测试结构及测试方法、对应的晶圆、熔丝的激光切割方法
【专利摘要】一种测试结构及测试方法、对应的晶圆、熔丝的激光切割方法，所述测试结构包括：第一测试端、第二测试端；位于第一测试端和第二测试端之间相连接的若干测试单元，所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面，所述测试单元至少包括两个测试熔丝，所述测试熔丝都相同且所述测试熔丝与晶圆芯片区域的工作熔丝相同。先对测试熔丝进行切割测试，当晶圆的背面或承片台表面具有凸起物，就会出现测试熔丝未完全切断或发生误切割的情况，表明晶圆的表面不平整，对所述晶圆的背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物后，再利用激光切割芯片区域的工作熔丝，从而保证工作熔丝被激光完全切断，节省了工艺成本，能有效提高工作熔丝切割的成品率。
【专利说明】测试结构及测试方法、对应的晶圆、熔丝的激光切割方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体测试工艺，尤其涉及测试结构及测试方法、对应的晶圆、熔丝的激光切割方法。
【背景技术】
[0002]随着特征尺寸的持续降低，半导体器件越来越容易受到半导体基底中杂质或缺陷的影响，单一器件的失效往往会导致整个集成电路芯片的失效。为了解决所述问题，提高芯片的成品率，在集成电路芯片中往往会形成一些冗余电路。当制作工艺完成后经测试发现部分器件不能正常工作时，可以利用熔丝熔断将失效电路与其他电路模块电学隔离，并利用冗余电路替换原来的失效电路。特别是在存储器的制造过程中，由于存储器单元的数量很多，难免会有部分存储器单元失效，因此往往会额外形成一些冗余的存储器单元，当制作完成后测试发现部分存储器单元失效时，可以利用熔丝将冗余的存储器单元替换原来失效的存储器单元，而不需要将对应的存储器芯片报废，提高了出厂成品率。
[0003]目前，常用的熔丝通常为两种:激光熔丝(laser fuse)和电熔丝(E-fuse)。激光熔丝即利用激光器产生的激光光束照射并切断熔丝从而实现编程。目前使用激光器产生的激光切断熔丝时，通过调整激光器的各种参数例如激光光斑(Spot)尺寸、激光焦距、激光能量以及激光照射时间来控制激光光束对熔丝进行的切割。
[0004]但利用现有的激光切割熔丝的方法常常不能完全切断熔丝，同时由于激光熔丝切割工艺是不可逆的，很难进行二次切割，因此需要尽可能地保证一次激光切割工艺就能将熔丝完全切断实现编程。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是提供一种测试结构及测试方法、对应的晶圆、熔丝的激光切割方法，利用所述测试结构可以很容易检测晶圆表面是否平整，利用一次激光切割工艺就能否将熔丝完全切断。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种测试结构，包括:第一测试端，第二测试端；位于第一测试端和第二测试端之间相连接的若干测试单元，所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面，所述测试单元至少包括两个测试熔丝，所述测试熔丝都相同且所述测试熔丝与晶圆芯片区域的工作熔丝相同；对测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切割，并测试所述测试结构的电阻、电流变化，根据所述测试结构的电阻、电流变化判断晶圆的表面是否平難
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[0007]可选的，所述测试单元包括至少两个并联连接的测试熔丝，且位于第一测试端和第二测试端之间的若干测试单元串联连接。
[0008]可选的，还包括第三测试端，所述测试单元包括第一测试熔丝和第二测试熔丝，所述各个测试单元的第一测试熔丝位于第一测试端和第二测试端之间且串联连接，所述第二测试熔丝的一端与同一测试单元的第一测试熔丝的一端相连接，所述第二测试熔丝的另一端与第三测试端相连接。
[0009]可选的，位于同一个测试单元内的不同测试熔丝平行设置且不同测试熔丝之间的间距相同。
[0010]可选的，所述间距为芯片设计中相邻两个工作熔丝之间的最小间距。
[0011]可选的，所述测试单元位于晶圆的芯片区域或晶圆的切割道区域。
[0012]可选的，每X2个呈正方形排列的芯片区域对应一个测试单元，X为正整数。
[0013]本发明还提供了一种晶圆，包括:至少一个所述测试结构。
[0014]可选的，当所述晶圆具有至少两个相同的测试结构时，所述不同测试结构中的每一个测试单元都一一对应且相邻设置。
[0015]本发明还提供了一种测试方法，包括:提供所述测试结构；对所述测试结构的测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割；对所述测试结构的电阻值、电流值进行测试；根据所述测试结构的电阻值、电流值判断相应的测试熔丝是否被完全切断或是否发生了误切割，从而判断晶圆的表面是否平整，相同的激光是否能将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断。
[0016]可选的，所述测试单元包括至少两个并联连接的测试熔丝，且位于第一测试端和第二测试端之间的若干测试单元串联连接时，对所述测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切割后，对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试，判断被激光切割后的测试熔丝是否完全切断。
[0017]可选的，若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值为KRf/ (M-L) + (N-K)Rf/M，则表明所述被激光切割后的测试熔丝完全切断；若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值不为KRf/ (M-L) + (N-K) Rf/M，则表明至少部分被激光切割后的测试熔丝尚未完全切断或发生了误切割；当所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值大于KRf/(M-L) + (N-K) Rf/M，这表明发生了误切割，其中，N为测试单元的总个数，K为已进行激光切割的测试单元的个数且K < N，Rf为未进行激光切割时测得的测试熔丝的电阻，M为一个测试单元中测试熔丝的总条数且M > 2，L为一个测试单元中被激光切割的测试熔丝的条数且L< M。
[0018]可选的，依次对每一个测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切割，且当一个测试单元的测试熔丝进行激光切割后，即对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试，若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值不为KRf/ (M-L) + (N-K) Rf/M，则表明对应的测试熔丝未完全切断或发生了误切割；若所述第一测试端和第二测试端之间测得的总电阻为KRf (M-L) + (N-K) Rf/M，继续重复进行激光切割熔丝和对第一测试端和第二测试端之间电阻值的测试的步骤，直到所述第一测试端和第二测试端之间测得的总电阻不为KRf/ (M-L) + (N-K) Rf/M，则表明对应测试熔丝未完全切断或发生了误切割。
[0019]可选的，所述测试结构还包括第三测试端，所述测试单元包括第一测试熔丝和第二测试熔丝，所述各个测试单元的第一测试熔丝位于第一测试端和第二测试端之间且串联连接，所述第二测试熔丝的一端与同一测试单元的第一测试熔丝的一端相连接，所述第二测试熔丝的另一端与第三测试端相连接，对各个测试单元的第二测试熔丝进行激光切割后，对所述第一测试端与第三测试端之间或第二测试端与第二测试端之间的电流值进行测试，判断被激光切割后的测试熔丝是否被完全切断。
[0020]可选的，若所述第一测试端与第三测试端之间或第二测试端与第二测试端之间的电流为O安培，则表明所述被激光切割后的测试熔丝完全切断；若所述第一测试端与第三测试端之间或第二测试端与第二测试端之间的电流不为O安培，则表明至少部分被激光切割后的测试熔丝未完全切断。
[0021]可选的，所述第三测试端包括至少两个分立的接触电极，每一个接触电极都与一部分第二测试熔丝的一端相连接，且每一个第二测试熔丝的一端只与一个接触电极相连接，当第一测试端或第二测试端与第三测试端的其中一个接触电极的两端施加测试电压，若两者之间的电流值为O安培，则表明对应的被切割的测试熔丝都完全切断；若所述电流值不为O安培，则表明与对应接触电极相连接的测试单元中至少部分被切割的测试熔丝未完全切断，从而获得晶圆表面不平整的大致位置。
[0022]可选的，对所述第一测试端和第二测试端的电阻进行测试，当所述第一测试端和第二测试端的电阻不为NRf，其中，N为测试单元的总个数，Rf为未进行激光切割时测得的第一测试熔丝的电阻，则表明部分第一测试熔丝在切割第二测试熔丝的过程中被误切割。
[0023]本发明还提供了一种熔丝的激光切割方法，包括:提供具有所述测试结构的晶圆，所述晶圆的芯片区域具有工作熔丝；对所述测试结构的测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割；测试所述测试结构的电阻值、电流值；根据所述测试结构的电阻值、电流值判断相应的测试熔丝是否被完全切断，从而判断相同的激光是否能将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断或发生误切割；若相应的测试熔丝都被完全切断且不发生误切割，表明晶圆表面平整，则利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割；若相应的测试熔丝未被完全切断或发生误切割，表明晶圆表面不平整，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物，再利用激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割。
[0024]可选的，当所述晶圆具有至少两个相同的测试结构，不同测试结构中的每一个测试单元都一一对应且相邻设置时，对第一个测试结构进行测试后，若第一个测试结构相应的测试熔丝未完全切断或发生误切割，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物后，利用第二个测试结构进行测试，若第二个测试结构相应的测试熔丝都完全切断且不发生误切割，则利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割。
[0025]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0026]先对测试结构的测试单元中的测试熔丝进行切割测试，由于所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面，当晶圆的背面或承片台表面具有凸起物，就会使得晶圆表面不平整，出现部分测试熔丝未完全切断或发生误切割的情况，然后对所述晶圆的背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物，再利用激光切割芯片区域的工作熔丝，由于晶圆的背面或承片台表面不再具有凸起物，晶圆的表面变得平整，激光照射的位置与对应的工作熔丝的位置不会发生偏移，激光的参数设定也不会发生偏差，从而尽可能地保证工作熔丝被激光完全切断，节省了工艺成本，能有效提高工作熔丝切割的成品率。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]图1是现有技术的晶圆在承片台上放置时的示意图；
[0028]图2?图4为本发明第一实施例的测试结构的结构示意图；
[0029]图5为本发明第一实施例的测试方法的流程示意图；
[0030]图6为本发明第一实施例的熔丝的激光切割方法的流程示意图；
[0031]图7?图9为本发明第二实施例的测试结构的结构示意图；
[0032]图10为本发明第二实施例的测试方法的流程示意图；
[0033]图11为本发明第二实施例的熔丝的激光切割方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0034]在现有激光切割熔丝的过程中，往往会先对晶圆的位置进行检测，获得晶圆表面与激光源之间的距离，然后利用所述距离调整激光器的各种参数例如激光光斑(Spot)尺寸、激光能量以及激光照射时间，从而控制激光对熔丝进行准确的切割，但实际中熔丝仍可能不能完全切断。经过研究发现，请参考图1，当所述晶圆01的背面或用于吸附晶圆01的承片台02表面具有凸起物03 (例如杂质或颗粒)时，所述晶圆01的表面高度会不均匀，表面不平整，使得晶圆01表面的部分区域凸起，当激光对所述凸起区域的熔丝进行切割时，预设的激光照射的位置与熔丝(未图示)的实际位置会发生稍许偏差，同时为了避免相邻不需要切割的半导体器件也被损伤，因此激光光斑的直径往往略大于熔丝的宽度，只要所述激光照射的位置与熔丝的实际位置发生稍许偏差，相应的熔丝就不能完全切断。且由于激光器需要根据晶圆表面与激光源之间的距离调节激光器的各项参数，当晶圆01的表面不平整时，会影响测得的晶圆表面与激光源之间的距离，从而使得激光器的各种参数与最合适的参数之间发生偏差，当激光光斑尺寸过大时，可能会将相邻不需要切割的熔丝也切割；当激光光斑尺寸过小时，即使激光照射的位置与熔丝的实际位置已精确对准，仍不能将对应的熔丝完全切断。同时由于激光熔丝切割工艺很难进行二次切割修正，因此需要一种检测结构能提前判断芯片区域的工作熔丝能否被完全切断，或是否将相邻不需要切割的熔丝进行了切割，发生了误切割，从而判断晶圆表面是否平整，相同的激光是否能将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断。
[0035]为此，本发明提供一种测试结构及测试方法、对应的晶圆、熔丝的激光切割方法，先对测试结构的测试单元中的测试熔丝进行切割测试，由于所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面，当晶圆的背面或承片台表面具有凸起物，晶圆表面不平整，就会出现部分测试熔丝未完全切断或发生误切割的情况，对所述晶圆的背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物后，再利用激光切割芯片区域的工作熔丝，由于晶圆的背面或承片台表面不再具有凸起物，因此晶圆的表面变得平整，晶圆表面与激光源之间的距离恒定，激光照射的位置与对应的工作熔丝的位置不会发生偏移，激光器的各项参数也可以调节为最佳的参数值，从而尽可能地保证工作熔丝被激光一次性完全切断且不发生误切割，节省了工艺成本，能有效提高工作熔丝切割的成品率。
[0036]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0037]第一实施例
[0038]本发明第一实施例首先提供了一种测试结构，请参考图2，为所述测试结构的结构示意图，包括:第一测试端101，第二测试端102 ;位于所述第一测试端101和第二测试端102之间的串联连接的若干测试单元110，所述测试单元110包括两个并联连接的测试熔丝115，所述测试熔丝115都相同且与所述测试熔丝115与晶圆芯片区域的工作熔丝相同。
[0039]所述晶圆包括呈矩阵排列的芯片区域和位于不同芯片区域之间的切割道区域，所述芯片区域内具有用于编程的工作熔丝，通过对所述工作熔丝进行编程(即切断)实现冗余电路或结构替换原来的失效电路或结构，所述切割道区域位于不同芯片区域之间，后续利用激光或切割刀片沿着切割道区域将晶圆切割成一个个芯片。所述测试单元110既可以位于所述芯片区域内，也可以位于所述切割道区域内。在本实施例中，请参考图4，所述测试单元110位于切割道区域121内，可以节省芯片区域120的面积，且由于所述测试单元110与芯片的集成电路相互独立，即使测试单元110在芯片切割时被损毁，也不会影响芯片内的集成电路的正常工作。
[0040]所述测试单元110的两个测试熔丝115的结构、形成工艺、电阻值相同，且所述测试熔丝115与晶圆芯片区域的工作熔丝的结构、形成工艺、电阻值相同，因此可以利用所述测试熔丝115模拟激光对工作熔丝的切割情况，当激光能将测试熔丝115完全切断时，利用相同的激光也就能将工作熔丝完全切断；当激光不能将测试熔丝115完全切断或发生了误切割时，则表明晶圆背面或承片台表面具有凸起物，将凸起物清除后再利用激光对工作熔丝进行切割，从而能利用激光将工作熔丝完全切断且不发生误切割。由于可以提前判断激光是否能将工作熔丝完全切断，因此可以尽可能地保证一次激光切割工艺就能让工作熔丝完全切断实现编程。
[0041]在本实施例中，请参考图4，所述测试单元110位于四个芯片区域120之间，即位于两条切割道的交叉处，呈正方形的每四个芯片区域120对应具有一个测试单元110，使得所述测试单元110均匀分布在整个晶圆表面，利用所述测试结构能对芯片的每一个区域进行检测，当晶圆背面的任意区域具有凸起物时，都能通过对测试熔丝进行测试后获知，可以避免激光切割熔丝时部分晶圆芯片区域的工作熔丝未能完全切断或发生误切割，从而不能实现正常编程。在其他实施例中，也可以在每一个芯片区域的一侧的切割道区域形成有所述测试单元，从而能一一对应地模拟对每一个芯片区域的工作熔丝是否能被完全切断或发生误切割。在另一些实施例中，每X2个呈正方形排列的芯片区域对应具有一个测试单元，X为大于2的正整数，根据测试需求适当调整X的大小，既能通过对测试结构进行测试即可获知晶圆背面是否具有凸起物，又能节省测试单元的数量，降低工艺成本和测试成本。
[0042]在本实施例中，一个测试单元110包括2个并联的测试熔丝115，在其他实施例中，所述一个测试单元还可以包括至少3个并联的测试熔丝，例如3、4、5等。所述并联的测试熔丝115平行设置且不同测试熔丝115之间的间距相同。在本实施例中，所述间距为芯片设计中相邻两个工作熔丝之间的最小间距。
[0043]在本实施例中，所述与测试单元110相连接的第一测试端101和第二测试端102为位于晶圆表面的两个接触电极，所述第一测试端101和第二测试端102位于切割道区域内的正上方。在其他实施例中，所述第一测试端和第二测试端对应的接触电极也可以位于所述芯片区域的正上方。在另一些实施例中，所述第一测试端和第二测试端还可以与芯片内的集成电路公用接触电极。
[0044]本发明第一实施例还提供了一种具有所述测试结构的晶圆，所述晶圆具有芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域，所述芯片区域具有工作熔丝；所述测试结构包括第一测试端，第二测试端；位于第一测试端、第二测试端之间串联连接的若干测试单元，所述测试单元包括至少两个并联连接的测试熔丝，所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面，所述测试熔丝都相同且所述测试熔丝与晶圆芯片区域的工作熔丝也相同。
[0045]在其他实施例中，一个晶圆上还可以形成有两个或两个以上的相同的测试结构，不同测试结构之间互相独立且电学隔离。每一个测试结构都包括第一测试端，第二测试端和位于第一测试端和第二测试端之间相连接的若干测试单元，且不同测试结构中的每一个测试单元的结构都相同且一一对应并相邻设置。
[0046]在其中一个实施例中，所述晶圆具有两个相同的测试结构，所述第一个测试结构和第二个测试结构中的每一个测试单元的结构都相同且一一对应并相邻设置。先利用第一个测试结构进行切割测试以获知对应的测试熔丝是否被完全切断，若第一个测试结构相应的测试熔丝未完全切断或发生误切割，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物后，利用第二个测试结构进行测试，若第二个测试结构相应的测试熔丝都完全切断且没有误切害I]，则利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，从而能进一步保证一次激光切割工艺就能将工作熔丝完全切断实现编程。
[0047]利用上述测试结构，本发明第一实施例还提供了对应的测试方法，请参考图5和图3，图5为所述测试方法的流程示意图，图3为如图2所示的测试结构的切割效果示意图，请参考图5，所述测试方法具体包括:
[0048]步骤S101，提供测试结构；
[0049]步骤S102，对所述测试结构的测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割；
[0050]步骤S103，测试所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值；
[0051]步骤S104，根据所述电阻值，判断相应的测试熔丝是否完全切断或发生了误切割，从而判断晶圆的表面是否平整，相同的激光是否能将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断且不发生误切割。
[0052]具体的，提供测试结构，位于晶圆上的测试结构的数量可以为一个，也可以为多个。在本实施例中，一个晶圆具有一个如图2所不的测试结构。
[0053]对测试熔丝进行激光切割之前，先对所述晶圆表面到激光源之间的距离进行检测，并根据所述距离调整激光器的各项参数，例如激光光斑尺寸、激光能量和激光照射时间等，尽可能使得产生的激光能准确地切割开芯片区域的工作熔丝并且不会误切割，损伤到相邻的工作熔丝。
[0054]在本实施例中，请参考图3，先对所有的测试单元110中的其中一条测试熔丝115都进行激光切割，然后检测所述第一测试端101和第二测试端102之间的电阻值，根据所述电阻值，判断相应的测试熔丝是否被完全切断。假设所述测试熔丝115的电阻都相同且都为Rf，由于本发明的一个测试单元110包括两个并联连接的测试熔丝115，利用激光对测试单元110的其中一条测试熔丝115进行切割，当仅对一条测试熔丝进行切割且完全切断时，一个测试单元对应的电阻值为Rf;当仅对一条测试熔丝进行切割且部分切割时，一个测试单元对应的电阻值小于为Rf ;当激光将一条测试熔丝完全切断且另一条测试熔丝被误切割且部分切割时，由于误切割的测试熔丝的横截面积变小，因此误切割的测试熔丝的电阻变大，一个测试单元对应的电阻值为大于Rf;当激光将一条测试熔丝部分切割且另一条测试熔丝被误切割且部分切割时，由于部分切割的测试熔丝的横截面积变小，因此部分切割的测试熔丝的电阻变大，一个测试单元对应的电阻值可以大于、等于或小于Rf。因此，若第一测试端和第二测试端之间的测得的电阻值为NRf，则表明被切割的测试熔丝都完全切断，所述N为测试单元的总个数；若所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值不为NRf，则表明至少部分被切割的测试熔丝未完全切断或发生了误切割；当所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值大于NRf，这表明发生了误切割。在本实施例中，所述Rf >50欧姆，可以使得测试结果更为显著。在其他实施例中，所述Rf也可以为其他值。当测试结果表明至少部分被切割的测试熔丝未完全切断或发生了误切割，则所述晶圆表面不平整，晶圆背面或承片台表面具有凸起物。
[0055]在其他实施例中，当一个测试单元包括M个并联连接的测试熔丝，利用激光对测试单元的L条测试熔丝进行切割，其中，M为一个测试单元中测试熔丝的总条数且M > 2，L为一个测试单元中被激光切割的测试熔丝的条数且L < M，若第一测试端和第二测试端之间的电阻值为NRf/(M-L)，则表明被切割的测试熔丝都被完全切断；若所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值不为NRf/(M-L)，则表明至少部分被切割的测试熔丝未完全切断或发生了误切割；当所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值大于NRf/(M-L)，这表明发生了误切割。由于只需要测试一次电阻值即可获知是否有被切割的测试熔丝未被完全切断或是否发生误切割，测试时间较短，测试成本较低。当获知待切割的测试熔丝都被完全切断，则表明晶圆表面平整，可以利用相同的激光将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断；当获知待切割的测试熔丝未被完全切断，则表明晶圆表明不平整，不可以直接利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割。
[0056]在其他实施例中，也可以先对K个测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切割，然后对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试。若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值为KRf/ (M-L) + (N-K) Rf/M，则表明所述K个测试单元的测试熔丝被完全切断；若所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值不为KRf/(M-L)+ (N-K) Rf/M，则表明所述K个测试单元中的部分测试熔丝未完全切断或发生了误切割；当所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值大于KRf/ (M-L) + (N-K) Rf/M，这表明发生了误切割。当所述K个测试单元的测试熔丝被完全切断，将剩余的测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割，然后对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试，由于若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值为NRf/(M-L)，则表明所有的测试单元的测试熔丝都被完全切断；若所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值不为NRf/(M-L)，则表明第二次切割的测试单元中的部分测试熔丝未完全切断或第二次切割的测试单元中发生了误切割；当所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值大于NRf/(M-L)，这表明第二次切割的测试单元中发生了误切割，从而可以大致获得晶圆不平整的位置，有利于针对性地对晶圆背面的凸起物进行去除。
[0057]在其他实施例中，还可以依次对每一个测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切害I]，且当一个测试单元的测试熔丝进行激光切割后，即对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试。在其中一个实施例中，当一个测试单元具有M条测试熔丝，先对第一个测试单元的L条测试熔丝进行切割，若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻为Rf/(M-L) + (N-l)Rf/M，则表明第一个测试单元的测试熔丝被完全切断；若所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值不为Rf/ (M-L) + (N-1) Rf/M，则表明第一个测试单元的测试熔丝未完全切断或发生了误切割；当所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值大于KRf/(M-L) + (N-K)Rf/M，这表明第一个测试单元发生了误切割。如果对应待切割的测试熔丝被完全切断，则继续重复对下一个测试单元的测试熔丝进行激光切割，并对第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试，若测试熔丝一直都被完全切断，直到对第K个测试单元的测试熔丝进行切割，若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻为KRf/ (M-L) + (N-K)Rf/M，则表明第K个测试单元的测试熔丝被完全切断；若所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值不为KRf/ (M-L)+ (N-K) Rf/M，则表明第K个测试单元的测试熔丝未完全切断或第K个测试单元中发生了误切割；当所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值大于KRf/(M-L) + (N-K) Rf/M，这表明第K个测试单元中发生了误切割。当第K个测试单元的测试熔丝未完全切断或发生误切割，即表明晶圆在第K个测试单元对应的位置不平整，利用相同的激光对第K个测试单元对应位置的工作熔丝进行切割也很可能不能完全切断或很可能发生误切割，从而可以精确地获得晶圆不平整的位置，即可精确获得出晶圆背面或承片台表面的凸起物的位置，更有利于针对性地对凸起物进行去除。
[0058]利用上述测试结构，本发明第一实施例还提供了一种熔丝的激光切割方法，请参考图6，为所述熔丝的激光切割方法的流程示意图，具体包括:
[0059]步骤S201，提供具有测试结构的晶圆，所述晶圆的芯片区域具有工作熔丝；
[0060]步骤S202，对所述测试结构的测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割；
[0061]步骤S203，测试所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值；
[0062]步骤S204，根据所述电阻值，判断相应的测试熔丝是否完全切断或发生误切割，从而判断晶圆表明是否平整，相同的激光是否会将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断且不发生误切割，若相应的测试熔丝都完全切断且未发生误切割，则执行步骤S205，若相应的测试熔丝未完全切断或发生误切割，则执行步骤S206 ；
[0063]步骤S205，利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割；
[0064]步骤S206，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物，再利用激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割。
[0065]由于所述熔丝的激光切割方法的步骤S201?步骤S204与测试方法的步骤SlOl?步骤S104相类似，所述熔丝的激光切割方法的步骤S201?步骤S204请参考测试方法的步骤SlOl?步骤S104的具体描述，在此不作赘述。
[0066]当利用步骤S201?步骤S204检测出被切割的所有测试熔丝都完全切断且未发生误切割，则表明所述晶圆的表面平整，利用相同的激光仅需要一次激光切割工艺就能将工作熔丝完全切断实现编程，因此执行步骤S205，利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，从而使得工作熔丝能完全切断实现编程。
[0067]当利用步骤S201?步骤S204检测出至少部分被切割的测试熔丝未完全切断或发生误切割，则表明所述晶圆的表面不平整，所述晶圆的背面或承片台表面具有凸起物，例如杂质、颗粒等，如果直接利用相同的激光对工作熔丝进行切割也会使得被切割的工作熔丝未完全切断或发生误切割。因此需执行步骤S206，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物，再利用激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，所述清洗工艺包括等离子水冲洗、惰性气体冲刷或湿法清洗等。且当一个测试单元的测试熔丝进行激光切割后，即对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试，可以精确地获得晶圆不平整的位置，即可精确获得晶圆背面或承片台表面的凸起物的位置，更有利于针对性地对所述凸起物进行去除。当所述晶圆背面、承片台表面不再具有凸起物，所述晶圆的表面变得平整，消除了晶圆表面不平整对激光照射的不良影响，则利用激光对表面平整的晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，可以使得工作熔丝能被完全切断实现编程。
[0068]在另一实施例中，当所述晶圆具有至少两个相同的测试结构，所述不同测试结构中的每一个测试单元都一一对应且相邻设置时，对第一个测试结构进行测试后，若第一个测试结构相应的测试熔丝未完全切断或发生了误切割，表明晶圆表面不平整，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物后，利用第二个测试结构进行测试，若第二个测试结构相应的测试熔丝都完全切断且不发生误切割，则利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，从而可以保证对仅需要一次激光切割工艺就能将工作熔丝完全切断实现编程，有利于提高激光切割熔丝的成品率。
[0069]第二实施例
[0070]本发明第二实施例首先提供了一种测试结构，请参考图7，为所述测试结构的结构示意图，包括:第一测试端201、第二测试端202、第三测试端203 ;位于第一测试端201、第二测试端202之间相连接的若干测试单元210，所述测试单元210包括第一测试熔丝211和第二测试熔丝212，所述各个测试单元210的第一测试熔丝211位于所述第一测试端201和第二测试端202之间且串联连接，所述第二测试熔丝212的一端与同一测试单元210的第一测试熔丝211的一端相连接，所述第二测试熔丝212的另一端与第三测试端203相连接，所述测试单元210均匀分布在整个晶圆表面，所述第一测试熔丝211和第二测试熔丝212都相同且与晶圆芯片区域的工作熔丝也相同。其中，由于第一测试端201与第三测试端203之间的电路、第二测试端202与第三测试端203之间的电路为等效电路，因此对测试结构的电流进行测试时只需择一选择第一测试端201或第二测试端202作为其中的一个测试端即可。
[0071]所述测试单元210既可以位于所述芯片区域内，也可以位于所述切割道区域内。在本实施例中，所述测试单元210位于切割道区域内，可以节省芯片区域的面积，且所述测试单元与芯片集成电路互相独立，即使测试单元在芯片切割时被损毁，也不会影响芯片内的集成电路的正常工作。
[0072]在本实施例中，呈正方形的每X2个芯片区域对应具有一个测试单元，X为正整数，例如1、2、3等，可以根据测试需求适当调整X的大小，既能通过对测试结构进行测试获知晶圆背面是否具有凸起物，又能节省测试单元的数量，降低工艺成本和测试成本。
[0073]在本实施例中，一个测试单元210包括两个并联的第一测试熔丝211和第二测试熔丝212。所述并联的第一测试熔丝211和第二测试熔丝212平行设置且第一测试熔丝211和第二测试熔丝212之间的间距相同。在本实施例中，所述间距为芯片设计中相邻两个工作熔丝之间的最小间距。
[0074]在本实施例中，所述第一测试端201、第二测试端202和第三测试端203为位于晶圆表面的三个接触电极，所述第一测试端201、第二测试端202和第三测试端203位于切割道区域内的正上方。在其他实施例中，所述第一测试端、第二测试端和第三测试端的接触电极也可以位于所述芯片区域的正上方。在另一些实施例中，所述第一测试端、第二测试端和第三测试端还可以与芯片内的集成电路公用接触电极。
[0075]在其他实施例中，所述第三测试端还可以包括至少两个分立的接触电极，每一个接触电极都与一部分第二测试熔丝的一端相连接，且每一个第二测试熔丝的一端只与一个接触电极相连接。请参考图9，所述第三测试端203包括两个分立的接触电极，每一个接触电极都与一部分第二测试熔丝212的一端相连接。
[0076]本发明第二实施例还提供了一种具有所述测试结构的晶圆，所述晶圆包括:芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域，所述芯片区域具有工作熔丝；所述测试结构包括第一测试端、第二测试端、第三测试端；位于第一测试端、第二测试端之间相连接的若干测试单元，所述测试单元包括第一测试熔丝和第二测试熔丝，所述各个测试单元的第一测试熔丝位于第一测试端和第二测试端之间且串联连接，所述第二测试熔丝的一端与同一测试单元的第一测试熔丝的一端相连接，所述第二测试熔丝的另一端与第三测试端相连接，所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面，所述第一测试熔丝和第二测试熔丝都相同且与晶圆芯片区域的工作熔丝也相同。
[0077]在其他实施例中，一个晶圆上还可以形成有两个或两个以上的相同的所述测试结构，不同测试结构之间互相独立且电学隔离。每一个测试结构都包括第一测试端，第二测试端、第三测试端和若干测试单元，且不同测试结构中的每一个测试单元的结构都相同且--对应并相邻设置。
[0078]在其中一个实施例中，所述晶圆具有两个相同的测试结构，所述第一个测试结构和第二个测试结构中的每一个测试单元的结构都相同且一一对应并相邻设置。先利用第一个测试结构进行切割测试以获知对应的测试熔丝是否被完全切断或发生了误切割，若第一个测试结构相应的测试熔丝未完全切断或发生了误切割，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物后，利用第二个测试结构进行测试，若第二个测试结构相应的测试熔丝都完全切断且未发生误切割，则利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，从而能进一步保证一次激光切割工艺就能将工作熔丝完全切断实现编程。
[0079]利用上述测试结构，本发明第二实施例还提供了对应的测试方法，请参考图10和图8，图10为所述测试方法的流程示意图，图8为如图7所示的测试结构的切割效果示意图，所述测试方法具体包括:
[0080]步骤S301，提供测试结构；
[0081]步骤S302，对所述测试结构的测试单元中的第二测试熔丝进行激光切割；
[0082]步骤S303，测试所述第一测试端与第三测试端之间的电流值或第二测试端与第三测试端之间的电流值；
[0083]步骤S304，根据所述电流值，判断相应的测试熔丝是否完全切断或发生误切割，从而判断晶圆表面是否平整，相同的激光是否会将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断且不发生误切割。
[0084]具体的，提供测试结构，位于晶圆上的测试结构的数量可以为一个，也可以为多个。在本实施例中，一个晶圆具有一个如图7所不的测试结构。
[0085]对测试熔丝进行激光切割之前，先对所述晶圆表面到激光源之间的距离进行检测，并根据所述距离调整激光器的各项参数，例如激光光斑尺寸、激光能量和激光照射时间等，使得产生的激光能尽可能准确地切割开芯片区域的工作熔丝并且不会损伤到相邻的其他半导体器件。
[0086]在本实施例中，先对所有的测试单元210中的第一测试熔丝211都进行激光切割，然后检测所述第一测试端201与第三测试端203之间的电流值或第二测试端202与第三测试端203之间的电流值，根据所述电流值，判断相应的测试熔丝是否被完全切断。若所述第一测试端201与第三测试端203之间的电流值或第二测试端202与第三测试端203之间的电流值为O安培，且随着测试电压的升高，电流值也不变，则表明被切割的测试熔丝都完全切断；若所述第一测试端201与第三测试端203之间的电流值或第二测试端202与第三测试端203之间的电流值不为O安培，且随着测试电压的升高，电流值增加，则表明至少部分被切割的测试熔丝未完全切断。由于只需要测试一次电阻值即可获知是否有被切割的测试熔丝未被完全切断，测试时间较短，测试成本较低。当获知被切割的测试熔丝都被完全切断，则表明晶圆表面平整，可以利用相同的激光将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断；当获知被切割的测试熔丝未被完全切断，则表明晶圆表面不平整，不可以直接利用相同的激光将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断。
[0087]在其他实施例中，当所述第三测试端具有至少两个分立的接触电极时，分别对在第一测试端(也可以为第二测试端)与第三测试端的其中一个接触电极两端施加测试电压，当两者之间的电流值为O安培，且随着测试电压的升高，电流值也不变，则表明对应的被切割的测试熔丝都完全切断；若所述电流值不为O安培，且随着测试电压的升高，电流值线性增加，则表明与对应接触电极相连接的测试单元中至少部分被切割的测试熔丝未完全切断，从而可以大致估计出晶圆不平整的位置，即可大致估计出晶圆背面或承片台表面的凸起物的位置，有利于针对性地对所述凸起物进行去除。
[0088]在其他实施例中，还可以对所述第一测试端和第二测试端的电阻进行测试，当所述第一测试端和第二测试端的电阻不为NRf，其中，N为测试单元的总个数，Rf为未进行激光切割时测得的第一测试熔丝的电阻，则表明部分第一测试熔丝在切割第二测试熔丝的过程中也被误切割，则表明激光的切割位置发生了偏移或激光光斑尺寸过大，晶圆表面不平整，利用相同的激光会将晶圆芯片区域的工作熔丝误切割。由于本发明第二实施例利用不同的测试端就能分别检测测试电容是否完全切断和是否发生误切割，测试更方便。
[0089]利用上述测试结构，本发明第二实施例还提供了一种熔丝的激光切割方法，请参考图11，为所述熔丝的激光切割方法的流程示意图，具体包括:
[0090]步骤S401，提供具有测试结构的晶圆，所述晶圆的芯片区域具有工作熔丝；
[0091]步骤S402，对所述测试结构的测试单元中的第二测试熔丝进行激光切割；
[0092]步骤S403，测试所述第一测试端与第三测试端之间的电流值或第二测试端与第三测试端之间的电流值；
[0093]步骤S404，根据所述电流值，判断相应的测试熔丝是否完全切断或发生误切割，从而判断晶圆表面是否平整，相同的激光是否会将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断且不发生误切割，若相应的测试熔丝被完全切断且不发生误切割，则执行步骤S405，若相应的测试熔丝未完全切断或发生误切割，则执行步骤S406 ；
[0094]步骤S405，利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割；
[0095]步骤S406，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物，再利用激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割。
[0096]由于所述熔丝的激光切割方法的步骤S401?步骤S404与测试方法的步骤S301?步骤S304相类似，所述熔丝的激光切割方法的步骤S401?步骤S404请参考测试方法的步骤S301?步骤S304的具体描述，在此不作赘述。
[0097]当利用步骤S401?步骤S404检测出被切割的所有测试熔丝都完全切断且不发生误切割，则表明所述晶圆的表面平整，利用相同的激光仅需要一次激光切割工艺就能将工作熔丝完全切断实现编程，因此执行步骤S405，利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，从而使得工作熔丝能完全切断实现编程。
[0098]当利用步骤S401?步骤S404检测出至少部分被切割的测试熔丝未完全切断或发生误切割，则表明所述晶圆的表面不平整，所述晶圆的背面或承片台表面具有凸起物，例如杂质、颗粒等，如果直接利用相同的激光对工作熔丝进行切割也会使得被切割的工作熔丝未完全切断或发生误切割。因此需执行步骤S406，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物，再利用激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，所述清洗工艺包括等离子水冲洗、惰性气体冲刷或湿法清洗等。且当所述第三测试端具有至少两个分立的接触电极时，可以大致估计出晶圆不平整的位置，即可大致估计出晶圆背面或承片台表面的凸起物的位置，有利于针对性地对所述凸起物进行去除。当所述晶圆背面、承片台表面不再具有凸起物，所述晶圆的表面变得平整，消除了晶圆表面不平整对激光照射位置的偏移的不良影响，则利用激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，可以使得工作熔丝能完全切断实现编程。
[0099]在另一实施例中，当所述晶圆具有至少两个相同的测试结构,所述不同测试结构中的每一个测试单元都一一对应且相邻设置时，对第一个测试结构进行测试后，若第一个测试结构相应的测试熔丝未完全切断或发生了误切割，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物后，利用第二个测试结构进行测试，若第二个测试结构相应的测试熔丝都完全切断且不发生误切割，则利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割，从而可以保证仅需要一次激光切割工艺就能将工作熔丝完全切断实现编程，有利于提高激光切割熔丝的成品率。
[0100]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种测试结构，其特征在于，包括: 第一测试端、第二测试端； 位于第一测试端和第二测试端之间相连接的若干测试单元，所述测试单元均匀分布在整个晶圆表面，所述测试单元至少包括两个测试熔丝，所述测试熔丝都相同且所述测试熔丝与晶圆芯片区域的工作熔丝相同； 对测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切割，并测试所述测试结构的电阻、电流变化，根据所述测试结构的电阻、电流变化判断晶圆的表面是否平整。
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试单元包括至少两个并联连接的测试熔丝，且位于第一测试端和第二测试端之间的若干测试单元串联连接。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括第三测试端，所述测试单元包括第一测试熔丝和第二测试熔丝，所述各个测试单元的第一测试熔丝位于第一测试端和第二测试端之间且串联连接，所述第二测试熔丝的一端与同一测试单元的第一测试熔丝的一端相连接，所述第二测试熔丝的另一端与第三测试端相连接。
4.如权利要求2或3所述的测试结构，其特征在于，位于同一个测试单元内的不同测试熔丝平行设置且不同测试熔丝之间的间距相同。
5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述间距为芯片设计中相邻两个工作熔丝之间的最小间距。
6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试单元位于晶圆的芯片区域或晶圆的切割道区域。
7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，每X2个呈正方形排列的芯片区域对应一个测试单元，X为正整数。
8.一种晶圆，其特征在于，包括:至少一个如权利要求1所述的测试结构。
9.如权利要求8所述的晶圆，其特征在于，当所述晶圆具有至少两个相同的测试结构时，所述不同测试结构中的每一个测试单元都一一对应且相邻设置。
10.一种测试方法,其特征在于,包括: 提供如权利要求1所述的测试结构； 对所述测试结构的测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割； 对所述测试结构的电阻值、电流值进行测试； 根据所述测试结构的电阻值、电流值判断相应的测试熔丝是否被完全切断或是否发生了误切割，从而判断晶圆的表面是否平整，相同的激光是否能将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断。
11.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，所述测试单元包括至少两个并联连接的测试熔丝，且位于第一测试端和第二测试端之间的若干测试单元串联连接时，对所述测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切割后，对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试，判断被激光切割后的测试熔丝是否完全切断。
12.如权利要求11所述的测试方法，其特征在于，若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值为KRf/(M-L) +(N-K)Rf/M，则表明所述被激光切割后的测试熔丝完全切断；若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值不为KRf/ (M-L) + (N-K) Rf/M，则表明至少部分被激光切割后的测试熔丝尚未完全切断或发生了误切割；当所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值大于KRf/ (M-L) + (N-K) Rf/M，这表明发生了误切割，其中，N为测试单元的总个数，K为已进行激光切割的测试单元的个数且K < N，Rf为未进行激光切割时测得的测试熔丝的电阻，M为一个测试单元中测试熔丝的总条数且M > 2，L为一个测试单元中被激光切割的测试熔丝的条数且L < M。
13.如权利要求11所述的测试方法，其特征在于，依次对每一个测试单元的至少一条测试熔丝进行激光切割，且当一个测试单元的测试熔丝进行激光切割后，即对所述第一测试端和第二测试端之间的电阻值进行测试，若所述第一测试端和第二测试端之间测得的电阻值不为KRf/(M-L) +(N-K) Rf/M，则表明对应的测试熔丝未完全切断或发生了误切割；若所述第一测试端和第二测试端之间测得的总电阻为KRf (M-L) + (N-K) Rf/M，继续重复进行激光切割熔丝和对第一测试端和第二测试端之间电阻值的测试的步骤，直到所述第一测试端和第二测试端之间测得的总电阻不为KRf/ (M-L) + (N-K) Rf/M，则表明对应测试熔丝未完全切断或发生了误切割。
14.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，所述测试结构还包括第三测试端，所述测试单元包括第一测试熔丝和第二测试熔丝，所述各个测试单元的第一测试熔丝位于第一测试端和第二测试端之间且串联连接，所述第二测试熔丝的一端与同一测试单元的第一测试熔丝的一端相连接，所述第二测试熔丝的另一端与第三测试端相连接，对各个测试单元的第二测试熔丝进行激光切割后，对所述第一测试端与第三测试端之间或第二测试端与第二测试端之间的电流值进行测试，判断被激光切割后的测试熔丝是否被完全切断。
15.如权利要求14所述的测试方法，其特征在于，若所述第一测试端与第三测试端之间或第二测试端与第二测试端之间的电流为O安培，则表明所述被激光切割后的测试熔丝完全切断；若所述第一测试端与第三测试端之间或第二测试端与第二测试端之间的电流不为O安培，则表明至少部分被激光切割后的测试熔丝未完全切断。
16.如权利要求14所述的测试方法，其特征在于，所述第三测试端包括至少两个分立的接触电极，每一个接触电极都与一部分第二测试熔丝的一端相连接，且每一个第二测试熔丝的一端只与一个接触电极相连接，在第一测试端或第二测试端与第三测试端的其中一个接触电极的两端施加测试电压，若两者之间的电流值为O安培，则表明对应的被切割的测试熔丝都完全切断；若所述电流值不为O安培，则表明与对应接触电极相连接的测试单元中至少部分被切割的测试熔丝未完全切断，从而获得晶圆表面不平整的大致位置。
17.如权利要求14所述的测试方法，其特征在于，对所述第一测试端和第二测试端的电阻进行测试，当所述第一测试端和第二测试端的电阻不为NRf，其中，N为测试单元的总个数，Rf为未进行激光切割时测得的第一测试熔丝的电阻，则表明部分第一测试熔丝在切割第二测试熔丝的过程中被误切割。
18.—种熔丝的激光切割方法，其特征在于，包括: 提供具有如权利要求1所述的测试结构的晶圆，所述晶圆的芯片区域具有工作熔丝； 对所述测试结构的测试单元中的至少一条测试熔丝进行激光切割； 测试所述测试结构的电阻值、电流值； 根据所述测试结构的电阻值、电流值判断相应的测试熔丝是否被完全切断，从而判断相同的激光是否能将晶圆芯片区域的工作熔丝完全切断或发生误切割； 若相应的测试熔丝都被完全切断且不发生误切割，表明晶圆表面平整，则利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割； 若相应的测试熔丝未被完全切断或发生误切割，表明晶圆表面不平整，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物，再利用激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割。
19.如权利要求18所述的熔丝的激光切割方法，其特征在于，当所述晶圆具有至少两个相同的测试结构，不同测试结构中的每一个测试单元都一一对应且相邻设置时，对第一个测试结构进行测试后，若第一个测试结构相应的测试熔丝未完全切断或发生误切割，对晶圆背面、承片台表面进行清洗以去除凸起物后，利用第二个测试结构进行测试，若第二个测试结构相应的测试熔丝都完全切断且不发生误切割，则利用相同的激光对晶圆芯片区域的工作熔丝进行切割。
【文档编号】H01L21/66GK104282659SQ201310277119
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2013年7月3日 优先权日:2013年7月3日
【发明者】徐俊 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司