用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法
【专利摘要】本发明涉及用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法。所述用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物包括碱性化合物；多糖；与多糖一起的最佳含量的脂肪酸、脂肪酸的金属盐或者它们的混合物，以在晶体硅片的表面上均匀地形成具有微锥体结构的纹理，以便在降低光反射的同时最大化太阳能的吸收，从而提高发光效率。
【专利说明】用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物以及纹理蚀刻方法，该方法能够均匀地形成晶体硅片的表面以具有微锥体结构，从而提高发光效率。
【背景技术】
[0002]近年来，太阳能电池快速增长且被称作下一代能源和直接将清洁能源(即太阳能)转化成电能的电子装置。这种太阳能电池主要具有包括硅和添加到硅上的硼的P型硅半导体且包括PN结半导体衬底，其中，主要具有硅和添加到硅上的硼的P型硅半导体，而N型硅半导体层通过将磷(P)扩散至P型硅半导体的表面而形成。 [0003]当光(诸如太阳光)照射具有通过PN结产生的电场的衬底时，半导体中的电子(_)和空穴(+ )被激发，且这些被激发的电子(_)和空穴(+ )在半导体内可自由地且随机地移动。在这种情况下，通过PN结形成的电场内的电子(-)可迁移到N型半导体，而空穴(+)迁移至P型半导体。如果在P型半导体的表面上和N型半导体的表面上都提供电子以使电子流向外电路，则产生电流。基于这样的原理，太阳能被转化成电能。因此，为了改善太阳光转化效率，PN结半导体衬底的单位面积的电输出应尽可能地被增加，为此目的，在最大化光吸收的同时必须减少反射率。考虑到上文所述的情形，构造PN结半导体衬底的太阳能电池硅片，应具有在其表面上形成的微锥体结构且可设置有抗反射膜。纹理具有微锥体结构的硅片的表面可减少各种波长的入射光的反射率，进而增加吸收光的数量。结果，可提高太阳能电池的性能(即太阳能电池的效率)。
[0004]已经公开了一种用于使硅片的表面具有微锥体结构的方法，例如，美国专利N0.4，137，123描述了一种硅纹理蚀刻溶液，其中，0.5wt.% (重量百分比)至IOwt.%的硅被溶解在各向异性蚀刻(常称为‘干法蚀刻’)溶液中，该各向异性蚀刻溶液由O至75vol.%(体积百分比)的乙二醇、0.05wt.%至50wt.%的氢氧化钾和余量的水构成。然而，这种蚀刻溶液不能产生锥体，因此增加了光反射率并且导致光吸收效率的减小。
[0005]此外，欧洲专利N0.0477424提出了一种纹理蚀刻方法，将氧供给到纹理蚀刻溶液(该纹理蚀刻溶液包括溶解在乙二醇、氢氧化钾和余量的水的混合物中的硅)中，即进行数分钟的充气过程。然而，上述蚀刻方法不能形成锥体，转而增加光反射率同时恶化了光吸收效率，此外，存在还需要替选的充气装置的缺点。
[0006]另外，注册号为0180621的韩国专利公开一种纹理蚀刻溶液，其包括0.5%至5%的氢氧化钾溶液、3vol.%至20vol.%的异丙醇以及75vol.%至96.5vol.%的去离子水的混合物；美国专利N0.6，451，218公开了一种纹理蚀刻溶液，其包括碱性化合物、异丙醇、含水的碱性乙二醇和水。然而，由于上述蚀刻溶液分别包括具有相对低的沸点的异丙醇且该物质必须在纹理化期间被另外加入，故在生产率和费用方面导致经济方面的缺点。此外，另外加入的异丙醇产生蚀刻溶液的温度梯度，由此在硅片表面上的区域范围内增大了纹理质量偏差且最后使均匀性变差。
【发明内容】
[0007]技术问题
[0008]因此，本发明的目的是提供用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物和纹理蚀刻方法，该方法能够改善在晶体硅片的表面上形成微锥体结构的区域范围内的纹理的均匀性，从而提高发光效率。
[0009]本发明的另一目的是提供用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物，且在纹理化期间不需要施加充气过程以及引入另外的蚀刻溶液组分。
[0010]另外，本发明的另一目的在于提供一种使用上述用于硅片的纹理蚀刻溶液的纹理蚀刻方法。
[0011]技术方案
[0012](I)用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物，包括:0.1wt.%至20wt.%的碱性化合物；10_9wt.%至IOwt.%的多糖；10_9wt.%至IOwt.%的脂肪酸、脂肪酸的金属盐或者它们的混合物；以及，余量的水。
[0013]( 2 )根据上文(I)的组合物，其中，碱性化合物选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵和四乙基氢氧化铵中的至少一种。
[0014](3)根据上文(I)的组合物，其中，多糖选自葡聚糖化合物、果聚糖化合物、甘露聚糖化合物、半乳聚糖化合 物、及其金属盐中的至少一种。
[0015](4)根据上文(3)的组合物，其中，多糖选自纤维素、二甲氨基乙基纤维素、二乙氨基乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、4-氨基苄基纤维素、三乙氨基乙基纤维素、氰乙基纤维素、乙基纤维素、甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、褐藻酸、直链淀粉、支链淀粉、果胶、淀粉、糊精、α-环糊精、β-环糊精、Y-环糊精、羟丙基-β-环糊精、甲基-β-环糊精、右旋糖酐、葡聚糖硫酸酯钠、皂角苷、糖原、酵母聚糖、香菇多糖、裂褶多醣、和其金属盐中的至少一种葡聚糖化合物。
[0016](5)根据上文(3)的组合物，其中，多糖具有5000至1000000的平均分子量。
[0017](6)根据上文(I)的组合物，其中，脂肪酸选自醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、月桂酸、豆蘧酸、棕榈酸、硬脂酸、花生酸、二十二烷酸、二十四烷酸、蜡酸、二十碳五烯酸、二十二碳六烯酸、亚油酸、α-亚麻酸、Y-亚麻酸、二高-Y-亚麻酸、花生四烯酸、油酸、反油酸、芥酸、神经酸中的至少一种。
[0018](7)根据上文(I)的组合物，还包括选自全氟烷基羧酸盐、全氟烷基磺酸盐、全氟烷基硫酸盐、全氟烷基磷酸盐、全氟烷基胺盐、全氟烷基季铵盐、全氟烷基羧基甜菜碱、全氟烷基磺基甜菜碱、氟烷基聚氧乙烯和全氟烷基聚氧乙烯中的至少一种氟表面活性剂，上述各种氟表面活性剂在其各个烷基上具有I至30个碳原子。
[0019](8)根据上文(I)的组合物，还包括选自二氧化硅细粉；Na20稳定的二氧化硅胶体溶液；κ20稳定的二氧化硅胶体溶液；酸溶液稳定的二氧化硅胶体溶液；册13稳定的二氧化硅胶体溶液；利用选自乙醇、丙醇、乙二醇、甲乙酮和甲基异丁酮中的至少一种有机溶剂稳定的二氧化硅胶体溶液；液体硅酸钠；液体硅酸钾；和液体硅酸锂的至少一种硅化合物。
[0020](9)晶体硅片的纹理蚀刻方法包括:将晶体硅片浸泡在根据上文(I)至(8)中任一项所述的蚀刻溶液组合物中、在该晶体硅片上喷涂所述组合物、或者将硅片浸泡在组合物中然后在该硅片上喷涂所述组合物。[0021](10)根据上文(9)的组合物，其中，在50°C至100°C的温度下执行浸泡、喷涂、或者浸泡和喷涂持续30秒到60分钟。
[0022]有益效果
[0023]根据本发明的用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物和纹理蚀刻方法，在晶体硅片的表面上可均匀地形成微锥体结构，以通过减少光反射来最大化太阳能的吸收和提高发光效率。
[0024]此外，由于根据本发明的纹理蚀刻方法在纹理化期间不需要施加充气过程以及引入另外的蚀刻溶液，因此考虑到初期生产以及加工成本，该方法实现了经济上的优势且还能够形成均匀的微锥体结构。
【专利附图】
【附图说明】 [0025]图1为示出通过使用在本发明的实施例10中制备的用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物来进行纹理蚀刻的单晶硅片的表面的3D光学显微图像；和
[0026]图2为示出通过使用在本发明的实施例10中制备的用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物而进行纹理蚀刻的单晶硅片的表面的扫描电子显微镜(SEM)图像。
【具体实施方式】
[0027]本发明公开了一种用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物以及使用该纹理蚀刻组合物的纹理蚀刻方法。
[0028]在下文中，将详细描述本发明。
[0029]本发明的用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物包括碱性化合物；多糖；脂肪酸、脂肪酸的金属盐、或其混合物；以及，余量的水。
[0030]更具体地，本发明的用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物包括0.1wt.%至20wt.%的碱性化合物；10_9wt.%至IOwt.%的多糖；10_9wt.%至IOwt.%的脂肪酸、脂肪酸的金属盐、或其混合物；以及，余量的水。
[0031]碱性化合物为蚀刻晶体硅片的表面的组分且该组分的种类没有特别的限制。例如，使用氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵等。在这些碱性化合物中，优选使用氢氧化钾和氢氧化钠。这些化合物可单独使用或者组合使用它们中的两者或两者以上。
[0032]以用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物总量为IOOwt.%计，碱性化合物可以被包括的含量是0.1wt.%至20wt.%、优选Iwt.%至5wt.%。如果碱性化合物的含量在上述范围内，则可进行硅片表面的蚀刻。
[0033]根据本发明的用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物还可包括最佳含量的多糖。
[0034]多糖是利用在两种单糖或更多种单糖之间的糖苷结合而形成的高分子化合物，多糖可防止过度蚀刻并有效地控制通过使用碱性化合物而引起的蚀刻加速，从而制备均匀的微锥体以及改善外观，同时快速减少通过腐蚀掉硅片的表面而产生的氢气泡，从而防止气泡空腔的发生。
[0035]多糖的示例可包括:葡聚糖化合物、果聚糖化合物、甘露聚糖化合物、半乳聚糖化合物、及其金属盐。在这些化合物中，优选使用葡聚糖化合物及其金属盐(例如碱金属盐)。上述物质可单独使用或者组合使用它们中的两者或两者以上。
[0036]例如，葡聚糖化合物可包括纤维素、二甲氨基乙基纤维素、二乙氨基乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、4-氨基苄基纤维素、三乙氨基乙基纤维素、氰乙基纤维素、乙基纤维素、甲基纤维素、羧甲基基纤维素、羧乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、褐藻酸、直链淀粉、支链淀粉、果胶、淀粉、糊精、α-环糊精、β-环糊精、Y-环糊精、羟丙基-β -环糊精、甲基-β -环糊精、右旋糖酐、葡聚糖硫酸酯钠、皂角苷、糖原、酵母聚糖、香菇多糖、裂褶多醣、及其金属盐。
[0037]多糖可具有5000至1000000、优选50000至200000的分子量。
[0038]以用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物总量为IOOwt.%计，多糖可以被包括的含量是10_9wt.%至IOwt.%、优选10_6wt.%至Iwt.%。如果多糖的含量在上述范围内，则可防止过度蚀刻以及可有效地控制蚀刻加速。当多糖的含量超过IOwt.%时，使用碱性化合物时的蚀刻速率可急剧减小，这导致难于形成所期望的微锥体。
[0039]除了多糖外，根据本发明的用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物还可包括最佳含量的脂肪酸、脂肪酸的金属盐、或其混合物。
[0040]脂肪酸或其金属盐为这样的组分:其与多糖一起使用以防止碱性化合物引起的过度蚀刻，以制备均匀的微锥体，同时快速减少通过腐蚀掉硅片的表面而产生的氢气泡，从而防止气泡空腔的发生。
[0041]脂肪酸可为具有羧基的烃链羧酸，尤其可包括醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、月桂酸、豆蘧酸、棕榈酸、硬脂酸、花生酸、二十二烷酸、二十四烷酸、蜡酸、二十碳五烯酸、二十二碳六烯酸、亚油酸、α-亚麻酸、Y-亚麻酸、二高-Y-亚麻酸、花生四烯酸、油酸、反油酸、芥酸、神经酸等。此外，脂肪酸的金属盐可包括诸如前述脂肪酸与NaOH或KOH的酯反应物。上述物质可单独使用或者组合使用它们中的两者或两者以上。
[0042]以用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物总量为IOOwt.%计，脂肪酸、脂肪酸的金属盐、或其混合物可以被包括的含量是10_9wt.%至IOwt.%、优选10_6wt.%至Iwt.%。如果脂肪酸、脂肪酸的金属盐、或其混合物的含量在上述范围内，则可有效地防止过度蚀刻。
[0043]本发明的用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物还可包括氟表面活性剂。
[0044]氟表面活性剂降低了蚀刻溶液的表面张力以大大地促进在晶体硅片的表面的润湿性方面的改善，从而防止碱性化合物引起的过度蚀刻。
[0045]例如，氟表面活性剂的类型可包括但不限于:阴离子型表面活性剂，如全氟烷基羧酸盐、全氟烷基磺酸酸盐、全氟烷基硫酸盐、氟烷基磷酸盐等；阳离子型表面活性剂，如全氟烷基胺盐、全氟烷基季铵盐等；两性表面活性剂，如全氟烷基羧基甜菜碱、全氟烷基磺基甜菜碱等；和，非离子型表面活性剂，如氟烷基聚氧乙烯、全氟醇聚氧乙烯等。这些化合物中的各种化合物在其烷基上可具有I至30个碳原子。这些物质也可单独使用或者它们中的两个或多个组合使用。
[0046]以用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物总量为lOOwt.%计，氟表面活性剂可以10_9wt.%至IOwt.%、优选10_6wt.%至Iwt.%的含量被包括在内。如果氟表面活性剂的含量在上述范围内，则可有效地改善硅片的表面的润湿性。
[0047]本发明的用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物还可包括硅化合物。
[0048]硅化合物是物理上待吸附到晶体硅片的表面且用作一种掩模的组分，从而能够使晶体硅片的表面具有微锥体形状。
[0049]硅化合物可包括粉状的硅酸盐化合物、胶体溶液类型的硅酸盐化合物或者液相的硅酸盐化合物等。更具体地，二氧化硅细粉；Na20稳定的二氧化硅胶体溶液；K20稳定的二氧化硅胶体溶液；酸溶液稳定的二氧化硅胶体溶液；ΝΗ3稳定二氧化硅胶体溶液；利用选自乙醇、丙醇、乙二醇、甲乙酮和甲基异丁酮中的至少一种有机溶剂稳定的二氧化硅胶体溶液；液体硅酸钠；液体硅酸钾；和液体硅酸锂等可作为示例且这些化合物可单独使用和组合使用它们中的两者或两者以上。
[0050]以用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物总量为IOOwt.%计，硅化合物可以被包括的含量是10_9wt.%至IOwt.%、优选10_6wt.%至Iwt.%。如果娃化合物的含量在上述范围内，则在晶体硅片的表面上可容易地形成微锥体。
[0051]用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物还可包括作为总量是IOOwt.%的组合物的余量的水。
[0052]水的类型没有特别限制，然而优选去离子水，且更优选具有18MQ/cm或18MQ/cm以上的比电阻的用于半导体工艺的去离子水。
[0053]根据本发明的包括上述组分的用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物可尤其包括最佳含量的脂肪酸、脂肪酸的金属盐、或其混合物以及多糖，以在晶体硅片的表面上均匀地形成微锥体结构，以便在减少光反射的同时最大化太阳能的吸收，从而提高发光效率。此外，由于根据本发明的纹理蚀刻方法不需要在纹理化期间的施加充气过程以及引入另外的蚀刻溶液组分，因此该方法 在生产率和加工成本方面实现了经济上的优势。
[0054]根据本发明的用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物可适宜地用在常用的蚀刻工艺中，如浸溃型蚀刻、喷涂型蚀刻、包埋型蚀刻等。
[0055]本发明提供了使用上文所述的用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物的晶体硅片的纹理蚀刻方法。
[0056]晶体硅片的纹理蚀刻方法可包括将晶体硅片浸泡在用于晶体硅片的蚀刻溶液组合物中、喷涂所述组合物，或者在喷涂所述组合物的同时将晶体硅片浸泡在所述组合物中。
[0057]浸泡和/或喷涂的数量可没有特别的限制，在同时发生浸泡和喷涂的情况下，它们的操作次序也可没有限制。
[0058]在50°C至100°C的温度下可执行浸泡、喷涂、或者浸泡和喷涂持续30秒到60分钟。
[0059]如上文所述，根据本发明的晶体硅片的纹理蚀刻方法不需要施加另外的充气装置以供给氧，因此，在初期生产和加工成本方面是经济的且甚至通过简单的工艺能够形成均匀的微锥体结构。
[0060]在下文中，参照实施例和比较实施例来描述优选的实施方式以更具体地理解本发明。然而，本领域技术人员应该理解，这些实施方式出于示例目的而提供，在不脱离本发明的范围和精神的情况下可进行各种修改和变更，并且这种修改和变更适当地包括在所附权利要求书所限定的本发明的范围内。
[0061]实施例
[0062]实施例1
[0063]通过混合4wt.%的氢氧化钾(K0H)、0.005wt.%的二甲氨基乙基纤维素(DMAEC)、0.005wt.%的辛酸(OA)和余量的去离子蒸馏水，制备了用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物。
[0064]实施例2至17、比较实施例1至比较实施例4
[0065]除了采用在下表1中列出的组分及其含量外，进行与实施例1中描述的相同的步骤。在此,含量指重量百分比(wt.%)。
[0066]表1
[0067]
脂肪酸/
项碱性化合物多糖表面法性剂娃化合物
脂肪酸盐
类型含量 I?~含量类型含量含量矣型含量
实施例1 KOH 4 DMAEC 0.005 OA 0.005- - --
实施例 2 KOH 4 EHEC 0.005 DA 0.005- - --
实施例 3 KOH 4 ~MC^ 0.005 LA 0.005-
实施例 4 KOH ~4^ HEC 0.005 LA 0.005-
实施例 5一 KOH 2.5 — CMC 0.02 LA 0.02- - --
实施例 6 KOH 2 AA 0.02 LA 0.02-
实施例 7 KOH 2 DSNa 0.01 LA 0.01- - --
实施例 8 KOH 2 AP 0.005 LA 0.005-
~实施例 9^ KOH ^3 St 0.005 LA 0.005^- - --
实施例 10 KOH 2 CMCNa 0.02 LANa 0.02-
实施例 11 KOH 2 AANa 0.02 DANa 0.02-
实施例]2 KOH 2 CMCNa 0.02 LANa 0.02PFAS 0.001
实施例 13 KOH 2 AANa 0.02 DANa 0.02PFAP ().()() 1--
~实施例 14 KOH 2 CMCNa002DANa002- - SCS 02^
实施例 15 KOH 2 AANa 0.02 LANa 0.02- - SSS 0.1
实施例 16 KOH 2 AANa 0.02 LANa 0.02PFAS O UO丄 SCS 0.2
实施例 17 KOH 2 AANa 0.02 DANa 0.02PFAP 0.001 SSS 0.1
比较实施例1 KOH 2 - - LANa 0.02-
比较实施例2 KOH 2 AANa 0.02 --
比较实施例 3 KOH 2 AANa 0.02 LANa 11- - --
[0068]
【权利要求】
1.一种用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物，按重量百分比计，包括: 碱性化合物:0.1%至20% ；
多糖:10_9% 至 10% ； 脂肪酸、脂肪酸的金属盐或者它们的混合物:10_9%至10% ;和 水:余量至100%。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述碱性化合物选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵和四乙基氢氧化铵中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述多糖选自葡聚糖化合物、果聚糖化合物、甘露聚糖化合物、半乳聚糖化合物、及其金属盐中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的组合物，其中，所述多糖选自纤维素、二甲氨基乙基纤维素、二乙氨基乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、4-氨基苄基纤维素、三乙氨基乙基纤维素、氰乙基纤维素、乙基纤维素、甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、褐藻酸、直链淀粉、支链淀粉、果胶、淀粉、糊精、α-环糊精、β -环糊精、Y -环糊精、羟丙基-β -环糊精、甲基-β -环糊精、右旋糖酐、葡聚糖硫酸酯钠、皂角苷、糖原、酵母聚糖、香菇多糖、裂褶多醣、和其金属盐中的至少一种葡聚糖化合物。
5.根据权利要求3所述的组合物，其中，所述多糖具有5000至1000000的平均分子量。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述脂肪酸选自醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、月桂酸、豆蘧酸、棕榈酸、硬脂酸、花生酸、二十二烷酸、二十四烷酸、蜡酸、二十碳五烯酸、二 十二碳六烯酸、亚油酸、α -亚麻酸、Y -亚麻酸、二高-Y -亚麻酸、花生四烯酸、油酸、反油酸、芥酸、神经酸中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的组合物，其中，还包括选自全氟烷基羧酸盐、全氟烷基磺酸盐、全氟烷基硫酸盐、全氟烷基磷酸盐、全氟烷基胺盐、全氟烷基季铵盐、全氟烷基羧基甜菜碱、全氟烷基磺基甜菜碱、氟烷基聚氧乙烯和全氟烷基聚氧乙烯中的至少一种氟表面活性齐?，上述各种氟表面活性剂在其各个烷基上具有I至30个碳原子。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中，还包括选自二氧化硅细粉；Na20稳定的二氧化硅胶体溶液；K20稳定的二氧化硅胶体溶液；酸溶液稳定的二氧化硅胶体溶液；册13稳定的二氧化硅胶体溶液；利用选自乙醇、丙醇、乙二醇、甲乙酮和甲基异丁酮中的至少一种有机溶剂稳定的二氧化硅胶体溶液；液体硅酸钠；液体硅酸钾；和液体硅酸锂中的至少一种硅化合物。
9.一种晶体硅片的纹理蚀刻方法，包括:将晶体硅片浸泡在根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻溶液组合物中、在所述晶体硅片上喷涂所述组合物，或者将硅片浸泡在所述组合物中然后在所述硅片上喷涂所述组合物。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在50°C至100°c的温度下执行浸泡、喷涂、或者浸泡和喷涂持续30秒到60分钟。
【文档编号】H01L21/306GK103547654SQ201280024311
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2012年3月9日 优先权日:2011年6月10日
【发明者】洪亨杓, 李在连, 林大成 申请人:东友精细化工有限公司