发光二极管及其制造方法
【专利摘要】一种发光二极管，包括基板、贴设于该基板上的电极组、设置于该基板上的并与电极组电性连接的发光二极管芯片，该电极组包括相互隔开的第一电极及第二电极，第一电极及第二电极均从基板的上表面经由侧面延伸至下表面。由于该发光二极管的第一电极、第二电极延伸至其上表面、下表面以及侧面，则该发光二极管可通过其上表面、下表面以及侧面与外界电源达成电性连接。也即是，安装该发光二极管的安装灵活度得到提高，可以顶发光或侧发光的方式进行安装。本发明还提供一种生产上述发光二极管的方法。
【专利说明】发光二极管及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。
【背景技术】
[0002]LED (发光二极管，Light-emitting diode)产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。一般的发光二极管由于其只有底面具有电极，故只能从底面安装发光二极管，导致安装后的发光二极管只有从顶面出光，无法适应不同发光需求。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，有必要提供一种可适应多种出光需求的发光二极管及其制造方法。
[0004]一种发光二极管制造方法，其包括如下步骤:提供一形成有多个电极组的基板，基板开设多个通孔，每相邻二通孔之间定义出一区域，每一区域内形成一电极组，每一电极组包括第一电极及与第一电极隔开的第二电极，第一电极及第二电极均从基板的上表面经由通孔延伸至基板的下表面；在每一区域内形成一反射杯，每一反射杯覆盖相应区域内的部分第一电极及第二电极而使第一电极及第二电极靠近通孔的端部外露；设置发光二极管芯片于各反射杯内，并与相应的电极组电性连接；设置封装层覆盖该发光二极管芯片；沿着相邻区域的边界或靠近边界的位置处切割基板，形成多个独立的发光二极管。
[0005]—种发光二极管,包括基板、贴设于该基板上的电极组、设置于该基板上的并与电极组电性连接的发光二极管芯片，该电极组包括相互隔开的第一电极及第二电极，第一电极及第二电极均从基板的上表面经由侧面延伸至下表面。
[0006]由于该发光二极管的第一电极、第二电极延伸至其上表面、下表面以及侧面，则该发光二极管可通过其上表面、下表面以及侧面与外界电源达成电性连接。也即是，安装该发光二极管的安装灵活度得到提高，可以顶发光或侧发光的方式进行安装。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本发明的发光二极管制造方法的步骤一的剖视示意图。
[0008]图2是本发明的发光二极管制造方法的步骤二的剖视示意图。
[0009]图3是本发明的发光二极管制造方法的步骤二的俯视示意图。
[0010]图4是本发明的发光二极管制造方法的步骤三的剖视示意图。
[0011]图5是本发明的发光二极管制造方法的步骤三的俯视示意图。
[0012]图6是本发明的发光二极管制造方法的步骤四的剖视示意图。
[0013]图7是本发明的发光二极管制造方法的步骤四的俯视示意图。
[0014]图8是本发明的发光二极管制造方法的步骤五的剖视示意图。
[0015]图9是本发明的发光二极管制造方法的步骤五的俯视示意图。[0016]图10是本发明的发光二极管制造方法的步骤六的剖视示意图。
[0017]图11是本发明的发光二极管制造方法的步骤六的俯视示意图。
[0018]图12是本发明的发光二极管制造方法的步骤七的剖视示意图。
[0019]图13是本发明的发光二极管制造方法的步骤七的俯视示意图。
[0020]图14是本发明图1至图13所示方法制造得出的发光二极管的示意图。
[0021]主要元件符号说明_
【权利要求】
1.一种发光二极管制造方法，其包括如下步骤: 提供一形成有多个电极组的基板，基板开设多个通孔，每相邻二通孔之间定义出一区域，每一区域内形成一电极组，每一电极组包括第一电极及与第一电极隔开的第二电极，第一电极及第二电极均从基板的上表面经由通孔延伸至基板的下表面； 在每一区域内形成一反射杯，每一反射杯覆盖相应区域内的部分第一电极及第二电极而使第一电极及第二电极靠近通孔的端部外露； 设置发光二极管芯片于各反射杯内，并与相应的电极组电性连接； 设置封装层覆盖该发光二极管芯片； 沿着相邻区域的边界或靠近边界的位置处切割基板，形成多个独立的发光二极管。
2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:该电极组通过直接镀铜基板法形成于基板上。
3.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:该基板由氧化铝或含氧化铝的陶瓷材料制成。
4.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:该基板与电极组通过共烧陶瓷共同形成。
5.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:每一通孔为矩形，通孔的孔径小于相邻二通孔的距离。
6.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:该反射杯是以环氧树脂成型技术形成于该基板上。
7.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:基板是沿着每一区域的第一电极及第二电极靠近通孔的外端进行切割的。
8.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于:每一区域是由每二相邻的通孔的中线定义出的。
9.一种发光二极管，包括基板、贴设于该基板上的电极组、设置于该基板上的并与电极组电性连接的发光二极管芯片，其特征在于:该电极组包括相互隔开的第一电极及第二电极，第一电极及第二电极均从基板的上表面经由侧面延伸至下表面。
10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于:该基板的四角处分别形成缺口，第一电极及第二电极均经由相应的缺口延伸至基板的下表面，该基板位于缺口处的侧面对应被该第一电极、第二电极覆盖。
【文档编号】H01L33/36GK103700747SQ201210369004
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2012年9月27日 优先权日:2012年9月27日
【发明者】陈隆欣, 曾文良 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司