一种用于发光二极管的透明导电薄膜的制作方法
【专利摘要】一种用于发光二极管的透明导电薄膜，涉及光电【技术领域】。本发明透明导电薄膜置于发光二级管外延片的上表面。其结构特点是，所述透明导电薄膜从下至上包括接触层和主体层。接触层的载流子浓度高于主体层的载流子浓度，接触层的光吸收率高于主体层的光吸收率。同现有技术相比，本发明能在降低芯片正向电压的同时有效提高芯片亮度。
【专利说明】—种用于发光二极管的透明导电薄膜
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电【技术领域】，特别是用于发光二极管的透明导电薄膜。
【背景技术】
[0002]现有技术，在半导体制作工艺中，尤其是LED芯片技术中，通常在芯片外延片上按照一定的工艺沉积或溅射一定厚度的透明导电薄膜，透明导电薄膜普遍采用NiAu或者ITO0由于透明导电薄膜的导电性与透过率具有一定的矛盾，往往无法在获得较好的正向电压的同时再具有较好的芯片亮度。
【发明内容】
[0003]针对上述现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种用于发光二极管的透明导电薄膜。它能在降低芯片正向电压的同时有效提高芯片亮度。
[0004]为了达到上述发明目的，本发明的技术方案以如下方式实现:
一种用于发光二极管的透明导电薄膜，它置于发光二级管外延片的上表面。其结构特点是，所述透明导电薄膜从下至上包括接触层和主体层。接触层的载流子浓度高于主体层的载流子浓度，接触层的光吸收率高于主体层的光吸收率。
[0005]在上述透明导电薄膜中，所述透明导电薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。
[0006]在上述透明导电薄膜中，所述接触层的厚度在0.1纳米至100纳米之间，主体层的厚度在10纳米至10000纳米之间。
[0007]本发明由于采用了上述结构，其中的接触层由于载流子浓度高更易于与外延层形成欧姆接触；同时主体层厚度比接触层厚，光的吸收率小于接触层；能在降低芯片正向电压的同时有效提闻芯片売度。
[0008]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步说明。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本发明结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]参看图1，本发明透明导电薄膜置于发光二级管外延片I的上表面。透明导电薄膜从下至上包括接触层2和主体层3。接触层2的载流子浓度高于主体层3的载流子浓度，接触层2的光的吸收率高于主体层3的光的吸收率。接触层2的厚度在0.1纳米至100纳米之间，主体层3的厚度在10纳米至10000纳米之间。透明导电薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。
[0011]本发明中的外延片I可以是GaN外延片，也可以是其他发光材料的外延片。透明导电薄膜可以是采用蒸镀、溅射或者其他方法获得。[0012]另外，本发明透明导电薄膜除包含接触层2、主体层3外，也可以含有其它层，如粗
化层等。
【权利要求】
1.一种用于发光二极管的透明导电薄膜，它置于发光二级管外延片(I)的上表面，其特征在于，所述透明导电薄膜从下至上包括接触层(2)和主体层(3)，接触层(2)的载流子浓度高于主体层(3)的载流子浓度，接触层(2)的光吸收系数高于主体层(3)的光吸收系数。
2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述接触层(2)的厚度在`0.1纳米至100纳米之间，主体层(3)的厚度在10纳米至10000纳米之间。
【文档编号】H01L33/42GK103943749SQ201310023731
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2013年1月23日 优先权日:2013年1月23日
【发明者】王立彬, 李宁宁 申请人:同方光电科技有限公司, 同方股份有限公司