专利名称：高灵敏温控厚膜混合集成电路的集成方法
技术领域：
本发明涉及集成电路，具体来说，涉及高灵敏温控厚膜混合集成电路。
背景技术：
原有的工作温度可控混合电路集成技术中，在工作温度可控集成电路的混合集成面采用二维平面集成技术，将分离的热敏片式电阻、热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、其他有源或无源元器件等直接装贴在厚膜基片上，再采用键合丝(金丝或硅铝丝)进行键合，完成整个电器连接，最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封而成。原有技术由于采用二维平面集成技术，热敏电阻等温度传感器件与需保护的温控器件主芯片之间不可避免会有间隙，温度传感只能经过面积较小的侧面热辐射、衬底基片迂回传导的方式感应热量，因而，热量传导时间相应过长，造成热信号反馈速度的大大延长，从而影响温度控制的精度范围，进一步加大温控器件相关性能参数指标的温度漂移范围，限制温控器件在高精·度、高稳定性使用的场合，或者增大应用系统的设计难度、复杂程度和使用成本。经检索，涉及温控混合集成电路的中国专利申请件仅有CN101295184号《具有温控功能的集成电路、温控加热电路及恒温保持装置》，该集成电路包含一温度调控模组及一加热器，温度调控模组能根据使用者设定一控制讯号，加热器受温度调控模组的控制讯号控制以产生一预定温度的热能。但该集成电路不属于高灵敏温控混合集成电路。
发明内容
本发明的目的是提供一种高灵敏温控厚膜混合集成电路的集成方法，以解决以下问题①热敏电阻等温度传感器件与需保护的温控器件主芯片之间在大面积方向上实现无间隙紧密接触当温控器件外界工作环境温度发生变化时，其内部芯片工作环境温度的变化范围可控制在设定温度的±5°C以内，从而降低温控器件相关性能参数指标的温度漂移范围；③节省外贴热电阻等温度传感器件的集成空间，进一步提高温控制集成电路的集成度；④热敏电阻等温度传感器件的形状及大小可随温控器件主芯片的形状及大小自行设定，免去受外贴热电阻等温度传感器件形状及大小的影响。发明人提供的高灵敏温控厚膜混合集成电路的集成，是采用厚膜热敏电阻与温控器件主芯片一体化三维混合集成的方式来实现的，具体的集成方法包括以下步骤
第一步，先采用丝网印刷的方法，将选定的电阻厚膜浆料和金属厚膜浆料按设计的掩模图形，印刷到氮化铝陶瓷基片(Al3N4)上，分别经高温烧结和电阻修调，形成所需的厚膜电阻、金属导带、金属键合区；
第二步，再采用丝网印刷的方法，将选定的热敏电阻厚膜浆料按设计的掩模图形，印刷到氮化铝陶瓷基片(Al3N4)上，经高温烧结和电阻修调，形成所需形状和大小的厚膜热敏电阻；
第三步，再用同样的方法在热敏电阻厚膜上形成厚膜绝缘介质层及芯片粘贴所需的厚膜金属化层；第四步，采用常规混合集成电路组装工艺，将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、有源或无源元器件等直接装贴在厚膜基片上；
第五步，采用键合丝进行键合，完成整个电器连接；
第六步，在特定的气氛中将管基和管帽进行密封，即得到所需高灵敏温控厚膜混合集成电路器件。上述方法的第一步中，所述电阻厚膜浆料是由电阻功能材料、玻璃粘结剂、有机溶齐U、改性剂调配而成的，其中电阻功能材料是钌系氧化物；所述金属厚膜浆料是由导体功能材料、玻璃粘结剂、有机溶剂、改性剂等调配而成的，导体功能材料是钯-金；所述高温烧结控制的温度为600°C 1050°C ;所述电阻修调是激光调阻。 上述方法的第二步中，所述热敏电阻厚膜浆料是由热阻敏感功能材料、玻璃粘结剂、有机溶剂、改性剂调配而成的，其中热阻敏感功能材料是线性缓变型(LNTC, LPTC)、负温度系数(NTC)温度敏感的半导体陶瓷材料；所述高温烧结控制的温度为600°C 1050°C ；所述电阻修调是激光调阻。上述方法的第三步中，所述厚膜绝缘介质层是用陶瓷介质浆料印刷的，所述芯片粘贴所需的厚膜金属化层是用钯-金厚膜浆料印刷的。上述方法的第四步中，所述有源或无源元器件是半导体裸芯片、经封装后的表贴式元器件。上述方法的第五步中，所述键合丝是金丝或硅铝丝。 上述方法的第六步中，所述特定的气氛是高真空或高纯氮气或氩气。本发明的集成方法原理是由于实现了厚膜热敏电阻与温控器件主芯片在最大接触面的无间隙接触，可最大程度、最快地将主芯片的热量传导给热敏电阻，经信号处理后，迅速将信号传送到半导体热电致冷单元(TEC单元)，以控制半导体热电致冷单元(TEC单元)的电流方向，控制升温或降温频率，从而达到温度控制的目的。本发明方法的优点是①实现了厚膜热敏电阻与温控器件主芯片在最大接触面的无间隙接触，可最大程度、最快地将主芯片的热量传导给热敏电阻，可最大程度、最快地将主芯片的热量传导给热敏电阻，以快速控制半导体热电致冷单元(TEC单元)，达到高灵敏温度控制的目的当温控器件外界工作环境温度发生变化时，其内部芯片工作环境温度的变化范围可控制在设定温度的±5°C以内，从而降低温控器件相关性能参数指标的温度漂移范围采用厚膜丝网印刷和高温烧结的方法代替原来的表面贴装再流焊方法，实现厚膜热敏电阻与主芯片的紧密接触，减小热传导阻抗，因而，能提升器件的长期可靠性；④节省外贴热电阻等温度传感器件的集成空间，进一步提高温控制集成电路的集成度；⑤热敏电阻等温度传感器件的形状及大小可随温控器件主芯片的形状及大小自行设定，免去受外贴热电阻等温度传感器件形状及大小的影响。采用本发明集成方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、其他野外作业、通讯、工业控制等要求在外界环境温度变化时，装备必需具有高精度、高稳定性使用的场合，具有广阔的市场前景。
图I为发明前的集成方法示意图；图2为本发明方法的集成技术示意图，图3为控制电路不意图。图中I为器件管壳基座，2为氮化铝(Al3N4)陶瓷基片衬底背面，3为半导体热电致冷单元(TEC单元)，4为氮化铝(Al3N4)陶瓷基片衬底表面，5为管脚，6为厚膜导带/键合区，7为厚膜电阻，8为半导体芯片，9为表贴式热敏电阻，10为传感信号处理芯片，11为热电致冷引脚，12为厚膜绝缘介质膜，13为厚膜热敏电阻。
具体实施例方式实施例
贵州振华风光半导体公司研发的FHTC40温控精密集成电压基准源，主要用于精密测量、精密控制领域，为系统提供精密、低温漂的电压基准，典型工作环境温度在_80°C 180。。。该器件的核心部分是一块高精密电压基准芯片即器件主芯片、一个用于温控信号 采集的自制厚膜热敏电阻、一块用于温控信号处理和放大的小功率精密运算放大器芯片。采用本发明技术——厚膜热敏电阻与温控器件主芯片一体化三维混合集成技术进行制作。具体工艺如下
(1)陶瓷基片的选取为便于热量的快速传递，以及与半导体芯片在热膨胀方面的匹配性，采用氮化铝陶瓷基片(Al3N4)作衬底；
(2)采用丝网印刷、高温烧结、电阻修调的方法，在氮化铝陶瓷基片(Al3N4)衬底表面形成所需的钌系厚膜电阻、钯-金导带和键合区；
⑶在氮化铝陶瓷基片(Al3N4)衬底的另一面同上述方法形成钯-金导带和焊接区，用于半导体热电致冷单元(TEC单元)的集成；
(4)采用丝网印刷、高温烧结、电阻修调的方法，丝印、烧结线性厚膜电子浆料，修调电阻阻值，形成所需形状和大小的厚膜热敏电阻；
(5)采用丝网印刷、高温烧结的方法，在热敏电阻厚膜上形成图2所示的7240D系列绝缘介质层及芯片粘贴所需的钯-金金属化层；
(6)半导体热电致冷单元(TEC单元)的集成在另一氮化铝陶瓷基片(Al3N4)上采用采用丝网印刷、高温烧结的方法，生产一层导电性、导热性、可焊性优良的钯-金导带和焊接区。(7)采用以碲化铋为基体的三元固溶晶体材料，其中P型半导体材料为Bi2Te3-Sb2Te3, N型半导体材料为=Bi2Te3-Bi2Se3，半导体晶园厚度为O. 5mm左右，对晶园的正反面进行金金属化(厚度在I. 5 μ m左右)，并进行充分的合金。在划片机上，按规定的尺寸进行划片，分离出所需的N型和P型半导体晶粒；
⑶晶粒定位放置与固定在专用不锈钢夹具中，将顶层氮化铝陶瓷基片(A13N4)、N型和P型半导体晶粒、底层氮化铝陶瓷基片(A13N4)、合金片按规定的位置定位放置，并固定；
(9)合金焊接在真空合金炉中，完成N型和P型半导体晶粒的合金焊接；
CO)将合金焊接后的一体化基片采用合金焊的方式组装到管座上；
(ID按常规集成电路组装工艺，进行半导体芯片、其他贴片元器件的组装；
(12)键合采用硅铝丝进行键合，整个电气连接；
(13)烘烤在高纯氮的保护下、在150°C左右的炉子中进行8小时以上的主高温烘烤，将水汽彻底烘干；
(14)封帽在氩气环境中进行封帽，完成整个器件的集成与生产工作；。(15)测试、筛选、打印与包装按产品工艺文件与检验文件，完成器件的测试、筛选、打印与包装工作。采用此集成技术制作的器件，冷端与热端的温差Λ T在常温下能达到65°C以上，在125°C 200°C的高温环境中，能达到75°C以上，典型工作环境温度在_80°C 180°C，实现了设计目的，完全满足用户的要求。·
权利要求
1.一种高灵敏温控厚膜混合集成电路的集成方法，其特征在于该方法采用厚膜热敏电阻与温控器件主芯片一体化三维混合集成的方式来实现，厚膜热敏电阻集成于温控器件主芯片的正下方，形状及大小可随温控器件主芯片的形状及大小自行设定，具体方法包括以下步骤 第一步先采用丝网印刷的方法，将选定的电阻厚膜浆料和金属厚膜浆料按设计的掩模图形，印刷到氮化铝陶瓷基片上，分别经高温烧结和电阻修调，形成所需的厚膜电阻、金属导带、金属键合区； 第二步，再采用丝网印刷的方法，将选定的热敏电阻厚膜浆料按设计的掩模图形，印刷到氮化铝陶瓷基片上，经高温烧结和电阻修调，形成所需形状和大小的厚膜热敏电阻； 第三步，再用同样的方法在热敏电阻厚膜上形成厚膜绝缘介质层及芯片粘贴所需的厚膜金属化层； 第四步，采用常规混合集成电路组装工艺，将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、有源或无源元器件直接装贴在厚膜基片上； 第五步，采用键合丝进行键合，完成整个电器连接； 第六步，在特定的气氛中将管基和管帽进行密封，即得到所需高灵敏温控厚膜混合集成电路器件。
2.如权利要求I所述的集成方法，其特征在于第一步中，所述电阻厚膜浆料是由电阻功能材料、玻璃粘结剂、有机溶剂、改性剂调配而成的；所述金属厚膜浆料是由屋体功能材料、玻璃粘结剂、有机溶剂、改性剂调配而成的；所述高温烧结控制的温度为600°C 1050°C ;所述电阻修调是激光调阻。
3.如权利要求I所述的集成方法，其特征在于第二步中，所述热敏电阻厚膜浆料是由热阻敏感功能材料、玻璃粘结剂、有机溶剂、改性剂调配而成的；所述高温烧结控制的温度为600°C 1050°C ;所述电阻修调是激光调阻。
4.如权利要求I所述的集成方法，其特征在于第三步中，所述厚膜绝缘介质层是用陶瓷介质浆料印刷的，所述芯片粘贴所需的厚膜金属化层是用钯-金厚膜浆料印刷的。
5.如权利要求I所述的集成方法，其特征在于第四步中，所述有源或无源元器件是半导体裸芯片、经封装后的表贴式元器件。
6.如权利要求I所述的集成方法，其特征在于第五步中，所述键合丝是金丝或硅铝丝。
7.如权利要求I所述的集成方法，其特征在于第六步中，所述特定的气氛是高真空或高纯氮气或氩气。
全文摘要
一种高灵敏温控厚膜混合集成电路的集成方法，该方法是先采用丝网印刷的方法，印刷形成厚膜电阻、金属导带、金属键合区；再用丝网印刷的方法，印刷形成厚膜热敏电阻；用同样的方法在热敏电阻厚膜上形成厚膜绝缘介质层及芯片粘贴所需的厚膜金属化层；之后用常规混合集成电路组装工艺，将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、其他有源或无源元器件等直接装贴在厚膜基片上，用键合丝进行键合，最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封，即得到所需高灵敏温控厚膜混合集成电路器件。本方法实现了厚膜热敏电阻与温控器件主芯片在最大接触面的无间隙的原子间接触，可最大程度、最快地将主芯片的热量传导给热敏电阻，以实现高灵敏温度控制。
文档编号H01L21/98GK102891113SQ20121039619
公开日2013年1月23日 申请日期2012年10月18日 优先权日2012年10月18日
发明者杨成刚, 苏贵东, 杨萍 申请人:贵州振华风光半导体有限公司