电子元件的制作方法与工艺

本发明涉及电子元件，若进一步特定的话涉及被安装在电路基板上的芯片型的电子元件。

背景技术：
作为以往的电子元件，例如公知一种在专利文献1中记载的芯片型层叠陶瓷电容器。图6为专利文献1所记载的芯片型层叠陶瓷电容器(以下称作层叠陶瓷电容器)500的透视图。在图6中，将层叠方向定义为y轴方向，在从y轴方向进行俯视时，将层叠陶瓷电容器500的短边所延伸的方向定义为z轴方向，将层叠陶瓷电容器500的长边所延伸的方向定义为x轴方向。层叠陶瓷电容器500如图6所示具备层叠体502、外部电极504a、504b及电容器C。层叠体502是在y轴方向上层叠长方形形状的多个电介质层而构成的。外部电极504a被跨设在位于z轴方向的负方向侧的层叠体502的底面及位于x轴方向的负方向侧的层叠体502的端面，并呈L字型。外部电极504b被跨设在位于z轴方向的负方向侧的层叠体502的底面及位于x轴方向的正方向侧的层叠体502的端面，并呈L字型。电容器C被内置于层叠体502中，并被连接在外部电极504a、504b之间。利用焊料将外部电极504a、504b分别固定在焊盘(land)510a、510b上，由此如上述那样构成的层叠陶瓷电容器500被安装在电路基板上。但是，在专利文献1所记载的层叠陶瓷电容器500中，难以兼顾在安装时抑制层叠陶瓷电容器500相对于电路基板发生倾斜、以及在使用时抑制焊料形成裂缝。更详细而言，在层叠陶瓷电容器500中，被涂敷在焊盘510a、510b上的焊料沿着在外部电极504a、504b中被设置于端面的部分朝向上方延伸。将焊料朝向上方延伸的部分称作焊脚(fillet)。焊脚因表面张力而起到如下作用，即：将层叠陶瓷电容器500向z轴方向的负方向侧进行拉拽，从而电容器被推压到电路基板上。因此，如果在外部电极504a、504b中被设置于端面的部分的z轴方向的高度高，则焊脚的z轴方向的高度变高，焊脚波及到层叠陶瓷电容器500的力的大小变大。即、层叠陶瓷电容器500以较强的力被推压到电路基板上。其结果，在安装层叠陶瓷电容器500时，由于对电路基板施加冲击，因此可抑制层叠陶瓷电容器500相对于电路基板而发生倾斜。然而，当焊脚的z轴方向的高度变高时，伴随着温度环境变化，焊料中的应力会变大。其结果，在使用时焊脚可能会产生裂缝。如以所述那样，难以兼顾在安装时抑制层叠陶瓷电容器500相对于电路基板而发生倾斜、以及在使用时抑制焊料形成裂缝。专利文献1：实开昭62-135427号公报

技术实现要素：
因此，本发明的目的在于提供一种在安装时能抑制电子元件相对于电路基板而发生倾斜、并且在使用时能抑制焊料形成裂缝的电子元件。本发明的一个方式涉及的电子元件的特征在于，具备：长方体状的主体，具有相互对置的上面及底面、相互对置的第1端面及第2端面、以及相互对置的第1侧面及第2侧面；第1外部电极，被跨设在所述底面及所述第1端面，且未被设置在所述上面、所述第2端面、所述第1侧面及所述第2侧面；和第2外部电极，被跨设在所述底面及所述第2端面，且未被设置在所述上面、所述第1端面、所述第1侧面及所述第2侧面，在所述第1外部电极中被设置在所述第1端面的第1端面部的面积的大小、以及在所述第2外部电极中被设置在所述第2端面的第2端面部的面积的大小，分别为该第1端面的面积的大小以及该第2端面的面积的大小的6.6％以上且35.0％以下。发明效果根据本发明，在安装时能抑制电子元件相对于电路基板而发生倾斜，并且在使用时能抑制焊料形成裂缝。附图说明图1是本发明的一实施方式涉及的电子元件的外观立体图。图2是图1的电子元件的层叠体的分解立体图。图3是在电路基板上安装了电子元件的图。图4是变形例涉及的电子元件的外观立体图。图5是图4的电子元件的层叠体的分解立体图。图6是专利文献1所记载的芯片型层叠陶瓷电容器的透视图。具体实施方式以下，参照附图对本发明的实施方式涉及的电子元件进行说明。(电子元件的构成)首先，参照附图对电子元件的构成进行说明。图1是本发明的一实施方式涉及的电子元件10的外观立体图。图2是图1的电子元件10的层叠体12的分解立体图。以下，将层叠体12的层叠方向定义为y轴方向。将从y轴方向俯视层叠体12时的层叠体12的长边方向定义为x轴方向。将从y轴方向俯视层叠体12时的层叠体12的短边方向定义为z轴方向。电子元件10为芯片电容器，如图1及图2所示电子元件10具备层叠体(主体)12、外部电极14(14a、14b)及电容器C(在图1中未图示出)。层叠体12呈长方体状。其中，层叠体12通过被实施倒角而呈角部及棱线处带圆角的形状。层叠体12具有侧面S1、S2、端面S3、S4、上面S5及底面S6。侧面S1为y轴方向的正方向侧的面。侧面S2为y轴方向的负方向侧的面。侧面S1、S2相互对置。端面S3为x轴方向的负方向侧的面。端面S4为x轴方向的正方向侧的面。端面S3、S4相互对置。上面S5为z轴方向的正方向侧的面。底面S6为z轴方向的负方向侧的面。上面S5和底面S6相互对置。层叠体12如图2所示是通过在y轴方向(侧面S1、S2的法线方向)上层叠多个电介质层(绝缘体层)16而构成的。电介质层16呈长方形形状，并利用电介质陶瓷进行制作。作为电介质陶瓷的例子，举出BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3或CaZrO3。此外，也可将这些物质的材料作为主成分，将Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物或Ni化合物作为副成分。电介质层16的厚度优选为0.5μm以上且10μm以下。以下，将电介质层16的y轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质层16的y轴方向的负方向侧的主面称作背面。如上所述那样，层叠体12的侧面S1是由被设置于y轴方向的最靠正方向侧的电介质层16的表面而构成的。层叠体12的侧面S2是由被设置于y轴方向的最靠负方向侧的电介质层16的背面而构成的。此外，端面S3是通过多个电介质层16的x轴方向的负方向侧的短边相连而构成的。端面S4是通过多个电介质层16的x轴方向的正方向侧的短边相连而构成的。上面S5是通过多个电介质层16的z轴方向的正方向侧的长边相连而构成的。底面S6是通过多个电介质层16的z轴方向的负方向侧的长边相连而构成的。电容器C如图2所示是由被内置于层叠体12的电容器导体(内部导体)18(18a、18b)而构成的。电容器导体18优选利用例如Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等的导电性材料进行制作，并具有0.3μm以上且2.0μm以下的厚度。电容器导体18a被设置在电介质层16的表面上，并具有电容部20a及引出部22a。电容部20a呈长方形形状，并不与电介质层16的外缘相接。引出部22a从电容部20a的z轴方向的负方向侧的长边在x轴方向的负方向侧的端部附近，朝向z轴方向的负方向侧突出，并且从电容部20a的x轴方向的负方向侧的短边在z轴方向的负方向侧的端部附近，朝向x轴方向的负方向侧突出。引出部22a被引出到电介质层16的z轴方向的负方向侧的长边，并且被引出到电介质层16的x轴方向的负方向侧的短边。而且，引出部22a也被引出到该长边和该短边相交叉的角部。引出部22a具有从在层叠体12的端面S3及底面S6相邻的2个层的电介质层16之间露出的露出部26a。电容器导体18b被设置在电介质层16的表面上，并具有电容部20b及引出部22b。电容部20b呈长方形形状，不与电介质层16的外缘相接。引出部22b从电容部20b的z轴方向的负方向侧的长边在x轴方向的正方向侧的端部附近，朝向z轴方向的负方向侧突出，并且从电容部20b的x轴方向的正方向侧的短边在z轴方向的负方向侧的端部附近，朝向x轴方向的正方向侧突出。引出部22b被引出到电介质层16的z轴方向的负方向侧的长边，并且被引出到电介质层16的x轴方向的正方向侧的短边。而且，引出部22b也被引出到该长边和该短边相交叉的角部。引出部22b具有从在层叠体12的端面S4及底面S6相邻的2层的电介质层16之间露出的露出部26b。如上所述那样构成的电容器导体18a、18b按照在y轴方向上交替地排列的方式被设置在电介质层16上。由此，电容器C在电容器导体18a和电容器导体18b隔着电介质层16相对置的部分而构成。外部电极14a按照覆盖露出部26a的方式被跨设在层叠体12的端面S3及底面S6。其中，外部电极14a未从端面S3及底面S6鼓出，且未被设置在侧面S1、S2、端面S4及上面S5。因此，外部电极14a在从y轴方向俯视时呈L字型。外部电极14a具有与电容器导体18直接连接的第1镀膜。优选第1镀膜由基底镀膜和形成在基底镀膜上的上层镀膜构成。第1镀膜例如利用镀覆法形成。基底镀膜以及上层镀膜优选通过从由例如Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi及Zn组成的群中选出的1种金属、或者包含该金属的合金的镀膜而构成。例如，在作为电容器导体18而采用了Ni的情况下，作为基底镀膜而优选采用和Ni接合性良好的Cu。此外，作为第2镀膜而优选采用焊料湿润性良好的Sn、Au，作为第1镀膜而优选采用具有焊料屏障性能的Ni。基底镀膜以及上层镀膜优选不包含玻璃成分，镀膜的每单位体积的金属比例优选为99体积％以上。上层镀膜是根据需要而形成的，外部端子电极也可由第1镀膜构成。各镀膜的每一层的厚度优选为1μm～15μm。此外，外部电极14a也可通过烘焙(baking)导电性膏剂而形成。此外，将在外部电极14a中被设置于端面S3的部分称作端面部30a。端面部30a的面积的大小为端面S3的面积的大小的6.6％以上且35.0％以下。在外部电极14a中，将端面部30a的y轴方向的宽度称作宽度W1。在外部电极14a中，将端面部30a的z轴方向的高度称作高度T1。外部电极14b按照覆盖露出部26b的方式被跨设在层叠体12的端面S4及底面S6。其中，外部电极14b未从端面S4及底面S6鼓出，且未被设置在侧面S1、S2、端面S3及上面S5。因此，外部电极14b在从y轴方向俯视时呈L字型。外部电极14b具有与电容器导体18直接连接的第2镀膜。优选第2镀膜由基底镀膜和形成在基底镀膜上的上层镀膜构成。第2镀膜例如利用镀覆法形成。基底镀膜以及上层镀膜优选通过从由例如Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi及Zn组成的群中选出的1种金属、或者包含该金属的合金的镀膜而构成。例如，在作为电容器导体18而采用了Ni的情况下，作为基底镀膜而优选采用和Ni接合性良好的Cu。此外，作为第2层镀膜而优选采用焊料湿润性(wettingpropertieswithrespecttothesolder)良好的Sn、Au，作为第1镀膜而优选采用具有焊料屏障性能的Ni。基底镀膜以及上层镀膜优选不包含玻璃成分，镀膜的每单位体积的金属比例优选为99体积％以上。上层镀膜是根据需要而形成的，外部端子电极也可由第1镀膜构成。各镀膜的每一层的厚度优选为1μm～15μm。此外，外部电极14b也可通过烘焙导电性膏剂而形成。此外，将在外部电极14b中被设置于端面S4的部分称作端面部30b。端面部30b的面积的大小为端面S4的面积的大小的6.6％以上且35.0％以下。在外部电极14b中，将端面部30b的y轴方向的宽度称作宽度W2。在外部电极14b中，将端面部30b的z轴方向的高度称作高度T2。以上那样的电子元件10被安装在电路基板上。图3是在电路基板100上安装了电子元件10的图。电路基板100如图3所示具备基板主体102及焊盘104a、104b。基板主体102例如为多层电路基板。焊盘104a、104b是被设置在基板主体102的z轴方向的正方向侧的主面、且呈长方形形状的电极。此外，电子元件10按照外部电极14a、14b利用焊料110a、110b而被固定在焊盘104a、104b上的方式被安装在电路基板100上。此时，焊料110a、110b分别具有焊脚F1、F2，焊脚F1、F2分别在外部电极14a、14b的端面部30a、30b朝着z轴方向的正方向侧延伸。焊脚F1、F2借助表面张力而将外部电极14a、14b向z轴方向的负方向侧进行拉拽从而将电子元件10拉到电路基板100上。(电子元件的制造方法)其次，对电子元件10的制造方法进行说明。另外，附图援用图1及图2。首先，以规定的比率对作为主成分的BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3或CaZrO3、与作为副成分的Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物或Ni化合物进行秤量并投入到球磨机中，进行湿式调配。对所获得的混合物进行干燥之后粉碎，然后对所获得的粉末进行煅烧。在利用球磨机对所获得的煅烧粉末进行湿式粉碎之后干燥，然后使之分解，从而获得电介质陶瓷粉末。对该电介质陶瓷粉末添加有机粘合剂及有机溶剂之后，利用球磨机进行混合。利用刮板法(doctorblademethod)将所获得的陶瓷浆料在载片上形成为片状而使之干燥，从而制作应成为电介质层16的陶瓷生片。应成为电介质层16的陶瓷生片的厚度优选为0.5μm～10μm。其次，利用丝网印刷法或光刻法等的方法，将由导电性材料构成的膏剂涂敷在应成为电介质层16的陶瓷生片上，由此形成电容器导体18a、18b。由导电性材料构成的膏剂例如是在金属粉末中添加了有机粘合剂及有机溶剂而成的膏剂。其次，对将成为电介质层16的陶瓷生片进行层叠来获得未烧成的母层叠体。然后，利用液压机对未烧成的母层叠体施压。其次，将未烧成的母层叠体剪切成规定尺寸大小，从而获得多个未烧成的层叠体12。然后，在层叠体12的表面实施滚筒研磨加工，来进行层叠体12的角部及棱线的倒角。其次，对未烧成的层叠体12进行烧成。烧成温度(firingtemperature)优选例如为900℃以上且1300℃以下。通过以上的工序，内置了电容器导体18的已被烧成的层叠体12的准备完成。其次，利用镀覆工法来形成外部电极14。在本实施方式中，利用触击电镀工法及厚膜电镀工法这2个工序来形成外部电极14。触击电镀工法是指，在使镀覆的密接性良好或者使覆盖能力提高的目的下，进行短时间镀敷。在触击电镀工法中，向加入导电性媒介的滚筒内投入层叠体12。然后，使滚筒浸在镀覆液内，使其旋转规定时间。由此，导电性媒介与露出部26a、26b接触，从而进行供电。在厚膜电镀工法中，向加入导电性媒介的滚筒内投入层叠体12。然后，使滚筒浸在镀覆液内，并使其旋转规定时间。由此，导电性媒介与露出部26a、26b接触，从而进行供电。利用以上的镀覆工法，在露出部26a、26b上及其周边形成了具有5μm的膜厚的外部电极14。经过以上的工序，电子元件10完成。(效果)根据以上的电子元件10，端面部30a、30b的面积的大小分别为端面S3、S4的面积的大小的6.6％以上且35.0％以下。由此，如后述的实验结果可知，在安装时可抑制电子元件10相对于电路基板100而发生倾斜，并且在使用时可抑制焊料110a、110b形成裂缝。(实验)本申请发明者为了进一步明确电子元件10所发挥的效果，进行了以下所说明的实验。具体而言，制作了各10个的第1样品至第72样品。第1样品至第18样品的尺寸为1.6mm×0.8mm×0.8mm。第19样品至第36样品的尺寸为2.0mm×1.2mm×1.2mm。第37样品至第54样品的尺寸为3.2mm×1.6mm×1.6mm。第55样品至第72样品的尺寸为3.2mm×2.5mm×2.5mm。此外，以下示出在第1样品至第72样品中共同的条件。电介质层16的材料：钛酸钡系电介质陶瓷电容器导体18的主成分：镍以下的表1至表4的T1、T2的值为按如下方式算出的值，即：以端面为下而将样品载置于平板上，从上向样品的另一个端面照射光，来进行二值处理，在进行过该二值处理的图像中，利用数字处理来测量端面部中的z轴方向的长度为最大的长度、和为最小的长度，算出这2点的正当中的值。此外，即便在端面部的y轴方向的宽度W1、W2中，也利用数字处理根据上述的进行过二值处理的图像来算出。另外，针对测量个数，分别测量了第1样品至第72样品的各组的一个的值。根据这些T1、T2和W1、W2的值能够算出端面部30a、30b的面积。此外，在以下的表1至表4中示出第1样品至第72样品的z轴方向的端面部30a、30b的长度及外部电极14a、14b的面积比率。外部电极14a、14b的面积比率是端面部30a、30b的面积的大小相对于端面S3、S4的面积的大小的比例。端面S3、S4的面积为按如下方式算出的值，即：以端面为下而将样品载置于平板上，从上向样品的另一个端面照射光，来进行二值处理，在进行过该二值处理的图像(1000万像素)中，利用数字处理沿着样品的端面的边缘针对每一个像素来选取点，根据将各个点连结起来的线所包围的部分的内侧的像素数的总数来算出面积。另外，针对测量个数，分别测量了第1样品至第72样品的各批一个的值。[表1]W1，W2(mm)T1，T2(mm)面积比率(％)第1样品0.600.021.9第2样品0.600.065.6第3样品0.610.1413.3第4样品0.600.2220.6第5样品0.590.3330.4第6样品0.600.3835.6第7样品0.660.033.1第8样品0.650.066.1第9样品0.650.1212.2第10样品0.650.2323.4第11样品0.660.3435.1第12样品0.650.3838.6第13样品0.700.044.4第14样品0.700.066.6第15样品0.700.1415.3第16样品0.700.2426.3第17样品0.710.3336.6第18样品0.710.3943.3芯片尺寸：1.6mm×0.8mm×0.8mm[表2]W1，W2(mm)T1，T2(mm)面积比率(％)第19样品1.000.053.5第20样品1.010.096.3第21样品0.990.1913.1第22样品1.000.3322.9第23样品1.000.4833.3第24样品1.000.5437.5第25样品1.040.042.9第26样品1.050.075.1第27样品1.050.1913.9第28样品1.050.3525.5第29样品1.050.4835.0第30样品1.050.5439.4第31样品1.100.043.1第32样品1.100.086.1第33样品1.090.2015.1第34样品1.100.3426.0第35样品1.110.4736.2第36样品1.110.5441.6芯片尺寸：2.0mm×1.2mm×1.2mm[表3]W1，W2(mm)T1，T2(mm)面积比率(％)第37样品1.300.042.0第38样品1.300.105.1第39样品1.300.2211.2第40样品1.300.4824.4第41样品1.310.6935.3第42样品1.320.7639.2第43样品1.400.052.7第44样品1.400.105.5第45样品1.400.2212.0第46样品1.390.4826.1第47样品1.400.6837.2第48样品1.400.7641.6第49样品1.500.042.3第50样品1.490.095.2第51样品1.490.2212.8第52样品1.500.4727.5第53样品1.480.6738.7第54样品1.500.7543.9芯片尺寸：3.2mm×1.6mm×1.6mm[表4]W1，W2(mm)T1，T2(mm)面积比率(％)第55样品2.200.093.2第56样品2.200.165.6第57样品2.200.4114.4第58样品2.190.7526.3第59样品2.191.0135.4第60样品2.201.1640.8第61样品2.300.093.3第62样品2.300.155.5第63样品2.280.4014.6第64样品2.300.7728.3第65样品2.301.0137.2第66样品2.311.1542.5第67样品2.410.093.5第68样品2.400.145.4第69样品2.400.4115.7第70样品2.400.7528.8第71样品2.401.0138.8第72样品2.391.1544.0芯片尺寸：3.2mm×2.5mm×2.5mm在安装第1样品至第72样品时，采用厚度为150μm的金属掩模，将焊料涂敷在焊盘104a、104b上。金属掩模具有形状与焊盘104a、104b一致的开口。将该开口的体积的80％～90％程度的量的焊料涂敷在焊盘104a、104b上。将焊料的加热温度设为255℃。此外，焊料采用Sn-Ag-Cu焊料。采用以上那样的第1样品至第72样品，调查了倾斜发生率及裂缝发生率。倾斜发生率是指，在被安装于电路基板100上的各样品中发生了倾斜的概率。按如下方式进行倾斜的测量，即：利用激光位移计(KS-1100KEYENCE公司制)在y轴方向对样品进行扫描。而且，在各样品的上面S5或底面S6相对于电路基板100的倾斜度为5度以上的情况下，判定为发生了倾斜。裂缝发生率是指，在各样品中发生了在y轴方向上横穿焊料110a、110b的裂缝的概率。按如下方式进行裂缝发生率的测量，即：将安装了样品的电路基板100投入到热冲击试验槽中，在重复进行1000个周期的、历经5分钟保持-55℃的步骤和历经5分钟保持150℃的步骤之后，从样品的侧面S1或S2进行断面研磨直到样品的y轴方向的宽度成为一半为止，并用显微镜来调查裂缝的发生状态。而且，关于将发生了在y轴方向上横穿焊料110a、110b的裂缝的样品，判定为发生了裂缝。以下在表5至表8中示出实验结果。[表5]倾斜发生率(％)裂缝发生率(％)第1样品500第2样品00第3样品00第4样品00第5样品00第6样品00第7样品300第8样品00第9样品00第10样品00第11样品00第12样品00第13样品300第14样品00第15样品00第16样品00第17样品00第18样品010[表6]倾斜发生率(％)裂缝发生率(％)第19样品500第20样品00第21样品00第22样品00第23样品00第24样品00第25样品400第26样品00第27样品00第28样品00第29样品00第30样品010第31样品400第32样品00第33样品00第34样品00第35样品00第36样品010[表7]倾斜发生率(％)裂缝发生率(％)第37样品400第38样品00第39样品00第40样品00第41样品00第42样品010第43样品300第44样品00第45样品00第46样品00第47样品00第48样品020第49样品400第50样品00第51样品00第52样品00第53样品00第54样品020[表8]倾斜发生率(％)裂缝发生率(％)第55样品200第56样品00第57样品00第58样品00第59样品00第60样品020第61样品200第62样品00第63样品00第64样品00第65样品00第66样品020第67样品100第68样品00第69样品00第70样品00第71样品00第72样品020根据表5至表8可知，随着面积比率变低，倾斜发生率上升；随着面积比率变高，裂缝发生率上升。而且，根据第1样品至第72样品可知，如果在面积比率为6.6％以上且35.0％以下的范围内，则倾斜发生率及裂缝发生率均为0％。因此，根据所述实验，通过将面积比率设为6.6％以上且35.0％以下，从而在安装时能抑制电子元件10相对于电路基板100而发生倾斜，并且在安装后能抑制焊料110a、110b形成裂缝。(变形例)以下，参照附图对变形例涉及的电子元件进行说明。图4是变形例涉及的电子元件10a的外观立体图。图5是图4的电子元件10a的层叠体12的分解立体图。以下，将层叠体12的层叠方向定义为y轴方向。将从y轴方向俯视层叠体12时的层叠体12的长边方向定义为x轴方向。将从y轴方向俯视层叠体12时的层叠体12的短边方向定义为z轴方向。电子元件10a如图4所示，与电子元件10不同之处在于：还具备外部电极15(15a、15b)。以下，以该不同之处为中心来说明电子元件10a。电容器导体18a如图5所示还具备引出部24a。引出部24a从电容部20a的z轴方向的正方向侧的长边在x轴方向的负方向侧的端部附近，朝向z轴方向的正方向侧突出，并且从电容部20a的x轴方向的负方向侧的短边在z轴方向的正方向侧的端部附近，朝向x轴方向的负方向侧突出。引出部24a被引出到电介质层16的z轴方向的正方向侧的长边，并且被引出到电介质层16的x轴方向的负方向侧的短边。而且，引出部24a也被引出到该长边和该短边相交叉的角部。引出部24a具有从在层叠体12的端面S3及上面S5相邻的2层的电介质层16之间露出的露出部28a。电容器导体18b如图5所示还具有引出部24b。引出部24b从电容部20b的z轴方向的正方向侧的长边在x轴方向的正方向侧的端部附近，朝向z轴方向的正方向侧突出，并且从电容部20b的x轴方向的正方向侧的短边在z轴方向的正方向侧的端部附近，朝向x轴方向的正方向侧突出。引出部24b被引出到电介质层16的z轴方向的正方向侧的长边，并且被引出到电介质层16的x轴方向的正方向侧的短边。而且，引出部24b也被引出到该长边和该短边相交叉的角部。引出部24b具有从在层叠体12的端面S4及上面S5相邻的2个层的电介质层16之间露出的露出部28b。外部电极15a按照覆盖露出部28a的方式被跨设在层叠体12的端面S3及上面S5。但是，外部电极15a未从端面S3及上面S5鼓出，且未被设置在侧面S1、S2、端面S4及底面S6。因此，外部电极15a在从y轴方向俯视时呈L字型。外部电极15a例如利用镀覆法形成。作为外部电极15a的材料，例如举出Cu。此外，将在外部电极15a中被设置于端面S3的部分称作端面部32a。端面部32a的面积的大小为端面S3的面积的大小的6.6％以上且35.0％以下。外部电极15b按照覆盖露出部28b的方式被跨设在层叠体12的端面S4及上面S5。其中，外部电极15b未从端面S4及上面S5鼓出，且未被设置在侧面S1、S2、端面S3及底面S6。因此，外部电极15b在从y轴方向俯视时呈L字型。外部电极15b例如利用镀覆法形成。作为外部电极15b的材料，例如举出Cu。此外，将在外部电极15b中被设置于端面S4的部分称作端面部32b。端面部32b的面积的大小为端面S4的面积的大小的6.6％以上且35.0％以下。以上那样的电子元件10a能够按照外部电极14a、14b利用焊料110a、110b被固定在焊盘104a、104b上的方式被安装在电路基板100上，并且也能够按照外部电极15a、15b利用焊料110a、110b被固定在焊盘104a、104b上的方式被安装在电路基板100上。即、能够将电子元件10a的上面S5及底面S6双方用作安装面。其中，在降低z轴方向的高度的观点下，与电子元件10a相比更优选电子元件10。在电子元件10中，未设置外部电极15a、15b。因而，电子元件10的高度比电子元件10a的高度低出外部电极15a、15b的厚度。产业上的可利用性本发明对于电子元件是有用的，尤其是在安装时能抑制电子元件相对于电路基板而发生倾斜、并且在安装后能抑制焊料形成裂缝的方面较为优越。符号说明C电容器F1、F2焊脚10、10a电子元件12层叠体14a、14b、15a、15b外部电极16电介质层18a、18b电容器导体30a、30b、32a、32b端面部100电路基板102基板主体104a、104b焊盘110a、110b焊料