包括用于对准绝缘体层的配准特征的电容器的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种电容器结构，包括：电容器，其包括限定至少一个馈通孔的表面，其中所述表面包括电容器配准特征，其中所述电容器配准特征是和所述至少一个馈通孔相分离的；以及附连至所述表面的陶瓷绝缘体层，其中所述陶瓷绝缘体层包括陶瓷绝缘体层配准特征，且其中所述电容器配准特征和所述陶瓷绝缘体层配准特征协作以将所述陶瓷绝缘体层与所述电容器基本上对准。2.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述电容器配准特征包括配准孔。3.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述电容器配准特征包括从所述表面基本上垂直地延伸的配准突出。4.如权利要求3所述的电容器结构，其特征在于，所述表面包括周边，且所述突出沿所述周边的一部分延伸。5.如权利要求3所述的电容器结构，其特征在于，所述陶瓷绝缘体层配准特征包括所述陶瓷绝缘体层的周边的形状。6.如权利要求1至5中任一项所述的电容器结构，其特征在于，所述陶瓷绝缘体层限定至少一个馈通孔，且当所述至少一个电容器配准特征与所述至少一个陶瓷绝缘体层配准特征基本上对准时在所述陶瓷绝缘体层中限定的所述至少一个馈通孔与在所述电容器的表面中限定的所述至少一个馈通孔基本上对准。7.如权利要求1至5中任一项所述的电容器结构，其特征在于，所述陶瓷绝缘体层包括低温共烧陶瓷(LTCC)或高温共烧陶瓷(HTCC)中的至少一种。8.如权利要求6所述的电容器结构，其特征在于，所述陶瓷绝缘体层包括低 温共烧陶瓷(LTCC)或高温共烧陶瓷(HTCC)中的至少一种。9.一种馈通组件，包括：箍，其限定箍孔；导体；以及如权利要求1至8中任一项所述的电容器结构。10.一种用于形成电容器结构的方法，包括：将在电容器的第一表面上形成的至少一个电容器配准特征与在陶瓷绝缘体层中形成的至少一个陶瓷绝缘体层配准特征基本上对准；将所述陶瓷绝缘体层与所述第一表面相接触并使所述至少一个电容器配准特征和所述至少一个陶瓷绝缘体层配准特征基本上对准；以及将所述陶瓷绝缘体层附连至所述第一表面，其中，在无需将导体穿过所述电容器结构内的馈通孔的情况下，所述陶瓷绝缘体层和所述电容器被对准。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述至少一个陶瓷绝缘体层配准特征包括至少一个配准孔，所述至少一个电容器配准特征包括至少一个电容器配准孔，所述方法还包括将配准销置于所述至少一个电容器配准孔中，且将所述陶瓷绝缘体层与所述第一表面相接触并使所述至少一个电容器配准特征和所述至少一个陶瓷绝缘体层配准特征基本上对准包括将所述陶瓷绝缘体层与所述第一表面相接触且将所述陶瓷绝缘体层的所述至少一个配准孔置于所述至少一个配准销周围。12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述至少一个陶瓷绝缘体层配准特征包括至少一个配准孔，所述至少一个电容器配准特征包括至少一个配准突出，且将所述陶瓷绝缘体层与所述第一表面相接触并使所述至少一个电容器配准特征和所述至少一个陶瓷绝缘体层配准特征基本上对准包括将所述陶瓷绝缘体层与所述第一表面相接触且将所述陶瓷绝缘体层的所述至少一个配准孔置于所述至少一个配准突出周围。13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述至少一个陶瓷绝缘体层配 准特征包括陶瓷绝缘体层周边，所述至少一个电容器配准特征包括沿着所述电容器的周边的至少一个配准突出，且将所述陶瓷绝缘体层与所述第一表面相接触并使所述至少一个电容器配准特征和所述至少一个陶瓷绝缘体层配准特征基本上对准包括将所述陶瓷绝缘体层与所述第一表面相接触且使所述陶瓷绝缘体层周边与所述至少一个配准突出啮合。14.如权利要求10至13中任一项所述的方法，其特征在于，还包括在将在所述电容器的所述第一表面上形成的所述至少一个电容器配准特征与在所述陶瓷绝缘体层中形成的所述至少一个陶瓷绝缘体层配准特征基本上对准之前，在所述陶瓷绝缘体层中切割至少一个馈通孔。15.如权利要求10至13中任一项所述的方法，其特征在于，将所述陶瓷绝缘体层附连至所述第一表面包括将所述陶瓷绝缘体层粘附至所述第一表面。16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，将所述陶瓷绝缘体层附连至所述第一表面包括将所述陶瓷绝缘体层粘附至所述第一表面。17.如权利要求10至13中任一项所述的方法，其特征在于，将所述陶瓷绝缘体层附连至所述第一表面包括在800℃和900℃之间的温度以及在800psi和1500psi之间的压力下将所述陶瓷绝缘体层层压至所述电容器。18.如权利要求14所述的方法，其特征在于，将所述陶瓷绝缘体层附连至所述第一表面包括在800℃和900℃之间的温度以及在800psi和1500psi之间的压力下将所述陶瓷绝缘体层层压至所述电容器。