专利名称：Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料及其制备方法
技术领域：
本发明涉及单分子磁性材料及其制备方法。
背景技术：
单分子磁体是由单个分子构成的真正意义上的单分散纳米磁体。由于其在阻塞温度(Tb)以下表现出非常缓慢的磁驰豫行为可以应用在高密度信息储存，量子计算机，分子自旋电子学和低温磁制冷等领域。对单分子磁体的研究也有助于对纳米尺寸磁性粒子物理学的理解。自从1996 年 Friedman 等人(J.Appl.Phys.1996，79，6031)第一次报道了含 Mn12原子簇配合物的单分子磁体以来，人们开始对含过渡金属单分子磁体的广泛研究。然而，对稀土单分子材料的研究鲜有报道，相对于过渡金属，稀土离子本身的高自旋、高旋轨偶合造就了很大的易轴磁各向异性，使其成为单分子磁体的理想原料，如重稀土铽(Tb)和镝(Dy)等。此类单分子磁性材料具有较好的有机溶解性，方便其分子磁性镀膜材料的制备。单分子磁体之所以能够在低温下表现出上述特殊磁的性质，是因为在具有大的基态自旋和负的单轴磁各向异性的体系中会产生一个势垒(U)，磁矩的翻转要翻越这个势垒，而较高的势垒会使磁矩发生翻转的温度即阻塞温度升高，而具有接近室温的阻塞温度才能使单分子磁性材料的实际应用成为可能。含Dy的单分子磁体是近年来人们研究较多的一类单分子磁性材料，已有的研究结果显示大多数单分子磁体体系的磁性均来源于稀土单离子本身，所以从理解分子结构与磁性行为关联的角度考虑，单核稀土的单分子磁体的设计、合成更具有实际意义。一般认为，设计合成稀土单分子磁体的关键在于构筑结构稳定的稀土化合物配体的选择。所以，设计合成具有稳定结构的单核稀土化合物就成为提高其自旋翻转能垒U的关键。
发明内容
本发明目的是提供一种Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料及其制备方法。本发明Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料的表达式为Zn2Dy (L) 2 (Cl) 3 (H2O) 2，其结构式
如下:
权利要求
1.Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料,其特征在于Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料的表达式为Zn2Dy (L)2 (Cl) 3 (H2O)2，其结构式如下:
2.如权利要求1所述Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料的制备方法，其特征在于它按照以下步骤进行的: 室温下，按体积比1:1将乙腈和甲醇混合，得混合溶剂，然后按摩尔比2: 2:1将希夫碱化合物L、醋酸锌和氯化镝加入到混合溶剂中，置于70°C下搅拌反应6h，过滤后将滤液静止两周，得到晶体单分子磁性材料，即完成Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料的制备；所述的希夫碱化合物L为邻苯二胺缩邻香兰素。
3.根据权利要求2所述Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料的制备方法,其特征在于所述的希夫碱化合物L为邻苯二胺缩邻香兰素，其结构式如下:
全文摘要
Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料及其制备方法，它涉及单分子磁性材料及其制备方法。Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料的表达式为Zn2Dy(L)2(Cl)3(H2O)2。制备方法将乙腈和甲醇混合，得混合溶剂，然后加入希夫碱化合物L、醋酸锌和氯化镝，搅拌反应，过滤后将滤液静止两周，得到晶体单分子磁性材料即完成。本发明分子设计构思新颖，制备简易，所得Zn-Dy-Zn型单分子磁性材料，是具有稳定结构的含单核Dy的稀土化合物，它的最大翻转能垒U为394K，阻塞温度为8K，明显优于已公开发表的含单核镝单分子磁性体系。
文档编号H01F1/053GK103219116SQ201310140269
公开日2013年7月24日 申请日期2013年4月22日 优先权日2013年4月22日
发明者孙文彬, 闫鹏飞, 李洪峰, 陈鹏, 田永梅, 韩冰露, 李光明 申请人:黑龙江大学