用于制造碳化硅半导体器件的方法
【专利摘要】在碳化硅衬底(100)中形成具有侧壁(SW)和底部(BT)的沟槽(TR)。形成沟槽绝缘膜(201A)以覆盖所述底部(BT)和所述侧壁(SW)。形成硅膜(201S)以填充所述沟槽，在所述硅膜(201S)和所述沟槽之间设有所述沟槽绝缘膜(201A)。对所述硅膜(201S)进行腐蚀以保留设置在所述底部(BT)上的一部分所述硅膜(201S)，在所述一部分所述硅膜(201S)和所述底部(BT)之间设有所述沟槽绝缘膜(201A)。将所述沟槽绝缘膜(201A)从所述侧壁(SW)移除。通过将所述硅膜(201S)氧化，形成底部绝缘膜。在所述侧壁(SW)上形成侧壁绝缘膜。
【专利说明】用于制造碳化硅半导体器件的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于制造碳化硅半导体器件的方法，特别地，涉及用于制造具有沟槽的碳化硅半导体器件的方法。
【背景技术】
[0002]日本专利
【发明者】斋藤雄, 增田健良, 林秀树 申请人:住友电气工业株式会社