有机发光显示装置及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种防止电压降的有机发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置包括：基板；在基板上的第一电极；在第一电极上的有机发光层；在包括有机发光层的基板上的第二电极；和面对所述基板的封装基板，其中所述封装基板是由金属材料形成，并与第二电极电连接。
【专利说明】有机发光显示装置及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]根据近年来多媒体的发展，人们对平板显示器的需求不断增加。为了满足这一增长的需求，诸如液晶显示装置、等离子体显示面板和有机发光显示装置的各种平板显示器被实际使用。在各种平板显示器中，有机发光显示装置由于响应速度快而受到了高度关注。另外，由于在有机发光显示装置中包括的内部元件是由固体材料形成，因此有机发光显示装置针对外力具有良好的耐久性，而且还可以允许大的使用温度范围。
[0003]特别地，相比于现有技术的液晶显示装置，有机发光显示装置的制造工艺被简化，能够降低制造成本。
[0004]图1示出根据现有技术的底部发光型有机发光显示装置。
[0005]如图1所不，有机发光显不装置10包括第一基板I和面对第一基板I的第二基板2，其中，第一基板I和第二基板2之间设置有预定间隔，并且通过使用沿它们边缘设置的密封图案20而彼此封装并且结合。
[0006]更详细地，在第一基板I上的每个像素区(P)中形成驱动薄膜晶体管(DTr)。此外，在第一基板I上依次沉积有构成发光二极管(E)的第一电极11,有机发光层13以及第二电极15。第一电极11与驱动薄膜晶体管(DTr)电连接。
[0007]在这种情况下，第一电极11是由透明的导电材料形成，并且第二电极15是由不透明的导电材料形成。因此，从有机发光层发射的光被引导向第一电极11。
[0008]同时，为了防止有机发光显示装置10的寿命因为驱动方式所产生的热量以及驱动薄膜晶体管(DTr)的降解而缩短，如图1所示，将绝热板30贴附到第二基板2的外表面。
[0009]由于现有技术的有机发光显示装置的尺寸增加，第二电极15的面积增大，使得电阻值增加，由此会发生电压降(IR降)。此外，随着第二电极15的电阻增加而使得电压降增大，功率消耗也增加，并且有机发光显示装置的亮度不均匀，由此，有机发光显示装置难以实现良好的可靠性。
[0010]已经提出了增加第二电极15的厚度来防止由于第二电极15的电阻增加而引起的电压降的方法。然而，即使可由于第二电极15的厚度增加来防止电压降，但是有机发光显示装置的制造成本增加，并且有机发光显示装置的重量和厚度增加。
[0011]特别是，由于现有技术的有机发光显示装置采用基于碳的绝热板，所以现有技术的有机发光显示装置的重量和厚度大幅增加。
【发明内容】
[0012]本发明的实施例涉及一种有机发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置基本上克服了由于现有技术的限制和缺点所造成的一个或多个问题。
[0013]本发明的实施例的一个方面是提供一种能够防止电压降的有机发光显示装置，以及用于制造该有机发光显示装置的方法。
[0014]本发明的实施例的另一个方面是提供一种重量轻、厚度薄的有机发光显示装置，以及用于制造该有机发光显示装置的方法。
[0015]在下面的描述中将说明本发明的其他特征和优点，部分特征和优点将在描述中变得显而易见，或者可通过对本发明的实施而获悉。通过在本申请说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构，将实现和获得本发明的目的和其他优点。
[0016]为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的，提供一种有机发光显不装置，其可包括:基板；在基板上的第一电极；在第一电极上的有机发光层；在包括有机发光层的基板上的第二电极；和面对所述基板的封装基板，其中所述封装基板是由金属材料形成，并与第二电极电连接。
[0017]在本发明的实施方式的另一方面，提供一种制造有机发光显示装置的方法，其可包括在基板的预定区域上形成第一电极；在第一电极上形成有机发光层；在包括有机发光层的基板上形成第二电极；和将金属材料的封装基板与所述基板结合，以使封装基板和第二电极彼此电连接。
[0018]应当理解的是，本发明前面的一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]附图提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分。所述附图示出本发明的示范性的实施方式，并且与说明书文字一起用于解释本发明的原理。在附图中:
[0020]图1是示出根据现有技术的有机发光显示装置的剖视图；
[0021]图2是示出根据本发明一个实施例的有机发光显示装置的剖视图；
[0022]图3是示出图2的像素的剖视图；
[0023]图4是示出根据本发明一个实施例的有机发光显示装置的平面图；以及
[0024]图5A-?是示出制造根据本发明一个实施例的有机发光显示装置的工艺的剖视图。
【具体实施方式】
[0025]现在将详细参考本发明的实施例，附图中图示出了这些实施例的范例。尽可能地，在整个附图中使用相同的附图标记表示相同或者类似的部件。
[0026]在解释本发明的实施方式时，应理解有关术语的以下细节。
[0027]如果在上下文中没有具体的定义，那么单数表达的术语应被理解为包括复数表达以及单数表达。如果使用诸如“第一”或“第二”的术语，那么是将任何一种元件与其他元件分开。因此，权利要求书的范围不受这些术语的限制。
[0028]此外，应当理解的是，诸如“包括”或“具有”的术语并不排除存在或可能存在一种或多种特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合。
[0029]应当理解的是，术语“至少其一”包括与任何一个项目相关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少其一”可以包括从所述第一、第二和第三元件中选定的两个或更多个元件的所有组合以及所述第一、第二和第三元件中的每个元件。
[0030]此外，如果提到第一元件被定位在第二元件“上或上方”，应当理解的是，第一和第二元件可彼此接触，或可在第一和第二元件之间插入第三元件。然而，如果使用“就在上或上方”，应该理解的是，第一和第二元件彼此接触。
[0031]在下文中，将参照附图详细说明根据本发明实施例的有机发光显示装置及其制造方法。
[0032]图2是示出根据本发明一个实施例的有机发光显示装置的剖视图。
[0033]通常，根据被发射光的传输方向，有机发光显示装置可以分为顶部发光型和底部发光型。参照图2，根据本发明一个实施例的有机发光显示装置可以是底部发光型。
[0034]如图2所示，根据本发明一个实施例的有机发光显示装置可以包括基板100，封装基板200，辅助电极300和密封图案400。
[0035]首先，基板100可以包括薄膜晶体管(TFT)区与发光二极管区。通过TFT区和发光二极管区的组合可以限定像素(P)。
[0036]将参照图3详细说明在基板100的TFT区中形成的薄膜晶体管和在发光二极管区中形成的发光二极管。
[0037]图3是示出图2所示的像素的放大的剖视图。如图3所示，在TFT区形成包括栅电极110，有源层130，蚀刻阻挡层140，源电极150a和漏电极150b的薄膜晶体管。虽然未示出，但是可以在TFT区中另外形成滤色器层。
[0038]此外,在发光二极管区形成包括第一电极170,有机发光层180和第二电极190的
发光二极管。
[0039]更具体地，根据本发明一个实施例的有机发光显示装置可包括基板100，栅电极110，栅极绝缘膜120，有源层130，蚀刻阻挡层140，源电极150a，漏极电极150b，钝化膜160，平坦化层165，第一电极170，堤层175，有机发光层180和第二电极190。
[0040]通常，基板100是由玻璃形成。然而，基板100可以由具有柔性的透明塑料，例如聚酰亚胺形成。由于在基板100上的高温沉积工艺，如果形成聚酰亚胺基板100，就需要使用耐受高温的具有良好的耐热性的聚酰亚胺。
[0041]在基板100上图案化栅电极110。栅电极110可以由钥(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或它们的合金形成。此外，栅电极110可以形成为上述金属材料或它们的合金的单层结构，或可以形成为上述金属材料或它们的合金的多层结构。
[0042]在栅电极110上形成栅极绝缘膜120，其中，所述栅极绝缘膜120将栅电极110与有源层130电绝缘。栅绝缘膜120可以由无机绝缘材料形成，例如氧化硅或氮化硅，但不局限于这些材料。例如，栅极绝缘膜120可以由有机绝缘材料形成，例如光丙烯酸类或苯并环丁烯(BCB)。
[0043]在栅极绝缘膜120图案化有源层130。有源层130可以与栅电极110重叠。有源层130可以由氧化物半导体形成，例如In-Ga-Zn-O(IGZO)，但并不局限于这种材料。例如，有源层130可以由基于硅的半导体形成。
[0044]在有源层130图案化蚀刻阻挡层140。蚀刻阻挡层140在用于构图源电极150a和漏电极150b的蚀刻工艺期间，防止有源层130的沟道区被蚀刻。蚀刻阻挡层140可以由无机绝缘材料如氧化硅或氮化硅形成，但不局限于这些材料。如果需要，可以省略蚀刻阻挡层140。
[0045]在蚀刻阻挡层140上图案化彼此面相向的源电极150a和漏电极150b。设置在蚀刻阻挡层140上的源电极150a在有源层130的一个方向延伸，由此延伸的源电极150a与有源层130相连接。同时，设置在蚀刻阻挡层140上的漏极电极150b在有源层130的另一方向上延伸，由此，延伸的漏极电极150b与有源层130相连接。源电极150a和漏电极150b可以由钥(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或它们的合金形成。此外，源电极150a和漏电极150b中每一个可形成为上述金属材料或它们的合金的单层结构，或可以形成为上述金属材料或它们的合金的多层结构。
[0046]在源电极150a和漏电极150b上形成钝化膜160。钝化膜160可以由无机绝缘材料如氧化硅或氮化硅形成，但不局限于这些材料。例如，钝化膜160可以由有机绝缘材料如光丙烯酸类或苯并环丁烯(BCB)形成。
[0047]在栅极绝缘膜120上形成平坦化层165，从而允许有机发光显示装置的良好的阶梯覆盖。平坦化层165可以由有机绝缘材料，例如光丙烯酸类或苯并环丁烯(BCB)形成。
[0048]在平坦化层165上图案化第一电极170。第一电极170通过在平坦化层165和钝化膜160中的接触孔与漏电极150b相连接。根据本发明的有机发光显示装置是底部发光型。因此，第一电极170可以由具有高功函值的透明导电材料形成，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(ΙΖ0)，由此，第一电极170可以用作阳极电极。
[0049]在平坦化层165上形成堤层175。具体地，该堤层175被图案化为与薄膜晶体管重叠，并且由堤层175限定所述发光二极管区。堤层175可以由有机绝缘材料形成，例如聚酰亚胺、光丙烯酸类或苯并环丁烯(BCB)，但不局限于这些材料。
[0050]在第一电极170上形成有机发光层180。虽然未示出，但有机发光层180可以形成为空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子传输层/电子注入层的沉积结构。在这种情况下，可以省略空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一层、两层或更多层。有机发光层180可以向各像素发射具有相同颜色的光，例如，白色光，或者可以向各像素发射具有不同颜色的光，例如，红色光、绿色光或蓝色光。
[0051]在有机发光层180上形成第二电极190。第二电极190可以被共同应用于所有像素，而不被每个像素分割。也就是，第二电极190可形成在堤层175以及有机发光层180上。如上所述，根据本发明的有机发光显示装置是底部发光型。因此，第二电极190可以由不透明的导电材料形成，由此，第二电极190可以用作阴极电极。例如，第二电极190可以由功函值比第一电极170相对低的金属材料形成，例如，选自铝(Al)、铝合金(ALNd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)和铝镁合金(AlMg)的任何一种金属材料。
[0052]图3所示的薄膜晶体管仅仅是一个实例。也就是说，薄膜晶体管的结构可以改变。例如，图3的薄膜晶体管具有其中栅电极110设置在有源层130下面的底栅结构。根据本发明的修改的实施例中，薄膜晶体管可具有其中栅电极110设置在有源层130上方的顶栅结构。
[0053]再次参照图2，封装基板200面对基板100，同时被粘接到基板100，从而允许封装有机发光显示装置。如图2所示，封装基板200可包括基膜210、连接层220和金属氧化物层 230。[0054]基膜210可以由金属材料形成。根据本发明一个实施例中，封装基板200中包括的基膜210可以由含镁(Mg)的金属材料形成。
[0055]在本发明中，基膜210由含镁(Mg)的金属材料形成。这是因为镁(Mg)由于高导热性可允许热绝缘功能。因此，由于在封装基板200中包括的基膜210是由含镁的金属材料(Mg)形成，本发明的有机发光显示装置不需要绝热板(如现有技术的风扇或热管)，以致本发明的有机发光显示装置能够实现轻薄化。
[0056]在对应于基膜210的面对基板100的表面的第一表面上形成连接层220。连接层220通过辅助电极300与形成在基板100上的第二电极190电连接。
[0057]因此，连接层220可以由导电金属材料形成。根据本发明的一个实施例中，连接层220可由使用银(Ag )、钛(T i )、钨(W )和铁(Fe )中的任何一种与基膜210用的金属材料镁(Mg)的合金形成。
[0058]根据本发明一个实施例中，连接层220可通过使用选自银(Ag)、钛(Ti)、钨(W)和铁(Fe)中的任何一种金属材料，在基膜210的第一表面上进行等离子体处理而形成。
[0059]接着，在基膜210中与第一表面相对的第二表面上形成金属氧化物层230,其中连接层220形成在基膜210的第一表面上。在本发明中，金属氧化物层230形成在基膜210的第二表面上。这是因为这种结构有利于使基膜210与外部绝缘，并且还使镁(Mg)基膜210的整个区域均匀地氧化。
[0060]根据本发明一个实施例中，金属氧化物层230可以通过阳极氧化基膜210的第二表面形成。
[0061]在这种情况下，上述阳极氧化是一种电镀技术。即，在将基膜210的第二表面浸入电解液的情况下，将电流施加到充当阳极的基膜210，从而通过阳极所产生的氧气来氧化基膜210的第二表面。
[0062]在本发明中，使用镁(Mg)形成预定厚度的基膜210。因此，代替氧化基膜210的整个区域，仅将基膜210的第二表面改变为氧化镁(MgO)，并且在基膜210的第二表面上形成金属氧化物层230。
[0063]在上述本发明的实施方式中，金属氧化物层230是通过阳极氧化形成的，但并不局限于此方法。金属氧化物层230可以通过各种方法来形成。例如，可以通过在基膜210的第二表面上进行等离子体处理来形成金属氧化物层230。
[0064]在本发明中，封装基板200面对基板100的表面由导电合金制成，并且也与第二电极190电连接，从而降低了第二电极190的电阻，并防止电压降。
[0065]此外，由于封装基板200的基膜210是由具有良好的导热性的镁(Mg)形成，本发明的有机发光显示装置可以不使用额外的绝热板而提高热绝缘效率。此外，本发明的有机发光显示装置不使用额外的绝热板，以至于本发明的有机发光显示装置能够实现轻薄化。
[0066]然后，辅助电极300使第二电极190与封装基板200电连接。如图2所示，辅助电极300可包括阻挡物310和连接电极320。
[0067]具有预定高度的阻挡物310形成在基板100的非发光区，使得连接电极320与封装基板200相接触。根据本发明的一个实施例，如图4所示，阻挡物310可以在基板100上的发光区外周形成框形的闭合回路。
[0068]只要满足该阻挡物310具有使连接电极320与封装基板200接触的预定高度，那么阻挡物310可以由任何材料形成而没有限制。
[0069]根据本发明一个实施例中，可使用形成薄膜晶体管所用的材料将阻挡物310与薄膜晶体管形成相同的层结构，或者可以使用在薄膜晶体管中包括的层中的一些层，来形成阻挡物310。
[0070]此外，阻挡物310可通过在薄膜晶体管中包含的层中的至少一些层上另外沉积平坦化层160、第一电极170和堤层175中的至少其一而形成。
[0071]根据第一实例，阻挡物310可以具有这样的层结构，即形成栅电极110，在栅电极110上形成栅极绝缘膜120，在栅极绝缘膜120上形成有源层130，在有源层130上形成蚀刻阻挡层140，在蚀刻阻挡层140上形成源电极150a和漏电极150b，在源极150a和漏极电极150b上形成钝化膜160，和在钝化膜160上形成平坦化层165。
[0072]根据第二实例，阻挡物310可以具有这样的层结构，即在上面的第一实例中所示的层结构上依次沉积第一电极170和堤层175，或者可以具有这样的层结构，即在上面的第一实例中所示的层结构上另外沉积第一电极170和堤层175中的任何一个。
[0073]此外，阻挡物310可具有依次沉积栅电极110，源电极150a和漏电极150b，以及第一电极170的层结构；可以具有依次沉积栅电极110,源电极和漏电极150a和150b,第一电极170以及堤层175的层结构；可以具有依次沉积栅电极110，栅极绝缘膜120，源极150a和漏电极150b，以及第一电极170的层结构，或者可以具有依次沉积栅电极110，栅极绝缘膜120，源电极150a和漏电极150b，第一电极170以及堤层175的层结构。
[0074]然后，在阻挡物310上形成连接电极320，并使连接电极320与封装基板200相接触。根据本发明的一个实施例，如图2所示，连接电极320可以与第二电极190形成为一体。
[0075]因为本发明的连接电极320与第二电极190形成为一体，并同时与封装基板200相接触，第二电极190与封装基板200电连接，从而第二电极190的表面电阻降低，而第二电极190的厚度没有增加，从而防止了由第二电极190引起的电压降。
[0076]再次参照图2，密封图案400被插入基板100和封装基板200之间，从而将基板100和封装基板200彼此粘合。密封图案400的形状可以改变。
[0077]例如，如图2-4所示，密封图案400可以包括在辅助电极300的外周、形成为围绕辅助电极300的框形的闭合回路的第一密封图案410，或者还可以包括用于覆盖辅助电极300内部的发光区的第二密封图案420。
[0078]在下文中，将在下面详细说明根据本发明一个实施例的有机发光显示装置的制造方法。
[0079]图5A-?是示出制造根据本发明的一个实施例的有机发光显示装置的工艺的剖视图，其涉及制造图2和3所示的有机发光显示装置的工艺。在下文中，将省略对于每个元件的材料和结构的详细说明。
[0080]首先，如图5A所示，在基板100上形成薄膜晶体管(T)，并在基板100上形成与所述薄膜晶体管(T)电连接的第一电极170。然后,在第一电极170上形成有机发光层180。
[0081]在这种情况下，可通过用于形成薄膜晶体管(T)的一般方法制造薄膜晶体管(T)。另外，该用于制造薄膜晶体管(T)的方法不是重点，由此将省略对薄膜晶体管(T)的制造工艺的详细说明。
[0082]然后，如图5B所示，在基板100的非发光区形成阻挡物310。根据本发明一个实施例中，可于基板100的发光区的外周形成框形的闭合回路的阻挡物310。
[0083]为了便于说明，图5B示出了在薄膜晶体管(T)、第一电极170和有机发光层180之后形成阻挡物310，但并不局限于此方法。
[0084]例如，阻挡物310可与薄膜晶体管(T)、第一电极170和有机发光层180在同一时间制造；或者在形成第一电极170和有机发光层180之前，在制造薄膜晶体管(T)的过程中制造。
[0085]例如，阻挡物310可以是在形成薄膜晶体管(T)的过程中，通过使用用于形成薄膜晶体管(T)的材料，形成与薄膜晶体管(T)相同的层结构，或者阻挡物310可以通过另外沉积平坦化层160、第一电极170和堤层175中的至少其一，形成在薄膜晶体管中包含的至少
一些层上。
[0086]如图5C所示，在包括有机发光层180和阻挡物310的基板100上形成第二电极190。第二电极190以这样的方式提供，即第二电极190被共同应用于所有像素而不被每个像素所分割。在这种情况下，在阻挡物310上提供的第二电极190形成连接电极320，由此在基板100上形成辅助电极300。
[0087]然后，如图所示，使用密封图案400使基板100和封装基板200彼此结合。在这种情形下，密封图案400可包括在辅助电极300的外周、围绕辅助电极300的第一密封图案410以及覆盖辅助电极300内部的发光区的第二密封图案420。
[0088]同时，当将基板100和封装基板200彼此结合时，封装基板200与辅助电极300相接触。由于与第二电极190电连接的辅助电极300是与封装基板200电连接，因此能够防止由第二电极190的电阻造成的电压降。
[0089]根据本发明一个实施例中，可以通过使用银(Ag)、钛(Ti )、钨(W)和铁(Fe)中的任何一种与镁(Mg)的合金在镁(Mg)基膜210的第一表面上形成连接层220，以及通过在基膜210的第二表面上的阳极化处理来形成金属氧化物层230，制造封装基板200。在这种情况下，连接层200可通过在基膜210的第一表面上进行等离子体处理来形成。
[0090]基膜210的第一面是指与第二电极190相连接的表面，并且基膜210的第二表面是指与设有连接层220的表面相反的表面。
[0091]另外，在上述本发明的实施方式中，金属氧化物层230是由阳极氧化技术形成的，但并不局限于此方法。金属氧化物层230可以通过各种方法来制造。例如，金属氧化物层230可以通过在基膜210的第二表面上进行等离子体处理来制造。
[0092]根据本发明，封装基板200的面对基板100的表面是由导电合金制成的，并且封装基板200的表面与辅助电极300电连接，由此能够减小第二电极190的电阻，从而防止电压降。
[0093]在本发明中，封装基板200的基膜210是由具有良好的导热性的含镁(Mg)的金属材料形成。因此，即使没有额外的绝热板，也能够提高有机发光显示装置的热绝缘效率。此夕卜，本发明的有机发光显示装置不需要额外的绝热板，以至于本发明的有机发光显示装置能够实现轻薄化。
[0094]根据本发明，金属材料的封装基板200电连接第二电极190，这样不需增加第二电极190的厚度就能够防止由于第二电极190的电阻增加所造成的电压下降，从而降低了有机发光显示装置的制造成本。[0095]由于防止了因第二电极190的电阻增加所造成的电压下降，因此能够防止功耗增力口，同时也实现了均匀的亮度，从而提高了有机发光显示装置的可靠性。
[0096]此外，由于金属材料的封装基板200用作绝热功能，因此没有必要提供额外的绝热板，从而使有机发光显示装置最大限度地轻薄化。
[0097]对本领域技术人员显而易见的是可以对本发明进行各种修改和变型而不脱离本发明的精神或范围。因此，只要这些修改和变型在所附权利要求及其等同物的范围之内，本发明意图覆盖这些修改和变型。
【权利要求】
1.一种有机发光显示装置，包括: 基板； 在基板上的第一电极； 在第一电极上的有机发光层； 在包括有机发光层的基板上的第二电极；和 面对所述基板的封装基板， 其中所述封装基板是由金属材料形成，并与第二电极电连接。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述封装基板包括: 由包括镁(Mg)的金属材料形成的基膜； 连接层，由导电性金属材料形成在基膜的第一表面上，以允许与所述第二电极电连接；和 形成在基膜的第二表面上的金属氧化物层，所述第二表面与基膜的第一表面相对。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述连接层是由选自银(Ag)、钛(Ti)、钨(W)和铁(Fe)中的任何一种与镁(Mg)的合金形成的。
4.根据权利要求2所述的装置，其中所述金属氧化物层是通过在基膜的第二表面上执行阳极化处理或等离子体处理而形成。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括在基板的非发光区中的辅助电极，其中第二电极与封装基板是通过使用辅助电极彼此电连接。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述辅助电极包括: 阻挡物，在基板的非发光区外周上、形成为围绕发光区的闭合回路；和 连接电极，设置在阻挡物上并与第二电极形成为一体。
7.—种制造有机发光显示装置的方法，包括: 在基板的预定区域上形成第一电极； 在第一电极上形成有机发光层； 在包括有机发光层的基板上形成第二电极；和 将金属材料的封装基板与所述基板结合，以使封装基板和第二电极彼此电连接。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括: 制造该封装基板， 其中制造封装基板的方法包括: 使用导电性金属材料，在由含有镁(Mg)的金属材料形成的基膜的第一表面上进行等离子体处理，形成连接层；和 在基膜的与第一表面相对的第二表面上执行阳极化处理或等离子体处理，形成金属氧化物层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电金属材料包括选自银(Ag)、钛(Ti)、钨(W)和铁(Fe)的至少其一。
10.根据权利要求7所述的方法，还包括: 在基板的非发光区上形成围绕基板的发光区的阻挡物；和 在阻挡物上提供连接电极，其中所述连接电极与第二电极形成为一体， 其中所述封装基板通过连接电极与第二电极电连接。
【文档编号】H01L51/52GK103855322SQ201310632520
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2013年12月2日 优先权日:2012年12月4日
【发明者】安炳喆, 李凤锦 申请人:乐金显示有限公司