有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的衬底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述阴极包括依次层叠在所述电子传输层上的第一金属层和复合层，所述复合层包括依次层叠的1~5个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成，所述透明介质层的材料为一氧化硅、三氧化二锑、氧化铋、氧化锆、二氧化钛、硒化锌或硫化锌。透明介质层设置于第一金属层和相邻的第二金属层之间及设置于相邻的两个第二金属层之间，使得第一金属层和相邻的第二金属层及相邻的两个第二金属层反射的光线能够发生干涉相消的作用，从而使阴极反射光线迅速减少，透过率大大提高。
【专利说明】有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光显示【技术领域】，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光(Organic Light Emission Diode),以下简称0LED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003]有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。
[0004]当有机电致发光应用于显示时，顶发射有机电致发光器件的光从阴极这一侧发光，为了获得较好的发光效果，要求阴极具有较高的透过率。然而，一般的顶发射有机电致发光器件通常采用金属薄层作为阴极，例如银层、铝层等，这种金属薄层的透过率不够高，通常只能达到60-70%左右。ITO薄膜的透过率较高，但ITO薄膜的功函较高，对电子的注入不利，难以应用于阴极。
【发明内容】
[0005]基于此，有必要针 对现有的有机电致发光器件的阴极的透过率较低的问题，提供一种阴极的透过率较高的有机电致发光器件。
[0006]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的衬底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述阴极包括依次层叠在所述电子传输层上的第一金属层和复合层，所述复合层包括依次层叠的I飞个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成，所述透明介质层的材料为一氧化硅、三氧化二锑、氧化铋、氧化错、二氧化钛、硒化锌或硫化锌。
[0007]在其中一个实施例中，所述第一金属层和第二金属层的材料为银、招、衫、镱、镁-银合金或镁-铝合金。
[0008]在其中一个实施例中，所述第一金属层和第二金属层的厚度为10-30纳米。
[0009]在其中一个实施例中，所述透明介质层的厚度为30-80纳米。
[0010]在其中一个实施例中，所述阳极由铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、镓锌氧化物、银、铝、金、铜和钼中的一种形成；或由银、铝、金、铜和钼中的至少两种形成的合金形成；
[0011]所述空穴传输层由空穴传输材料形成或由第一掺杂剂掺杂于所述空穴传输材料中形成，其中，所述空穴传输材料选自酞菁锌、酞菁铜、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N’- 二苯基-N，N’- 二 (1-萘基)_1，1’-联苯_4，4’-二胺)、(4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1, I’ -联苯-4，4’-二胺、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺和1，1-二(4-(N，N’_ 二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)环己烷中的一种；所述第一掺杂剂选自2，3，5,6-四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌和2，2’ -(2, 5- 二氰基_3，6- 二氟环己烧-2, 5- 二烯-1，4- 二亚基)二丙二腈中的一种，所述第一掺杂剂占所述空穴传输层的质量百分比为f 10% ；
[0012]所述电子阻挡层由酞菁锌、酞菁铜、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，1’-联苯-4，4’-二胺)、(4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1, 1’ -联苯_4，4’ - 二胺、N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺和1,1-二(4-(N, N’-二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)环己烧中的一种材料形成；
[0013]所述发光层由发光材料掺杂于所述空穴传输材料或电子传输材料中形成，或由发光材料掺杂于所述空穴传输材料与电子传输材料的混合材料中形成，所述发光材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4!1-吡喃、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝、4- (二腈甲烯基)-2-异丙基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羟基喹啉铝，4，4’ - 二(2，2- 二苯乙烯基)-1，I’ -联苯，双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种，所述发光材料占所述发光层的质量百分比为广10%;
[0014]所述电子传输材料选自2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-B,惡二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4，7- 二苯基-邻菲咯啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯、2，9- 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲和1，2，4-三唑衍生物双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(I, 1’ -联苯-4-羟基)铝；
[0015]所述空穴阻挡层由2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4_噁二唑、(8_羟基喹啉)_铝、4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲和1，2，4-三唑衍生物双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1, 08) - (1, 1’ -联苯-4-羟基)招中的一种材料形成；
[0016]所述电子传输层由所述电子传输材料形成或由第二掺杂剂掺杂于所述电子传输材料中形成，其中，所述第二掺杂剂选自碳酸锂、叠氮化锂、氟化锂、叠氮化铯、碳酸铯和氟化铯中的一种，所述第二掺杂剂占所述电子传输层的质量百分比为5~30%。
[0017]在其中一个实施例中，所述阳极的厚度为70-200纳米；所述空穴传输层的厚度为2飞O纳米；所述电子阻挡层的厚度为5~20纳米；所述发光层的厚度为f 15纳米；所述空穴阻挡层的厚度为5~20纳米；所述电子传输层的厚度为20-60纳米。
[0018]一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0019]提供衬底；
[0020]采用磁控溅射在所述衬底上形成阳极；[0021]采用真空蒸镀在所述阳极上形成空穴传输层；
[0022]采用真空蒸镀在所述空穴传输层上形成电子阻挡层；
[0023]采用真空蒸镀在所述电子阻挡层上形成发光层；
[0024]采用真空蒸镀在所述发光层上形成空穴阻挡层；
[0025]采用真空蒸镀在所述空穴阻挡上形成电子传输层；及
[0026]采用热蒸发或者电子束蒸发技术在所述电子传输层上形成第一金属层，并在所述第一金属层上形成复合层得到阴极，所述复合层包括依次层叠的1飞个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成，所述透明介质层的材料为一氧化硅、三氧化二锑、氧化铋、氧化锆、二氧化钛、硒化锌或硫化锌。
[0027]在其中一个实施例中，还包括对所述衬底进行清洗干燥和对所述阳极等离子处理的步骤，对所述衬底进行清洗干燥的步骤为将所述衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；对所述阳极进行等离子处理的步骤为将层叠于所述衬底的阳极放置于等离子处理室中处理30分钟。
[0028]在其中一个实施例中，所述真空蒸镀的真空度为lX10_3~lX10_5Pa。
[0029]上述有机电致发光器件的阴极包括层叠的第一金属层和复合层，所述复合层包括依次层叠的广5个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成，由一氧化硅、三氧化二锑、氧化铋、氧化锆、二氧化钛、硒化锌或硫化锌形成的透明介质层设置于第一金属层和相邻的第二金属层之间及设置于相邻的两个第二金属层之间，使得第一金属层和相邻的第二金属层及相邻 的两个第二金属层反射的光线能够发生干涉相消的作用，从而使阴极反射光线迅速减少，透过率大大提高。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0031]图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法流程图。
【具体实施方式】
[0032]以下通过【具体实施方式】和附图对上述有机电致发光器件及其制备方法进一步阐述。
[0033]请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的衬底110、阳极120、空穴传输层130、电子阻挡层140、发光层150、空穴阻挡层160、电子传输层170和阴极180。
[0034]衬底110为透明衬底，可以采用透明玻璃或聚醚砜树脂衬底。本实施方式采用透明玻璃。
[0035]阳极120由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、镓锌氧化物(GZO)、银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、铜(Cu)和钼(Pt)中的一种形成。在其他实施方式中，阳极120也可以由银(Ag)、招(Al)、金(Au)、铜(Cu)和钼(Pt)中的至少两种形成的合金形成。
[0036]阳极120的厚度为70-200纳米。[0037]空穴传输层130由空穴传输材料形成,或由第一掺杂剂掺杂于空穴传输材料中形成。
[0038]空穴传输材料选自酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)、4，4’，4 "-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA) ,N, N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-联苯_4，4’-二胺(NPB)、(4，4’，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’ -联苯-4，4’ - 二胺(TPD)、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-TPD)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 1，1- 二 (4-(N, N’ - 二 (ρ-甲苯基)氣基)苯基)环己烧(TAPC)中的一种。
[0039]第一掺杂剂为ρ型材料，选自2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)和 2，2’ -(2，5_ 二氰基-3，6-二氟环己烷-2，5-二烯-1，4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)中的一种。第一掺杂剂占空穴传输层130的质量百分比为f 10% ； [0040]优选的，空穴传输层130由2，3，5，6_四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)掺杂于N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-TPD)中形成。
[0041]空穴传输层130的厚度为20-60纳米。 [0042]电子阻挡层140由酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)、4，4’，4"-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-ΤΝΑΤΑ)、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -联苯-4，4’ - 二胺)(NPB)、(4，4’，4 "-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，-联苯-4，4’-二胺(TPD)、N，N, N’，N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 1，1-二(4-(N，N’-二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)环己烧(TAPC)中的一种材料形成。
[0043]电子阻挡层140的厚度为5~20纳米。
[0044]发光层150由发光材料掺杂于空穴传输材料或电子传输材料中形成,或由发光材料掺杂于空穴传输材料与电子传输材料的混合材料中形成。
[0045]发光材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝(BALQ)、4_ (二腈甲烯基)-2-异丙基-6- (I，I，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8_羟基喹啉铝(Alq3)，4，4’ - 二(2，2_ 二苯乙烯基)_1，I’ -联苯(DPVBi)，双(4，6-二氟苯基吡啶-N, C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[F，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ) 2 (acac) )、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (piq) 2 (acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基批卩定)铱(Ir (ppy)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)和三(2_苯基吡啶)合铱(IHppy)3)中的至少一种。
[0046]发光材料占发光层150的质量百分比为1~10%。
[0047]空穴传输材料与空穴传输层130中的空穴传输材料相同。电子传输材料选自2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1, 3，4-噁二唑(PBD)、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4，7- 二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、(I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)和双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I’-联苯-4-羟基)铝)(BAlq)中的一种。[0048]发光层150优选由二(2-甲基-二苯基[f.h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱Ir (MDQ) 2 (acac)掺杂于 N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -联苯-4，4’ - 二胺 NPB 中形成,二(2-甲基-二苯基[f.h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱Ir (MDQ) 2 (acac)发光层150的质量百分比为广10%。
[0049]发光层的厚度为f 15纳米。
[0050]空穴阻挡层160由2- (4-联苯基)-5- (4_叔丁基)苯基-1，3，4_噁二唑(PBD)、(8-羟基喹啉)-铝)(Alq3)、4，7- 二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、(1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)和双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I’_联苯_4_羟基)铝)(BAlq)中的一种材料形成。
[0051]空穴阻挡层160的厚度为5~20纳米。
[0052]电子传输层170由电子传输材料形成或由第二掺杂剂掺杂于电子传输材料中形成。
[0053]电子传输材料选自2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4_噁二唑(PBD)、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4，7- 二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、(I, 3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)和双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，1’_联苯_4_羟基)铝)(BAlq)中的一种。
[0054]电子传输层170的电子传输材料与发光层150选用的电子传输材料相同。
[0055]第二掺杂剂为η型材料，选自碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、氟化锂(LiF)、叠氮化铯(CsN3)、碳酸铯(Cs2CO3)和氟化铯(CsF)中的一种。第二掺杂剂占电子传输层170的质量百分比为5~30%。
[0056]优选的，电子传输层170由叠氮化铯(CsN3)掺杂于4，7_ 二苯基-邻菲咯啉(Bphen)中形成。
[0057]电子传输层170的厚度为20~60纳米。
[0058]阴极180包括依次层叠在电子传输层170上的第一金属层181和复合层182。复合层182包括依次层叠的f 5个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层(图未标)和第二金属层(图未标)形成。复合层182的结构表示为(透明介质层/第二金属层)η，η为50其中，最靠近第一金属层181的透明介质层层叠于第一金属层181上。阴极180的结构表示为第一金属层181/ (透明介质层/第二金属层)η，“/”表示层叠，η为f 5。
[0059]第一金属层和第二金属层的材料为银(Ag)、铝(Al)、钐(Sm)、镱(Yb)、镁-银(Mg-Ag)合金或镁-铝(Mg-Al)合金。第一金属层和第二金属层的材料可以相同，也可以不同。
[0060]第一金属层和第二金属层的厚度为10-30纳米。
[0061]透明介质层的材料为一氧化硅(SiO)、三氧化二锑(Sb2O3)、氧化铋(Bi2O3)、氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、硒化锌(ZnSe)或硫化锌(ZnS)。
[0062]透明介质层的厚度为30~80纳米。
[0063]由一氧化硅(SiO)、三氧化二锑(Sb2O3)、氧化铋(Bi2O3)、氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、硒化锌(ZnSe)或硫化锌(ZnS)形成厚度为30-80纳米的透明介质层具有较高的透光性。
[0064]在传统的有机电致发光器件中，通常采用单层的金属薄层作为阴极。由于金属薄层本身会发射一部分光线，从而使得阴极的透过率较低。上述有机电致发光器件100的阴极180采用第一金属层181/(透明介质层/第二金属层)n的复合结构，一氧化硅(SiO)、三氧化二铺(Sb2O3)、氧化秘(Bi2O3)、氧化错(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、硒化锌(ZnSe)或硫化锌(ZnS)形成的透明介质层设置于第一金属层181和相邻的第二金属层之间及设置于相邻的两个第二金属层之间，使得第一金属层181表面反射的光线被相邻的第二金属层表面反射的光线发生干涉相消的作用，第二金属层表面反射的光线也被相邻的第二金属层表面反射的光线发生干涉相消作用，通过干涉相消的原理，消除了大部分的反射光线，使得阴极180具有较高的可见光透过率，从而提高了有机电致发光器件100的光效。
[0065]优选的，η的值越大，形成多层干涉相消作用，能够消除较多的反射光线，使得阴极180的透过率越高。综合阴极180的透过率及厚度考虑，η的最大值为5。
[0066]优选的，第一金属层181和第二金属层选用相同的材料,使得第一金属层181和第二金属层的反射率相近，反射光的干涉相消作用较强。
[0067]阴极180具有较高的透过率，将阴极180应用于底反射的有机电致发光器件中，可以实现双面发光。
[0068]请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0069]步骤SllO:提供衬底。
[0070]衬底可以采用透明玻璃或聚醚砜树脂衬底。
[0071]首先清洗衬底，以避免衬底上的污染物对有机电致发光器件的性能产生不良影响。将衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干，备用。
[0072]步骤S120:采用磁控溅射在衬底上形成阳极。
[0073]衬底清洗干燥后，采用磁控溅射在衬底上沉积氧化铟锡(ΙΤ0),形成ITO薄膜作为阳极。
[0074]也可以在衬底上形成铟掺杂氧化锌(IZO)薄膜、铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜或镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜作为阳极。
[0075]阳极的厚度为70-200纳米。
[0076]将层叠于透明玻璃表面的阳极放入等离子处理室中处理10分钟，以提高阳极的功函，降低空穴注入势垒，有利于更多的空穴进入发光层中与电子复合，提高发光效率。
[0077]步骤S130:采用真空蒸镀在阳极上形成空穴传输层。
[0078]真空度为I X 10-3 ~I X l(T5Pa，优选为 I X l(T4Pa。
[0079]空穴传输层由空穴传输材料形成,或由第一掺杂剂掺杂于空穴传输材料中形成。
[0080]空穴传输材料选自酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)、4，4’，4 "-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA) ,N, N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-联苯_4，4’-二胺(NPB)、(4，4’，4 " -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’-联苯-4，4’-二胺(TH))、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 1，1- 二 (4-(N, N’ - 二 (ρ-甲苯基)氣基)苯基)环己烧(TAPC)中的一种。[0081]第一掺杂剂选自2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)和2，2’ -(2，5- 二氰基-3，6- 二氟环己烷-2，5-二烯-1，4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)中的一种。第一掺杂剂占空穴传输层130的质量百分比为I~10%;
[0082]空穴传输层130的厚度为20~60纳米。
[0083]步骤S140:采用真空蒸镀在空穴传输层上形成电子阻挡层。
[0084]真空度为I X 10-3 ~I X l(T5Pa，优选为 I X l(T4Pa。
[0085]电子阻挡层由酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)、4，4’，4"-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-联苯-4，4’ - 二胺)(NPB)、(4，4’，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’-联苯-4，4’-二胺(TH))、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 1，1- 二 (4-(N, N’ - 二 (ρ-甲苯基)氨基)苯基)环己烧(TAPC)中的一种材料形成。 [0086]电子阻挡层140的厚度为5~20纳米。
[0087]步骤S150:采用真空蒸镀在电子阻挡层上形成发光层。
[0088]由发光材料掺杂于空穴传输材料或电子传输材料中形成，或由发光材料掺杂于空穴传输材料与所述电子传输材料的混合材料中形成。
[0089]发光材料选自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝(BALQ)、4_ (二腈甲烯基)-2-异丙基-6- (I，I，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8_羟基喹啉铝(Alq3)，4，4’ - 二(2，2_ 二苯乙烯基)_1，I’ -联苯(DPVBi)，双(4，6- 二氟苯基吡啶-N, C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ) 2 (acac) )、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (piq) 2 (acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基批卩定)铱(Ir (ppy)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)和三(2_苯基吡啶)合铱(IHppy)3)中的至少一种。
[0090]发光材料占发光层的质量百分比为f 10%。
[0091]空穴传输材料与空穴传输层中的空穴传输材料相同。电子传输材料选自2-(4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、(8-羟基喹啉)_铝(Alq3)、4，7_ 二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1, 10-邻二氮杂菲(BCP)U, 2，4-三唑衍生物(TAZ)和双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I’-联苯-4-羟基)铝)(BAlq)中的一种。
[0092]发光层的厚度为f 15纳米。
[0093]步骤S160:采用真空蒸镀在发光层上形成空穴阻挡层。
[0094]真空度为I X 10-3 ~I X l(T5Pa，优选为 I X l(T4Pa。
[0095]空穴阻挡层由2- (4-联苯基)-5_ (4-叔丁基)苯基-1，3，4_噁二唑(PBD)、(8_羟基喹啉)_铝(Alq3)、4，7_ 二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、(1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)和双(2-甲基-8-羟基喹啉-N 1，08)_(1，-联苯-4-羟基)铝)(BAlq)中的一种材料形成。
[0096]空穴阻挡层的厚度为5~20纳米。
[0097]步骤S170:采用真空蒸镀在空穴阻挡上形成电子传输层。
[0098]真空度为I X 10-3 ~I X l(T5Pa，优选为 I X l(T4Pa。
[0099]电子传输层由电子传输材料形成或由第二掺杂剂掺杂于电子传输材料中形成。
[0100]电子传输材料与发光层中的电子传输材料相同。
[0101]第二掺杂剂选自碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、氟化锂(LiF)、叠氮化铯(CsN3)、碳酸铯(Cs2CO3)和氟化铯(CsF)中的一种。第二掺杂剂占电子传输层的质量百分比为5~30%。
[0102]电子传输层的厚度为20-60纳米。
[0103]步骤S180:采用热蒸发或者电子束蒸发技术在电子传输层上形成第一金属层，并在第一金属层上形成复合层得到阴极。
[0104]复合层包括依次层叠的f 5个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成。
[0105]第一金属层和第二金属层的材料为银(Ag)、铝(Al)、钐(Sm)、镱(Yb)、镁-银(Mg-Ag)合金或镁-铝(Mg-Al)合金。第一金属层和第二金属层的厚度为10-30纳米。
[0106]透明介质层的材料为一氧化硅(SiO)、三氧化二锑(Sb2O3)、氧化铋(Bi2O3)、氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、硒化锌(ZnSe)或硫化锌(ZnS)。透明介质层的厚度为30-80纳米。
[0107]优选的，当第一金属层和第二金属层的材料为合金时，米用电子束蒸发技术制备阴极。电子束蒸发设备结构简单，成本低廉，在蒸镀合金时可以实现快速蒸发，避免合金的分馏，形成质量较高的第一金属层和第二金属层。
[0108]依次层叠的衬底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极组成有机电致发光器件。
[0109]上述有机电致发光器件的制备方法采用磁控溅射在透明玻璃制备上阳极，然后采用真空蒸镀制备依次层叠的空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层，最后采用热蒸发或者电子束蒸发技术制备阴极得到有机电致发光器件。该制备方法工艺简单，易于大规模制备。
[0110]真空蒸镀制备空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层均在真空度I X IO-4Pa下进行蒸镀。在较高的真空度I X 10_4Pa下，能够避免沉积形成的膜产生缺陷，有利于提高成膜质量，从而得到性能稳定的有机电致发光器件。
[0111]以下为具体实施例。
[0112]实施例1
[0113]结构为:Glass/IT0/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3: Bphen/Ag/SiO/Ag/SiO/Ag 的有机电致发光器件。
[0114]该器件的制备工艺如下:
[0115](I)提供透明玻璃作为衬底，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干；[0116](2)采用磁控溅射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉积铟锡氧化物(ITO)薄膜作为阳极，厚度为200nm。制备得到阳极后，将层叠于透明玻璃表面的阳极放入等离子处理室中处理10分钟;
[0117](3)采用真空蒸镀在阳极的表面形成空穴传输层。真空度为lX10_4Pa。空穴传输层由1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)掺杂于N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-TPD)中形成，表示为F6-TNAP = MeO-Tro。F6-TNAP占空穴传输层的总质量的5%。空穴传输层的厚度为60nm;
[0118](4)采用真空蒸镀在空穴传输层的表面形成电子阻挡层。真空度为lX10_4Pa。电子阻挡层由1，1-二(4-(N，N’_ 二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)形成。电子阻挡层的厚度为IOnm ；
[0119](5)采用真空蒸镀在电子阻挡层的表面形成发光层。真空度为lX10_4Pa。发光层由二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ)2 (acac))掺杂于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-联苯-4，4’-二胺)(NPB)中形成，表示为Ir (MDQ)2 (acac):NBP。Ir (MDQ) 2 (acac)占发光层总质量的5%,发光层的厚度为15nm;
[0120](6)采用真空蒸镀在发光层的表面形成空穴阻挡层。真空度为lX10_4Pa。空穴阻挡层由双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I’-联苯-4-羟基)铝)(BAlq)形成。空穴阻挡层的厚度为IOnm;
[0121](7)采用真空蒸镀在空穴阻挡层的表面形成电子传输层，真空度为lX10_4Pa。电子传输层由叠氮化铯(CsN3)掺杂于4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)中形成，表示为CsN3:Bphen。CsN3占电子传输层总质量的15%。电子传输层的厚度为50nm ;
[0122](8)采用热蒸发技术在电子传输层的表面形成阴极得到有机电致发光器件。
[0123]首先在电子传输层上沉积Ag形成第一金属层,然后在第一金属层上形成复合层。复合层包括依次层叠的2个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成。透明介质的材料为SiO、第二金属层的材料为Ag。在第一金属层上依次交替沉积SiO和Ag，形成结构为SiO/Ag/SiO/Ag的复合层，得到阴极，阴极的结构表示为Ag/SiO/Ag/SiO/Ag。
[0124]第一金属层的厚度为IOnm ;透明介质层的厚度为40nm ;第二金属层的厚度为15nm。
[0125]阴极的厚度为120nm。
[0126]实施例2
[0127]结构为:Glass/GZ0/F4-TCNQ:MeO-TPD/TAPC/DCJTB:2_TNATA/PBD/Li2C03: PBD/A1/Sb203/Al/Sb203/Al/Sb203/Al的有机电致发光器件。
[0128]该器件的制备工艺如下:
[0129](I)提供透明玻璃作为衬底，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干;
[0130](2)采用磁控溅射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉积镓锌氧化物(GZO)薄膜作为阳极，厚度为70nm。制备得到阳极后，将层叠于透明玻璃表面的阳极放入等离子处理室中处理10分钟;[0131](3)采用真空蒸镀在阳极的表面形成空穴传输层。真空度为5X10_4Pa。空穴传输层由2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)掺杂于N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-TPD)中形成，表示为F4-TCNQ = MeO-Tro。F4-TCNQ占空穴传输层的总质量的1%。空穴传输层的厚度为20nm;
[0132](4)采用真空蒸镀在空穴传输层的表面形成电子阻挡层。真空度为5X10_4Pa。电子阻挡层由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)形成。电子阻挡层的厚度为5nm ；
[0133](5)采用真空蒸镀在电子阻挡层的表面形成发光层。真空度为5X10_4Pa。发光层由4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB)掺杂于4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)中形成，表示为DCJTB: 2-TNATA。DCJTB占发光层总质量的10%，发光层的厚度为IOnm;
[0134](6)采用真空蒸镀在发光层的表面形成空穴阻挡层。真空度为5X 10_4Pa。空穴阻挡层由2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑(PBD)形成。空穴阻挡层的厚度为20nm;
[0135](7)采用真空蒸镀在空穴阻挡层的表面形成电子传输层，真空度为5X10_4Pa。电子传输层由碳酸锂(Li2CO3)掺杂于2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)中形成，表示为Li2C03:PBD。Li2CO3占电子传输层总质量的30%。电子传输层的厚度为 60nm ；
[0136](8)采用热蒸发技术在电子传输层的表面形成阴极得到有机电致发光器件。
[0137]首先在电子传输层上沉积Al形成第一金属层,然后在第一金属层上形成复合层。复合层包括依次层叠的3个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成。透明介质的材料为Sb2O3、第二金属层的材料为Al。在第一金属层上依次交替沉积Sb2O3和Al，形成结构为Sb203/Al/Sb203/Al/Sb203/Al的复合层，得到阴极，阴极的结构表示为Al/Sb203/Al/Sb203/Al/Sb203/Al。
[0138]第一金属层的厚度为20nm ;透明介质层的厚度为50nm ;第二金属层的厚度为IOnm0
[0139]阴极的厚度为200nm。
[0140]实施例3
[0141]结构为:Glass/AZ0/F2-HCNQ:Me0_TPD/TAPC/DCJT1:BCP/Alq3/LiN3:BCP/Sm/Bi203/Sm的有机电致发光器件。
[0142]该器件的制备工艺如下:
[0143](I)提供透明玻璃作为衬底，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干;
[0144](2)采用磁控溅射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉积铝锌氧化物(AZO)薄膜作为阳极，厚度为120nm。制备得到阳极后，将层叠于透明玻璃表面的阳极放入等离子处理室中处理10分钟;
[0145](3)采用真空蒸镀在阳极的表面形成空穴传输层。真空度为lX10_3Pa。空穴传输层由2，2’ -(2，5- 二氰基-3，6- 二氟环己烧-2, 5- 二烯-1，4- 二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)掺杂于N，N, N’，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TTO)中形成，表示为F2-HCNQ:MeO-TH)。F2-HCNQ占空穴传输层的总质量的5%。空穴传输层的厚度为60nm;
[0146](4)采用真空蒸镀在空穴传输层的表面形成电子阻挡层。真空度为lX10_3Pa。电子阻挡层由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)形成。电子阻挡层的厚度为20nm ；
[0147](5)采用真空蒸镀在电子阻挡层的表面形成发光层。真空度为lX10_3Pa。发光层由4-(二腈甲烯基)-2-异丙基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTI)掺杂于2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)中形成，表示为DCJT1: BCP。DCJTI占发光层总质量的5%，发光层的厚度为Inm;
[0148](6)采用真空蒸镀在发光层的表面形成空穴阻挡层。真空度为lX10_3Pa。空穴阻挡层由(8-羟基喹啉)_铝(Alq3)形成。空穴阻挡层的厚度为5nm;
[0149](7)采用真空蒸镀在空穴阻挡层的表面形成电子传输层，真空度为lX10_3Pa。电子传输层由叠氮化锂(LiN3)掺杂于2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)中形成，表不为LiN3:BCP。LiN3占电子传输层总质量的5%。电子传输层的厚度为60nm ；
[0150](8)采用热蒸发技术在电子传输层的表面形成阴极得到有机电致发光器件。
[0151]首先在电子传输层上沉积Sm形成第一金属层,然后在第一金属层上形成复合层。复合层包括I个基本单元，基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成。透明介质的材料为Bi2O3、第二金属层的材料为Sm。在第一金属层上依次沉积Bi2O3和Sm,形成结构为Bi203/Sm的复合层,得到阴极，阴极的结构表示为Sm/Bi203/Sm。
[0152]第一金属层的厚度为30nm ;透明介质层的厚度为80nm ;第二金属层的厚度为IOnm0
[0153]阴极的厚度为120nm。
[0154]实施例4
[0155]结构为:Glass/IZ0/F6-TNAP:TAPC/TAPC/DMQA:BCP/Bphen/LiF:TPBi/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb 的有机电致发光器件。
[0156]该器件的制备工艺如下:
[0157](I)提供透明玻璃作为衬底，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干;
[0158](2)采用磁控溅射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉积铟锌氧化物(IZO)薄膜作为阳极，厚度为150nm。制备得到阳极后，将层叠于透明玻璃表面的阳极放入等离子处理室中处理10分钟;
[0159](3)采用真空蒸镀在阳极的表面形成空穴传输层。真空度为lX10_5Pa。空穴传输层由1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)掺杂于I, 1-二(4-(N，N’-二(P-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)中形成，表示为F6-TNAP:TAPC。F6-TNAP占空穴传输层的总质量的1%。空穴传输层的厚度为20nm;
[0160](4)采用真空蒸镀在空穴传输层的表面形成电子阻挡层。真空度为lX10_5Pa。电子阻挡层由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)形成。电子阻挡层的厚度为15nm。[0161](5)采用真空蒸镀在电子阻挡层的表面形成发光层。真空度为lX10_5Pa。发光层由二甲基喹吖啶酮(DMQA)掺杂于2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)中形成，表示为DMQA:BCP。DMQA占发光层总质量的5%，发光层的厚度为15nm;
[0162](6)采用真空蒸镀在发光层的表面形成空穴阻挡层。真空度为lX10_5Pa。空穴阻挡层由4，7- 二苯基-邻菲咯啉(Bphen)形成。空穴阻挡层的厚度为15nm;
[0163](7)采用真空蒸镀在空穴阻挡层的表面形成电子传输层。真空度为lX10_5Pa。电子传输层由氟化锂(LiF)掺杂于1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中形成，表示为LiF:TPBi。LiF占电子传输层总质量的15%。电子传输层的厚度为50纳米；
[0164](8)采用电子束蒸发技术在电子传输层的表面形成阴极得到有机电致发光器件。
[0165]首先在电子传输层上沉积Yb形成第一金属层,然后在第一金属层上形成复合层。复合层包括依次层叠的5个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成。透明介质的材料为TiO2、第二金属层的材料为Yb。在第一金属层上依次交替沉积TiO2和Yb，形成结构为Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb的复合层，得到阴极，阴极的结构表示为 Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb。
[0166]第一金属层的厚度为IOnm ;透明介质层的厚度为30nm ;第二金属层的厚度为IOnm0
[0167]阴极的厚度为210nm。
[0168]实施例5
[0169]结构为:Glass/Au/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3: Bphen/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag 的有机电致发光器件。
[0170]该器件的制备工艺如下:
[0171](I)提供透明玻璃作为衬底，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干;
[0172](2)采用磁控溅射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉积Au形成Au层作为阳极，厚度为lOOnm。制备得到阳极后，将层叠于透明玻璃表面的阳极放入等离子处理室中处理10分钟；
[0173](3)采用真空蒸镀在阳极的表面形成空穴传输层。真空度为5X10_4Pa。空穴传输层由1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)掺杂于N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-TPD)中形成，表示为F6-TNAP = MeO-Tro。F6-TNAP占空穴传输层的总质量的5%。空穴传输层的厚度为60nm;
[0174](4)采用真空蒸镀在空穴传输层的表面形成电子阻挡层。真空度为5X10_4Pa。电子阻挡层由1，1-二(4-(N，N’_ 二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)形成。电子阻挡层的厚度为IOnm ；
[0175](5)采用真空蒸镀在电子阻挡层的表面形成发光层。真空度为5X10_4Pa。发光层由二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ)2 (acac))掺杂于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-联苯-4，4’-二胺)(NPB)中形成，表示为Ir (MDQ)2 (acac):NBP。Ir (MDQ) 2 (acac)占发光层总质量的5%,发光层的厚度为15nm;
[0176](6)采用真空蒸镀在发光层的表面形成空穴阻挡层。真空度为5X10_4Pa。空穴阻挡层由双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I’-联苯-4-羟基)铝)(BAlq)形成。空穴阻挡层的厚度为IOnm;
[0177](7)采用真空蒸镀在空穴阻挡层的表面形成电子传输层。真空度为5X10_4Pa。电子传输层由叠氮化铯(CsN3)掺杂于4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)中形成，表示为CsN3:Bphen。CsN3占电子传输层总质量的15%。电子传输层的厚度为50nm ;
[0178](8)采用电子束蒸发技术在电子传输层的表面形成阴极得到有机电致发光器件。
[0179]首先在电子传输层上沉积Mg-Ag合金形成第一金属层，然后在第一金属层上形成复合层。复合层包括依次层叠的4个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成。透明介质的材料为ZrO2、第二金属层的材料为Mg-Ag。在第一金属层上依次交替沉积 ZrO2 和 Mg-Ag,形成结构为 Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg_Ag 的复合层，得到阴极，阴极的结构表示为 Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg_Ag。
[0180]第一金属层的厚度为IOnm ;透明介质层的厚度为30nm ;第二金属层的厚度为IOnm0
[0181]阴极的厚度为170nm。
[0182]实施例6
[0183]结构为:Glass/Ag/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3: Bphen/Mg-Al/ZnS/Mg-Al/ZnS/Mg-Al 的有机电致发光器件。
[0184]该器件的制备工艺如下:
[0185](I)提供透明玻璃作为衬底，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干;
[0186](2)采用磁控溅射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉积Ag形成Ag层作为阳极，厚度为lOOnm。制备得到阳极后，将层叠于透明玻璃表面的阳极放入等离子处理室中处理10分钟；
[0187](3)采用真空蒸镀在阳极的表面形成空穴传输层。真空度为5X10_4Pa。空穴传输层由1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)掺杂于N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-TPD)中形成，表示为F6-TNAP = MeO-Tro。F6-TNAP占空穴传输层的总质量的5%。空穴传输层的厚度为60nm;
[0188](4)采用真空蒸镀在空穴传输层的表面形成电子阻挡层。真空度为5X10_4Pa。电子阻挡层由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)形成。电子阻挡层的厚度为IOnm ；
[0189](5)采用真空蒸镀在电子阻挡层的表面形成发光层。真空度为5X10_4Pa。发光层由二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ)2 (acac))掺杂于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-联苯-4，4’-二胺)(NPB)中形成，表示为Ir (MDQ)2 (acac):NBP。Ir (MDQ) 2 (acac)占发光层总质量的5%,发光层的厚度为15nm;
[0190](6)采用真空蒸镀在发光层的表面形成空穴阻挡层。真空度为5X10_4Pa。空穴阻挡层由双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I’-联苯-4-羟基)铝)(BAlq)形成。空穴阻挡层的厚度为IOnm;
[0191](7)采用真空蒸镀在空穴阻挡层的表面形成电子传输层，真空度为5X10_4Pa。电子传输层由叠氮化铯(CsN3)掺杂于4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)中形成，表示为CsN3:Bphen。CsN3占电子传输层总质量的15%。电子传输层的厚度为50nm ;
[0192](8)采用电子束蒸发技术在电子传输层的表面形成阴极得到有机电致发光器件。
[0193]首先在电子传输层上沉积Mg-Al合金形成第一金属层,然后在第一金属层上形成复合层。复合层包括依次层叠的2个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成。透明介质的材料为ZnS、第二金属层的材料为Mg-Al。在第一金属层上依次交替沉积ZnS和Mg-Al，形成结构为ZnS/Mg-Al/ZnS/Mg-Al的复合层，得到阴极，阴极的结构表示为 Mg-Al/ZnS/Mg-Al/ZnS/Mg-Al。
[0194]第一金属层的厚度为15nm ;透明介质层的厚度为40nm ;第二金属层的厚度为IOnm0
[0195]阴极的厚度为115nm。
[0196]实施例7
[0197]结构为:Glass/Cu/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3: Bphen/Al/ZnSe/Al/ZnSe/Al 的有机电致发光器件。
[0198]该器件的制备工艺如下:
[0199](I)提供透明玻璃作为衬底，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干;
[0200](2)采用磁控溅射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉积Cu形成Cu层作为阳极，厚度为lOOnm。制备得到阳极后，将层叠于透明玻璃表面的阳极放入等离子处理室中处理10分钟；
[0201](3)采用真空蒸镀在阳极的表面形成空穴传输层。真空度为5X10_4Pa。空穴传输层由1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)掺杂于N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-TPD)中形成，表示为F6-TNAP = MeO-Tro。F6-TNAP占空穴传输层的总质量的5%。空穴传输层的厚度为60nm;
[0202](4)采用真空蒸镀在空穴传输层的表面形成电子阻挡层。真空度为5X 10_4Pa。电子阻挡层由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)形成。电子阻挡层的厚度为IOnm ；
[0203](5)采用真空蒸镀在电子阻挡层的表面形成发光层。真空度为5X10_4Pa。发光层由二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ)2 (acac))掺杂于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-联苯-4，4’-二胺)(NPB)中形成，表示为Ir (MDQ)2 (acac):NBP。Ir (MDQ) 2 (acac)占发光层总质量的5%,发光层的厚度为15nm;
[0204](6)采用真空蒸镀在发光层的表面形成空穴阻挡层。真空度为5X 10_4Pa。空穴阻挡层由双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I’-联苯-4-羟基)铝)(BAlq)形成。空穴阻挡层的厚度为IOnm;
[0205](7)采用真空蒸镀在空穴阻挡层的表面形成电子传输层，真空度为5X10_4Pa。电子传输层由叠氮化铯(CsN3)掺杂于4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)中形成，表示为CsN3:Bphen。CsN3占电子传输层总质量的15%。电子传输层的厚度为50nm ;
[0206](8)采用电子束蒸发技术在电子传输层的表面形成阴极得到有机电致发光器件。[0207]首先在电子传输层上沉积Al合金形成第一金属层,然后在第一金属层上形成复合层。复合层包括依次层叠的3个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成。透明介质的材料为ZnSe、第二金属层的材料为Al。在第一金属层上依次交替沉积ZnSe和Al，复合层的结构表示为ZnSe/Al/ZnSe/Al，阴极的结构表示为Al/ZnSe/Al/ZnSe/Al。
[0208]第一金属层的厚度为15nm ;透明介质层的厚度为40nm ;第二金属层的厚度为IOnm0
[0209]阴极的厚度为115nm。
[0210]对比例I
[0211]结构为:Glass/IT0/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件。
[0212]该器件的制备工艺如下:
[0213]对比例I的有机电致发光器件的结构除了阴极不同以外，其他的与实施例1相同。对比例I采用Ag层作为阴极。阴极的厚度为120nm。
[0214]表1为实施例f实施例7及对比例I的有机电致发光器件的阴极的透过率及有机电致发光器件的光效
[0215]
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的衬底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述阴极包括依次层叠在所述电子传输层上的第一金属层和复合层，所述复合层包括依次层叠的1飞个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成，所述透明介质层的材料为一氧化硅、三氧化二锑、氧化秘、氧化错、二氧化钛、硒化锌或硫化锌。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层的材料为银、铝、钐、镱、镁-银合金或镁-铝合金。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层的厚度为10-30纳米。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述透明介质层的厚度为30~80纳米。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于， 所述阳极由铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、镓锌氧化物、银、铝、金、铜和钼中的一种形成；或由银、铝、金、铜和钼中的至少两种形成的合金形成； 所述空穴传输层由空穴传输材料形成或由第一掺杂剂掺杂于所述空穴传输材料中形成，其中，所述空穴传输材料选自酞菁锌、酞菁铜、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-联苯-4，4’-二胺)、(4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’- 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1, I’ -联苯_4，4’ - 二胺、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺和1，1_ 二(4-(Ν，Ν’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)环己烷中的一种；所述第一掺杂剂选自2，3，5,6-四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌和2，2’ -(2, 5- 二氰基_3，6- 二氟环己烧-2, 5- 二烯-1，4- 二亚基)二丙二腈中的一种，所述第一掺杂剂占所述空穴传输层的质量百分比为10% ； 所述电子阻挡层由酞菁锌、酞菁铜、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，1’-联苯-4，4’-二胺)、(4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1, I’ -联苯_4，4’ - 二胺、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺和1,1- 二(4-(N, N’ - 二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)环己烧中的一种材料形成； 所述发光层由发光材料掺杂于所述空穴传输材料或电子传输材料中形成，或由发光材料掺杂于所述空穴传输材料与电子传输材料的混合材料中形成，所述发光材料选自4- (二腈甲基)-2_丁基-6-( 1，I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝、4- (二腈甲烯基)-2-异丙基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羟基喹啉铝，4，4’ - 二(2，2- 二苯乙烯基)-1，I’ -联苯，双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种，所述发光材料占所述发光层的质量百分比为f 10% ； 所述电子传输材料选自2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、(8-羟基喹啉)_铝、4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、.2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲和1，2，4-三唑衍生物双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, 1’ -联苯-4-羟基)铝； 所述空穴阻挡层由2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑、(8-羟基喹啉)_铝、4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、.2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲和1，2，4-三唑衍生物双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI, 08) - (1, 1'-联苯-4-羟基)招中的一种材料形成； 所述电子传输层由所述电子传输材料形成或由第二掺杂剂掺杂于所述电子传输材料中形成，其中，所述第二掺杂剂选自碳酸锂、叠氮化锂、氟化锂、叠氮化铯、碳酸铯和氟化铯中的一种，所述第二掺杂剂占所述电子传输层的质量百分比为5~30%。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极的厚度为70-200纳米；所述空穴传输层的厚度为20飞0纳米；所述电子阻挡层的厚度为5~20纳米；所述发光层的厚度为f 15纳米；所述空穴阻挡层的厚度为5~20纳米；所述电子传输层的厚度为.20~60纳米。
7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 提供衬底； 采用磁控溅射在所述衬底上形成阳极； 采用真空蒸镀在所述阳极上形成空穴传输层； 采用真空蒸镀在所述空穴传输层上形成电子阻挡层； 采用真空蒸镀在所述电子阻挡层上形成发光层； 采用真空蒸镀在所述发光层上形成空穴阻挡层； 采用真空蒸镀在所述空穴阻挡上形成电子传输层；及 采用热蒸发或者电子束蒸发技术在所述电子传输层上形成第一金属层，并在所述第一金属层上形成复合层得到阴极，所述复合层包括依次层叠的1飞个基本单元，每个基本单元由层叠的透明介质层和第二金属层形成，所述透明介质层的材料为一氧化硅、三氧化二铺、氧化秘、氧化错、二氧化钛、硒化锌或硫化锌。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括对所述衬底进行清洗干燥和对所述阳极等离子处理的步骤，对所述衬底进行清洗干燥的步骤为将所述衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；对所述阳极进行等离子处理的步骤为将层叠于所述衬底的阳极放置于等离子处理室中处理10分钟。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述真空蒸镀的真空度为I X 10]~1 X l(T5Pa。
【文档编号】H01L51/50GK103682165SQ201210321813
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月3日 优先权日:2012年9月3日
【发明者】周明杰, 王平, 冯小明, 钟铁涛 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司