半导体晶片等加工用粘附带的制作方法
【专利摘要】本发明的技术问题是提供能够使在带剥离后的被粘附体的表面残留的粘附剂的量充分地减少的半导体晶片等加工用粘附带。本发明的半导体晶片等加工用粘附带（100）具备基材层（200）和粘附层（300）。粘附层（300）形成在基材层（200）的至少一面上。另外，粘附层（300）主要由含羧基聚合物构成。含羧基聚合物含有放射线聚合化合物（特别是聚氨酯丙烯酸酯）。
【专利说明】半导体晶片等加工用粘附带
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体晶片等加工用粘附带。
[0002]本申请基于2011年3月30日在日本申请的特愿2011-075003号和2012年I月11日在日本申请的特愿2012-003125号主张优先权，在此援用其内容。
【背景技术】
[0003]一直以来，提出了各种在半导体晶片和封装品的切割加工中使用的半导体晶片等加工用粘附带(以下称为“切割带”)。一般而言，在切割带中，在基材层(基层)上形成有粘附层，利用该粘附层将半导体晶片等固定。在粘附层中通常添加有放射线聚合化合物(光固化型树脂)、放射线聚合引发剂(光聚合引发剂)和交联剂等，使得在半导体晶片等的切割加工后，能够容易地拾取半导体芯片。也就是说，在切割加工后，当向粘附层照射紫外线等放射线(光)时，这些成分固化，粘附层的粘附性降低，半导体芯片的拾取变得容易。
[0004]但是，在使切割带从被粘附体剥离的工序中，存在发生构成粘附层的粘附剂的一部分残留在被粘附体表面的、所谓的粘附剂残留的问题。另外，在利用切割带保持被粘附体的工序中，存在切割带不能稳定地保持具有凹凸的被粘附体的问题。因此，例如，专利文献1、2中公开了为了解决上述问题而适当选择粘附层的材料的切割带。这些切割带能够稳定地保持具有凹凸的被粘附体。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日 本特开2005-136298号公报
[0008]专利文献2:日本特开2003-105283号公报
【发明内容】
[0009]发明要解决的技术问题
[0010]但是，这些切割带不能使在带剥离后的被粘附体的表面残留的粘附剂的量充分地减少。
[0011]本发明的目的是提供能够使在带剥离后的被粘附体的表面残留的粘附剂的量减少的半导体晶片等加工用粘附带。
[0012]用于解决技术问题的手段
[0013]上述目的可通过以下的(I)?(9)中记载的本发明来实现。
[0014](I) 一种半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于，具备:基材层；和在上述基材层的至少一面上形成的粘附层，上述粘附层含有:含羧基聚合物；放射线聚合化合物；和交联剂，上述放射线聚合化合物的重均分子量为500以上20000以下，并且官能团数为5个官能团以上，相对于含羧基聚合物100重量份，上述交联剂的含量为3重量份以上14重量份以下。
[0015](2)如上述(I)所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于:上述放射线聚合化合物的重均分子量为1000以上20000以下，并且官能团数为10个官能团以上。
[0016](3)如上述(I)或(2)所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于:上述含羧基聚合物还含有酯基，上述含羧基聚合物的上述酯基的个数与上述羧基的个数的比(酯基/羧基)为80 / 20以上95 / 5以下。
[0017](4)如上述(I)?(3)中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于:上述放射线聚合化合物的重均分子量为500以上3000以下，并且官能团数为15个官能团以下。
[0018](5)如上述(I)?(4)中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于:上述官能团为乙烯基。
[0019](6)如上述(I)?(5)中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于:相对于上述含羧基聚合物100重量份，上述放射线聚合化合物的含量为30重量份以上70重量份以下。
[0020](7)如上述(I)?(6)中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于:上述放射线聚合化合物为聚氨酯丙烯酸酯。
[0021](8)如上述(I)?(7)中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于:上述交联剂含有异氰酸酯基。
[0022](9)如上述(I)?(8)中任一项所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于:上述含羧基聚合物为丙烯酸酯与丙烯酸的共聚物。
[0023]通过具备上述特征，本发明的半导体晶片等加工用粘附带能够更稳定地保持具有凹凸的被粘附体。
`[0024]另外，本发明的切割带以对被粘附体具有良好的粘附力、并且提高拾取性为目的，成为不在粘附层上设置芯片粘接膜等的结构。
[0025]由于这样的结构，不需要考虑在粘附层上叠层有芯片粘接膜等的情况下发生的下述不良情况(I)?(IV)等。
[0026](I)在切割时，芯片粘接膜熔融，由此，切片品质降低，由于粘附层与芯片粘接膜的粘接，拾取性降低。(II)由于芯片粘接膜与粘附层的密合，在长时间保管时，拾取性降低。
(III)为了叠层芯片粘接膜，制造工序增加。(IV)芯片粘接膜与粘附层有可能发生反应，因此不能常温输送。
[0027]发明效果
[0028]本发明的半导体晶片等加工用粘附带能够使在带剥离后的被粘附体的表面残留的粘附剂的量减少。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1为本发明的一个实施方式的切割带的截面图。
【具体实施方式】
[0030]以下，基于具体的实施方式，对本发明的半导体晶片等加工用粘附带进行详细说明。
[0031]本发明的半导体晶片等加工用粘附带的特征在于，具备:基材层；和在上述基材层的至少一面上形成的粘附层，上述粘附层含有含羧基聚合物和放射线聚合化合物，上述放射线聚合化合物的重均分子量为500以上3000以下，并且官能团数为5个官能团以上15个官能团以下。
[0032]图1为用于对本发明的半导体晶片等加工用粘附带(以下称为“粘附带”或“切割带”)100的实施方式进行说明的图。如图1所示，本发明的一个实施方式的粘附带100构成为包括基材层200和粘附层300。以下，对粘附带被作为切割带使用的情况下的基材层200和粘附层300，分别进行详细说明。
[0033]<基材层(基层)>
[0034]基材层200主要含有材料树脂，承担支撑粘附层300的作用。另外，该基材层200具有在切割工序后实施的扩张工序中能耐受拉伸的强度。所谓扩张工序，是拉伸粘附带100、使芯片间隔扩张的工序。该扩张工序的目的是:在拾取时提高芯片的识别性；和防止由相邻的芯片彼此的接触引起的器件的破损。
[0035]上述材料树脂通过通常的膜成形方法成形为膜。作为该材料树脂，只要是使放射线(可见光线、近红外线、紫外线、X射线、电子射线等)透过的树脂，就没有特别限定，例如，可以使用:聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃类树脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等烯烃类共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚对苯二甲酸亚烷基酯类树脂；苯乙烯类热塑性弹性体、烯烃类热塑性弹性体、聚乙烯基异戊二烯、聚碳酸酯等热塑性树脂、和这些热塑性树脂的混合物。
[0036]特别地，作为材料树脂，优选使用聚丙烯与弹性体的混合物、或者聚乙烯与弹性体的混合物。另外，作为该弹性体，优选含有由通式(I)表示的聚苯乙烯链段和由通式(2)表示的乙烯基聚异戊二烯链段的嵌段共聚物。另外，从耐候性的观点出发，聚异戊二烯链段优选被氢化。
[0037]
【权利要求】
1.一种半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于: 具备:基材层；和在所述基材层的至少一面上形成的粘附层， 所述粘附层含有:含羧基聚合物；放射线聚合化合物；和交联剂， 所述放射线聚合化合物的重均分子量为500以上20000以下，并且官能团数为5个官能团以上， 相对于含羧基聚合物100重量份，所述交联剂的含量为3重量份以上14重量份以下。
2.如权利要求1所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于: 所述放射线聚合化合物的重均分子量为1000以上20000以下，并且官能团数为10个官能团以上。
3.如权利要求1所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于: 所述含羧基聚合物还含有酯基， 所述含羧基聚合物的所述酯基的个数与所述羧基的个数的比(酯基/羧基)为80 / 20以上95/5以下。
4.如权利要求1所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于: 所述放射线聚合化合物的 重均分子量为500以上3000以下，并且官能团数为15个官能团以下。
5.如权利要求1所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于: 所述官能团为乙烯基。
6.如权利要求1所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于: 相对于所述含羧基聚合物100重量份，所述放射线聚合化合物的含量为30重量份以上70重量份以下。
7.如权利要求1所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于: 所述放射线聚合化合物为聚氨酯丙烯酸酯。
8.如权利要求1所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于: 所述交联剂含有异氰酸酯基。
9.如权利要求1所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于: 所述含羧基聚合物为丙烯酸酯与丙烯酸的共聚物。
【文档编号】H01L21/301GK103443229SQ201280015419
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2012年3月27日 优先权日:2011年3月30日
【发明者】石破彰浩, 矶部雅俊, 长尾佳典 申请人:住友电木株式会社