的尺寸小于所述第一微结构。[0009]其中，所述第一微结构的图案与所述发光二极管的金属导线图案交织，形成网状。
[0010]其中，所述第一微结构为微米级微结构，所述第二微结构为纳米级微结构。
[0011]其中，所述发光二极管是正装结构、倒装结构或者垂直结构。
[0012]其中，所述发光二极管包括:蓝宝石衬底、蓝宝石衬底上依次制备的缓冲层、第一型半导体层、量子阱活性层、第二型半导体层、透明电流扩展层以及金属电极，芯片最上层沉积有钝化保护层。
[0013]其中，所述镶嵌式微结构的所述第一微结构制备在所述透明电流扩展层。
[0014]其中，所述镶嵌式微结构的所述第一微结构制备在所述第二型半导体层表面上，所述透明电流扩展层制备在所述第二型半导体层上并且其表面具有与所述第二型半导体层表面形状一致的第一微结构，所述镶嵌式微结构的所述第二微结构制备在所述透明电流扩展层的第一微结构表面。
[0015]其中，所述第二型半导体层是P-GaN层或者n-GaN层。
[0016]其中，所述第一微结构靠近量子阱一侧，所述第二微结构靠近出光表面一侧。
[0017]其中，所述透明导电薄膜是IT0,或者是第三主族元素掺杂的Zn0、Ru0x或IrOx薄膜。
[0018]其中，所述透明 导电薄膜厚度根据入射光波长和薄膜折射率而变化，薄膜厚度为
JfJ /
/=#，式中，\是入射光波长，n是I TO薄膜的折射率，m是整数，t是ITO薄膜的厚度。 In
[0019]其中，所述钝化保护层材料是SiO2薄膜或者是SiNx掩膜。
[0020]其中，所述第二微结构尺寸和周期小于入/n，其中，\是发光二极管发光主波长，n是承载微结构的膜层折射率。
[0021]根据本发明的另一方面，提出了一种具有表面微结构的发光二极管的制备方法，包括下列步骤:
[0022]I)制备出表面平滑的发光二极管；
[0023]2)在步骤I)所制备的所述发光二极管的发光侧表面制备有镶嵌式微结构，所述镶嵌式微结构包括第一微结构和制备在所述第一微结构表面的第二微结构，所述第一微结构的图案与所述发光二极管的金属电极的导线图案相匹配，所述第二微结构的尺寸小于所述第一微结构。
[0024]其中，所述步骤2)中，所述第一微结构通过光刻掩膜的方法制备。
[0025]其中，所述光刻掩膜的方法中采用干法刻蚀形成微结构，或者采用湿法刻蚀形成微结构。
[0026]其中，所述步骤2)中，所述第二微结构通过纳米团簇掩膜的方法制备。
[0027]其中，所述纳米团簇掩膜的方法中采用干法刻蚀形成微结构，或者是采用湿法刻蚀形成微结构。
[0028]其中，所述纳米团簇掩膜的方法中，纳米团簇是溶液旋涂法形成的有机薄膜，或者是薄膜沉积方式制备的纳米级薄层金属膜。
[0029]与现有技术相比，本发明具有下列技术效果:
[0030]1、本发明既能够提高芯片的电流扩展能力，又能够提升芯片的光提取率，因此能显著提高芯片的整体电光转换效率。[0031 ] 2、本发明工艺条件简单、制作成本低、制程容易控制。
【专利附图】
【附图说明】
[0032]图1是采用本发明实施例一方法制作的正装LED芯片结构剖面图(不包括钝化层)，在其P型半导体表面的透明电流扩展层上形成第一微米级和第二纳米级两种镶嵌式微结构；
[0033]图2是采用本发明实施例二制备的正装LED芯片剖面示意图(不包括钝化层)；
[0034]图3是采用本发明实施例三制作的垂直或倒装结构LED芯片剖面示意图；[0035]图4a是无微结构时芯片表面意图，图4b是制备完第一微米级导电微结构时芯片表面示意图。
[0036]图5a~图c分别示出了如图4b所示的镶嵌式微结构芯片表面部分区域的形貌俯视图；
[0037]其中，100:外延层衬底；101:氮化镓低温缓冲层；102:n型氮化镓半导体层；103:多量子阱活性层；104:p型氮化镓半导体层；105:透明电流扩展层；106:p型金属电极焊垫；107:n型金属电极焊垫；200:支撑衬底；201:金属反射层；202:衬底粘结层；203:第一半导体层；204:多量子阱活性层；205:第二半导体层；206:金属电极焊垫。
【具体实施方式】
[0038]下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
[0039]实施例一
[0040]根据本发明的一个实施例，提供了一种具有表面微结构的LED的制造方法,该方法包括下列步骤:
[0041](I)首先采用金属化学气相沉积(MOCVD)的方法在蓝宝石衬底上依次沉积缓冲层、n-GaN层、量子阱层、P-1nGaN电子阻挡层、P-GaN外延层，形成完整的发光二极管PN结结构；
[0042](2)采用合金炉对生长完毕的外延片进行退火处理，主要激发P-GaN外延层的Mg惨杂受:主；
[0043](3)采用化学试剂清洗的方法处理外延片表面后进行台阶刻蚀，暴露出n-GaN层；
[0044](4)使用薄膜蒸发设备在外延片表面蒸镀一层ITO透明导电薄膜，其厚度根据入射光波长和ITO折射率而变化，可通过如下公式确定:
r ntn λ
[0045]t =——
2//
[0046]式中，λ是入射光波长，η是I TO薄膜的折射率，m是整数，t是ITO薄膜的厚度。
[0047](5)制备嵌套型表面微结构，其制备步骤如下:
[0048]首先，制备第一微结构-微米级图形，包括下列子步骤:
[0049]第一步:采用常规光刻方法在ITO表面制备出光刻版上设计的图形，并对光刻胶进行100° C、30min的固化；
[0050]第二步:用湿法腐蚀的方法腐蚀外延片，腐蚀用溶液是FC13 =HCl的混合溶液，温度为40° C，时间为30s;[0051]第三步:用专用去胶液洗去外延片表面的光刻胶，即获得第一微结构-微米级图形；
[0052]然后，制备第二微结构-纳米级导光层，包括下列子步骤:
[0053]第一步:采用旋涂的方法将颗粒尺寸在100_300nm的旋涂液旋涂在已经制备好的、具有第一微结构的外延片表面；
[0054]第二步:将涂覆了旋涂液的外延片平放在热板表面烘烤，烘烤温度为200° C，时间是30min ；
[0055]第三步:采用等离子刻蚀机(ICP刻蚀机)，对外延片进行干法刻蚀；
[0056]第四步:用专用溶液洗去外延片表面的残余的掩膜涂层，即获得第二微结构-纳米级图形；
[0057](6)在450°C高温和N2氛围下对ITO进行退火，退火时间为30分钟；
[0058](7)制备金属电极，利用负性光刻胶在具有嵌套微结构的外延片表面制备金属电极图案，并在电子束蒸发设备上完成电极蒸镀；
[0059](8)在400°C高温和N2氛围下对金属电极进行合金化，退火时间为30分钟；
[0060](9)使用等离子体增强化学气相沉积的方法(PECVD)沉积钝化层并通过光刻、腐蚀工艺除去PAD表面的钝化层。
[0061]图1示出了采用上述方法所制备的具有表面微结构的LED的剖面示意图(不包括钝化层)，它采用了正装LED芯片结构。如图1所示，该LED由下至上依次包括:外延层衬底100、氮化镓低温缓冲层101、η型氮化镓半导体层102、多量子阱活性层103、ρ型氮化镓半导体层104、透明电流扩展层105。
[0062]其中，透明电流扩展层105表面上制备有ρ型金属电极焊垫106，η型氮化镓半导体层102的裸露部分的表面上制备有η型金属电极焊垫107。
[0063]本实施例中，在ρ型半导体表面的透明电流扩展层上形成第一微米级和第二纳米级两种微结构。其中，第二纳米级微结构直接制备在第一微米级微结构所在层的表面，因此可将第一微米级和第二纳米级两种微结构的组合称为镶嵌式微结构。第二纳米级微结构尺寸和周期小于λ/η，其中，λ是发光二极管发光主波长，η是承载微结构的膜层折射率。
[0064]为便于理解，图4 (a)示出了无微结构时芯片表面示意图，图4 (b)示出了制备完第一微米级导电微结构(即第一微米级微结构)时芯片表面示意图，图5 (a)?(C)示出了镶嵌式微结构芯片表面部分区域(如图4b所示)的形貌图；以上三图均为俯视图，可以看出芯片表面的微结构图案。受图形显示效果限制，本专利文件中未出示镶嵌式表面微结构芯片整体效果图，而是以区域性放大的方式展现。
[0065]参考图5 (a)至(C)可以看出，第一微米级导电微结构图案形状与芯片金属导线相匹配，二者相互交织，形成网状。这样能够增强电流的横向扩展，使电流密度的分布更加均匀，从而提高电流扩散和注入能力。而纳米阵列图案(第二微结构)自然地分布于微米阵列图形四周及其图形上，这样，纳米级尺寸图形将量子阱活性层发射出的光更多的导出芯片结构。因此，采用上述两种不同形状和尺寸的镶嵌式微结构的工艺方法，对提高大功率芯片电流注入效率和发光效率具有明显效果，从而显著提高了芯片整体的电光转换效率。并且，这种镶嵌式微结构的制作工艺条件简单、制作成本低、制程容易控制。
[0066]实施例二[0067]根据本发明的另一个实施例，提供了一种具有表面微结构的LED的制造方法，该方法包括下列步骤:
[0068](I)首先采用金属化学气相沉积(MOCVD)的方法在蓝宝石衬底上依次沉积缓冲层、n-GaN、量子阱、P-1nGaN电子阻挡层、P-GaN外延层，形成完整的发光二极管PN结结构；
[0069](2)采用合金炉对生长完毕的外延片进行退火处理，激发P-GaN的Mg掺杂受主；
[0070](3)采用化学试剂清洗的方法处理外延片表面后进行台阶刻蚀，暴露出n-GaN ；
[0071](4)在p-GaN表面制备第一微结构-微米级图形；
[0072]首先，制备第一微结构，其步骤如下:
[0073]第一步:采用常规光刻方法在P-GaN表面制备出光刻版上设计的图形，并对光刻胶进行100° C、30min的固化；
[0074]第二步:用等离子干法刻蚀法将图形转移至P-GaN基板表面；
[0075]第三步:用专用去胶液洗去外延片表面的光刻胶，即获得第一微结构-微米级图形；
[0076](5)使用薄膜蒸发设备在外延片表面蒸镀一层ITO透明导电薄膜，其厚度根据入射光波长和ITO折射率而变化，可通过如下公式确定:
「 I mX
[0077]t 二——`
In
[0078]式中，\是入射光波长，n是ITO薄膜的折射率，m是整数，t是ITO薄膜的厚度。
[0079](6)在ITO薄膜表面制备第二纳米级微结构，其步骤如下:
[0080]第一步:采用旋涂的方法将颗粒尺寸在100_300nm的旋涂液旋涂在已经制备好第一微米级微结构的外延片表面；
[0081]第二步:将涂覆了旋涂液的外延片平放在热板表面烘烤，烘烤温度为200° C，时间是30min ；
[0082]第三步:采用湿法腐蚀的方法腐蚀n-GaN表面，腐蚀用溶液用熔融的氢氧化钾溶液，设定温度为60-100° C，时间为5min;
[0083]第四步:用专用溶液洗去外延片表面的残余的掩膜涂层，即获得第二微结构图形；
[0084](7)对ITO薄膜进行光刻，制备与MESA形状一致、尺寸小5_10um的电流扩展层；其中，进一步，该处步骤(6 )和步骤(7 )可以交换操作顺序；
[0085](8)在450°C高温和N2氛围下对ITO进行退火，退火时间为30分钟；
[0086](9)制备金属电极，利用负性光刻胶在具有嵌套微结构的外延片表面制备金属电极图案，并在电子束蒸发设备上完成电极蒸镀；
[0087](10)在400°C高温和N2氛围下对金属电极进行合金化，退火时间为30分钟；
[0088](11)使用PECVD设备沉积钝化层并通过光刻、腐蚀工艺除去PAD表面的钝化层。
[0089]图2示出了采用本实施例方法所制备的具有表面微结构的LED的剖面示意图(不包括钝化层)，它采用了正装LED芯片结构，第一微结构制备在p型半导体层，而第二纳米级微结构制备在p型半导体层表面的透明电流扩展层上。
[0090]如图2所示，该LED由下至上依次包括:外延层衬底100、氮化镓低温缓冲层101、n型氮化镓半导体层102、多量子阱活性层103、p型氮化镓半导体层104、透明电流扩展层105和，其中透明电流扩展层105表面上制备有ρ型金属电极焊垫106，η型氮化镓半导体层102的裸露部分的表面上制备有η型金属电极焊垫107。本实施例中，第一微结构制备在ρ型半导体层，而第二纳米级微结构制备在P型半导体层表面的透明电流扩展层上。
[0091 ] 本实施例的镶嵌式微结构的图案可以与实施例--致，此处不再赘述。
[0092]实施例三
[0093]根据本发明的又一个实施例，提供了一种具有表面微结构的LED的制造方法，该方法包括下列步骤:
[0094](I)首先采用金属化学气相沉积(MOCVD)的方法在蓝宝石衬底上依次沉积缓冲层、n-GaN、量子阱、P-1nGaN电子阻挡层、P-GaN外延层，形成完整的发光二极管PN结结构；
[0095](2)采用合金炉对生长完毕的外延片进行退火处理，激发P-GaN的Mg掺杂受主；
[0096](3)采用化学试剂清洗的方法处理外延片表面后进行台阶刻蚀，暴露出n-GaN ；
[0097](4)分别在ρ型层和裸露的n-GaN区制备金属电极；
[0098](5)在400°C高温和N2氛围下 对金属电极进行欧姆接触合金化，退火时间为30分钟；
[0099](6)制备一散热基板，基板上有依次有金属粘附层、金属反射层、欧姆接触层；在所述欧姆接触层上设有金属凸点阵列；
[0100](7)将具有金属电极的外延片通过倒装加压、超声焊工艺倒置在散热基板上；
[0101](8)去除生长衬底，衬底剥离方法可以是激光剥离、化学腐蚀等方法；
[0102](9)制备嵌套型表面微结构，其制备方法和步骤如下:
[0103]首先，制备第一微米级微结构，其步骤如下:
[0104]第一步:采用常规光刻方法在n-GaN表面制备出光刻版上设计的图形，并对光刻胶进行100° C、30min的固化；
[0105]第二步:用等离子干法刻蚀法将图形转移至n-GaN基板表面；
[0106]第三步:用专用去胶液洗去外延片表面的光刻胶，即获得第一层微米级图案；
[0107]然后，制备第二微结构-纳米级导光层，其步骤如下:
[0108]第一步:采用旋涂的方法将颗粒尺寸在100_300nm的旋涂液旋涂在已经制备好第一微结构的外延片表面；
[0109]第二步:将涂覆了旋涂液的外延片平放在热板表面烘烤，烘烤温度为200° C，时间是30min ；
[0110]第三步:采用湿法腐蚀的方法腐蚀n-GaN表面，腐蚀用溶液用熔融的氢氧化钾溶液，设定温度为60-100° C，时间为5min;
[0111]第四步:用专用溶液洗去外延片表面的残余的掩膜涂层，即获得第二微结构；
[0112](10)制备芯片钝化层。
[0113]图3示出了采用本实施例方法所制备的具有表面微结构的LED的剖面示意图(不包括钝化层)，它是垂直或倒装结构LED芯片剖面示意图，镶嵌式微结构分别制备在垂直芯片的P型半导体层或透明电流扩展层上，或者制备在倒装结构芯片的η型半导体层上。
[0114]如图3所示，该LED由下至上依次包括:支撑衬底200、金属反射层201、衬底粘结层202、第一半导体层203、多量子阱活性层204、第二半导体层205和金属电极焊垫206。对于垂直芯片，镶嵌式微结构制备在P型半导体层或透明电流扩展层上，对于倒装结构芯片，镶嵌式微结构制备在n型半导体层上。
[0115]本实施例的镶嵌式微结构的图案可以与实施例一一致，此处不再赘述。
[0116]需要说明的是，上述三个实施例中，纳米级微结构是通过纳米团簇掩膜的方法制备的，其中纳米团簇除了采用溶液旋涂法形成的有机薄膜，也可以是电子束等薄膜沉积方式制备的纳米级薄层金属膜，比如Ag，可以利用成膜初期阶段形成的三维岛状微结构作为制备纳米微结构的掩膜层。
[0117]最后应说明的是，以上实施例仅用以描述本发明的技术方案而不是对本技术方法进行限制，本发明在应用上可以延伸为其他的修改、变化、应用和实施例，并且因此认为所有这样的修改、变化、应用、实施例都在本发明的精神和教导范围内。
【权利要求】
1.一种具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管发光一侧的表面制备有镶嵌式微结构，所述镶嵌式微结构包括第一微结构和制备在所述第一微结构表面的第二微结构，所述第一微结构的图案与所述发光二极管的金属电极的导线图案相匹配，所述第二微结构的尺寸小于所述第一微结构。
2.根据权利要求1所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述第一微结构的图案与所述发光二极管的金属导线图案交织，形成网状。
3.根据权利要求1所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述第一微结构为微米级微结构，所述第二微结构为纳米级微结构。
4.根据权利要求1所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管是正装结构、倒装结构或者垂直结构。
5.根据权利要求1所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括:蓝宝石衬底、蓝宝石衬底上依次制备的缓冲层、第一型半导体层、量子阱活性层、第二型半导体层、透明电流扩展层以及金属电极，芯片最上层沉积有钝化保护层。
6.根据权利要求5所述的具有表面微结构的发光二极管,其特征在于,所述镶嵌式微结构的所述第一微结构制备在所述透明电流扩展层。
7.根据权利要求5所述的具有表面微结构的发光二极管,其特征在于,所述镶嵌式微结构的所述第一微结构制备在所述第二型半导体层表面上，所述透明电流扩展层制备在所述第二型半导体层上并且其表面具有与所述第二型半导体层表面形状一致的第一微结构，所述镶嵌式微结构的所述第二微结构制备在所述透明电流扩展层的第一微结构表面。
8.根据权利要求5所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述第二型半导体层是P-GaN层或者n_GaN层。`
9.根据权利要求1所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述第一微结构靠近量子讲一侧，所述第二微结构靠近出光表面一侧。
10.根据权利要求5所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述透明导电薄膜是ITO,或者是第三主族元素掺杂的ZnO、RuOx或IrOx薄膜。
11.根据权利要求10所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述透明导电薄膜厚度根据入射光波长和薄膜折射率而变化，薄膜厚度为Z = ^，式中，\是入射光波
In长，n是I TO薄膜的折射率，m是整数，t是ITO薄膜的厚度。
12.根据权利要求5所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述钝化保护层材料是SiO2薄膜或者是SiNx掩膜。
13.根据权利要求1所述的具有表面微结构的发光二极管，其特征在于，所述第二微结构尺寸和周期小于入/n，其中，\是发光二极管发光主波长，n是承载微结构的膜层折射率。
14.一种具有表面微结构的发光二极管的制备方法，其特征在于，包括下列步骤: 1)制备出表面平滑的发光二极管； 2)在步骤I)所制备的所述发光二极管的发光侧表面制备有镶嵌式微结构，所述镶嵌式微结构包括第一微结构和制备在所述第一微结构表面的第二微结构，所述第一微结构的图案与所述发光二极管的金属电极的导线图案相匹配，所述第二微结构的尺寸小于所述第一微结构。
15.根据权利要求14所述的具有表面微结构的发光二极管的制备方法,其特征在于，所述步骤2)中，所述第一微结构通过光刻掩膜的方法制备。
16.根据权利要求15所述的具有表面微结构的发光二极管的制备方法,其特征在于，所述光刻掩膜的方法中采用干法刻蚀形成微结构，或者采用湿法刻蚀形成微结构。
17.根据权利要求14所述的具有表面微结构的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，所述第二微结构通过纳米团簇掩膜的方法制备。
18.根据权利要求17所述的具有表面微结构的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述纳米团簇掩膜的方法中采用干法刻蚀形成微结构，或者是采用湿法刻蚀形成微结构。
19.根据权利要求17所述的具有表面微结构的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述纳米团簇掩膜的方法中，纳米团簇是溶液旋涂法形成的有机薄膜，或者是薄膜沉积方式制备的纳米级薄层金属膜。
【文档编号】H01L33/00GK103682014SQ201210322627
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月3日 优先权日:2012年9月3日
【发明者】周圣军, 王书方 申请人:广东量晶光电科技有限公司