电子元器件的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电子元器件，更为特定地涉及具备电感器和电容器的电子元器件。
【背景技术】
[0002]作为现有的电子元器件的相关发明，例如，已知有专利文献I记载的LC复合元器件。该LC复合元器件具备电感器和电容器。电感器形成为具备在上下方向上延伸的中心轴的螺旋状，具有线路电极与过孔电极相连接的结构。电容器设置于电感器的下侧，由均形成为矩形的接地电极与电容器电极相对而构成。
[0003]然而，在专利文献I所记载的LC复合元器件中，存在电感器的电感值下降的问题。更详细而言，在LC复合元器件中，电感器和电容器上下重叠。因此，电感器产生的磁通会通过接地电极和电容器电极。由此，在接地电极及电容器电极中产生涡流，进而产生涡流损耗。其结果导致电感器的Q值下降。
现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1:日本专利特开2010 - 21321号公报
【发明内容】
发明所要解决的技术问题
[0005]因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制电感器的Q值下降的电子元器件。
解决技术问题所采用的技术方案
[0006]本发明的一实施方式所涉及的电子元器件的特征在于，包括:层叠体，该层叠体由多个绝缘体层沿层叠方向层叠而成；第I电感器，该第I电感器形成为从层叠方向俯视时边绕环状的轨道环绕边沿层叠方向前进的螺旋状，由设置于多个所述绝缘体层上的多个第I电感器导体、与在层叠方向上贯穿至少一个以上的所述绝缘体层的第I层间连接导体相连接而成；第2层间连接导体，该第2层间连接导体在层叠方向上贯穿所述绝缘体层，且彼此串联连接，在从层叠方向俯视时位于所述环状的轨道内；以及第I电容器导体，该第I电容器导体设置于比所述第I电感器更靠层叠方向的一侧，从层叠方向俯视时，通过与所述环状的轨道的至少一部分相重叠而在与该第I电感器之间形成第I电容器，并且通过与该环状的轨道所包围的区域的一部分相重叠而与所述第2层间连接导体相连接。
发明效果
[0007]根据本发明，能够抑制电感器的Q值的下降。
【附图说明】
[0008]图1是实施方式I所涉及的电子元器件1a的等效电路图。
图2是表示电子元器件1a的通过特性及反射特性的曲线图。
图3是电子元器件1a的分解立体图。 图4是实施方式2所涉及的电子元器件1b的等效电路图。
图5是表示电子元器件1b的通过特性及反射特性的曲线图。
图6是电子元器件1b的分解立体图。
图7是实施方式3所涉及的电子元器件1c的等效电路图。
图8是表示电子元器件1c的通过特性及反射特性的曲线图。
图9是电子元器件1c的分解立体图。
【具体实施方式】
[0009](实施方式I)
下面，参照【附图说明】本发明的实施方式I所涉及的电子元器件。图1是实施方式I所涉及的电子元器件1a的等效电路图。图2是表示电子元器件1a的通过特性及反射特性的曲线图。图2的纵轴表示I Sll 1、I S211，图2的横轴表示频率。S21是从外部电极14b输出的信号的强度与从外部电极14a输入的信号的强度的比值。Sll是从外部电极14a输出的信号的强度与从外部电极14a输入的信号的强度的比值。
[0010]首先，参照附图对电子元器件1a的等效电路进行说明。电子元器件1a如图1所示，等效电路的结构中包括电感器LI?L4、电容器C1、C2及外部电极14a?14c，是使频带高于截止频率的高频信号通过的高通滤波器。
[0011]外部电极14a是输入高频信号的输入端子。外部电极14b是输出高频信号的输出端子。外部电极14c是接地的接地端子。
[0012]电感器L1、电容器C2及电感器L3依次串联电连接在外部电极14a与外部电极14b之间。电感器L3和电容器C2构成LC串联谐振器LC3。LC串联谐振器LC3的谐振频率为频率f3。LC串联谐振器LC3起到阻抗匹配电路的作用，抑制f3下的高频信号反射。
[0013]电感器L2和电容器Cl串联电连接，构成LC串联谐振器LC2。LC串联谐振器LC2的谐振频率为频率f2。并且，电感器L2和电容器Cl并联电连接于电感器LI。由此，电感器L1、L2及电容器Cl构成LC并联谐振器LCl。LC并联谐振器LCl的谐振频率为频率fl。f2比f I稍高，与f3实质上相等。
[0014]电感器L4连接在电感器LI和电容器C2间的节点与外部电极14c之间。电感器L4具有将外部电极14a与外部电极14b之间流动的高频信号内的频率低于fl的信号引导向外部电极14c的低通滤波器的功能。
[0015]具有上述结构的电子元器件1a具有图2所示的通过特性和反射特性。通过特性是指从外部电极14b输出的高频信号的强度与从外部电极14a输入的高频信号的强度的比值。反射特性是指从外部电极14a输出的高频信号的强度与从外部电极14a输入的高频信号的强度的比值。
[0016]LC并联谐振器LCl的阻抗在fl时变为最大。因此，在通过特性中，衰减极形成于flo LC串联谐振器LC2的阻抗在f2时变为最小。因此，在通过特性中，f2的衰减量变小。fl设定为稍稍低于f2。由此可知，如图2所示，通过特性从f2开始到fl急剧地发生变化。SP，可知电子元器件1a具有优异的衰减特性。
[0017]并且，LC串联谐振器LC3的阻抗在频率f3时变为最小。因此，在反射特性中，频率f3附加的反射损耗变小。这是因为LC串联谐振器LC3起到阻抗匹配电路的作用，从而使得f3处的高频信号向外部电极14b通过。
[0018]接着，参照附图对电子元器件1a的具体结构进行说明。图3是电子元器件1a的分解立体图。下面，将电子元器件1a的层叠方向定义为上下方向，将从上侧俯视电子元器件1a时电子元器件1a的长边延伸的方向定义为前后方向，电子元器件1a的短边延伸的方向定义为左右方向。
[0019]电子兀器件1a包括层叠体12、外部电极14a?14f、电感器导体18a?18e、22a?22d、电容器导体20、24以及过孔导体vl?vl4 (层间连接导体的一个示例)、v20?v23、v40 ?v460
[0020]层叠体12形成为长方体形状，通过从上侧向下侧依次层叠绝缘体层16a?16ο来构成。绝缘体层16a?16ο由陶瓷等绝缘性材料制作而成，从上侧俯视时形成为长方形状。下面，将绝缘体层16a?16ο的上侧的面称为表面，绝缘体层16a?16ο的下侧的面称为背面。
[0021]外部电极14a?14f是设置于绝缘体层16ο的背面的长方形状的导体层。外部电极14c、14d、14f沿着绝缘体层16ο的右侧的长边从前侧向后侧依次进行排列。外部电极14b、14a、14e沿着绝缘体层16ο的左侧的长边从前侧向后侧依次进行排列。
[0022]电感器导体18a?18e分别是设置于绝缘体层16b?16f的表面的前半部分区域的线状的导体层。电感器导体18a?ISe在从上侧进行俯视时，通过相互重叠形成正方形状的环状的轨道。于是，电感器导体18a?ISe形成为环状的轨道的一部分被切除而得到的形状。其中，电感器导体18a的一端引出至正方形状的环状的轨道的中央。下面，在电感器导体18a?ISe中，将顺时针方向的上游侧的端部称为上游端，顺时针方向的下游侧的端部称为下游端。
[0023]过孔导体Vl在上下方向贯穿绝缘体层16b，从而使电感器导体18a的下游端与电感器导体18b的上游端相连接。过孔导体v2在上下方向贯穿绝缘体层16c，从而使电感器导体18b的下游端与电感器导体18c的上游端相连接。过孔导体v3在上下方向贯穿绝缘体层16d，从而使电感器导体18c的下游端与电感器导体18d的上游端相连接。过孔导体v4在上下方向贯穿绝缘体层16e，从而使电感器导体18d的下游端与电感器导体ISe的上游端相连接。
[0024]上述电感器导体18a?18e及过孔导体vl?v4构成电感器LI。由此，电感器LI在从上侧进行俯视时，形成为边绕环状的轨道进行环绕，边从上侧向下侧前进的螺旋状。
[0025]过孔导体v20?v24在上下方向贯穿绝缘体层16b?16f，通过彼此串联连接而构成一根过孔导体。过孔导体v20?v24在从上侧进行俯视时，位于电感器导体18a?18e所形成的环状的轨道的中央。由此，过孔导体v20?v24在电感器LI内沿上下方向延伸。过孔导体v20的上端与电感器导体18a的上游端相连接。
[0026]电容器导体20设置于电感器LI的下侧，从上侧俯视时，通过与电感器导体18a?ISe形成的环状的轨道的至少一部分重叠而在与电感器LI之间形成电容器Cl，并且通过与环状的轨道所包围的区域的一部分重叠而与过孔导体v24相连接。更详细而言，电容器导体20是设置于绝缘体层16g的表面的前半部分区域的线状的导体层。电容器导体20与环状的轨道的左侧的边以及前侧的边的左半部分重叠。电容器导体20从环状的轨道的前侧的边的中央引出至环状的轨道的中央。因此，电容器导体20与环状的轨道所包围的区域不完全重叠。下面，将电容器导体20的顺时针方向的上游侧的端部称为上游端，电容器导体20的顺时针方向的下游侧的端部称为下游端。
[0027]并且，由于电容器导体20是线状的导体层，因此，也起到电感器L2的作用。即，电容器Cl与电感器L2串联电连接。电容器导体20经由过孔导体V20?V24与电感器导体18a相连接。由此，电容器Cl及电感器L2