液处理装置的制作方法

本发明涉及一种水平保持基板地进行液处理的液处理装置。

背景技术：
在半导体产品的制造工艺、平板显示器（FPD）的制造工艺中，多使用向作为被处理基板的半导体晶圆、玻璃基板供给处理液而进行液处理的工艺。作为这样的工艺，例如，有用于去除已附着在基板上的微粒、污垢(日文:コンタミネーション)等的清洗处理等。作为用于实施清洗处理的液处理装置，公知有在将半导体晶圆等基板保持在旋转卡盘上并在使晶圆水平旋转的状态下向晶圆的上表面供给处理液（药液、冲洗液等）而进行清洗处理的单片式的旋转清洗装置（例如，参照专利文献1）。专利文献1：日本特开平10-209254号公报。然而，在对晶圆进行清洗处理时，晶圆的周缘部由旋转卡盘的保持部保持着。因此，处理液难以到达晶圆的由保持部保持着的区域，从而难以对该区域和其周边区域进行清洗处理。

技术实现要素：
本发明是考虑到这样的问题而提出的，其目的在于提供一种防止在基板上形成没有进行液处理的未处理区域的液处理装置。本发明提供一种液处理装置，其特征在于，该液处理装置包括：基板保持部，其用于将基板保持为水平；喷嘴，其用于向由上述基板保持部保持着的上述基板供给处理液；升降构件，其以相对于上述基板保持部升降自如的方式设置；以及升降驱动部，其用于对上述升降构件进行驱动而使上述升降构件升降，上述基板保持部包括：保持基座；以及第1卡合构件和第2卡合构件，该第1卡合构件和第2卡合构件移动自如地设置在上述保持基座上，并且该第1卡合构件和第2卡合构件在施力赋予机构的施力的作用下在用于与该基板的周缘部相卡合的卡合位置和用于释放该基板的释放位置之间移动，在上述第1卡合构件上连结有与上述升降构件的外周面抵接的第1抵接部，在上述第2卡合构件上连结有与上述升降构件的外周面抵接的第2抵接部，上述升降构件包括上侧被抵接部和下侧被抵接部，该上侧被抵接部和下侧被抵接部设置于上述升降构件的外周面，且配置在该升降构件的升降方向上的互不相同的位置上，在上述第1抵接部与上述上侧被抵接部相抵接的情况下，上述第1卡合构件位于上述卡合位置，在上述第2抵接部与上述下侧被抵接部相抵接的情况下，上述第2卡合构件位于上述卡合位置。采用本发明的液处理装置，能够防止在基板上形成没有进行液处理的未处理区域。附图说明图1是表示从上方看包含本实施方式的液处理装置的液处理系统的俯视图。图2是表示图1的液处理系统中的液处理装置的侧剖视图。图3是表示图2所示的液处理装置中的基板保持部和位于该基板保持部周边的构成要件的纵剖视图，是表示升降筒构件处于下降位置的状态的纵剖视图。图4是表示保持着晶圆的基板保持部的俯视图。图5是表示图2所示的液处理装置中的基板保持部和位于该基板保持部的周边的构成要件的纵剖视图，是表示升降筒构件处于中间位置的状态的纵剖视图。图6是表示图2所示的液处理装置中的基板保持部和位于该基板保持部的周边的构成要件的纵剖视图，是表示升降筒构件处于上升位置的状态的纵剖视图。图7是将升降筒构件局部放大后的剖视图。图8的（a）是表示图7的A-A剖视图，图8的（b）是表示图7的B-B剖视图。图9是表示旋转驱动部的旋转轴与升降筒构件间的连结构造的详细结构的图。图10是表示本实施方式的液处理方法的各工序中的升降筒构件的位置和升降基座的位置的图。具体实施方式以下，参照附图说明本发明的实施方式。另外，在本说明书附带的附图中，为了便于图示和易于理解，对实物按比例进行了适当的缩小或夸张地改变了实物的纵横尺寸比例等。首先，使用图1说明包括本发明的实施方式的液处理装置的液处理系统。如图1所示，液处理系统100包括：载置台101，其用于载置承载件,该承载件收容有从外部输入的作为被处理基板的半导体晶圆等基板（以下，称为晶圆W）；输送臂102，其用于取出被收容在承载件中的晶圆W；架单元103，其用于载置由输送臂102取出的晶圆W；以及输送臂104，其用于接收被载置在架单元103上的晶圆W并将该晶圆W输送到液处理装置10内。如图1所示，在液处理系统100中设有多个（在图1所示的形态中是8个）液处理装置10。另外，在各液处理装置10的侧壁上设有开口11,该开口11用于利用输送臂104将晶圆W输入到液处理室20内或者将晶圆W自液处理室20输出。在该开口11处设有用于开闭该开口11的闸门(日文:シャッタ)12。接下来，使用图2和图3说明本实施方式的液处理装置10的概略结构。如图2所示，本实施方式的液处理装置10包括：液处理室20，其用于收容晶圆W并对该收容后的晶圆W进行液处理；以及空气罩（日文：エアフード）80，其设于液处理室20的上方，用于以下降流(日文：ダウンフロー)方式将清洁的空气供给到该液处理室20内。其中，在液处理室20内设有用于水平保持晶圆W并使其旋转的基板保持部21。在由基板保持部21保持着的晶圆W的径向周围设有环状的排液杯46（见后述）。该排液杯46是为了在进行晶圆W的液处理时将供给到该晶圆W之后的处理液回收并将其排出而设置的。接下来，使用图3～图9说明液处理装置10的各构成要件的详细结构。如图3所示，基板保持部21包括：卡盘基座（保持基座）22，其用于与晶圆W分开地水平保持晶圆W；升降基座23，其升降自如地设于卡盘基座22上；多个升降销24，其设于升降基座23上，用于支承晶圆W的下表面；以及卡盘构件31、32（卡合构件），其转动自如地设于卡盘基座22上，共计设有6个。升降基座23被后述的升降杆71上推而离开卡盘基座22并上升。即，升降基座23在载置于卡盘基座22上的下降位置与自该下降位置上升后的上升位置之间进行升降。其中，在升降基座23处于下降位置的情况下，后述的旋转杯45定位在晶圆W的周围（参照图3和图5）。另外，如图6所示，在升降基座23处于上升位置的情况下，晶圆W处于比旋转杯45靠上方的位置，利用输送臂104（参照图1）来输入输出晶圆W。另外，在周向上等间隔地设有3个升降销24，但在图3中，为了方便，仅表示了两个升降销24。如图4所示，6个卡盘构件31、32包括在晶圆W的周向上互相交替地配置的3个第1卡盘构件31和3个第2卡盘构件32。能够通过上述3个第1卡盘构件31或3个第2卡盘构件32来稳定地保持晶圆W。另外，第1卡盘构件31和第2卡盘构件32优选等间隔地配置在晶圆W的周向上，但只要能够稳定地保持晶圆W，则第1卡盘构件31和第2卡盘构件32并不限于以等间隔的方式配置。各卡盘构件31、32在用于同晶圆W的周缘部相卡合的卡合位置与用于释放该晶圆W的释放位置之间转动（移动）。即，各卡盘构件31、32以转动支点31a、32a为中心转动的方式安装在卡盘基座22上，并且，在卡合位置，各卡盘构件31、32以与晶圆W的侧面相接触的同时与晶圆W的下表面中的周缘侧部分相接触的方式同晶圆W相卡合。此处，在图3中，示出了左侧所示的第1卡盘构件31处于卡合位置的状态，并示出了右侧所示的第2卡盘构件32处于释放位置的状态。另外，各卡盘构件31、32以经由形成于卡盘基座22的周缘部的周缘通孔22a向上方延伸的方式形成。另外，在使卡盘构件31、32与晶圆W的周缘部相卡合而保持晶圆W的期间，晶圆W与升降销24稍稍分开。这样的基板保持部21以与晶圆W一起旋转的方式构成。即，液处理装置10包括：框13，其固定在液处理室2上；以及旋转驱动部25（例如，旋转电动机），其安装在该框13上，用于驱动基板保持部21而使基板保持部21旋转。旋转驱动部25包括圆筒状的旋转轴26，该旋转轴26与卡盘基座22相连结，卡盘基座22在旋转驱动部25的带动下进行旋转。另外，在升降基座23处于载置在卡盘基座22上的下降位置的情况下，升降基座23会在旋转方向同卡盘基座22相卡合并与卡盘基座22一起旋转。这样一来，由基板保持部21保持着的晶圆W构成为水平旋转。如图3所示，在由基板保持部21保持着的晶圆W的上方设有用于向该晶圆W的上表面供给处理液的上表面侧处理液喷嘴35。该上表面侧处理液喷嘴35由喷嘴支承臂37支承。另外，在上表面侧处理液喷嘴35上连结有处理液供给部38。处理液供给部38构成为以向上表面侧处理液喷嘴35选择性地供给酸性处理液（例如，稀氢氟酸（DHF）等）、碱性处理液（例如，将氨水和过氧化氢混合后的氨和过氧化氢混合液（日文：アンモニア過水）（SC1）等）以及冲洗处理液（例如，纯水等）。在喷嘴支承臂37上设有与上表面侧处理液喷嘴35相邻的上表面侧干燥气体喷嘴36。在该上表面侧干燥气体喷嘴36上连结有干燥气体供给部39。干燥气体供给部39构成为向上表面侧干燥气体喷嘴36供给干燥气体（例如，N2气体等非活性气体）。另外，在由卡盘基座22保持着的晶圆W的下方设有向该晶圆W的下表面选择性地供给处理液或干燥气体的升降轴构件40。即，升降轴构件40包括：下表面侧处理液供给管41，其用于向由基板保持部21保持着的晶圆W的下表面供给处理液；以及下表面侧干燥气体供给管42，其用于向该晶圆W的下表面供给干燥气体。其中，在下表面侧处理液供给管41上连结有上述处理液供给部38，上述处理液供给部38与向上表面侧处理液喷嘴35的供给同步地向下表面侧处理液供给管41选择性地供给酸性处理液、碱性处理液以及冲洗处理液。在下表面侧干燥气体供给管42上连结有上述干燥气体供给部39，上述干燥气体供给部39与向上表面侧干燥气体喷嘴36的供给同步地向下表面侧干燥气体供给管42供给干燥气体。升降轴构件40穿过设于升降基座23的中央部的通孔和设于卡盘基座22的中央部的通孔而延伸到靠近晶圆W的下表面的位置。这样一来，自下表面侧处理液供给管41和下表面侧干燥气体供给管42向晶圆W的下表面供给处理液或干燥气体。另外，如后述所述，升降轴构件40构成为与升降基座23连动地升降。即，在升降基座23被后述的升降杆71上推时，升降轴构件40也一起上升。在升降轴构件40的上端设有头构件43。该头构件43将从作为后述的空气供给路径90的升降筒构件50送来的空气的流动方向改变为晶圆W的径向，以向形成在晶圆W与升降基座23之间的晶圆下方空间96供给空气。通过该头构件43和升降基座23形成后述的空气供给路径90的供给口92。在由基板保持部21保持着的晶圆W的径向周围配置有环状的旋转杯45。该旋转杯45通过未图示的连接部而同卡盘基座22一体旋转。另外，旋转杯45从侧方包围由基板保持部21支承的晶圆W。因此，在进行晶圆W的液处理时，旋转杯45能够接收自晶圆W向侧方飞散的处理液。另外，旋转杯45具有在上方开口的旋转杯开口部45a，在输入输出晶圆W时，晶圆W连同升降基座23一起穿过旋转杯开口部45a进行升降。另外，在旋转杯45的径向周围设有环状的排液杯（回收杯）46。该排液杯46设于基板保持部21的侧方（更具体而言是旋转杯45的侧方），用于回收自晶圆W向侧方飞散的处理液。即，自旋转杯45与卡盘基座22之间的间隙向侧方飞散的处理液被排液杯46回收。另外，排液杯46在液处理室20内不旋转，其位置被固定。在排液杯46的下方设有用于排出液处理室20内的气氛气体的排出部47。具体而言，被排液杯46回收的处理液连同液处理室20内的气氛气体一起被排出部47排出。在排出部47上连接有气液分离部（未图示），该气液分离部用于将自排出部47排出的处理液和气体分离而进行排液和排气。接下来，说明用于使卡盘构件31、32在卡合位置与释放位置之间转动的机构。升降筒构件50能够处于下降位置、比下降位置靠上方的中间位置以及比中间位置进一步靠上方的上升位置。此处，图3表示升降筒构件50处于下降位置的状态，图5表示升降筒构件50处于中间位置的状态，图6表示升降筒构件50处于上升位置的状态。另外，图7表示升降筒构件50处于各位置时的升降筒构件50与第1辊55a（后述）之间的配置关系及升降筒构件50与第2辊56a（后述）之间的配置关系。即，升降筒构件50在使第1卡盘构件31转动到卡合位置的下降位置与使第2卡盘构件32转动到卡合位置的中间位置之间升降。并且，升降筒构件50能够在中间位置与上升位置之间升降，在升降筒构件50处于上升位置的情况下（参照图6），第1卡盘构件31和第2卡盘构件32均处于释放位置。如图3和图7所示，升降筒构件50包括上侧被抵接部51和下侧被抵接部52，该上侧被抵接部51和下侧被抵接部52设置于升降筒构件50的外周面，并且配置在该升降筒构件50的升降方向上的互不相同的位置上。大体而言，上侧被抵接部51配置在比下侧被抵接部52靠上方的位置，下侧被抵接部52配置在比上侧被抵接部51靠下方的位置。另外，上侧被抵接部51和下侧被抵接部52相对于升降筒构件50的外周面形成为凹状。另外，在本实施方式中，凹状的上侧被抵接部51延伸到升降筒构件50的上端，在图3中，图示出呈阶梯状。另外，上侧被抵接部51和下侧被抵接部52在升降方向上具有从凹状的槽底部朝向升降筒构件50的外周面扩展的倾斜面。第1辊55a和第2辊56a在该倾斜面上移动。以下，各抵接部55、56进入到各被抵接部51、52而与各被抵接部51、52相抵接的情况是指各抵接部55、56与凹状的槽底部抵接的情况。并且，如图8的（a）、图8的（b）所示，上侧被抵接部51和下侧被抵接部52以与第1卡盘构件31和第2卡盘构件32相对应的角度相互分开，并分别在周向上等间隔地设有三个。另一方面，如图3所示，在各第1卡盘构件31上连结有与升降筒构件50的外周面相抵接的第1抵接部55。在第1抵接部55与上侧被抵接部51相抵接的情况下，第1卡盘构件31向卡合位置转动，并且第2卡盘构件32向释放位置转动。详细地讲，第1卡盘构件31与连杆构件57的一端利用连杆销31b结合。该连杆销31b配置在第1卡盘构件31的转动支点31a的上方。在连杆构件57的另一端上连结有上述第1抵接部55。另外，如后面详细叙述的那样，连杆构件57在弹簧构件58（参照图4）的施力的作用下向升降筒构件50的一侧施力。并且，第1抵接部55包括沿升降方向在升降筒构件50的外周面上滚动自如的圆筒状的第1辊55a。采用这样的结构，在与升降筒构件50的外周面相抵接的第1抵接部55通过升降筒构件50的升降而进入到凹状的上侧被抵接部51并与该上侧被抵接部51相抵接后的情况下，连杆构件57和连杆销31b会向升降筒构件50的一侧移动而使第1卡盘构件31以转动支点31a为中心（沿图3中的顺时针方向）转动，从而将第1卡盘构件31设于卡合位置。同样地，在各第2卡盘构件32上连结有与升降筒构件50的外周面相抵接的第2抵接部56。在第2抵接部56与下侧被抵接部52相抵接的情况下，第1卡盘构件31向释放位置转动，并且第2卡盘构件32向卡合位置转动。详细地讲，第2卡盘构件32与连杆构件57的一端利用连杆销32b结合。该连杆销32b配置在第2卡盘构件32的转动支点32a的上方。在连杆构件57的另一端上连结有上述第2抵接部56。另外，如后面详细叙述的那样，连杆构件57在弹簧构件58（参照图4）的施力的作用下向升降筒构件50的一侧施力。并且，第2抵接部56包括沿升降方向在升降筒构件50的外周面上滚动自如的圆筒状的第2辊56a。采用这样的结构，在与升降筒构件50的外周面相抵接的第2抵接部56通过升降筒构件50的升降而进入到凹状的下侧被抵接部52并与该下侧被抵接部52相抵接后的情况下，连杆构件57和连杆销32b会向升降筒构件50的一侧移动而使第2卡盘构件32以转动支点32a为中心（沿图3中的逆时针方向）转动，从而将第2卡盘构件32设于卡合位置（参照图5）。如图4所示，第1辊55a和第2辊56a通过作为压缩弹簧发挥作用的弹簧构件（施力赋予机构）58而向升降筒构件50的一侧施力。即，弹簧构件58的一端与固定在连杆构件57上的连杆侧端部57a连结，另一端与固定在卡盘基座22上的基座侧端部22b连结。这样一来，弹簧构件58借助连杆构件57对辊55a、56a向升降筒构件50的一侧施力。由此，各卡盘构件31、32分别向卡合位置的一侧施力，从而保持晶圆W。另外，如图4所示，在本实施方式中，在各连杆构件57上连结有一对弹簧构件58，在上述一对弹簧构件58之间设有连杆构件57。这样一来，使第1抵接部55、第2抵接部56和连杆构件57的移动顺畅，并使第1卡盘构件31和第2卡盘构件32的转动顺畅。在升降筒构件50处于下降位置的情况下，如图3和图7所示，第1辊55a在该弹簧构件58的施力作用下进入到上侧被抵接部51中，3个第1卡盘构件31处于卡合位置而保持晶圆W。在该情况下，第2辊56a上到升降筒构件50的外周面上，第2卡盘构件32处于释放位置。另外，在升降筒构件50处于中间位置的情况下，如图5和图7所示，在弹簧构件58的施力的作用下，第2辊56a进入到下侧被抵接部52中，3个第2卡盘构件32处于卡合位置而保持晶圆W。在该情况下，第1辊55a上到升降筒构件50的外周面上，第1卡盘构件31处于释放位置。并且，在升降筒构件50处于上升位置的情况下，如图6和图7所示，第1辊55a和第2辊56a均上到升降筒构件50的外周面上，第1卡盘构件31和第2卡盘构件32均处于释放位置。另外，如图7所示，在升降筒构件50的升降方向上，升降筒构件50的上侧被抵接部51的下部51a配置在与下侧被抵接部52的上部52a相同的位置（高度）。由此，能够形成上侧被抵接部51和下侧被抵接部52在升降筒构件50的升降方向上重叠的区域。因此，在对与晶圆W相卡合的卡盘构件31、32进行切换时（即，在升降筒构件50从下降位置上升到中间位置时或从中间位置下降到下降位置时），成为第1辊55a和第2辊56a同时进入到所对应的上侧被抵接部51或下侧被抵接部52中的状态（图7中的同时进入位置），从而晶圆W暂时由第1卡盘构件31和第2卡盘构件32共同保持。因此，在对与晶圆W相卡合的卡盘构件31、32进行切换时，能够防止晶圆W载置在升降销24上并避免第1卡盘构件31和第2卡盘构件32中的任何一个卡盘构件均未保持晶圆W的状态，从而能够顺畅地进行卡盘构件31、32的切换。另外，也可以是，将上侧被抵接部51的下部51a配置在比下侧被抵接部52的上部52a靠下方的位置，从而使上侧被抵接部51和下侧被抵接部52在升降筒构件50的升降方向上重叠的区域增大。升降筒构件50构成为利用升降作动缸（升降驱动部）60进行升降。即，如图3所示，升降筒构件50借助升降连结构件61与固定在框13上的升降作动缸60连结，并借助升降连结构件61升降。另外，上述升降轴构件40通过圆筒状的升降筒构件50的内侧延伸，升降筒构件50构成为也相对于升降轴构件40升降自如。在升降筒构件50上连结有旋转驱动部25的旋转轴26。具体而言，如图6所示，在旋转轴26的下端部固定有旋转轴凸缘65，自该旋转轴凸缘65向下方延伸有多个嵌合销66。在升降筒构件50上固定有升降筒凸缘67，在该升降筒凸缘67上设有用于供嵌合销66滑动自如地嵌合的嵌合孔68。通过使各嵌合销66与升降筒凸缘67的嵌合孔68嵌合，使升降筒构件50与旋转轴26一起旋转，并且，通过各嵌合销66在对应的嵌合孔68内滑动，升降筒构件50相对于旋转轴26升降。这样一来，升降筒构件50以借助旋转轴26连同基板保持部21一起旋转驱动的方式，并以升降自如的方式与旋转轴26连结。另外，升降连结构件61利用轴承62与升降筒构件50连结且不会与升降筒构件50一起旋转，升降筒构件50能相对于升降连结构件61旋转。在升降连结构件61上设有升降引导构件63。该升降引导构件63被固定在框13上的导轨14引导而沿着该导轨14升降。由此，升降筒构件50能够沿着铅垂方向顺畅地升降。另外，在本实施方式中，如图5所示，在升降筒构件50位于中间位置的情况下，升降连结构件61的上表面与后述的升降连结构件72的下表面相抵接。在该情况下，升降作动缸60的上升力受到后述的升降作动缸70的抑制，从而防止与升降连结构件61连结的升降筒构件50上升过多。接下来，说明用于上推升降基座23的机构。升降基座23构成为通过固定在框13上的升降作动缸（升降驱动部）70进行升降。即，升降杆71被升降作动缸70上推，从而使升降基座23离开卡盘基座22而上升。该升降杆71借助升降连结构件72连结到升降作动缸70上。更具体而言，升降杆71的下端固定在升降连结构件72上，升降杆71的上端能够与升降基座23的下表面相抵接。即，在升降基座23处于下降位置的情况下，升降杆71的上端与升降基座23的下表面分开，但在使升降基座23自卡盘基座22上升时，升降杆71的上端与升降基座23的下表面相抵接。另外，升降杆71穿过设于卡盘基座22的通孔而向上方延伸。这样一来，升降作动缸70借助升降杆71使升降基座23自卡盘基座22上升。另外，升降连结构件72与后述的空气供给路径90的升降供给管94连结，在该升降供给管94上固定有升降轴构件40。这样一来，在使升降基座23上升时，升降作动缸70借助升降连结构件72和升降供给管94使升降轴构件40连同设于其上端部的头构件43一起上升。另外，升降供给管94和升降筒构件50彼此之间能相对升降。即，升降供给管94的外表面滑动自如地与升降筒构件50的内表面嵌合。由此，升降筒构件50构成为能相对于升降供给管94升降和旋转。另外，在升降连结构件72上设有升降引导构件73。该升降引导构件73被上述导轨14引导而沿着该导轨14升降。由此，升降杆71和升降基座23能够沿着铅垂方向顺畅地升降。接下来，使用图2说明空气罩80。在空气罩80上设有鼓风机（fan）（空气供给部）81，该鼓风机81设于由基板保持部21保持着的晶圆W的上方，用于朝向晶圆W送入（供给）空气。另外，在空气罩80内，在鼓风机81的下方设有过滤构件82。该过滤构件82用于从自鼓风机81送入的空气中去除尘埃等而净化空气。作为过滤构件82，优选使用ULPA过滤器（UltraLowPenetrationAirFilter：超低渗透空气过滤器）。另外，在过滤构件82的下方，以与过滤构件82分开的方式设有整流构件83。该整流构件83用于将由过滤构件82净化后的空气整流而形成朝向晶圆W去的下降流。作为整流构件83，优选使用具有多个开口83a的冲孔板。接下来，说明用于向形成在晶圆W与升降基座23之间的晶圆下方空间96供给空气的空气供给路径90。如图2所示，设有空气供给路径90，该空气供给路径90用于吸引自鼓风机81供给来的空气并将其供给到在由基板保持部21保持着的晶圆W的下表面与升降基座23之间形成的晶圆下方空间96中。在晶圆W旋转的期间，由于离心力使晶圆下方空间96的压力降低而成为负压，因此，在该晶圆下方空间96的压力与吸引口91（后述）处的压力之间的压力差的作用下，自鼓风机81供给来的空气被空气供给路径90吸引而供给到晶圆下方空间96。在本实施方式中，空气供给路径90构成为对形成在过滤构件82与整流构件83之间的空气供给空间95中的空气进行吸引。即，空气供给路径90包括：吸引口91，其配置在空气供给空间95中，用于吸引空气供给空间95中的空气；以及供给口92，其配置于晶圆下方空间96中，用于向晶圆下方空间96供给自吸引口91吸引来的空气。另外，在俯视时，吸引口91（在图2中，从上方观察晶圆W时）配置在排液杯46的外侧。另外，在本实施方式中，如图2和图3所示，空气供给路径90主要由下述各部分构成，即：室侧供给管93，其一端设有吸引口91；上述升降供给管94，其与室侧供给管93连结且能够进行升降；圆筒状的升降筒构件50（贯通供给管），其通过圆筒状的旋转轴26的内侧；以及头构件43，其设于升降轴构件40的上端。即，自吸引口91吸引来的空气通过室侧供给管93、升降供给管94以及升降筒构件50而输送到供给口92。另外，室侧供给管93具有柔软性，以便能够追随升降供给管94的升降。室侧供给管93以自空气供给空间95穿过液处理室20的内部而露出到该液处理室20的外部的方式形成。并且，在俯视时，室侧供给管93中的位于空气罩80内的部分和位于液处理室20内的部分配置在排液杯46的外侧。这样一来，防止在排液杯46的上方的区域配置有室侧供给管93，从而防止供给到由排液杯46围成的区域中的清洁的空气的下降流紊乱。如上所述，在升降供给管94的内侧和升降筒构件50的内侧设有升降轴构件40，该升降轴构件40具有用于向晶圆W的下表面供给处理液的下表面侧处理液供给管41。形成在升降供给管94的内表面与升降轴构件40的外表面之间的空间和形成在升降筒构件50的内表面与升降轴构件40的外表面之间的空间成为所供给的空气的流路。如图3所示，在升降筒构件50的内表面设有用于使在升降筒构件50的内侧通过的空气产生涡流的叶片（涡流产生机构）97。由于升降筒构件50与晶圆W一起旋转，因此在晶圆W旋转的期间，叶片97会进行旋转。由此，能够使在升降筒构件50的内侧通过的空气产生涡流而将空气强制性地送入晶圆下方空间96，从而能够使向晶圆下方空间96供给的空气的流量增大。因此，能够抑制晶圆下方空间96的压力的过度降低。尤其是，随着晶圆W的转速的增大，晶圆下方空间96的压力会因离心力而有降低的倾向，但由于能够与晶圆W的转速相对应地增强涡流而强制性地使向晶圆下方空间96供给的空气的流量增大，因此能够进一步抑制晶圆下方空间96的压力的过度降低。另外，空气供给路径90的供给口92由设于升降轴构件40的上端的头构件43和升降基座23形成。利用该头构件43将从升降筒构件50送来的空气的流动方向改变为朝向晶圆W的径向后向晶圆下方空间96供给空气。如上所述，升降供给管94同升降连结构件72连结并利用升降作动缸70进行升降。另外，如上所述，升降供给管94能够相对于升降筒构件50进行升降。这样一来，升降供给管94能与升降基座23一起升降。另外，空气供给路径90的吸引口91的流路截面积与供给口92的流路截面积（尤其是供给口92中的最小流路截面积）相同。由此，能够防止压力损失导致的空气流量的降低，并能够抑制吸引口91的周围的气氛气体的流动紊乱。另外，所谓的相同，并不限于严格意义上的相同，而是作为包含能够视为相同这样程度的制造误差等在内的意思而使用的。另外，如图2所示，液处理装置10具有用于统一控制其整体动作的控制器（控制部）200。控制器200用于控制液处理装置10的全部的功能零件（例如，基板保持部21、旋转驱动部25、升降作动缸60、升降作动缸70以及鼓风机81等）的动作。控制器200能够通过作为硬件的例如通用计算机和作为软件的、用于使该计算机工作的程序（装置控制程序和处理制程程序等）来实现。软件存储在固定地设于计算机上的硬盘驱动器等存储介质中或者存储在CD-ROM、DVD、闪存等可装卸地安装在计算机上的存储介质中。在图2中，用参照附图标记201示出了这样的存储介质。处理器202依据需要根据来自未图示的用户界面的指示等从存储介质201调出规定的处理制程程序并执行该处理制程程序，由此，在控制器200的控制下，液处理装置10的各功能零件工作而进行规定的处理。控制器200也可以是用于控制图1所示的整个液处理系统100的系统控制器。接下来，使用图10说明利用上述液处理装置10进行的晶圆W的清洗处理方法。以下所示的清洗处理的一系列的工序是通过由控制器200控制液处理装置10的各功能零件的动作而进行的。首先，将晶圆W保持在液处理室20内的基板保持部21上（步骤S1）。在该情况下，首先，利用升降作动缸70借助升降杆71使升降基座23上升到上升位置。由此，使升降基座23处于比旋转杯45和排液杯46靠上方的位置。在该情况下，升降供给管94和升降轴构件40连同升降基座23一起上升，升降筒构件50上升到上升位置。另外，设于液处理室20的开口11（参照图1）处的闸门12打开。接着，利用输送臂104从液处理装置10的外部将晶圆W通过开口11输入到液处理室20内。输入来的晶圆W移载至升降基座23上的升降销24上。在将晶圆W载置在升降销24上后，输送臂104退离液处理室20。接着，自鼓风机81开始供给空气。由此，自空气罩80以下降流方式向液处理室20内供给净化后的空气。即，自鼓风机81送入的空气被过滤构件82净化，并通过整流构件83而以下降流方式朝向晶圆W供给。通过利用排出部47排出该供给过来的空气，从而进行液处理室20内的气氛气体更换。另外，在以下所示的各工序中，也自空气罩80持续地供给净化后的空气，从而防止在液处理室20内滞留有酸性处理液的喷雾（mist）或碱性处理液的喷雾。接着，通过升降作动缸70来使升降基座23向下降位置下降。由此，使升降基座23载置在卡盘基座22上。之后，持续驱动升降作动缸70而使升降杆71和升降连结构件72进一步下降。由此，升降杆71的上端与升降基座23的下表面分开。在升降基座23下降时，升降筒构件50向中间位置下降。即，在升降基座23下降期间，在其中途的某个时刻，升降连结构件72的下表面与升降连结构件61的上表面相抵接，从而利用升降作动缸70使升降连结构件61连同升降连结构件72一起下降。由此，使升降筒构件50从上升位置向中间位置下降。此时，与第2卡盘构件32连结的第2辊56a在弹簧构件58的施力的作用下进入到升降筒构件50的凹状的下侧被抵接部52并与下侧被抵接部52相抵接。由此，各第2卡盘构件32从释放位置向卡合位置转动而与晶圆W的周缘部卡合，从而将晶圆W从升降销24交接到第2卡盘构件32上。在晶圆W被基板保持部21的第2卡盘构件32保持后，利用旋转驱动部25开始基板保持部21的卡盘基座22的旋转，并将晶圆W的转速加速到规定的转速。这样一来，由3个第2卡盘构件32保持着的晶圆W会以规定的转速旋转。此时，卡盘基座22借助旋转轴26被旋转驱动部25驱动而旋转，从而使载置在卡盘基座22上的升降基座23也进行旋转，且与旋转轴26连结的升降筒构件50也同步地旋转。当保持着晶圆W的基板保持部21旋转时，空气因离心力而从形成在晶圆W的下表面与升降基座23之间的晶圆下方空间96向晶圆W的径向周围排出，从而使该晶圆下方空间96的压力降低。因此，空气供给路径90的吸引口91会从空气罩80内的形成在过滤构件82与整流构件83之间的空气供给空间95吸引需要量的净化后的空气。吸引过的空气通过室侧供给管93、升降供给管94以及升降筒构件50而流向供给口92，并自该供给口92供给到晶圆下方空间96中。这样一来，能够抑制晶圆下方空间96的压力的过度降低。尤其是，采用本实施方式，由于在升降筒构件50的内表面设有叶片97，因此能够与晶圆W的转速相对应地使向晶圆下方空间96供给的空气的流量强制性地增大，从而能够进一步抑制晶圆下方空间96的压力的过度降低。另外，晶圆下方空间96的压力只要不过度降低即可，优选成为不使晶圆W挠曲或破损那样程度的微负压。由此，能够将旋转着的晶圆W向晶圆下方空间96侧吸引，从而能够利用卡盘构件31、32稳定地保持晶圆W。另外，在以下所示的各工序中，在晶圆W旋转的期间，也通过空气供给路径90而与晶圆W的转速相对应地向晶圆下方空间96持续供给净化后的空气。在晶圆W的转速达到规定的转速后，进行晶圆W的酸性处理（为了方便，将利用酸性处理液进行的液处理记作酸性处理）（步骤S2）。即，在晶圆W以规定的转速旋转的状态下，自处理液供给部38向上表面侧处理液喷嘴35和下表面侧处理液供给管41输送酸性处理液，从而自上表面侧处理液喷嘴35向晶圆W的上表面供给酸性处理液的同时自下表面侧处理液供给管41向该晶圆W的下表面供给酸性处理液，由此对晶圆W进行酸性处理。供给到晶圆W的上表面和下表面的酸性处理液因晶圆W的旋转产生的离心力而向晶圆W的径向周围飞散，并由旋转杯45接收。由旋转杯45接收的酸性处理液通过旋转杯45与卡盘基座22之间的间隙而向径向周围流动，并由排液杯46回收。回收的酸性处理液连同液处理室20内的气氛气体被一起输送到排出部47而被排出。在对晶圆W进行酸性处理的期间，对保持晶圆W的卡盘构件31、32进行切换。即，在晶圆W由第2卡盘构件32保持着的状态下，进行规定时间的酸性处理，之后，将保持晶圆W的第2卡盘构件32切换为第1卡盘构件31，并进行规定时间的酸性处理。在该情况下，利用升降作动缸60使升降筒构件50从中间位置向下降位置下降。此时，与第1卡盘构件31连结的第1辊55a在弹簧构件58的施力的作用下进入到升降筒构件50的上侧被抵接部51而与该上侧被抵接部51相抵接。由此，各第1卡盘构件31从释放位置向卡合位置转动而与晶圆W的周缘部相卡合。另一方面，已经进入到与第2卡盘构件32相对应的下侧被抵接部52的第2辊56a上到升降筒构件50的圆筒状的外周面而后退，从而各第2卡盘构件32从卡合位置向释放位置转动而释放晶圆W的周缘部。由此，使保持晶圆W的卡盘构件31、32切换，并通过切换后的3个第1卡盘构件31将晶圆W保持为水平状态。因此，晶圆W的被3个第2卡盘构件32覆盖的区域会露出，从而也能够对该区域和其周边区域进行酸性处理。另外，优选使在晶圆W被第2卡盘构件32保持着的状态下进行酸性处理的时间和在晶圆W被第1卡盘构件31保持着的状态下进行酸性处理的时间相等。由此，能够进一步使晶圆W的酸性处理均匀。另外，在对保持晶圆W的卡盘构件31、32进行切换时，会暂时通过第1卡盘构件31和第2卡盘构件32共同来保持晶圆W。即，在升降方向上，升降筒构件50的上侧被抵接部51的下部51a配置在与下侧被抵接部52的上部52a相同的位置（高度），因此，伴随着升降筒构件50的下降，在已经进入到下侧被抵接部52的第2辊56a上到升降筒构件50的外周面之前，第1辊55a进入到该上侧被抵接部51。由此，第1卡盘构件31和第2卡盘构件32会暂时均处于卡合位置。之后，通过使升降筒构件50进一步下降，使第2辊56a上到升降筒构件50的外周面，从而使第2卡盘构件32从卡合位置转动到释放位置。如上所述，能够对保持晶圆W的卡盘构件31、32进行切换。在晶圆W的酸性处理结束之后，对晶圆W进行冲洗处理（步骤S3）。在该情况下，自处理液供给部38向上表面侧处理液喷嘴35和下表面侧处理液供给管41输送纯水，从而自上表面侧处理液喷嘴35向晶圆W的上表面供给纯水的同时自下表面侧处理液供给管41向晶圆W的下表面供给纯水。在对晶圆W进行冲洗处理的期间，对保持晶圆W的卡盘构件31、32进行切换。即，在晶圆W由第1卡盘构件31保持着的状态下，进行规定时间的冲洗处理，之后，将保持着晶圆W的第1卡盘构件31切换为第2卡盘构件32，并进行规定时间的冲洗处理。在该情况下，利用升降作动缸60使升降筒构件50从下降位置向中间位置上升。此时，与第2卡盘构件32连结的第2辊56a在弹簧构件58的施力的作用下进入到升降筒构件50的下侧被抵接部52而与该下侧被抵接部52相抵接。由此，各第2卡盘构件32从释放位置向卡合位置转动而与晶圆W的周缘部相卡合。另一方面，已经进入到与第1卡盘构件31相对应的上侧被抵接部51的第1辊55a上到升降筒构件50的圆筒状的外周面而后退，从而各第1卡盘构件31从卡合位置向释放位置转动而释放晶圆W的周缘部。由此，通过切换后的3个第2卡盘构件32将晶圆W保持为水平状态。因此，使保持晶圆W的卡盘构件31、32切换，晶圆W的被3个第1卡盘构件31覆盖的区域会露出，从而也能够对该区域和其周边区域进行冲洗处理。另外，优选使在晶圆W被第1卡盘构件31保持着的状态下进行冲洗处理的时间和在晶圆W被第2卡盘构件32保持着的状态下进行冲洗处理的时间相等。由此，能够进一步使晶圆W的冲洗处理均匀。另外，在对保持晶圆W的卡盘构件31、32进行切换时，与使升降筒构件50从中间位置向下降位置下降的情况相同，会暂时通过第1卡盘构件31和第2卡盘构件32共同来保持晶圆W。即，伴随着升降筒构件50的上升，在已经进入到上侧被抵接部51的第1辊55a上到升降筒构件50的外周面之前，第2辊56a进入到该下侧被抵接部52。由此，第1卡盘构件31和第2卡盘构件32会暂时均处于卡合位置。之后，通过使升降筒构件50进一步上升，使第1辊55a上到升降筒构件50的外周面，从而使第1卡盘构件31从卡合位置转动到释放位置。由此，能够对保持晶圆W的卡盘构件31、32进行切换。在晶圆W的冲洗处理结束之后，对晶圆W进行碱性处理（为了方便，将利用碱性处理液进行的液处理记作碱性处理）（步骤S4）。在该情况下，与酸性处理同样地，自处理液供给部38经由上表面侧处理液喷嘴35向晶圆W的上表面供给碱性处理液的同时自处理液供给部38经由下表面侧处理液供给管41向晶圆W的下表面供给碱性处理液。供给到晶圆W的上表面和下表面的碱性处理液由排液杯46回收后被输送到排出部47而被排出。在对晶圆W进行碱性处理的期间，与上述酸性处理同样地，升降筒构件50从中间位置向下降位置下降而使保持着晶圆W的卡盘构件从第2卡盘构件32切换为第1卡盘构件31。由此，晶圆W的被3个第2卡盘构件32覆盖的区域会露出，从而也能够对该区域和其周边区域进行碱性处理。接着，与步骤S3同样地，对晶圆W进行冲洗处理（步骤S5）。在晶圆W的冲洗处理结束之后，对晶圆W进行干燥处理（步骤S6）。在该情况下，自干燥气体供给部39经由上表面侧干燥气体喷嘴36向晶圆W的上表面供给干燥气体的同时自干燥气体供给部39经由下表面侧干燥气体供给管42向晶圆W的下表面供给干燥气体。与酸性处理液和碱性处理液同样地，供给到晶圆W的上表面和下表面的干燥气体由排液杯46回收后被输送到排出部47而被排出。在对晶圆W进行干燥处理的期间，与上述酸性处理和碱性处理同样地，升降筒构件50从中间位置向下降位置下降而使保持着晶圆W的卡盘构件31、32从第2卡盘构件32切换为第1卡盘构件31。由此，被3个第2卡盘构件32覆盖的晶圆W的区域会露出，从而也能够对该区域和其周边区域进行干燥处理。升降筒构件50从中间位置向下降位置下降而使保持着晶圆W的卡盘构件从第2卡盘构件32切换为第1卡盘构件31。由此，晶圆W的被3个第2卡盘构件32覆盖的区域会露出，从而也能够对该区域和其周边区域进行碱性处理。在晶圆W的干燥处理结束之后，降低晶圆W的转速而停止晶圆W的旋转。由此，消除晶圆下方空间96的压力的负压状态，从而停止利用空气供给路径90向晶圆下方空间96供给空气。之后，从基板保持部21取出晶圆W并从液处理室20输出晶圆W（步骤S7）。在该情况下，首先，利用升降作动缸60使升降筒构件50从下降位置上升到中间位置。接着，利用升降作动缸60和升降作动缸70使升降基座23从其下降位置向上升位置上升，并使升降筒构件50从其中间位置向上升位置上升。由此，晶圆W从卡盘构件31、32释放而载置在升降销24上。另外，晶圆W随着升降基座23的上升而处于比旋转杯45和排液杯46靠上方的位置。然后，设于液处理室20的开口11（参照图1）处的闸门12打开。之后，输送臂104从液处理装置10的外部经由开口11进入到液处理室20内，载置在升降销24上的晶圆W被移载至输送臂104上，从而将晶圆W输出到液处理装置10的外部。这样一来，完成了本实施方式的一系列的晶圆W的液处理。如上述所，采用本实施方式，在各处理工序（酸性处理工序、碱性处理工序、冲洗处理工序、干燥处理工序）中，能够通过使升降筒构件50升降来对保持晶圆W的卡盘构件31、32进行切换。由此，使晶圆W中的与在切换前保持着晶圆W的卡盘构件31、32接触的区域露出，从而也能够对该区域进行各种处理。尤其是，在晶圆W的该区域与卡盘构件31、32接触的期间，同样难以对该区域的周边区域进行各种处理，但通过如上述那样对保持晶圆W的卡盘构件31、32进行切换，从而也能够对该周边区域进行各种处理。因此，能够防止在晶圆W上形成没有进行各种处理的未处理区域，从而能够使晶圆W的各种处理均匀。另外，采用本实施方式，能够通过使升降筒构件50升降来进行卡盘构件31、32的切换。由此，能够在任意的时刻进行卡盘构件31、32的切换。另外，采用本实施方式，升降筒构件50的上侧被抵接部51和下侧被抵接部52相对于升降筒构件50的外周面形成为凹状。由此，能够简化升降筒构件50的机械加工。另外，采用本实施方式，在升降筒构件50的升降方向上，上侧被抵接部51的下部51a配置在与下侧被抵接部52的上部52a相同的位置。由此，在对与晶圆W相卡合的卡盘构件31、32进行切换时，成为第1辊55a和第2辊56a同时进入到所对应的上侧被抵接部51或下侧被抵接部52中的状态，从而能够暂时通过第1卡盘构件31和第2卡盘构件32共同来保持晶圆W。因此，在对与晶圆W相卡合的卡盘构件31、32进行切换时，能够避免第1卡盘构件31和第2卡盘构件33中的任何一种卡盘构件均未保持晶圆W的状态，防止晶圆W载置在升降销24上，能够顺畅地进行卡盘构件31、32的切换。另外，能够在不停止晶圆W的旋转的情况下进行卡盘构件31、32的切换，从而能够防止晶圆W的液处理的效率的降低。另外，采用本实施方式，与第1卡盘构件31连结的第1抵接部55包括沿着升降筒构件50的升降方向滚动自如的第1辊55a。由此，第1抵接部55能够顺畅地追随升降筒构件50的升降。因此，第1卡盘构件31能够顺畅地转动。同样地，由于与第2卡盘构件32连结的第2抵接部56包括沿着升降筒构件50的升降方向滚动自如的第2辊56a，因此第2抵接部56能够顺畅地追随升降筒构件50的升降，从而第2卡盘构件32能够顺畅地转动。结果，在切换卡盘构件31、32时，能够防止卡盘构件31、32给晶圆W带来的冲击，从而能够防止晶圆W的周缘部因第1卡盘构件31或第2卡盘构件32的转动而破损。另外，采用本实施方式，升降筒构件50形成为圆筒状。由此，能够使用于向晶圆W的下表面供给处理液的下表面侧处理液供给管41在升降筒构件50的内侧通过。因此，能够对晶圆W的下表面进行液处理并防止在晶圆W上形成未处理区域。另外，采用本实施方式，升降筒构件50与基板保持部21一起旋转。由此，能够维持第1卡盘构件31和第2卡盘构件32的卡合位置或释放位置。即，能够维持进入到升降筒构件50的上侧被抵接部51或下侧被抵接部52且与第1卡盘构件31和第2卡盘构件32一起旋转的第1辊55a或第2辊56a的进入状态。因此，能够切实地保持旋转中的晶圆W。另外，采用本实施方式，在晶圆W旋转的期间，由于离心力使形成在晶圆W和升降基座23之间的晶圆下方空间96的压力降低而成为负压，能够通过空气罩80内的形成在过滤构件82与整流构件83之间的空气供给空间95与晶圆下方空间96之间的压力的压力差，利用空气供给路径90从空气供给空间95吸引净化后的空气并将其供给到晶圆下方空间96。由此，能够抑制晶圆下方空间96的压力的过度降低，从而能够抑制因该晶圆下方空间96的压力降低而导致晶圆W挠曲或破损。即，当晶圆下方空间96的压力降低时，晶圆W有可能挠曲或破损，但采用本实施方式，抑制了该晶圆下方空间96的压力的过度降低，因此能够防止晶圆W的挠曲和破损。另外，由于如上所述为了抑制晶圆下方空间96的压力的过度降低而使用自鼓风机81向液处理室20供给的空气，因此，与使用例如N2气体等的情况相比，能够切实地降低用于防止晶圆W的挠曲和破损的运行成本。结果，能够以低运行成本来防止晶圆W的挠曲和破损。另外，采用本实施方式，在俯视时，空气供给路径90的吸引口91配置在排液杯46的外侧。由此，能够防止向液处理室20内的由排液杯46围成的区域供给的清洁的空气的下降流紊乱。因此，能够高效地朝向晶圆W供给净化后的空气，从而能够高效地更换液处理室20内的气氛气体。另外，采用本实施方式，空气供给路径90的吸引口91的流路截面积与供给口92的流路截面积相同。由此，能够防止因压力损失导致的空气的流量降低，并能够抑制吸引口91的周围的气氛气体的流动紊乱。因此，能够朝向晶圆W高效地供给净化后的空气，从而能够高效地更换液处理室20内的气氛气体。另外，采用本实施方式，空气供给路径90通过旋转驱动部25的圆筒状的旋转轴26的内侧。由此，能够向晶圆下方空间96中的、压力降低倾向最大的大致中央部分供给空气，从而能够有效地抑制晶圆下方空间96的压力的过度降低。另外，采用本实施方式，在空气供给路径90的升降供给管94的内侧设有用于向晶圆W的下表面供给处理液的下表面侧处理液供给管41。由此，能够对晶圆W的下表面进行液处理并抑制晶圆下方空间96的压力的过度降低，从而能够防止晶圆W的挠曲和破损。另外，采用本实施方式，在升降筒构件50的内侧设有用于向晶圆W的下表面供给处理液的下表面侧处理液供给管41。因此，能够对晶圆W的下表面进行液处理并防止晶圆W的挠曲和破损。并且，采用本实施方式，在升降筒构件50的内表面设有用于使通过升降筒构件50的空气产生涡流的叶片97。由此，能够与晶圆W的转速相对应地增强涡流而强制性地使向晶圆下方空间96供给的空气的流量增大。因此，能够进一步抑制晶圆下方空间96的压力的过度降低。另外，本实施方式的液处理装置并不限定于上述形态，能够施加各种变更。例如，在本实施方式中，说明了上侧被抵接部51和下侧被抵接部52相对于升降筒构件50的外周面形成为凹状的例子，但并不限于此，上侧被抵接部51和下侧被抵接部52也可以相对于升降筒构件50的外周面形成为凸状。在该情况下，例如，通过将把卡盘构件31、32和连杆构件57连结起来的连杆销31b、32b配置在卡盘构件31、32的转动支点31a、32a的下方，从而利用上侧被抵接部51（或下侧被抵接部52）使所对应的第1抵接部55（或第2抵接部56）后退，由此能够使第1卡盘构件31（或第2卡盘构件32）从释放位置转动到卡合位置。另外，在本实施方式中，在各处理工序中，说明了对保持晶圆W的卡盘构件31、32进行1次切换的例子。并不限于此，也可以多次切换保持晶圆W的卡盘构件31、32。另外，说明了在酸性处理、碱性处理以及干燥处理中，首先利用第2卡盘构件32来保持晶圆W，之后将保持晶圆W的卡盘构件31、32从第2卡盘构件32切换为第1卡盘构件31的例子。然而，并不限于此，也可以是，首先利用第1卡盘构件31来保持晶圆W，之后从第1卡盘构件31切换为第2卡盘构件32。同样地，在冲洗处理中，并不限于首先利用第1卡盘构件31来保持晶圆W、之后将保持晶圆W的卡盘构件31、32从第1卡盘构件31切换为第2卡盘构件32的情况，也可以是，首先利用第2卡盘构件32来保持晶圆W，之后从第2卡盘构件32切换为第1卡盘构件31。即，只要在各处理工序中保持晶圆W的卡盘构件31、32进行至少1次的卡盘构件31、32的切换，则首先对晶圆W进行保持的卡盘构件可以是第1卡盘构件31和第2卡盘构件32中的任意一种卡盘构件。另外，在本实施方式中，说明了用于使卡盘构件31、32转动的升降筒构件50形成为筒状的例子。然而，并不限于此，在不向晶圆W的下表面供给处理液或干燥气体的情况下，也可以使用实心状的升降构件。另外，在本实施方式中，说明了第1抵接部55包括沿着升降筒构件50的升降方向滚动自如的圆筒状的第1辊55a且第2抵接部56包括沿着升降筒构件50的升降方向滚动自如的圆筒状的第2辊56a的例子。然而，也可以不设置圆筒状的辊55a、56a，而使第1抵接部55和第2抵接部56包含能够进入到上侧被抵接部51或下侧被抵接部52中的球体。另外，在本实施方式中，说明了第1卡盘构件31和第2卡盘构件32在卡合位置和释放位置之间转动的例子。然而，并不限于此，第1卡盘构件31和第2卡盘构件32也可以构成为在卡合位置与释放位置之间呈直线状移动。另外，在本实施方式中，说明了利用作为施力赋予机构的弹簧构件58对卡盘构件31、32朝卡合位置侧施力的例子，但并不限于此，例如，既可以使用压力空气对卡盘构件31、32施力，也可以使用磁体对卡盘构件31、32施力。另外，在本实施方式中，说明了设有空气供给路径90的例子，但并不限于此。并且，在本实施方式中，说明了向晶圆W供给用于清洗晶圆W的清洗处理液（酸性处理液、碱性处理液等）而对晶圆W进行清洗处理（液处理）的例子。然而，并不限于此，也适用于向晶圆W供给蚀刻液、镀处理液、显影液等而对晶圆W进行蚀刻处理、镀处理、显影处理的情况。附图标记说明10、液处理装置；21、基板保持部；22、卡盘基座；25、旋转驱动部；26、旋转轴；31、第1卡盘构件；32、第2卡盘构件；35、上表面侧处理液喷嘴；41、下表面侧处理液供给管；46、排液杯；50、升降筒构件；51、上侧被抵接部；51a、下部；52、下侧被抵接部；52a、上部；55、第1抵接部；55a、第1辊；56、第2抵接部；56a、第2辊；58、弹簧构件；60、升降作动缸；W、晶圆。