动态偏置电感器的制作方法与工艺

本发明涉及包括电感器绕组、芯以及将所述芯磁性偏置的至少一个永磁体的电感器装置。并且，本发明涉及操作这种电感器装置的用途和方法。这种电感器装置常常称作电感器线圈、储能电感器或仅被称作电感器。这种电感器例如用在DC/DC变换器中，即用在升压和降压变换器中，并且用在用于逆变器输出的交流电的EMC滤波器中。

背景技术：
流经开关DC/DC变换器的电感器的电流在开关频率下显示出纹波。关于其磁特性，电感器被设计为使得在DC/DC变换器的正常操作中流动的电流的安培数不使其芯磁饱和。此设计方案确定了最小尺寸，因此确定了电感器的成本。一般而言，不使电感器磁饱和的安培数的操作范围关于零安培的电流是对称的，因此与电流的流动方向独立。然而，流经DC/DC变换器的电感器的电流仅具有一个方向。结果，仅使用其电感器的可用操作范围的一半。DC/DC变换器的电感器在此也被称作用于DC应用的电感器或DC电感器。众所周知，通过将永磁体布置在由其芯限定的其磁路中，使电感器装置的操作范围偏移。具体地，永磁体的磁场取向在与流经电感器绕组的直流电产生的磁化的方向相反。这一措施称作预磁化或偏置磁化，或被称作将电感器(磁性地)偏置。通过这一措施，直流电产生的磁场至少被部分补偿，并且可以使用电感器的整个操作范围。这意味着可以不变的高效率使得电感器相当小并且由相当少的材料制成。因此，与没有偏置磁化的电感器相比较，实现了成本优势。然而，仍存在相当大的风险：即，如果高质量的永磁体经受高温和/或如果电感器绕组产生的并且方向与永磁体的磁化的方向相反的磁场的磁场强度变得过高，即高于所谓的在各自温度下永磁体的固有矫顽磁场强度，即使是高质量的永磁体也失去了其磁化。结果，预磁化的水平可以局部地或者甚至在整个电感器装置中以不利的方式改变。在电感器装置的正常操作期间，这种高磁场强度通常不发生，但是在极端操作条件下可能会发生。此外，经受经过电感器绕组的电流以高频调制产生的磁场影响的永磁体的磁化的行为是不可预测的，尤其在升压变换器的电感器中，并且即使这种高频磁场的磁场强度的绝对值是可接受的，也会对永磁体的磁化产生负面影响。根据EP0735657B1已知一种包括电感器装置的升压变换器，该电感器装置在其磁路中包括永磁体。通过在与升压变换器的操作中流经电感器绕组的脉冲化的直流电产生的磁化方向相反的方向上产生偏置磁化的永磁体，电感器装置的芯被磁性偏置。与脉冲化的直流电的最大安培数相比，这允许使用相当小的电感器装置。根据EP1321950A1已知另一种在其磁路中包括永磁体的电感器装置。此文件涉及永磁体应满足的材料需求，以通过实现芯的预磁化来得到体积减小并且效率增加两者。根据EP2012327A2，已知一种在其磁路中包括永磁体的电感器装置，其中通过以一倾斜角对永磁体取向，来增加经过其芯的磁通。此布置的目的是能够使用用于对芯进行预磁化的塑料接合的、容易加工的磁性材料，尽管它们不满足某些磁性需求。此外，所利用的是，即使经受与永磁体成直角取向的磁场的影响，由于它们的低导电率，在这些材料中也不产生涡电流。US6639499B2描述了在电感器装置的所有可能的操作条件下，如何选择避免电感器装置的磁路中的永磁体的去磁化的几何布置。这种选择应容许使用具有相对低的固有矫顽磁场强度的材料的永磁体。然而，由于芯的中心分支必须比外部分支长，在此无法使用传统的芯形状。AT215023B公开了一种用于调节在由软磁的铁磁材料制成的芯上布置的至少一个电感器绕组的电感的装置。该软磁芯磁性耦合到由永磁材料制成的至少一个其他芯。磁性耦合导致软磁芯的预磁化，转而对电感器绕组的电感具有影响。可以通过布置在永磁芯上的磁化绕组来调节该影响。此磁化绕组会受到影响永磁芯的磁化从而影响软磁芯的预磁化的磁化或去磁化脉冲。由于将永磁芯耦合到软磁芯，软磁芯的预磁化导致总是降低流经电感器绕组的电流的阈值安培数(即，使软磁芯磁性饱和的安培数)，其与经过电感器绕组的电流的方向无关，并且与永磁芯的磁化方向或取向无关。根据AT215023B已知的装置用于调谐无线电或电视信号的接收器的谐振电路的谐振电感。在这种谐振电路中使用的电感器没有经受与在DC/DC变换器中或在EMC滤波器中经常发生的这种电流一样高的强电流。仍然需要适于强电流的电感器装置，其中，其芯的偏置磁化可用于在各操作条件下最大程度地降低电感器的尺寸，因而降低其成本。技术方案本发明提供根据独立权利要求1所述的电感器装置。新的电感器装置的优选实施例限定在独立权利要求2至18中。权利要求19至21涉及新的电感器装置的优选应用，并且权利要求22至30涉及操作本发明的电感器装置的优选方法。

技术实现要素：
本发明的电感器装置包括磁化设备，用于调节永磁体的期望磁化，永磁体将电感器装置的芯磁性偏置。永磁体位于由流经电感器绕组的电流产生的磁通的磁路中。此磁路由软磁芯限定，该软磁芯缠绕有电感器绕组。磁化设备包括磁化绕组和用于使磁化绕组经受磁化电流脉冲的电路。在根据本发明的电感器装置中，在电感器装置的操作期间，调节永磁体的永久磁化。由于永磁体在由磁芯限定的磁路中的位置，永磁体使电感器装置的操作范围偏移，即，经过电感器绕组的不造成软磁芯的磁性饱和的电流的范围。调节永磁体的磁化可用于恢复永磁体的期望最大磁化，或用于根据当前流经电感器装置的电感器绕组的DC电流将磁化设定到目标值，或用于有目的地改变永磁体的磁化方向。可以根据流经电感器装置的交流电的时间曲线来改变永磁体的磁化方向，从而根据交流电的每个半波的电流方向来修改永磁体的磁化方向。为此目的，磁化绕组可以经受由电路产生的高安培数的磁性电流脉冲。这些磁性电流脉冲的最大安培数典型地超过在电感器装置的正常操作下流经电感器绕组的电流的安培数，尤其是如果为了改变其磁化方向，在永磁体的区域中有目的地超过固有矫顽磁场强度。由于动态调节永磁体的磁化，本发明的电感器装置中的永磁体可以由一些材料制成，这些材料由于它们相对较低的固有矫顽磁场强度而原则上不是非常适合用作将磁芯磁性偏置的永磁体。这实现了电感器体积减小以外的成本减少。这些优点比为了实现本发明的电感器装置的磁化设备花费的努力更重要。新的电感器装置除了电感器绕组之外，不必具有分开的并且附加的磁化绕组。替代地，电感器绕组本身或其一部分可用作调节永磁体的磁化的磁化绕组。具体地，磁化绕组和电感器绕组的公共部分可以是电感器绕组的包围永磁体的部分。电感器绕组的该部分随后选择性地经受磁化电流脉冲。当磁化绕组经受磁化电流脉冲时，电感器绕组的不属于磁化绕组的其它部分会由该电路短路，从而通过使磁化绕组经受磁化电流脉冲而产生的磁场聚焦于永磁体的区域。这一聚焦效应是由于以下事实：电感器绕组的短路部分中感应出的电流所产生的逆磁场排斥经过与永磁体相邻的磁芯的区域外的磁化绕组的电流脉冲所产生的磁场。反之亦然，磁化绕组也可以包括不属于电感器绕组的至少一部分。在调节永磁体的期望磁化时，磁化绕组的该部分可以与电感器绕组协作，以使得当电流流经磁化绕组和电感器绕组两者时，仅实现通过增加当前磁化或改变当前磁化方向来调节期望磁化所需的磁场强度。然而，也可以具有与电感器绕组完全分开的磁化绕组，并且可以通过使分开的磁化绕组仅经受磁化电流脉冲来调节永磁体的磁化。当磁化绕组包括不属于电感器绕组的至少一部分时，磁化绕组的该部分优选缠绕为使得流经其的磁化电流脉冲不在电感器绕组中感应出电压。为此目的，磁化绕组的不属于电感器绕组的该部分可以绕着另一芯缠绕，即不绕着限定出电感器绕组的磁路的芯。用于使磁化绕组经受磁化电流脉冲的电路优选包括电荷的存储元件，尤其是电容器，从存储元件中取出电荷并且电荷用于使磁化绕组经受磁化电流脉冲。如果电感器设备为DC/DC变换器的一部分，则电路例如可以从输出侧电压链路的电容器中取出电荷，用于通过磁化绕组生成磁化电流脉冲。如果电感器绕组为升压变换器的一部分，则电路可以将升压变换器的输出侧电压链路经由磁化绕组连接到升压变换器的输入侧电压链路。因而，除了欧姆损失之外，用于生成磁化电流脉冲的电能没有损失。电荷仅从输出侧电压链路流回到输入侧电压链路。已经提到，在根据本发明的电感器装置中，由于永磁体的材料的磁化的动态调节，该材料相比于不具有动态偏置调节的磁性偏置电感器可以从更大的材料组中选择。这意味着可以使用比在磁性偏置电感器中正常使用的更便宜的永磁体，这是由于即使在困难的条件下，后者的磁化不需要在许多年的长时间中保持稳定。具有较低固有矫顽磁场强度的永磁体还具有以下优点：其磁化可以通过较低磁场强度，即通过具有较低安培数的磁化电流脉冲，根据期望调节。优选地，除了磁化设备之外，根据本发明的电感器装置还包括用于确定永磁体的当前磁化的磁化确定设备。通过此确定，例如可以注意到何时必需有目的地改变或刷新永磁体的磁化。磁化确定设备例如可以估计流经电感器绕组的电流的时间曲线，这可以出于其他原因来确定。从此时间曲线，可以注意到，电感器装置是否已经达到在各电流处不应达到的饱和。随后，该时间开始调节或校正永磁体的磁化。为了简单刷新永磁体的磁化，磁化设备使磁化绕组经受在固定电流方向上具有某一最小安培数的磁化电流脉冲是足够的。然而，如果永磁体的磁化应有目的地降低或反转，则磁化电流脉冲的电流方向必须可变。为了调节某些磁化，磁化设备使磁化绕组经受具有定义的最大安培数的磁化电流脉冲是必需的，这是由于是流经磁化绕组的磁化电流脉冲的最大安培数确定了在永磁体的位置处生成的最大磁场强度，其转而确定调节之后永磁体的磁化。此外，如果永磁体的磁化高于将要调节的磁化，则首先必需通过生成具有相反方向并且磁场强度高于永磁体的固有矫顽磁场强度的磁场的磁化电流脉冲，去除比期望磁化高的此磁化。新电感器装置的磁化设备可以根据经过电感器绕组的平均电流来调节永磁体的磁化，以在电感器装置的效率方面针对该平均电流最优化电感器。例如，这意味着利用相对于最大直流电降低的平均直流电，永磁体的磁化也相应降低，因而芯的磁性偏置也相应降低。可以在非常短的时间内对经过电感器绕组的平均电流进行调节。在极端情况下，磁化设备关于每个半波改变永磁体的磁化方向，因此以流经电感器绕组的交流电的频率的两倍改变永磁体的磁化方向。以此方式，可以使用仅具有一个用于交流电的电感器绕组的磁性偏置电感器，但是能够充分促进可与这种磁性偏置相关联的体积减小的优点。在直流电以较长时间间隔改变其流动方向的情况下，例如经过作为如电池逆变器的一部分的双向DC-DC变换器的电池端处的电感器的电流，也可以有利地使用改变电感器的预磁化方向的选项。从权利要求书、说明书以及附图中得到本发明的优点。说明书开头提到的特征和多个特征的组合的优点仅用作示例，并且可替换地使用或结合使用，并无必要具有必须获得这些优点的根据本发明的实施例。在不改变所附权利要求限定的保护范围的情况下，关于原始申请和专利的公开可以应用以下：可以从附图中，尤其从示出的设计和多个元件相对于彼此的大小以及从它们的相对布置和它们的操作连接中，得到进一步的特征。本发明的不同实施例的特征或与权利要求的选择的引用独立的不同权利要求的特征的组合也是可能的，并且在此是有动机的。这还涉及在各附图中示出的特征，或当描述它们时提及的特征。这些特征还可以与不同权利要求的特征组合。此外，本发明的其它实施例可以不具有在权利要求中提到的特征。附图说明在下文中，通过实施例示例并参考所附附图进一步说明并描述本发明。图1示出根据本发明的电感器装置的电感器绕组、磁化绕组、芯和永磁体的第一实施例。图2示出也在图1中示出的根据本发明的电感器装置的相同元件的第二实施例。图3示出也在图1中示出的根据本发明的电感器装置的相同元件的第三实施例。图4示出也在图1中示出的根据本发明的电感器装置的相同元件的另一实施例。图5示出也在图1中示出的根据本发明的电感器装置的相同元件的又一实施例。图6示出根据本发明的电感器装置的磁化设备的电路的第一实施例。图7示出根据本发明的电感器装置的磁化设备的电路的第二实施例。图8示出根据本发明的电感器装置的磁化设备的电路的另一实施例。图9示出设计用于交流电的根据本发明的电感器装置的又一实施例，其中示出导致电感器装置的正常操作的磁通线。图10示出根据图9的电感器装置的实施例，其中示出导致磁化调节操作的磁通线。图11示出根据图9和图10的电感器装置的电子等同电路图。图12示出相对于根据图9到图11的实施例简化了的根据本发明的电感器装置的进一步实施例的电气等效电路图。图13示出经过根据本发明的电感器装置的实施例的电感器绕组的交流电的时间曲线的示例，其中电感器绕组也用作磁化绕组。附图说明图1示出关于如本申请中实际描述的元件的与现有技术对应的电感器装置2的磁路1。电感器装置2包括布置在形成为UU芯的芯4上的电感器绕组3。在U形局部芯的分支的每对相对的自由端之间，布置一个永磁体5，用于将软磁芯4预磁化或磁性偏置。永磁体5的磁化方向由箭头6指示。这些磁化方向与流经电感器绕组3的直流电感应出的芯4的磁化方向相反，该电感器绕组的电流纹波被电感器装置2减小。以此方式，未发生芯4的磁化饱和的电感器装置2的操作范围在本实施例中的仅在通过电感器绕组3的一个方向上流动的电流的较高安培数的方向上偏移。如果由于温度影响、流经超过其正常操作范围的电感器绕组3的电流的高安培数、或流经电感器绕组3的电流的高频成分而使永磁体5的磁化降低或完全消失，则这一偏移失去。为了恢复它们的磁化，永磁体5通过电感器绕组3经受超过其固有磁化场强度的磁场。在根据图1的实施例中，磁化设备将电感器绕组3用作磁化绕组7，该磁化绕组7通过在此未示出的电流而经受一个或多个磁化电流脉冲。这些磁化电流脉冲的电流流动方向与正常流经电感器绕组3的直流电的方向相反。这些磁化电流脉冲的最大安培数限定了作用在永磁体5上的磁化磁场强度，从而限定了永磁体5的磁化的恢复水平。通过适当选择永磁体5的材料，不仅可以通过磁化电流脉冲恢复永磁体5的期望磁化，并且导致不同磁化水平的调节也是可能的。永磁体5的这种磁化的调节可用于相对于当前流经电感器绕组3的直流电的平均值来调节电感器装置2的操作范围。例如，适合以高电流经过电感器绕组3的此操作范围的最大偏移导致低电流下不必要的效率损耗。电感器装置的最佳操作点在此点处，其中仅通过流经电感器绕组3的平均直流电引起的磁化来补偿通过永磁体5将芯4预磁化，即在芯的有效磁化曲线的对称点处。例如，在流经电感器绕组的电流在0与其最大值之间变化的情况下，最佳操作点位于流经电感器绕组3的电流的最大值的一半处。这一原理可以延伸到随着流经电感器绕组3的交流电的两个半波之间的电流流动方向的每个变化，来反转将永磁体5的磁化方向。图13示出流经电感器绕组3的交流电的时间曲线，该电感器绕组3还用作可以实现永磁体5的磁化方向的这一反转的磁化绕组7。在每个半波的结束处，短时间内电流i增加到正常交流电的峰值，从而形成磁化电流脉冲8和由此得到的脉冲化的磁场，该磁场的磁场强度超过永磁体5的固有矫顽磁场强度并且其磁化方向在交流电的下一个半波反转。因此，总是针对交流电的各个后续半波来最优化电感器装置2的操作范围。以此方式，电感器装置2的大小，尤其是其磁路1的大小，可以降低到电感器装置的大小的大约一半，而无需磁化被动态反转的永磁体。图2示出电感器装置2的实施例，其中与电感器绕组3分开地提供磁化绕组7，并且磁化绕组7以如下方式制成：通过磁化绕组7由磁化电流脉冲感应的电压在电感器绕组3中内部补偿。为了实现此目标，磁化绕组7仅在UU芯4的分支的外部周围绕转。相应地，两个永磁体5仅布置在U部分芯的一对分支的相对自由端之间，这是由于磁化电流脉冲可以仅在一个绝对方向调节永磁体5的磁化。在根据图1的布置中，永磁体5的磁化方向必须指向相反方向，因此不能用根据图2的磁化绕组调节。因此，图2的布置不包括U部分芯的另一对相对分支之间的永磁体。然而，由于永磁体具有更高矫顽磁场强度，磁化不被磁化设备改变或在一定程度不被改变的永磁体可以布置在这些其他分支之间。图3示出电感器装置2的实施例，电感器装置2在永磁体5的区域中和磁化绕组7的区域中具有芯4的有利几何形式，此实施例中磁化绕组7仍与电感器绕组3分开。与永磁体5相邻的磁路1由具有更高饱和磁场强度的工件9形成，该更高饱和磁场强度例如是纳米晶体材料所具有的。以此方式，对磁化绕组7形成自磁路10。该磁路在整个气隙11上向外延伸。在正常电流经过电感器绕组3的情况下，此附加磁路10不相关。然而，在磁化电流脉冲超过芯4的饱和的情况下，其变为可操作的。在根据图4的电感器装置2的实施例中也形成磁化绕组7的这种分开的磁路10。这里，甚至为磁化绕组7提供自有芯12，其与为永磁体5位于其中的电感器绕组3限定磁路1的芯4重叠。在根据图5的电感器装置2的实施例中，以使用形成为EE芯的芯1的修改形式应用这一概念。两个磁化绕组7的两个芯12的附加部分在此形成为U形部分芯，其中每个磁化绕组7磁化一个永磁体5。图6示出电路13，其基本实现升压变换器14，包括电感器绕组3、包括电感器18的输入侧DC电压链路17与包括电容器20的输出侧DC电压链路19之间的开关15和二极管16。此外，电路13包括附加开关21，其并联连接到二极管16并且闭合以容许电流从电容器20流经电感器绕组3(其在此还用作磁化绕组7)进入电容器18，即在与升压变换器14的通常工作方向相反的方向上，用于形成磁化电流脉冲。利用具有适当幅值的这种电流脉冲，永磁体5的磁化在根据图1的电感器装置2中刷新。为此目的，流经还用作电感器绕组3的磁化绕组7的电荷没有损失，因为其回到输入侧链路17。磁化电流脉冲的电流在此由升压变换器14的输入侧DC电压链路17与输出侧DC电压链路19之间的电压差驱动。根据图7的电路13基本是降压变换器22的电路，包括开关23、二极管24以及输入侧DC电压链路17与输出侧DC电压链路19之间的电感器绕组3。此外，在此提供有开关25，利用该开关25，输出侧链路的电容器20可以经由还用作电感器绕组3的磁化绕组7短路，以便通过磁化绕组7生成磁化电流脉冲。如果电感器装置连接到可控AC电流源的输出，例如类似用作逆变器桥的输出处的LC滤波器的电感器装置，则可以通过控制AC电压源直接生成磁化电流脉冲8，尤其通过适当地操作逆变器桥的开关。图8示出特定优选电路13，用以通过磁化绕组7或电感器绕组3生成磁化电流脉冲，该磁化绕组7或电感器绕组3连同输出侧电容器26一起形成LC滤波器27。磁化绕组7并联连接到串联连接的电容器28和开关29。通过外部电压源30对电容器28充电以及通过闭合开关29来放电以通过磁化绕组7生成磁化电流脉冲。以此方式，LC滤波器27的输出没有经受磁化电流脉冲。如在此示出的电路13还可以用在类似根据图6的升压变换器14或根据图7的降压变换器22的DC/DC变压器中，并且如果磁化绕组7与电感器绕组3分开，则其特别有优势。针对具有变化电流流动方向的主电流35，即针对交流电，提供图9到图11示出的电感器装置2。在电感器装置2的正常操作期间，此主电流导致具有图9中示出的磁通线36的芯4中的磁场。在此由箭头指示的磁场方向与同样由箭头指示的主电流35的流动方向相对应。电感器绕组3在此划分为四个部分绕组41到44，通过这些部分绕组使得主电流35以42、43、41以及44的次序流动(或各自反之亦然)。在根据图10的磁化操作中，仅部分41和44用作磁化绕组，而提供短路线37，如果闭合布置在短路线37中的短路开关34，则该短路线37将电感器绕组3的部分42和43短路。完成此短路，从而将通过电路13使部分41和44经受磁化电流脉冲而产生的磁场聚集于永磁体5。这一聚集基于以下事实，即经由部分41和44的磁化电流脉冲生成磁场，该磁场感应出电感器绕组的短路部分42和43内的电流。短路部分42和43内的这些电流生成取代电感器绕组的部分42和43包围的芯4的部分中的感应磁场的逆磁场。图10示出磁化绕组的部分41和44周围的磁通生成线45和电感器绕组3的部分42和43周围的磁通线46。图9到图11还示出使磁化绕组7经受磁化电流脉冲的电路13的细节。在此电路13包括两个电容器28和38，它们通过从部分43与41之间的抽头得到的交流电分别经由公共电阻器33和二极管31、32充电。经由开关29和39(在此使用晶闸管来实现开关29和39，但是也可使用提供相同功能的其他设备来实现开关29和39)，电容器28和38通过磁化绕组7的部分41和44交替放电，从而以相反方向交替磁化永磁体5，使得电感器装置2由于其芯4借助两个永磁体5的预磁化而总是准备用于交流电的下一个半波。至少在电感器装置3的工作电流或标称功率较小时，电阻器33是可选的，其中电容器28和38经由电阻器33加载。因此，可以避免在电阻器33中发生的欧姆损耗。在根据图9到图11的电感器装置2的实施例中，芯4上的整个绕组用作电感器绕组3。然而，在使电感器绕组的部分41和44经受磁化电流脉冲并且电感器绕组的其它部分42和43同时短路时，生成的磁场在最大程度上聚焦于磁化将被改变的永磁体5。在图9到图11中为电感器装置2提供的并且可以与交流电一起使用的概念也可以应用于电感器装置2用于脉冲化的直流电，其中，在作为主电流流动的交流电的半波之间发生永磁体5的磁化方向的改变。这在图12中示出。在此，电感器绕组3划分为两个部分41和42，对于在部分41的区域中布置的永磁体的磁化的改变，部分42经由闭合短路线37中的短路开关34被短路，而通过闭合开关29使同时经由电阻器33和二极管32被加载的电容器28放电，以通过用作磁化绕组7的部分41生成磁化电流脉冲。在此，在根据图12的电感器装置2的实施例中，通过磁化电流脉冲生成的磁场聚焦于永磁体，与根据图8的实施例相比较小的磁化电流脉冲的安培数足以超过永磁体5的固有矫顽磁场强度。相应地，电容器28的尺寸可以较小。这是根据图9到图12示出的本发明的电感器装置2的所有实施例的普遍优点。在附图中没有示出确定电感器装置的永磁体的磁化的磁化确定设备。然而，可以通过监控经过电感器绕组的电流的时间曲线和查找不期望的芯的饱和的指示，例如类似对于电流不期望的上升或下降，容易地实现这种磁化确定设备。如果由于出现这种指示，注意到下降的永磁体的磁化，或由于其他原因而不再适合，则触发经过磁化绕组的磁化电流脉冲。可以根据应该调节到的永磁体的磁化水平，来调节该磁化电流脉冲的安培数。如果出于该目的，必须消除较高的磁化，则经过磁化绕组的去磁化电流脉冲是必需的，该去磁化电流脉冲在实际磁化电流脉冲之前。这种去磁化电流脉冲包括与随后的磁化电流脉冲的电流方向相反的电流方向。附图标记列表：1磁路2电感器装置3电感器绕组4芯5永磁体6箭头7磁化绕组8磁化电流脉冲9工件10磁路11气隙12芯13电路14升压变换器15开关16二极管17DC电压链路18电容器19DC电压链路20电容器21开关22降压变换器23开关24二极管25开关26电容器27LC滤波器28电容器29开关30电压源31二极管32二极管33电阻器34短路开关35主电流36磁通线37电压源38电容器39开关41部分绕组42部分绕组43部分绕组44部分绕组45磁通线46磁通线