半导体制程供气装置制造方法
【专利摘要】本实用新型系提供一种半导体制程供气装置，包括一腔体及一扩散喷嘴，腔体具有一半导体加工空间，半导体加工空间具有一气体填充入口及一气体排放出口，扩散喷嘴嵌设于气体填充入口，扩散喷嘴的一喷出口朝向对准半导体加工空间，其中扩散喷嘴为以自喷出口的轴心向外侧扩散的方式而喷出气体至腔体的半导体加工空间，以有效地自腔体赶出氧气，而可提升制造良率。
【专利说明】半导体制程供气装置
【技术领域】
[0001]本实用新型系关于一种半导体制程供气装置的设计，特别是关于一种用以排除氧气的半导体制程供气装置。
【背景技术】
[0002]半导体可作为集成电路所用的载体，其制造过程包含了许多种处理方式，包括感光剂涂布、曝光、显影、腐蚀、及渗透等，以制成具有多层线路的组件，并经由检测、封装，而制成实际可用的集成电路成品。
[0003]半导体的制造过程须经过反复进行的热处理，包括热氧化制程、热退火处理、Al热压法、热圆滑处理、冷却硬化等，以逐步制造为成品。在这些处理过程中，对于氧气反应敏感的半导体需要进行热退火处理，热退火处理时需将半导体与环境中的氧气彻底隔离，否则将会使半导体制造失败。
[0004]而为了避免半导体接触到氧气，习知的半导体制程通常加入其它填充气体以排出氧气，藉此欲使半导体于无氧环境中进行热处理。然而在习知的半导体制程中，并无法完全将氧气自制程环境去除，其原因在于制程环境中有填充气体无法构及的区域，使得氧气得以残留，并进一步导致氧气形成回流而接触到半导体，而导致热处理不当，影响到半导体的制造良率。
[0005]鉴于以上所述，如何在热处理过程中彻底将氧气排出以使半导体与氧气彻底隔离，系为一项重要的研究课题。
实用新型内容
[0006]本实用新型的主要目的是提供一种半导体制程供气装置，有效地利用其它填充气体将氧气排出，以改善习知技术的问题，达到预期制造效果。
[0007]本实用新型为解决习知技术的问题所采用的技术手段为一种半导体制程供气装置，用于对一半导体加工件供气，半导体制程供气装置包含一腔体及一扩散喷嘴。腔体具有一半导体加工空间，半导体加工空间具有一气体填充入口及一气体排放出口。扩散喷嘴嵌设于气体填充入口，扩散喷嘴的一喷出口朝向对准半导体加工空间，其中扩散喷嘴为以自喷出口的轴心向外侧扩散的方式而喷出气体至腔体的半导体加工空间。
[0008]在本实用新型的一实施例中，扩散喷嘴为一均流扩散喷嘴。
[0009]在本实用新型的一实施例中，喷出口呈椭圆状。
[0010]在本实用新型的一实施例中，还包括一支撑机台，腔体设置于支撑机台。
[0011]在本实用新型的一实施例中，支撑机台具有一出口通道，连通于气体排放出口。
[0012]在本实用新型的一实施例中，出口通道具有一主出口及一预留出口。
[0013]在本实用新型的一实施例中，主出口且/或预留出口的内壁面形成有一螺纹件，供一螺固件锁固。
[0014]在本实用新型的一实施例中，还包括一喷嘴设置座，设置于支撑机台。[0015]在本实用新型的一实施例中，扩散喷嘴为数个而并排设置。
[0016]在本实用新型的一实施例中，气体填充入口及气体排放出口分别位于腔体的相对两端。
[0017]经由本实用新型所采用的技术手段，藉由扩散喷嘴以自喷出口的轴心向外侧扩散的方式而喷出填充气体至腔体的半导体加工空间，使得半导体加工空间中的氧气可以彻底地被赶出，而可防止半导体加工空间中的半导体加工件接触到氧气，以避免半导体加工件的热处理制程失败。再者，藉由本实用新型的设置方式，可达到更佳的扩散均流效果。藉此而有效地使半导体加工 件隔离氧气，以提升制造良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1系显示依据本实用新型的一实施例的半导体制程供气装置的立体图。
[0019]图2系显示依据本实用新型的一实施例的半导体制程供气装置的立体分解图。
[0020]图3系显示依据本实用新型的一实施例的半导体制程供气装置的剖视图。
[0021]图4系显示依据本实用新型的一实施例的半导体制程供气装置的使用示意图。
[0022]图5系显示依据本实用新型的一实施例的半导体制程供气装置的供气状态图。
[0023]图6系显示依据本实用新型的另一实施例的半导体制程供气装置的喷出口的示意图。
[0024]符号说明
[0025]1OO、1OOa 半导体制程供气装置
[0026]1腔体
[0027]11气体填充入口
[0028]12气体排放出口
[0029]2、2a扩散喷嘴
[0030]21、21a喷出口
[0031]3支撑机台
[0032]31第一支撑台
[0033]311设置开口
[0034]32第二支撑台
[0035]321设置开口
[0036]322出口通道
[0037]3221主出口
[0038]3222预留出口
[0039]4喷嘴设置座
[0040]41设置孔
[0041]51气体输入管
[0042]52气体排出管
[0043]A填充气体
[0044]C轴心
[0045]SI半导体加工空间【具体实施方式】
[0046]本实用新型所采用的具体实施例，将藉由以下的实施例及附呈图式作进一步的说明。
[0047]请同时参阅图1至图2所示，依据本实用新型的一实施例的一半导体制程供气装置100包含一腔体I及一扩散喷嘴2。
[0048]腔体I具有一半导体加工空间SI，半导体加工空间SI具有一气体填充入口 11及一气体排放出口 12，如图2所示。
[0049]在本实施例中，半导体制程供气装置100包括有一支撑机台3，支撑机台3具有一第一支撑台31及一第二支撑台32。第一支撑台31及一第二支撑台32分别具有一设置开口 311、321。在本实施例中，气体填充入口 11及气体排放出口 12分别位于腔体I的相对两端。而藉由腔体I两端分别卡置于设置开口 311、321的方式，使得腔体I设置于支撑机台3而受支撑机台3支撑，并且使得气体填充入口 11及气体排放出口 12分别对准于设置开口 311、321。其中，支撑机台3的第二支撑台32具有一出口通道322，连通于气体排放出口 12，如图2、图3所示。
[0050]在本实施例中，半导体制程供气装置100包括有一喷嘴设置座4，设置于第一支撑台31且对应于设置开口 311与气体填充入口 11。喷嘴设置座4具有数个并排设置的设置孔41。扩散喷嘴2为数个而分别并排设置于设置孔41，藉此而对应嵌设于气体填充入口11，使扩散喷嘴2的一喷出口 21朝向对准半导体加工空间SI，如图1、图2所示。
[0051]如图4所不,在实际应用时,扩散喷嘴2连接有一气体输入管51以输入一填充气体A，出口通道322则连接有一气体排出管52。扩散喷嘴2为以自喷出口 21喷出填充气体A，使填充气体A为经由气体填充入口 11至半导体加工空间SI中，用于对一半导体加工件(图未示)供气，再经由气体排放出口 12至出口通道322而离开半导体加工空间SI。在本实施例中，填充气体A可为惰性气体或其它气体，藉此可以将半导体加工空间SI中的氧气赶出，以避免半导体加工空间SI中的半导体加工件接触到氧气，并在此同时对于半导体加工件进行热处理。
[0052]如图5所示，为了更为彻底地赶出半导体加工空间SI中的氧气，更详细来说，扩散喷嘴2为以自喷出口的轴心C向外侧扩散的方式而喷出填充气体A至腔体I的半导体加工空间SI，而更有效地使填充气体A抵达半导体加工空间SI中的任何区域。并且，在本实施例中，扩散喷嘴2为一均流扩散喷嘴，而可使填充气体A均匀地填充于半导体加工空间SI中。
[0053]返回参阅图3及图4所示，在本实施例中，支撑机台3的出口通道322具有一主出口 3221及一预留出口 3222。再者，预留出口 3222的内壁面形成有一螺纹件，供一螺固件(图未示)锁固。藉此预留出口 3222可为选择性地开放，在主出口 3221阻塞时或需要加快气体排出速率时可提供良好的作用。当然，本实用新型不限于此，主出口 3221的内壁面也可形成有一螺纹件，供一螺固件锁固，以提供使用者选择气体为自主出口 3221或预留出口3222的其中之一或两者排出，或是将主出口 3221或预留出口 3222皆以螺固件锁固封闭。
[0054]请参阅如图6所示，本实施例的半导体制程供气装置IOOa与半导体制程供气装置100的结构大致相同，其差别在于，在本实施例中，扩散喷嘴2a的喷出口 21a呈椭圆状，而可达到更佳的扩散均流效果。
[0055]以上的叙述仅为本实用新型的较佳实施例说明，凡精于此项技艺者当可依据上述的说明而作其它种种的改良，然而这些改变仍属于本实用新型的创作精神及所界定的专利范围中。
【权利要求】
1.一种半导体制程供气装置，系用于对一半导体加工件供气，其特征在于，该半导体制程供气装置包含: 一腔体，具有一半导体加工空间，该半导体加工空间具有一气体填充入口及一气体排放出口；以及 一扩散喷嘴，嵌设于该气体填充入口，该扩散喷嘴的一喷出口系朝向对准该半导体加工空间。
2.如权利要求1所述的半导体制程供气装置，其特征在于，该扩散喷嘴系为一均流扩散喷嘴。
3.如权利要求1所述的半导体制程供气装置，其特征在于，该喷出口系呈椭圆状。
4.如权利要求1所述的半导体制程供气装置，其特征在于，还包括一支撑机台，该腔体设置于该支撑机台。
5.如权利要求4所述的半导体制程供气装置，其特征在于，该支撑机台具有一出口通道，连通于该气体排放出口。
6.如权利要求5所述的半导体制程供气装置，其特征在于，该出口信道具有一主出口及一预留出口。
7.如权利要求6所述的半导体制程供气装置，其特征在于，该主出口且/或该预留出口的内壁面形成有一螺纹件，供一螺固件锁固。
8.如权利要求4所述的半导体制程供气装置，其特征在于，还包括一喷嘴设置座，设置于该支撑机台。
9.如权利要求1所述的半导体制程供气装置，其特征在于，该扩散喷嘴系为数个而并排设置。
10.如权利要求1所述的半导体制程供气装置，其特征在于，该气体填充入口及该气体排放出口系分别位于该腔体的相对两端。
【文档编号】H01L21/324GK203573955SQ201320737269
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2013年11月20日 优先权日:2013年11月13日
【发明者】林武郎, 郑煌玉, 方建利, 陈世敏, 刘又玮, 范钊杰 申请人:技鼎股份有限公司