真空处理装置及其运转方法
【专利摘要】本发明提供一种真空处理装置及其运转方法，在经真空搬运中间室而连结了多个真空搬运室的真空处理装置中，使工作效率提高。为此，该真空处理装置具有经真空搬运中间室而连结的多个真空搬运室以及与该真空搬运室分别连结的多个真空处理容器，在该真空处理装置的运转方法中，经真空搬运中间室使多个真空搬运室连通，向多个真空搬运室之中的与锁止室连结的真空搬运室供给吹扫气体，对远离锁止室的真空搬运室的搬运室内进行减压排气，使多个真空搬运室的所有的搬运室内压力高于真空处理容器的容器内压力。
【专利说明】真空处理装置及其运转方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种真空处理装置及其运转方法，尤其涉及一种连结多个真空搬运室而构成的真空处理装置以及适于该真空处理装置的运转方法。
【背景技术】
[0002]作为现有的真空处理装置，本 申请人:在专利文献I公开了一种真空处理装置，如专利文献I所述，其具备:在真空搬运室内搬运晶片的第一以及第二真空搬运室；与这样的真空搬运室分别连结的第一以及第二真空处理容器；在第一以及第二真空搬运室之间连结且可在内部收纳晶片的真空搬运中间室；连结于第一真空搬运室且内部连通的锁止室；以及配置在第一以及第二真空搬运室与第一真空处理容器、第二真空处理容器、真空搬运中间室容器以及锁止室的各自之间且气密地开闭的多个阀，在将第一真空处理容器的处理容器与第一真空搬运室的真空搬运室之间或第二真空处理容器的处理容器与第二真空搬运室的真空搬运室之间的阀开放之前，将在第一以及第二真空搬运室之间配置的阀的任一个闭塞，由此得到可靠性高的真空处理装置。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2012-138542号公报
[0006]在上述的现有技术中，当在各处理容器或者搬运室内处理或者由真空搬运机器人搬运晶片的情况下，处理容器或者搬运晶片的搬运室在与其他的处理容器或者搬运室之间配置的阀的作用下，与其他的处理容器或者搬运室被完全分离而独立，且能够进行压力控制。在现有技术中，通过形成这样的结构，能够防止环境气体从处理容器流出而导致装置或者晶片的二次污染。
[0007]但是，在上述的现有技术中，对下述这样的点考虑不足而存在问题。即，经中间的容器连结多个真空搬运室，在晶片搬运期间，通过配置于中间的容器的阀将各个搬运室分离，在进行控制使得多个处理容器不同时连通的情况下，没有充分考虑在真空搬运室与中间的容器之间配置的阀的开闭时间所引起的晶片的搬运待机时间所带来的装置整体的生产率下降，有损真空处理装置的每设置面积的生产量。
【发明内容】
[0008]因此，本发明的目的在于，提供一种每设置面积的生产率高的半导体制造装置的运转方法。
[0009]本发明的真空处理装置，其特征在于，具备:经真空搬运中间室而连结的多个真空搬运室；以及与该真空搬运室分别连结的多个真空处理容器，
[0010]经所述真空搬运中间室使所述多个真空搬运室连通，向所述多个真空搬运室之中的与锁止室连结的真空搬运室供给吹扫气体，使离所述锁止室最远的真空搬运室的搬运室内减压排气，构成用于将向与所述锁止室连结的真空搬运室导入的吹扫气体排气的一定路径。
[0011]进而，本发明的真空处理装置的特征在于，相比于所述真空搬运室的减压压力，所述多个真空处理室的处理室内压力更低。
[0012]另外，本发明的真空处理装置的特征在于，具备:与大气搬运部连结而配置的锁止室；与该锁止室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第一真空搬运容器；向该第一真空搬运容器供给惰性气体的第一惰性气体供给装置；与所述第一真空搬运容器连结的第一真空排气装置；与所述第一真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第一处理容器；与所述第一真空搬运容器连结而配置的真空搬运中间室；与该真空搬运中间室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第二真空搬运容器；向该第二真空搬运容器供给惰性气体的第二惰性气体供给装置；与所述第二真空搬运容器连结的第二真空排气装置；以及与所述第二真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第二处理容器，
[0013]其中，在打开与所述真空搬运中间室相连的闸阀而将所述第一以及第二真空搬运容器和所述真空搬运中间室连通的状态下，停止从所述第二惰性气体供给装置供给气体，而从所述第一惰性气体供给装置向所述第一真空搬运容器供给惰性气体，停止基于所述第一真空排气装置的真空排气，由所述第二真空排气装置对所述第二真空搬运容器内进行减压排气。
[0014]本发明的真空处理装置的运转方法的特征在于，该真空处理装置具有:经真空搬运中间室而连结的多个真空搬运室；以及与该真空搬运室分别连结的多个真空处理室，经所述真空搬运中间室使所述多个真空搬运室连通，向所述多个真空搬运室之中的与锁止室连结的真空搬运室供给吹扫气体，对远离所述锁止室的真空搬运室的搬运室内进行减压排气。
[0015]进而，本发明的真空处理装置的运转方法的特征在于，相比于所述真空搬运室的减压压力，所述多个真空处理室的处理室内压力更低。
[0016]另外，本发明的真空处理装置的运转方法的特征在于，该真空处理装置具备:与大气搬运部连结而配置的锁止室；与该锁止室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第一真空搬运容器；向该第一真空搬运容器供给惰性气体的第一惰性气体供给装置；与所述第一真空搬运容器连结的第一真空排气装置；与所述第一真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第一处理容器；与所述第一真空搬运容器连结而配置的真空搬运中间室；与该真空搬运中间室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第二真空搬运容器；向该第二真空搬运容器供给惰性气体的第二惰性气体供给装置；与所述第二真空搬运容器连结的第二真空排气装置；以及与所述第二真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第二处理容器，
[0017]在使用所述第一以及第二处理容器进行试料的处理时，在打开与所述真空搬运中间室相连的闸阀而连通了所述第一以及第二真空搬运容器和所述真空搬运中间室的状态下，停止从所述第二惰性气体供给装置供给气体，而从所述第一惰性气体供给装置向所述第一真空搬运容器供给惰性气体，停止基于所述第一真空排气装置的真空排气，通过所述第二真空排气装置对所述第二真空搬运容器内进行减压排气。
[0018]发明效果
[0019]根据本发明的真空处理装置及其运转方法，通过以开放状态维持真空搬运中间室的闸阀，从而各真空搬运室所具备的真空搬运机器人不等待闸阀的开闭动作就能够迅速地向真空搬运中间室进行晶片的搬入/搬出，能够实现每单位时间的晶片的处理数的提高。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1是表示本发明的一实施例的真空处理装置的俯视图。
[0021]图2是图1的真空处理装置的A-A纵剖面图。
[0022]图3是图1的真空处理装置的另一实施例的A-A纵剖面图。
【具体实施方式】
[0023]以下，结合附图详细说明本发明的真空处理装置及其运转方法的实施例。
[0024]实施例
[0025]图1是说明本发明的实施例的真空处理装置100的整体结构的概略的俯视图。
[0026]图1所示的本发明的实施方式的具备多个真空处理容器103a~103e的真空处理装置100大体上由大气侧区域101与真空侧区域102构成。大气侧区域101是在大气压下对作为被处理物的半导体晶片等基板状的试料进行搬运、收纳定位等的部分，真空侧区域102是在从大气压减压了的压力下搬运晶片等基板状的试料，并在预先确定的真空处理容器内(103a~103e的至少一个)进行处理的区域。而且，在真空侧区域102的进行前述的搬运或处理的真空侧区域102与大气侧区域101之间配置有区划部分(锁止室105)，该区划部分(锁止室105)连结真空侧区域102与大气侧区域101而配置，并在将试料收容于内部的状态下将其内部的压力减压到真空压力、或将其内部的压力升压到大气压。
[0027]大气侧区域101具有大致长方体形状的框体106，框体106在内部具备大气侧搬运机器人109，在该框体106的前表面侧(图1的下侧)安装有多个处置盒117，多个处置盒117收纳有处理用或清洁用的被处理对象的半导体晶片等基板状的试料(以下，称为晶片)，多个处置盒117被载置在各个处置盒台107上面而配备。
[0028]真空侧区域102具备一个或多个锁止室105，其配置在第一真空搬运室104以及第二真空搬运室110与大气侧区域101之间，并在内部具有在大气侧和真空侧之间进行互换的晶片的状态下，使压力在大气压与真空压力之间进行互换。该锁止室105是可将内部的空间调节成真空压力或大气压的压力的真空容器，且配置有朝向连结的区划使晶片通过内部而搬运晶片的通路和对该通路进行开放、闭塞而能够气密地密封的闸阀1201、120h，并将大气侧与真空侧之间分割成气密。另外，在锁止室105内部的空间具备可上下隔开间隙而收纳并保持多个晶片的收纳部(详细情况未图示)，在收纳了这些晶片的状态下由闸阀120?闭塞，从而相对于大气成为气密。
[0029]第一真空搬运室104、第二真空搬运室110是包括各自平面形状呈大致矩形的真空容器在内的单元，它们是具有实质上可视为相同的程度的结构上的差异的两个单元。第一真空搬运室104、第二真空搬运室110具备吹扫线124，通过接收未图示的控制部的指令，在对惰性气体等吹扫气体进行流量控制的同时将其导入第一真空搬运室104内，由此，能够向其他的真空处理容器103a~103e、真空搬运中间室111调节成相对低的压力或相同压力、或者比其相对高的压力。
[0030]真空搬运中间室111是内部能够减压到比其他的真空处理容器相对高的压力的真空容器，其将第一以及第二真空搬运室104、110相互连结，且连通内部的室。在各真空搬运室104、110之间配置有闸阀120f、120g，该闸阀120f、120g对连通内部的室并在内侧搬运晶片的通路进行开放、遮断而分割，通过所述闸阀120f、120g闭塞，真空搬运中间室111与第一真空搬运室104之间以及真空搬运中间室111与第二真空搬运室110之间被气密密封。真空搬运中间室111未设置吹扫机构以及排气机构，是一种从一方的真空搬运室向另一方的真空搬运室搬运晶片时的、仅作为晶片的路径起作用的室。
[0031]两个真空处理容器103a、103b构成为可连结于第一真空搬运室104。另一方面，三个真空处理容器103c、103d、103e构成为可连结于第二真空搬运室110。
[0032]另外，在真空搬运中间室111内部配置有未图示的收纳部，该收纳部将多个晶片在它们的面与面之间隔开间隔载置而保持为水平，当在第一真空搬运室104、第二真空搬运室110之间交接晶片时，具备暂时收纳的中继室的功能。S卩，由一方的真空搬运室内的真空搬运机器人108a或b中某一者搬入，载置于其收纳部的晶片被另一方的真空搬运室内的真空搬运机器人108b或a中另一者搬出，并被搬运向与该真空搬运室(104或110)连结的真空处理容器103a?103e或锁止室105。
[0033]在与第一真空搬运室104与第二真空搬运室110的面对的面相当的相互的侧壁之间，配置真空搬运中间室111而将两者连结。进而在另一面上，连接内部被减压并将晶片向其内部搬运并对晶片进行处理的真空处理容器103a?103e。在本实施例中，向真空处理容器103a?103e指示处理的机构，除了真空容器以外，有各个未图示的电场、磁场的产生机构，包括排气机构在内的单元整体，其中所述排气机构包括将容器内部的被减压的空间排气的真空泵，在该处理容器内部实施蚀刻处理、抛光处理或者其他的对半导体晶片实施的处理。另外，在各真空处理容器103a?103e上，连结有流通对应于实施的处理而供给的处理气体的未图示的管路。各真空处理容器103a?103e受到未图示的控制部进行的压力的控制，可减压到比第一真空搬运室104、第二真空搬运室110以及真空搬运中间室111的某一者的内部压力相对低的压力。
[0034]第一真空搬运室104以及第二真空搬运室110将其内部作为搬运室，在第一真空搬运室104，在其内部的空间的中央部分配置有真空搬运机器人108a，该真空搬运机器人108a在真空下在锁止室105与真空处理容器103a、103b或真空搬运中间室111的某一者之间搬运晶片。第二真空搬运室110也同样将真空搬运机器人108b配置在内部的中央部分，真空搬运机器人108b在与真空处理容器103c?e、真空搬运中间室111的某一者之间进行晶片的搬运。所述真空搬运机器人108a、108b的各自的构成相同。真空搬运机器人108a、108b在其臂上载置晶片，在第一真空搬运室104内配置于真空处理容器103a、103b的晶片台上与锁止室105或真空搬运中间室111的某一者之间，进行晶片的搬入、搬出。在所述真空处理容器103a?103e、锁止室105、真空搬运中间室111、第一真空搬运室104以及第二真空搬运室110的搬运室之间，分别设有通过能够气密地闭塞、开放的闸阀120a?120h连通的通路。
[0035]图2是图1中的真空处理装置100的A-A纵剖面图。如图2所示，第一真空搬运室104具备吹扫线124，第二真空搬运室110具备干燥泵121、阀122、排气配管123。需要说明的是，在真空搬运中间室111内，晶片125以上下偏置的位置关系被保持在未图示的晶片支承台上。
[0036]图3是与图1同样的真空处理装置100的另外实施例的A-A纵剖面图。如图3所示，在第一真空搬运室104具备干燥泵121a、阀122a、排气配管123a、吹扫线124a。同样，第二真空搬运室具备干燥泵121b、阀122b、排气配管123b、吹扫线124b。需要说明的是，在真空搬运中间室111内，晶片125以上下偏置的位置关系被保持在未图示的晶片支承台上。
[0037]第一真空搬运室104所具备的吹扫线124a被控制成在晶片处理中以及大气开放时都起作用。另外，由干燥泵121a、阀122a、排气配管123a构成的第一真空搬运室104的排气线除了以下情况以外都不使用，所述情况为:第二真空搬运室110朝大气开放，在真空搬运中间室111的两端配置的闸阀120f、120g的某一个闭阀。
[0038]第二真空搬运室110所具备的吹扫线124b被控制部控制成除了以下情况以外都不使用，所述情况为:第一真空搬运室104朝大气开放，在真空搬运中间室111的两端配置的闸阀120f、120g的某一个被闭塞。另外，由干燥泵121b、阀122b、排气配管123b构成的第二真空搬运室110的排气线被控制成，在晶片处理中以及大气开放时都起作用。需要说明的是，真空搬运中间室111不具备吹扫线以及排气线。
[0039]在以上那样的结构的真空处理装置中，在本实施例中，当在真空区域102内的搬运时间比在大气侧区域101内的搬运时间长的状态下，减少在经由这些构成区域的各真空搬运室、真空搬运中间室或各真空处理容器的搬运路径上搬运晶片的搬运时间，提高处理效率，同时不使在各真空处理容器103a?103e内处理晶片时使用的处理气体等环境气体向其他的真空处理容器内流入或者与在其他的真空处理容器内处理晶片时使用的处理气体等环境气体接触(以下，称为污染)，且可以提高装置的每单位时间的生产效率。另外，在实际的处理中，在各真空处理容器103a?e内对晶片进行处理的时间是与晶片的搬运时间相同的程度或比其短，搬运的时间对真空处理装置100整体的在单位时间内的晶片的处理片数带来更大的支配性的影响。
[0040]下面，以下说明这样的真空处理装置100中对晶片进行处理的动作。图2的实施例与图3的实施例的动作是类似的动作，因此进行共通说明。
[0041]收纳于在处置盒台107的某一个上面载置的处置盒内的多个晶片通过用于控制真空处理装置100动作的某种通信手段，从与真空处理装置100连接的未图示的控制部接收指令，或者从设置真空处理装置100的生产线的控制部等接收指令，开始其处理。从控制部接收了指令的大气侧搬运机器人109将处置盒内的特定的晶片从处置盒取出，将取出的晶片搬运到锁止室105。
[0042]在晶片被搬运并被储存的锁止室105，在收纳了被搬运的晶片的状态下，闸阀120h以及闸阀120i被闭塞而密封，并减压到既定的压力。之后，在锁止室105中面向第一真空搬运室104的一侧的闸阀120h开放，将锁止室105与第一真空搬运室104连通。
[0043]真空搬运机器人108a将其臂伸到锁止室105内，将锁止室105内的晶片收取到其臂前端部的晶片支承部上并向第一真空搬运室104内搬出。进而，第一真空搬运机器人108a将载置于其臂上的晶片沿着将该晶片从处置盒取出时由控制部预先指定的搬运路径，朝向与第一真空搬运室104连接的真空处理容器103a、103b中的某一个搬运，或者朝向与第二真空搬运室110连接的真空处理容器103c、103d、103e中的某一个搬运。
[0044]以下，以向真空处理容器103d搬运晶片的情况为例进行说明。晶片由配置于第一真空搬运室104的真空搬运机器人108a，将从锁止室105取出的晶片向真空搬运中间室111搬运，之后，通过配置于第二真空搬运室110的真空搬运机器人108b从真空搬运中间室111搬入到第二真空搬运室110，并被搬运向真空处理容器103d。
[0045]晶片在被搬运到真空处理容器103d后，将开闭真空处理容器103d和与之连接的第二真空搬运室I1之间的闸阀120d闭合，将该真空处理容器103d气密密封。之后，向该真空处理容器103d内导入处理用气体，将该真空处理容器103d内调节为适于处理的压力。向真空处理容器103d供给电场或磁场，由此激励处理用气体而在该真空处理容器103d内形成等离子体，对晶片实施处理。
[0046]开闭进行晶片处理的真空处理容器和与之连结的真空搬运室之间的闸阀从控制部接收指令，在如下状态下开放，即:包括该真空搬运室在内，能够开闭与之连结的空间的其他的闸阀被闭塞的状态。例如，控制部在划分第二真空搬运室110和与之连结的真空处理容器103d之间的闸阀120d开放前，对各个真空处理室的闸阀120c、120d指示闭塞或闭塞的确认动作，以不使该真空处理室103d与其他的真空处理室103c、103e连通，在得到确认后，将密封真空处理室103d的阀120d开阀。
[0047]当检测到真空处理室103d中的晶片处理结束时，在确认了其他真空处理室103c、103e与第二真空搬运室110之间的闸阀120c、120d闭阀且两者之间被气密密封之后，将开闭真空处理室103d和与之连接的第二真空搬运室110之间的闸阀120d开阀，真空搬运机器人108b将处理完的晶片向第二真空搬运室110的内部搬出，按照与该晶片被搬入处理室内的情形相反的搬运路径，被搬运向锁止室105。
[0048]当向锁止室105搬运晶片时，对连通锁止室105和第一真空搬运室104的搬运室的通路进行开闭的闸阀120h被闭阀，使锁止室105内的压力上升到大气压。之后，划分与框体106的内侧之间的闸阀120i开放，连通锁止室105的内部与框体106的内部，大气侧搬运机器人109从锁止室105向原来的处置盒搬运晶片，使其回到处置盒内的原来的位置。
[0049]以上，说明了在真空处理容器103d处理晶片时的晶片的路径以及各构成的动作，但在其他真空处理容器中进行处理时也是同样动作。需要说明的是，在与第一真空搬运室104连接的真空处理容器103a、103b进行晶片处理时，不言而喻，晶片不经由真空搬运中间室 111。
[0050]下面，说明在真空搬运中间室111的两端配置的闸阀120f、120g的开闭模式。
[0051]在真空搬运中间室111的两端配置的闸阀120f、120g除了下述情况以外，维持开状态。即，控制成:仅在维护等从吹扫线向一方的真空搬运室导入惰性气体而使真空搬运室内的压力回到大气状态的情况下，大气开放侧所具备的真空搬运中间室111的闸阀120f或者120g闭阀。例如，当第二真空搬运室110通过维护而朝大气开放的情况下，首先，第二真空搬运室110所具备的、与真空搬运中间室111连接的一侧的闸阀120g由未图示的控制部闭阀。在未图示的控制部确认了所述闸阀120g闭合之后，从第二真空搬运室110所具备的吹扫线124导入惰性气体。
[0052]由于在真空搬运中间室111没有吹扫.排气机构，所以不会将在真空搬运中间室111的两端配置的闸阀120f、120g两方同时闭合。这是因为，当两方闭合的情况下，真空搬运中间室111内的压力不可控。
[0053]S卩，假如控制成将在真空搬运中间室111的两端配置的闸阀120f、120g闭合的情况下，在向真空搬运中间室111内搬运晶片后，需要将在真空搬运中间室111的两端配置的闸阀120f、120g的某一个闭阀，打开一方的控制。
[0054]在此，在真空处理容器103a?e的某一个的压力是比第一真空搬运室104、第二真空搬运室110、真空搬运中间室111相对高或者均压的情况下，即在真空处理容器103a?103e的环境气体向各真空搬运室104、110流出，存在污染搬运中的晶片或其他真空处理容器103a?103e的可能性的情况下，在以下条件下，在真空搬运中间室111的两端配备的闸阀120f、120g需要进行以下控制。例如，在与第一真空搬运室104连接的真空处理容器103a和与第二真空搬运室110连接的真空处理容器103c中，在同时间带进行晶片的搬入/搬出这一条件下，以闭合真空搬运中间室111的两端所配备的闸阀120f、120g的某一个的方式进行控制，使得从所述各个真空处理容器103a、103c流出的环境气体不会向相互的真空处理容器内流入。
[0055]另一方面，在真空处理容器103a?103e的压力被控制成比其他真空搬运室以及真空搬运中间室111相对低的情况下，即在真空处理容器103a?103e的环境气体不会向各真空搬运室104或者110流出的情况下，在搬运晶片期间，真空搬运中间室111的两端所配备的闸阀120f、120g被控制成维持开状态。在保持该闸阀120f以及120g开放的状态下进行维持，由此，不闭塞真空搬运中间室111，所以能够由真空搬运机器人108a以及真空搬运机器人108b顺利进行晶片的搬运。以下，说明用于实现真空搬运中间室111的常时开放的真空处理容器103、第一真空搬运室104以及第二真空搬运室110、真空搬运中间室111内的相对的压力关系以及用于实现其的压力控制的方法。
[0056]真空处理容器103a?e由未图示的控制部控制，以成为比第一真空搬运室104以及第二真空搬运室110、真空搬运中间室111的压力相对低的压力。此时，在各真空处理容器103a?103e之间，可以相对地存在压力差。通过如此控制压力，防止真空处理容器103a?103e内的环境气体流出。
[0057]第一真空搬运室104所配备的吹扫线124被控制成在晶片处理中以及大气开放时都起作用。另外，由干燥泵121、阀122、排气配管123构成的排气线除了以下情形以外，都不使用，所述情形为第二真空搬运室110朝大气开放，在真空搬运中间室111的两端配置的闸阀120f、120g的某一个闭阀。
[0058]第二真空搬运室110也具备吹扫线124，但该吹扫线124被制御部控制成，除了以下情形以外，都不使用，即，所述情形为第一真空搬运室104朝向大气开放，在真空搬运中间室111的两端配置的闸阀120f、120g的某一个被闭塞的情形。另外，由干燥泵121、阀122、排气配管123构成的排气线被控制成在晶片处理中以及大气开放时都起作用。需要说明的是，真空搬运中间室111不具备吹扫线以及排气线。
[0059]在第一真空搬运室104以及第二真空搬运室110都保持真空状态、且晶片的搬运可以随时实施的状态下，从第一真空搬运室104所配备的吹扫线124放出的惰性气体如图2所示的箭头那样，向第一真空搬运室104排出，经真空搬运中间室111，向第二真空搬运室110移动，通过第二真空搬运室110所配备的排气配管123而被排气线排气。通过这样的控制，在第一真空搬运室104、第二真空搬运室110、真空搬运中间室111之中，第二真空搬运室110的压力相对变低，接着控制成真空搬运中间室111、第一真空搬运室104顺次压力升高。如上所述，真空处理容器103a?103e由比这更低的压力控制。
[0060]以下，结合图1以及图2对如下控制进行说明，S卩，在与装置连接的真空处理容器103a?103e与其他真空搬运室104、110以及真空搬运中间室111相比压力被控制得相对较低、且各真空处理容器103a?103e以及真空搬运室104、110、真空搬运中间室111内的压力如上所述被控制的条件下，防止各真空处理容器103a?103e内的环境气体向其他的真空搬运室内流出而造成的污染，且用于提高装置的生产率的压力以及真空搬运中间室111的两端所配备的闸阀120f、120g的控制。
[0061]图1所示的箭头表示图2的实施例中描述的那样控制压力的情况下的惰性气体的流动。真空处理容器103a?103e由于是压力比第一真空搬运室104以及第二真空搬运室110、真空搬运中间室111的压力相对低的压力，因此，不会朝向某一真空搬运室带出晶片处理所使用的对其他真空搬运室带来影响的处理气体或异物。
[0062]第一真空搬运室104除了搬运在与自身连接的真空处理容器103a以及103b处理的晶片，还搬运在第二真空搬运室110进行了处理的晶片，所以与第二真空搬运室110相t匕，容易滞留从晶片放出的外部气体或异物。但是，从第一真空搬运室104所配备的吹扫线124放出的惰性气体经真空搬运中间室111，向第二真空搬运室110移动，并被第二真空搬运室110所配备的排气线排气。因此，仅第一真空搬运室104不会被污染，S卩，分散晶片的外部气体或异物所导致的装置整体的污染，可以实现成品率的提高以及装置的停机时间的抑制，能够提高晶片的处理效率。另外，由于真空处理容器103a?d的压力被控制成比其他真空搬运室104、110以及真空搬运中间室111的压力相对低，因此，即便在向与第一真空搬运室104连接的真空处理容器103a、103b中的某一个和与第二真空搬运室110连接的真空处理容器103c?e之中的某一个的这两个真空处理容器在同时间带实施晶片的搬入/搬出的情况下，也没必要控制成将真空搬运中间室111的两端所配备的闸阀120f、120g闭阀。在真空搬运中间室111的两端所配置的闸阀120f、120g常时开放的情况以及并非如此的情况下，关于晶片被搬运到另一方的真空搬运室所需的时间，常时开放的情况下该时间更短，搬运效率提高。通过进行上述这样的控制，在经真空搬运中间室111，从某一真空搬运室向另一方真空搬运室搬运晶片时，能够削减真空搬运中间室111的两端所配备的闸阀120f、120g的开闭所花费的时间，可使单位时间内可处理的晶片的片数增加。
[0063]通过以上那样的控制，从第一真空搬运室104导入的吹扫气体具有始终被排气用的一定路径，且各真空搬运室内的压力被保持成比其他真空处理容器103a?103e的压力相对高，由此，能够防止各真空处理容器103a?103e的环境气体向其他的真空搬运室以及真空处理容器内流出而造成的污染，能够提高真空处理装置的每设置面积的晶片的处理能力。
[0064]符号说明
[0065]101大气侧区域
[0066]102真空侧区域
[0067]103a?103e真空处理容器
[0068]104第一真空搬运室
[0069]105锁止室
[0070]106 框体
[0071]107处置盒台
[0072]108a、108b真空搬运机器人
[0073]109大气搬运机器人
[0074]110第二真空搬运室
[0075]111真空搬运中间室
[0076]120a ?120e 闸阀
[0077]121、121a、121b 干燥泵
[0078]122、122a、122b 阀
[0079]123>123aU23b 排气配管
[0080]124、124a、124b 吹扫线
[0081]125 晶片
【权利要求】
1.一种真空处理装置，其特征在于，具备:经真空搬运中间室而连结的多个真空搬运室；以及与该真空搬运室分别连结的多个真空处理容器， 经所述真空搬运中间室使所述多个真空搬运室连通，向所述多个真空搬运室之中的与锁止室连结的真空搬运室供给吹扫气体，使离所述锁止室最远的真空搬运室的搬运室内减压排气，构成用于将向与所述锁止室连结的真空搬运室导入的吹扫气体排气的一定路径。
2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于， 相比于所述真空搬运室的减压压力，所述多个真空处理室的处理室内压力是更低的压力。
3.一种真空处理装置，其特征在于，具备: 与大气搬运部连结而配置的锁止室； 与该锁止室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第一真空搬运容器； 向该第一真空搬运容器供给惰性气体的第一惰性气体供给装置； 与所述第一真空搬运容器连结的第一真空排气装置； 与所述第一真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第一处理容器； 与所述第一真空搬运容器连结而配置的真空搬运中间室； 与该真空搬运中间室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第二真空搬运容器； 向该第二真空搬运容器供给惰性气体的第二惰性气体供给装置； 与所述第二真空搬运容器连结的第二真空排气装置；以及 与所述第二真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第二处理容器， 其中，在打开与所述真空搬运中间室相连的闸阀而将所述第一以及第二真空搬运容器和所述真空搬运中间室连通的状态下，停止从所述第二惰性气体供给装置供给气体，而从所述第一惰性气体供给装置向所述第一真空搬运容器供给惰性气体，停止基于所述第一真空排气装置的真空排气，由所述第二真空排气装置对所述第二真空搬运容器内进行减压排气。
4.一种真空处理装置的运转方法，其特征在于， 该真空处理装置具有:经真空搬运中间室而连结的多个真空搬运室；以及与该真空搬运室分别连结的多个真空处理室， 经所述真空搬运中间室使所述多个真空搬运室连通，向所述多个真空搬运室之中的与锁止室连结的真空搬运室供给吹扫气体，对远离所述锁止室的真空搬运室的搬运室内进行减压排气。
5.如权利要求4所述的真空处理装置的运转方法，其中， 相比于所述真空搬运室的减压压力，所述多个真空处理室的处理室内压力更低。
6.一种真空处理装置的运转方法，其特征在于，该真空处理装置具备: 与大气搬运部连结而配置的锁止室； 与该锁止室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第一真空搬运容器； 向该第一真空搬运容器供给惰性气体的第一惰性气体供给装置；与所述第一真空搬运容器连结的第一真空排气装置； 与所述第一真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第一处理容器； 与所述第一真空搬运容器连结而配置的真空搬运中间室； 与该真空搬运中间室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第二真空搬运容器； 向该第二真空搬运容器供给惰性气体的第二惰性气体供给装置； 与所述第二真空搬运容器连结的第二真空排气装置；以及 与所述第二真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第二处理容器， 在使用所述第一以及第二处理容器进行试料的处理时，在打开与所述真空搬运中间室相连的闸阀而连通了所述第一以及第二真空搬运容器和所述真空搬运中间室的状态下，停止从所述第二惰性气体供给装置供给气体，而从所述第一惰性气体供给装置向所述第一真空搬运容器供给惰性气体，停止基于所述第一真空排气装置的真空排气，通过所述第二真空排气装置对所述第二真空搬运容器内进行减压排气。
【文档编号】H01L21/677GK104051295SQ201410044844
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年2月7日 优先权日:2013年3月14日
【发明者】矶村僚一, 工藤丰, 下村隆浩 申请人:株式会社日立高新技术