半导体装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括金属垫与第一特定金属层布线。金属垫位于半导体装置的第一金属层之上。第一特定金属层布线形成于半导体装置的第二金属层之上，并直接位于金属垫之下。本发明所提供的半导体装置，可有效缩小半导体装置的布线区域尺寸。
【专利说明】半导体装置
【技术领域】
[0001]本发明有关于半导体装置，特别是有关于金属层布线直接形成于金属垫下的半导体装置。
【背景技术】
[0002]请见图1。图1为现有技术中的半导体装置100的简化上视图。其中半导体装置100可为芯片。如图1所示，半导体装置100包含金属垫102、电源线路104、与接地线路106。然而电源线路104与接地线路106无法形成于金属垫102下，因此半导体装置100需大布线区域以形成电源线路104与接地线路106。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明提出一种半导体装置。
[0004]依据本发明的实施方式，提供一种半导体装置。该半导体装置包括:金属垫，位于该半导体装置的第一金属层之上；以及第一特定金属层布线，形成于该半导体装置的第二金属层之上，且直接位于该金属垫之下。
[0005]本发明所提出的半导体装置，可有效缩小半导体装置的布线区域尺寸。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1为现有技术中的半导体装置的简化上视图。
[0007]图2为根据本发明第一实施方式的半导体装置的简化剖面图。
[0008]图3为图2中半导体装置的简化上视图。
[0009]图4为根据本发明第二实施方式的半导体装置的简化剖面图。
[0010]图5为图4中半导体装置的简化上视图。
【具体实施方式】
[0011]在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域技术人员应当理解，电子设备制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求书当中所提及的“包含”为开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。
[0012]请见图2与图3。图2为根据本发明第一实施方式的半导体装置200的简化剖面图。图3为图2中半导体装置200的简化上视图。其中半导体装置200可为芯片。如图2与图3所示，半导体装置200包含金属垫202、第一特定金属层布线204、与第二特定金属层布线205。金属垫202位于半导体装置200的第一金属层206之上，其中金属垫202的厚度小于20，000A (如2微米)，且金属垫202的材质可为铝。第一特定金属层布线204形成于半导体装置200的第二金属层208之上，并直接位于金属垫202之下。此外，请注意，上述实施方式仅用于解释说明本发明，而并非用于限制本发明。
[0013]第一特定金属层布线204具有规则图案，其中规则图案的金属密度为30%至70%。请注意，若规则图案的金属密度高于70%，则金属垫202之下的第一特定金属层布线204将失效。若规则图案的金属密度低于30%，则难以设计金属垫202之下的第一特定金属层布线204。如图3所示，第一特定金属层布线204包含四个第一电源线路210、四个第一接地线路212、以及未使用金属线路214，其中氧化区216位于第一电源线路210、第一接地线路212、与未使用金属线路214之间。氧化区216中的每一个的宽度可大于2微米。此外,未使用金属线路214可作为坚固接合(robust bondability)的虚置图案(dummy pattern)。第二特定金属层布线205形成于半导体装置200的第二金属层208之上，并连接至第一特定金属层布线204。第二特定金属层布线205不直接位于金属垫202之下。第二特定金属层布线205包含第二电源线路218与第二接地线路220。请注意，第一金属层206与第二金属层208为半导体装置200的相邻金属层，且氧化层209位于第一金属层206与第二金属层208之间。请注意，上述实施方式仅用于解释说明本发明，而并非用于限制本发明。举例来说，第一电源线路210、第一接地线路212、与未使用金属线路214的数目可依据不同设计需求而改变。
[0014]上述内容简要总结如下:与现有技术相比较，由于本发明的半导体装置的金属层布线可直接形成于金属垫之下，可有效缩小半导体装置的布线区域尺寸。
[0015]请见图4与图5。图4为根据本发明第二实施方式的半导体装置的简化剖面图。图5为图4中半导体装置的简化上视图。其中半导体装置300可为芯片。如图4与图5所示，半导体装置300包括金属垫302、第一特定金属层布线304、与第二特定金属层布线305。金属垫302位于半导体装置300的第一金属层306之上，其中金属垫302的厚度小于20,000A (如2微米)，且金属垫302的材质可为铝。第一特定金属层布线304形成于半导体装置300的第二金属层308之上，并直接位于金属垫302之下。此外，请注意上述实施方式仅用以说明而非局限本发明。
[0016]第一特定金属层布线304具有规则图案，其中规则图案的金属密度为30%至70%。请注意，若规则图案的金属密度高于70%，则金属垫302下面的第一特定金属层布线304将失效。若规则图案的金属密度低于30%，则难以设计金属垫302之下的第一特定金属层布线304。如图5所不,第一特定金属层布线304包含四个第一输入/输出布线线路310以及五个未使用金属线路314，其中氧化区316位于第一输入/输出布线线路310与五个未使用金属线路314之间。氧化区316中的每一个的宽度可大于3微米。此外,未使用金属线路314可作为坚固接合的虚置图案。第二特定金属层布线305形成于半导体装置300的第二金属层308之上，并连接至第一特定金属层布线304。第二特定金属层布线305不直接位于金属垫302之下。第二特定金属层布线305包含四个第二输入/输出布线线路318。第二输入/输出布线线路318可具有至少一个插塞，用于连接至其他金属层中的其他金属线路。请注意第一金属层306与第二金属层308为半导体装置300的相邻金属层，且氧化层309位于第一金属层306与第二金属层308之间。此外，请注意，上述实施方式仅用于解释说明本发明，而并非用于限制本发明。举例来说，第一输入/输出布线线路310与未使用金属线路314的数目可依据不同设计需求改变。
[0017]上述内容简要总结如下:与现有技术相比较，由于本发明的半导体装置的金属层布线可直接形成于金属垫之下，可有效缩小半导体装置的布线区域尺寸。
[0018]虽然本发明已以较佳实施方式揭露如上，然而必须了解其并非用以限定本发明。相反，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以权利要求书所界定的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括: 金属垫，位于该半导体装置的第一金属层之上；以及 第一特定金属层布线，形成于该半导体装置的第二金属层之上，且直接位于该金属垫之下。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该金属垫的厚度小于20,000A。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该金属垫的材质为铝。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一特定金属层布线具有规则图案。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该规则图案的金属密度为30%至70%。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一特定金属层布线包括多个第一电源线路。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括多个氧化区位于该多个第一电源线路之间，且该多个氧化区中的每一个的宽度大于2微米。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一特定金属层布线包括多个第一接地线路。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括多个氧化区位于该多个第一接地线路之间，且该多个氧化区中的每一个的宽度大于2微米。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一特定金属层布线包括多个第一输入/输出布线线路。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括多个氧化区位于该多个第一输入/输出布线线路之间，且该多个氧化区中的每一个的宽度大于2微米。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括: 第二特定金属层布线，形成于该半导体装置的该第二金属层之上，并连接至该第一特定金属层布线，其中该第二特定金属层布线不直接位于该金属垫下。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该第二特定金属层布线包括第二电源线路。
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该第二特定金属层布线包括第二接地线路。
15.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该第二特定金属层布线包括多个第二输入/输出布线线路。
16.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置为芯片。
17.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属层与该第二金属层为该半导体装置中相邻的金属层。
【文档编号】H01L23/528GK103972215SQ201410045162
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年2月7日 优先权日:2013年2月1日
【发明者】陈俊良, 张添昌, 林建志 申请人:联发科技股份有限公司