封装基板的制法
【专利摘要】一种封装基板的制法，其包括：提供一以粘着层结合两承载结构的承载件，该粘着层粘贴于该两承载结构的边缘的非布线区；形成单一层线路层于该承载结构上；以及分离该两承载结构，以形成两具有该承载结构的封装基板。借由该承载结构，可于薄化线路层的同时，使该封装基板具有足够的刚性进行封装工艺，所以于封装工艺后，再移除该承载结构，即可有效降低封装件的厚度，以达薄化封装件的目的。
【专利说明】封装基板的制法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体封装基板，尤指一种具有承载结构的封装基板的制法。
【背景技术】
[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化(miniaturization)的封装需求,所以朝降低承载芯片的封装基板的
厚度发展。
[0003]早期半导体封装件的制法中，是以具有核心层10的封装基板I提升整体结构的刚性，如图1A所示，以利于后续置晶与封装工艺。该封装基板I还包含:形成于该核心层10的相对两侧上的多个介电层11、形成于该介电层11上的线路层14、形成于该介电层11中且电性连接该线路层14的多个导电盲孔12、形成于该核心层10中且电性连接该线路层14的多个导电通孔13、及形成于该最外侧的介电层11上的防焊层15，且该防焊层15外露该线路层14的部分表面。于后续置晶与封装工艺中，先置放一芯片16于该防焊层15上，且该芯片16借由多个焊线160电性连接该线路层14，再以封装胶体17包覆该芯片16与焊线160。
[0004]然而，因该封装基板I具有核心层10，所以该封装基板I的厚度增加，导致整体半导体封装件的整体高度增加，而难以符合薄化的需求。
[0005]此外，因需考量该核心层10的材料成本及制作该导电通孔13的成本，所以难以降低该封装基板I的制作成本。
[0006]因此，遂发展出无核心层(coreless)的封装基板，以达到微小化及省成本的需求。如图1B所示，该封装基板I’的制法通过于一承载件(图略)上形成一无核心层(coreless)的封装基板1’，再移除该承载件。该封装基板I’包含:多个介电层11、形成于该介电层11上的线路层14、形成于该介电层11中且电性连接该线路层14的多个导电盲孔12、及形成于该最外侧的介电层11上的防焊层15，且该防焊层15外露该线路层14的部分表面。于后续置晶与封装工艺中，先置放一芯片16于该防焊层15上，且该芯片16借由多个焊线160电性连接该线路层14，再以封装胶体17包覆该芯片16与焊线160。
[0007]然而，现有封装基板I’的制法中，于该承载件上仅能以单面制作，所以一次工艺仅能制造出一批封装基板I’供封装工艺使用，导致生产效率不佳，而难以降低制作成本。
[0008]此外，因该封装基板I’的厚度愈薄，其刚性越小，且该封装基板I’也需具有足够的刚性供后续置晶或封装工艺时作承载之用，所以该封装基板I’仍需维持一定厚度而难以再薄化，以致于无法进一步薄化封装件。
[0009]因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
【发明内容】
[0010]鉴于上述现有技术的种种缺陷，本发明的主要目的在于提供一种封装基板的制法，以有效降低封装件的厚度，以达薄化封装件的目的。[0011]本发明的封装基板的执法包括:提供一承载件，该承载件用于结合两承载结构，该两承载结构各具有相对的第一侧与第二侧，且该两承载结构以其第二侧相结合；形成单一层线路层于该两承载结构的第一侧上；以及分离该两承载结构，以形成两具有该承载结构的封装基板。
[0012]前述的制法中，该两承载结构的第二侧以粘着层粘结，所以可移除该粘着层，以分离出该两封装基板；或者，该两承载结构的分离以沿该第二侧的粘着层内侧进行切割的方式，令该两承载结构分开，以分离出该两封装基板。此外，该粘着层设置于该两承载结构的第二侧边缘的非布线区。
[0013]前述的制法中，该两承载结构的第二侧还具有支撑强化件；或者，该承载结构还具有绝缘层、形成于该绝缘层上的介电层、形成于该介电层上的金属承载层、及形成于该金属承载层上的金属层，且令该金属层形成于该第一侧上。
[0014]前述的制法中，各该第一侧上具有金属层，且形成该线路层的工艺包括:形成阻层于该金属层上，且该阻层形成有多个开口以外露部分该金属层；形成该线路层于该开口中的金属层上；以及移除该阻层。或者，借蚀刻该金属层而形成该线路层。
[0015]前述的制法中，该承载结构的第一侧与第二侧分别具有第一与第二金属层，各该两承载结构以其第二金属层相互结合。再者，该第一与第二金属层为铜箔，且该第二金属层以真空压合方式相互结合。此外，形成该线路层的工艺包括:形成预备金属层于该第一金属层上；形成阻层于该预备金属层上，且该阻层形成有多个开口以外露部分该预备金属层；移除该开口中的预备金属层，以令剩余的该预备金属层作为该线路层；以及移除该阻层。其中，该预备金属层以压合 方式形成于该第一金属层上。
[0016]前述的制法中，还包括形成表面处理层于该线路层上。
[0017]另外，前述的制法中，还包括形成防焊层于该承载结构的第一侧上。
[0018]由上可知，本发明的封装基板的制法，借由在相叠的承载结构两侧制作该线路层，以于一次工艺中制造出两批封装基板，所以相比于现有技术，本发明的制法能有效提升产倉泛。
[0019]此外，本发明的封装基板借由增设承载结构，可于薄化设计的同时，使该封装基板具有足够的刚性进行封装工艺，所以于封装工艺后，再移除该承载结构，即可降低封装件的厚度，以达到进一步薄化封装件的目的。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1A为现有应用具有核心层的封装基板所制成的封装件的剖视示意图；
[0021]图1B为现有应用无核心层的封装基板所制成的封装件的剖视示意图；
[0022]图2A至图2G为本发明的封装基板的制法的第一实施例的剖视示意图；其中，图2A’为承载结构的局部放大图，图2A”为图2A的另一实施例，图2G’为图2G的另一实施例；
[0023]图3A至图3G为本发明的封装基板的制法的第二实施例的剖视示意图；以及
[0024]图4A至图4D为本发明的封装基板于后续置晶与封装工艺的剖视示意图。
[0025]主要组件符号说明
[0026]1，1’，2，3 封装基板
[0027]10核心层[0028]11介电层
[0029]12导电盲孔
[0030]13导电通孔
[0031]14，24，24’，34 线路层
[0032]15，28防焊层
[0033]16，26芯片
[0034]160, 260焊线
[0035]17，27封装胶体
[0036]2a, 2a’半导体封装件
[0037]2b承载件
[0038]20, 30承载结构
[0039]20a, 30a第一侧
[0040]20b, 30b第二侧
[0041]200金属层
[0042]201绝缘层
[0043]202介电层
[0044]203金属承载层
[0045]21粘着层
[0046]22支撑强化件
[0047]23，33阻层
[0048]230, 330开口
[0049]240置晶区
[0050]25, 35表面处理层
[0051]280开孔
[0052]29导电组件
[0053]300第一金属层
[0054]301第二金属层
[0055]34a预备金属层
[0056]A布线区
[0057]L, S切割线。
【具体实施方式】
[0058]以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。
[0059]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“底”、“第一”、“第二”、“边缘”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
[0060]请参阅图2A至图2G，其为本发明的封装基板2的制法的第一实施例的剖视示意图。
[0061]如图2A所示，首先，提供一承载件2b，该承载件2b结合两承载结构20，各该承载结构20具有相对的第一侧20a与第二侧20b，且各该第一侧20a上具有一金属层200，并将两承载结构20以其第二侧20b相互叠置。
[0062]于本实施例中，该承载结构20的第二侧20b边缘的非布线区形成有粘着层21，以借该粘着层21相互结合两承载结构20。具体地，该粘着层21位于对应该第一侧20a的布线区A的外围。于其它实施例中，也可于该承载结构20的第二侧20b的整面上涂布该粘着层21 o
[0063]此外，如图2A’所示，各该承载结构20还具有一绝缘层201、形成于该绝缘层201上的一介电层202、形成于该介电层202上的一金属承载层203,令该金属层200形成于该金属承载层203上。其中，该绝缘层201的材质可例如为FR4，该介电层202的材质可例如为预浸材(prepreg,简称PP),该金属承载层203与金属层200为铜材。
[0064]另外，于另一实施例中，如图2A”所示，该两承载结构20的第二侧20b之间可设置一支撑强化件22，以强化两承载结构20的布线区A的强度。其中，该支撑强化件22仅以物理方式抵靠该承载结构20，并未以化学方式(如粘贴)结合该承载结构20。
[0065]如图2B所示，进行图案化线路工艺，先形成一阻层23于该金属层200上，且该阻层23形成有多个开口 230以外露该金属层200的部分表面。
[0066]如图2C所示，以该金属层200为导电途径，电镀形成一线路层24于该开口 230中的金属层200上。
[0067]如图2D所示，形成表面处理层25于该线路层24上，以防止该线路层24氧化。于本实施例中，形成该表面处理层25的材质为化镍/金(Ni/Au)、化镍钮金(ElectrolessNicke 1/Electro I ess Palladium/Immersion Gold, ENEPIG)、直接浸金(Direct ImmersionGold, DIG)，电镀镍/化镀钯/电镀金、或有机保焊剂(OSP，Organic SolderabilityPreservative)。
[0068]如图2E所示，移除该阻层23，以完成单层图案化线路结构工艺。
[0069]如图2F及图2G所示，沿该第二侧20b的粘着层21内侧进行切割(即该布线区A的外围)，如图2F所示的切割线L，令该两承载结构20自动分开，以分离出两具有该承载结构20的封装基板2。
[0070]请参阅图3A至图3G，其为本发明的封装基板3的制法的第二实施例的剖视示意图。本实施例与第一实施例的差异在于该承载结构30的态样与线路层34的工艺。
[0071]如图3A所示，该两承载结构30的第一侧30a与第二侧30b上分别具有第一金属层300与第二金属层301 ;接着，将两承载结构30以其第二金属层301相互叠置。
[0072]于本实施例中，该两第二金属层301以真空压合方式相互结合,且该第一与第二金属层300，301为铜箔，也就是该承载结构30为铜箔基板(Copper clad laminate, CCL)。
[0073]如图3B所示，进行图案化线路工艺，先形成预备金属层34a于该第一金属层300上。于本实施例中，该预备金属层34a以压合方式形成于该第一金属层300上，且该预备金属层34a为铜箔。
[0074]如图3C所示，形成一阻层33于该预备金属层34a上，且该阻层33形成有多个开口 330以外露该预备金属层34a的部分表面。
[0075]如图3D所示，蚀刻移除该开口 330中的预备金属层34a，以令剩余的该预备金属层34a作为线路层34。
[0076]如图3E所示，移除该阻层33，以完成单层图案化线路结构工艺。
[0077]如图3F所示，形成表面处理层35于该线路层34与第一金属层300上。于本实施例中，该表面处理层300为银层。
[0078]如图3G所示，解除真空状态，令该两承载结构30沿该两第二金属层301的界面自动分开，以分离出两具有该承载结构30的封装基板3。
[0079]本发明的制法借由在叠置的承载结构20，30上、下两侧同时制作该线路层24，34，再将该两承载结构20，30，以形成两具有该承载结构20，30的封装基板2，3。因此，一次工艺可同时制作两批板量，以提升产能，供后续封装工艺使用。
[0080]此外，该封装基板2，3借由该承载结构20，30，以提升整体封装基板2，3的强度，所以于提升该线路层24，34的薄化程度时，该封装基板2，3不会破裂。
[0081]请参阅图4A至图4D，其为后续置晶与封装工艺，且以类似第一实施例的封装基板2为例。
[0082]如图4A所示，先置放至少一芯片26于该线路层24的置晶区240上，且该芯片26借由多个焊线260电性连接该线路层24，再以封装胶体27包覆该芯片26与焊线260。
[0083]如图4B所示，移除该承载结构20。具体地，为先分离该金属承载层203与金属层200，以移除该绝缘层201、该介电层202与金属承载层203，而保留该金属层200 ;再借由蚀刻方式移除该金属层200与部分线路层24底侧，令该线路层24’的底面低于该封装胶体27的表面。
[0084]若以第二实施例的封装基板3为例，因该预备金属层34a以压合方式形成于该金属层300上，所以可直接分离该金属层300与该线路层34，但需再移除该金属层300上的表面处理层35。
[0085]如图4C所示，形成一防焊层28于该封装胶体27与线路层24’上，且该防焊层28形成有多个开孔280，以外露部分线路层24’的底面。其中，外露于该开孔280的置晶区240可作为该芯片26的散热途径。
[0086]如图4D所示，进行植球工艺与切单工艺，沿图4C所示的切割线S，以取得多个个半导体封装件2a，2a’，且于该线路层24底部上可结合如焊球的导电组件29。
[0087]本发明的封装基板2，3减去该承载结构20，30的厚度之后，其它结构的总厚度将大幅缩小，所以于封装工艺中，将该承载结构20，30移除后，可大幅降低封装件的整体厚度，以满足薄化的需求。
[0088]此外，即使该线路层24，34极薄化，但该封装基板2，3借由该承载结构20，30，以提升整体封装基板2，3的强度，所以于封装时，该封装基板2，3不会破裂。
[0089]另外，于第一与第二实施例中，如图2G’所示，可形成一防焊层28于该两承载结构20的第一侧20a上，以包覆该线路层24。
[0090]另外，于其它实施例中，也可直接图案化蚀刻该金属层200 (或第一金属层300)以形成线路层。
[0091]综上所述，本发明封装基板的制法，主要借由在相叠的承载结构两侧制作该线路层，以形成两具有该承载结构的封装基板，所以一次工艺可制造出两批封装基板，供封装工艺使用。因此，相比于现有技术的产能，本发明的制法有效提升产能，以降低制作成本。
[0092]此外，本发明的封装基板借由增设承载结构，以于薄化设计的同时，使该封装基板具有足够的刚性，以供后续置晶或封装工艺时作承载之用，且于封装工艺时，再移除该承载结构，以有效降低封装件的厚度，所以能满足封装件薄化的需求。
[0093]上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
【权利要求】
1.一种封装基板的制法，其包括: 提供一承载件，该承载件结合两承载结构，该两承载结构各具有相对的第一侧与第二侦牝且该两承载结构以其第二侧相结合； 形成单一层线路层于该两承载结构的第一侧上；以及 分离该两承载结构，以形成两具有该承载结构的封装基板。
2.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该两承载结构的第二侧以粘着层粘结。
3.根据权利要求2所述的封装基板的制法，其特征在于，该执法还包括移除该粘着层，以分离出该两封装基板。
4.根据权利要求2所述的封装基板的制法，其特征在于，该两承载结构的分离以沿该第二侧的粘着层内侧进行切割的方式，令该两承载结构分开，以分离出该两封装基板。
5.根据权利要求2所述的封装基板的制法，其特征在于，该粘着层设置于该两承载结构的第二侧边缘的非布线区。
6.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该两承载结构的第二侧还具有支撑强化件。
7.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该执法还包括形成表面处理层于该线路层上。
8.根据权利 要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该承载结构还具有绝缘层、形成于该绝缘层上的介电层、形成于该介电层上的金属承载层、及形成于该金属承载层上的金属层，且令该金属层形成于该第一侧上。
9.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，各该第一侧上具有金属层，且形成该线路层的工艺包括: 形成阻层于该金属层上，且该阻层形成有多个开口以外露部分该金属层； 形成该线路层于该开口中的金属层上；以及 移除该阻层。
10.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，各该第一侧上具有金属层，以借蚀刻该金属层而形成该线路层。
11.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，各该承载结构的第一侧与第二侧分别具有第一与第二金属层，该两承载结构以其第二金属层相互结合。
12.根据权利要求11所述的封装基板的制法，其特征在于，该第一与第二金属层为铜箔。
13.根据权利要求11所述的封装基板的制法，其特征在于，该第二金属层以真空压合方式相互结合。
14.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该承载结构的第一侧与第二侧分别具有第一与第二金属层，供该两承载结构以其第二金属层相互结合，且形成该线路层的工艺包括: 形成预备金属层于该第一金属层上； 形成阻层于该预备金属层上，且该阻层形成有多个开口以外露部分该预备金属层； 移除该开口中的预备金属层，以令剩余的该预备金属层作为该线路层；以及移除该阻层。
15.根据权利要求14所述的封装基板的制法，其特征在于，该预备金属层以压合方式形成于该第一金属层上。
16.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该执法还包括形成防焊层于该承载结构的第一侧上。`
【文档编号】H01L21/48GK103632980SQ201210322593
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年9月4日 优先权日:2012年8月22日
【发明者】白裕呈, 林俊贤, 萧惟中, 孙铭成, 洪良易 申请人:矽品精密工业股份有限公司