发光器件和具有发光器件的发光器件封装的制作方法
【专利摘要】本发明公开了发光器件和具有发光器件的发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；电极，该电极被电气地连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层在第二导电半导体层下面；保护层，该保护层被布置在第二导电半导体层的下表面的周围；以及缓冲层，该缓冲层被布置在保护层的顶表面和下表面中的至少一个上。
【专利说明】发光器件和具有发光器件的发光器件封装
[0001]本申请是2011年2月9日提交的申请号为201110036118.6，发明名称为“发光器件和具有发光器件的发光器件封装”的专利申请的分案申请。
【技术领域】
[0002]本发明涉及发光器件和具有发光器件的发光器件封装。
【背景技术】
[0003]由于其物理和化学特性，II1-V族氮化物半导体已经被广泛地用作用于诸如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件的主要材料。通常，II1-V族氮化物半导体包括具有InxAlyGa1^N (O≤x≤1，0≤y≤1，以及O≤x+y≤I)的组成式的半导体材料。
[0004]LED是通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外线或者光来发送/接收信号的半导体器件。LED还被用作光源。
[0005]使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或者LD被用作用于诸如蜂窝电话的键区发光部分、电子标识牌、以及发光装置的各种产品的光源。
【发明内容】
[0006]实施例提供包括缓冲层以保护保护层的发光器件和具有发光器件的发光器件封装。
[0007]实施例提供包括在发光结构的沟道区域中具有与保护层的优异的粘附强度的包括氧化物的缓冲层的发光器件，和具有发光器件的发光器件封装。
[0008]根据实施例，发光器件包括:发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；电极，该电极被电气地连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层在第二导电半导体层下面；保护层，该保护层被布置在第二导电半导体层的下表面的周围；以及缓冲层，该缓冲层被布置在保护层的顶表面和下表面中的至少一个上。
[0009]根据实施例，发光器件包括:发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；电极，该电极与第一导电半导体层电气地连接；欧姆层，该欧姆层在第二导电半导体层下面；反射层，该反射层在欧姆层下面；保护层，该保护层被布置在第二导电半导体层的下表面的周围；以及第一缓冲层，该第一缓冲层接触保护层的下表面的外部。
[0010]根据实施例，发光器件封装包括:主体；主体上的多个引线电极；发光器件，该发光器件被提供在引线电极中的至少一个上并且电气地连接到引线电极；以及成型构件，该成型构件在发光器件上。该发光器件包括:发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；电极，该电极被电气地连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层在第二导电半导体层下面；保护层，该保护层被布置在第二导电半导体层的下表面的周围；以及缓冲层，该缓冲层被布置在保护层的下表面和顶表面中的至少一个上。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧截面图；
[0012]图2至图9是示出图1的发光器件的制造方法的视图；
[0013]图10是示出根据第二实施例的发光器件的侧截面图；
[0014]图11是示出根据第三实施例的发光器件的侧截面图；
[0015]图12和图13是示出根据第四实施例的发光器件的制造方法的视图；
[0016]图14是示出根据第五实施例的发光器件的侧截面图；
[0017]图15是示出根据实施例的发光器件封装的侧截面图；
[0018]图16是被提供有发光器件的显示设备的分解透视图；
[0019]图17是示出被提供有发光器件的显示设备的另一示例的示意性截面图；以及
[0020]图18是被提供有发光器件的照明单元的透视图。
【具体实施方式】
[0021]在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或“下”时，它能够“直接地”或“间接地”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。
[0022]为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
[0023]图1是示出根据第一实施例的发光器件100的侧截面图。
[0024]参考图1,发光器件100包括:发光结构135,该发光结构135包括多个化合物半导体层110、120、以及130 ;保护层140 ;欧姆层145 ;反射层150 ;缓冲层155 ;粘附层160 ;导电支撑构件170 ;以及绝缘层190。
[0025]发光器件100可以包括包含II1-V族元素的化合物半导体的发光二极管(LED)。II1-V族氮化物半导体包括具有InxAlyGa^N (O≤x≤1，0≤y≤1，并且O≤x+y≤I)的组成式的半导体材料。LED可以是发射蓝、绿、或者红光的可见光带的LED，或者UV LED,但是可以在实施例的技术范围内不同地实现LED。
[0026]发光结构包括第一导电半导体层110、有源层120、以及第二导电半导体层130。
[0027] 第一导电半导体层110可以包括从由是被掺杂有第一导电掺杂物的II1-V族元素的化合物半导体的 GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的一个。当第一导电半导体层110是N型半导体时，第一导电掺杂物包括诸如S1、Ge、Sn、Se、或者Te的N型掺杂物。第一导电半导体层110可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。为了光提取效率的目的，第一导电半导体层110在其顶表面上可以被提供有诸如粗糙图案112的光提取结构。为了电流扩散和光提取的目的，第一导电半导体层110在其顶表面上可以被提供有透明电极层或者绝缘层。[0028]电极115可以形成在第一导电半导体层110上。电极115可以包括具有与焊盘相连接的分支结构的电极图案，但是实施例不限于此。电极115在其顶表面上可以被提供有粗糙和/或图案，但是实施例不限于此。其上形成电极115的第一导电半导体层110的顶表面可以是平坦的，但是实施例不限于此。
[0029]电极115可以欧姆接触第一导电半导体层110的顶表面。电极115可以具有包括从由Cr、T1、Al、In、Ta、Pd、Co、N1、S1、Ge、Ag、Cu、Au、以及其混合物组成的组中选择的至少一个的多层结构或者单层结构。电极115可以基于与第一导电半导体层110的欧姆接触、金属层之间的粘附性能、反射性能、以及导电性而包括上述材料。
[0030]有源层120形成在第一导电半导体层110下面。有源层120可以具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构、以及量子点结构。有源层120可以具有包括由II1-V族元素的化合物半导体组成的阱层和势垒层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱层/GaN势垒层、InGaN阱层/AlGaN势垒层、或者InGaN阱层/InGaN势垒层的堆叠结构，但是实施例不限于此。
[0031]导电包覆层可以形成在有源层120上和/或下面。导电包覆层可以包括氮化物基半导体。势垒层可以具有高于阱层的带隙的带隙，并且导电包覆层可以具有高于势垒层的带隙的带隙。
[0032]第二导电半导体层130形成在有源层120下面。第二导电半导体层130包括掺杂有第二导电掺杂物的II1-V族元素的化合物半导体。例如，第二导电半导体层130可以包括从由 GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP,以及 AlGaInP组成的组中选择的至少一个。如果第二导电半导体层130是P型半导体层，那么第二导电半导体层130可以被制备为单层或者多层，但是实施例不限于此。
[0033]发光结构135可以进一步包括第二导电半导体层120下面的第三导电半导体层。第三导电半导体层可以具有与第二导电半导体层120的极性相反的极性。第一导电半导体层110可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层130可以包括N型半导体层。因此，发光结构135可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P_N_P结结构中的至少一个。
[0034]保护层140和电极层150形成在第二导电半导体层130或者第三导电半导体层下面。在下文中，为了进行解释，第二导电半导体层130将会用作发光结构135的最下层。
[0035]保护层140被设置在是芯片的外部的沟道区域105处，并且沟道区域105变成与芯片之间的边界相对应的芯片的外围部分。保护层140可以被定义为芯片的沟道层。保护层140的顶表面的外部被暴露到外面，或者可以由例如绝缘层190的其它材料覆盖。另夕卜，保护层140在其顶表面上可以被提供有粗糙和/或图案，并且保护层140和保护层140的粗糙和/或图案能够提高沟道区域中的光提取效率。粗糙或者图案形成在保护层140的顶表面的外部处，并且可以包括不同于保护层140的材料的材料。粗糙或者图案可以包括具有不同于保护层140的折射率的折射率的材料。粗糙或者图案可以包括II1-V族元素的化合物半导体。例如，粗糙或者图案可以包括从由GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP,以及AlGaInP组成的组中选择的一个。通过使用可以通过隔离蚀刻工艺形成的第二导电半导体可以形成粗糙或者图案。
[0036]保护层140的顶表面的内部以预定的宽度Dl接触第二导电半导体层130的下表面的外部。宽度Dl处于数微米(μ m)或者数十微米(μ m)内。宽度Dl可以取决于芯片尺寸而变化。
[0037]在第二导电半导体层130的下表面的外围部分处可以以回路形、环形、或者框架形形成保护层140。保护层140可以具有连续的图案形状或者不连续的图案形状。
[0038]保护层140可以包括诸如透射氧化物、透射氮化物、或者透射绝缘材料的材料并且具有低于II1-V族元素的化合物半导体的折射率的折射率。保护层140可以包括从由铟锡氧化物(ΙΤ0)、铟锌氧化物(ΙΖ0)、铟锌锡氧化物(ΙΖΤ0)、铟铝锌氧化物(ΙΑΖ0)、铟镓锌氧化物(IGZ0)、铟镓锡氧化物(IGT0)、铝锌氧化物(ΑΖ0)、锑锡氧化物(ΑΤ0)、镓锌氧化物(GZO)、SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Α1203、以及 TiO2 组成的组中选择的一个。
[0039]如果保护层140包括SiO2，那么保护层140可以具有大约2.3的折射率，并且ITO和GaN的折射率分别大约是2.1和大约2.4。因此，通过第二导电半导体层130入射到保护层140的光能够被输出到外部。在这样的情况下，能够提高光提取效率。
[0040]即使发光结构135的外壁被暴露给湿气，保护层140也能够防止发光结构135被短路，从而使LED 能够在高湿气条件下具有优秀的性能。如果保护层140包括透射材料，那么当执行激光划片工艺时，激光束通过保护层140从而没有从沟道区域105产生由激光束引起的金属颗粒，从而防止在发光结构135的侧壁处出现层间短路。
[0041]保护层140将发光结构135的每一层110、120、或者130的外壁与反射层150分隔开。保护层140可以具有大约0.02 μ m至大约5 μ m的厚度，并且厚度可以根据芯片尺寸而变化。
[0042]缓冲层155形成在保护层140下面。缓冲层155用作针对被施加到保护层140的外部冲击的缓冲。缓冲层155被布置在保护层140和粘附层160之间，使得能够提高保护层140的粘附强度。缓冲层155用作用于氧化物粘附的金属层或者氧化物缓冲层。缓冲层155可以被定义为芯片的沟道缓冲层。
[0043]缓冲层155形成在保护层140的下表面的整个部分或者保护层140的下表面的一部分处。缓冲层155的外部156可以延伸到保护层140的外横向表面。换言之，缓冲层155可以被设置在保护层140下面和保护层140的外横向表面处。缓冲层155可以具有大约1“111至1(^111的厚度。缓冲层155可以具有大约Inm至大约100 μ m的宽度。缓冲层155可以根据隔离蚀刻宽度而具有各种宽度。
[0044]缓冲层155可以提高沟道区域105中与保护层140有关的粘附强度。缓冲层155可以以单层结构或者多层结构包括从是具有优秀的与氧化物的粘附强度的金属材料的T1、N1、W、Pt、Pd、Cu、Mo、In、Sn、以及其合金组成的组中选择的一个。
[0045]缓冲层155的外部156可以完全地或者部分地覆盖保护层140的外部。缓冲层155的外部156可以延伸到第二导电半导体层130的下表面。
[0046]欧姆层145可以包括像电流阻挡层一样改变电阻的材料，并且可以以层或者图案的形式提供欧姆层145。欧姆层145形成在发光结构135的第二导电半导体层130和反射层150之间。欧姆层145可以包括从是导电氧化物基材料的ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZ0、IGT0、AZ0、AT0、以及GZO组成的组中选择的一个，并且可以通过上述材料进行欧姆接触。欧姆层145可以具有至少一个图案并且可以包括从由Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4、Al203、以及TiO2组成的组中选择的一个。反射层150可以在欧姆层145的图案之间的区域中接触第二导电半导体层130。
[0047]通过对第二导电半导体层130的下表面执行溅射方案(例如，射频磁电管溅射)或者沉积方案可以形成欧姆层145，但是实施例不限于此。欧姆层145的厚度可以根据电流阻挡层而变化，但是实施例不限于此。
[0048]欧姆层145接触第二导电半导体层130的下部以将通过反射层150施加的电流提供到第二导电半导体层130或者改变电流路径。
[0049]可以从第二导电半导体层130或者欧姆层145的下表面向内地提供反射层150。
[0050]反射层150可以被提供在欧姆层145下面，并且可以包括反射金属。反射层150可以包括晶种金属，并且晶种金属被用于镀工艺。因此，反射层150可以包括欧姆层、晶种层、或者反射层，但是实施例不限于此。
[0051]反射层150可以覆盖保护层140的下表面的一部分。保护层140的下表面的该部分可以对应于保护层140的宽度的大约80%或者更少。
[0052]反射层150可以以单层结构或者多层结构包括从由Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及其组合组成的组中选择的一个。反射层150可以以多重结构选择性地包括上述材料和诸如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖ0、以及ATO的导电氧化物材料。例如，反射层150可以具有IZO/N1、AZO/Ag、IZO/Ag/N1、或者AZO/Ag/Ni的堆叠结构。
[0053]粘附层160可以形成在反射层150和缓冲层155下面。粘附层160可以接触保护层140的下表面。接触面积可以根据反射层150或者缓冲层155而变化，但是实施例不限于此。粘附层160可以包括阻挡金属或者结合金属。例如，粘附层160可以包括从由T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag以及Ta组成的组中选择的至少一个。
[0054]粘附层160可以用作结合层，并且与被提供在粘附层160下面的导电支撑构件170结合。导电支撑构件170能够被镀在反射层150上或者在以片的形式附着到反射层150而没有使用粘附层160。
[0055]导电支撑构件170形成在粘附层160下面，并且用作基底衬底。导电支撑构件170可以包括铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钥(Mo)、铜钨(Cu-W)、或者诸如 S1、Ge、GaAs, Zn。、SiC,SiGe、或者GaN的载具晶圆。可以不形成导电支撑构件170，或者可以以导电片的形式制备导电支撑构件170。
[0056]发光结构135的外表面可以倾斜，并且绝缘层190可以形成在发光结构135的外表面上。绝缘层190的下端可以部分地接触保护层140的顶表面，或者可以完全地覆盖保护层140的顶表面。绝缘层190的上端194可以形成在第一导电半导体层110周围。因此，绝缘层190接触保护层140，并且形成在发光结构135周围，使得能够防止在发光结构135的外表面处出现层间短路。绝缘层190可以包括具有小于化合物半导体的折射率(GaN:大约2.4)的折射率的诸如Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4、Al2O3、或者TiO2的材料。
[0057]图2至图9是示出图1的发光器件的制造方法的截面图。
[0058]参考图2和图3，衬底101被加载到生长设备并且I1-VI族元素的化合物半导体以层或者图案的形式形成在衬底101上。
[0059]可以从由电子束蒸镀机、PVD (物理气相沉积)、CVD (化学气相沉积)、PLD (等离子体激光沉积)、复型热蒸镀机、溅射、以及MOCVD (金属有机化学气相沉积)组成的组选择生长设备。然而，实施例不限于此。[0060]衬底101 可以包括从由 Al203、GaN、SiC、Zn0、S1、GaP、InP、Ga203、导电材料以及GaAs组成的组中选择的一个。凹凸图案可以形成在衬底101的顶表面上。衬底101在其上被提供有包括I1-VI族元素的化合物半导体的层或者图案。例如，衬底101可以包括ZnO层(未不出)、缓冲层(未不出)、以及未掺杂的半导体层(未不出)中的至少一个。缓冲层和未掺杂的半导体层可以包括II1-V族元素的化合物半导体。缓冲层减少与衬底101的晶格常数差异，并且未掺杂的半导体层可以包括未掺杂的GaN基半导体层。
[0061]第一导电半导体层110形成在衬底101上，并且有源层120形成在第一导电半导体层110上。第二导电半导体层130形成在有源层120上。
[0062]第一导电半导体层110可以包括从由是被掺杂有第一导电掺杂物的II1-V族元素的化合物半导体的 GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的一个。当第一导电半导体层110是N型半导体时，第一导电掺杂物包括诸如S1、Ge、Sn、Se、或者Te的N型掺杂物。第一导电半导体层110可以具有单层或者多层，但是实施例不限于此。
[0063]有源层120形成在第一导电半导体层110上。有源层120可以具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构、或者量子点结构。有源层120可以具有包括由II1-V族元素的化合物半导体组成的阱层和势垒层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱层/GaN势垒层、InGaN阱层/AlGaN势垒层、InGaN阱层/InGaN势垒层的堆叠结构，但是实施例不限于此。
[0064]导电包覆层可以形成在有源层120上和/或下面。导电包覆层可以包括AlGaN基半导体。
[0065]第二导电半导体层130形成在有源层120上。第二导电半导体层130包括被掺杂有第二导电掺杂物的II1-V族化合物半导体。例如，第二导电半导体层130可以包括从由GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP、以及 AlGaInP 组成的组中选择的至少一个。如果第二导电半导体层130是P型半导体层，那么第二导电掺杂物包括诸如Mg或者Ze的P型掺杂物。第二导电半导体层130能够被制备为单层或者多层，但是实施例不限于此。
[0066]第一导电半导体层110、有源层120、以及第二导电半导体层130可以被定义为发光结构135。另外，第二导电半导体层130在其上被提供有第三导电半导体，例如，具有与第二导电类型的极性相反的极性的N型半导体。因此，发光结构135可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的至少一个。
[0067]参考图3和图4，保护层140形成在与具有尺寸Tl的单个芯片的边界相对应的沟道区域处。通过使用掩模图案在单个芯片区域周围形成保护层140。保护层140可以具有环形、带形、或者框架形状的连续图案或者不连续的图案。保护层140可以包括具有低于II1-V族元素的化合物半导体的折射率的折射率的材料(例如，氧化物、氮化物、或者绝缘材料)。保护层 140 可以包括从由 IT0、IZ0、IZT0、IAZ0、IGZ0、IGT0、AZ0、AT0、GZ0、Si02、Si0x、SiOxNy> Si3N4, A1203>以及TiO2组成的组中选择的一个。通过光刻工艺通过使用掩模对保护层140进行图案化和掩模化。使用上述材料通过溅射方案或者沉积方案可以形成保护层140。如果保护层140是导电氧化物，那么保护层140可以用作电流扩散层或者电流注入层。
[0068]在一个芯片尺寸Tl内，保护层140的下表面的内部可以以预定的宽度接触第二导电半导体层130的顶表面的外部。在这样的情况下，宽度处于数微米(μ m)(例如，I μ m或者更多)到数十微米(μ m)(例如，90 μ m或者更少)的范围内，并且可以根据芯片尺寸而变化。
[0069]开口部分141形成在两个相邻的芯片的保护层140之间的区域的中心处，S卩，形成在两个芯片之间的区域的中心处，并且沿着保护层140打开。通过开口部分141，化合物半导体层，例如，第二导电半导体层130或者第三导电半导体层可以被暴露。在下文中，根据实施例，第二导电半导体层130将会被描述为发光结构135的最高层。
[0070]参考图5和图6，缓冲层155形成在保护层140上。缓冲层155形成在两个芯片之间的沟道区域处以接触第二导电半导体层130的顶表面。
[0071]通过溅射方案、镀方案或者沉积方案通过使用掩模图案可以形成缓冲层155。在下文中，将会描述其中通过溅射方案或者沉积方案来形成缓冲层155的情况。缓冲层155形成在保护层140的外横向表面和顶表面上。
[0072]缓冲层155全部地或者部分地形成在保护层140的顶表面上，并且沿着保护层140的外横向表面可以形成与芯片边界相对应的缓冲层155的外部156。缓冲层155可以覆盖保护层140的外部。缓冲层155的外部156接触第二导电半导体层130，使得能够提高缓冲层155的粘附强度。
[0073]形成缓冲层155以提高与保护层140的粘附强度，并且包括从由是具有优秀的与氧化物的粘附强度的金属材料的T1、N1、W、Pt、Pd、Cu、Mo、In、Sn、以及其合金组成的组中选择的一个。
[0074]欧姆层145形成在第二导电半导体层130上。欧姆层145可以包括像电流阻挡层一样改变电阻的材料，并且可以被以层或者图案的形式提供。欧姆层145形成在发光结构135的第二导电半导体层130和反射层150之间。欧姆层145可以包括从由是导电氧化物基材料的ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖΟ、ΑΤ0、以及GZO组成的组中选择的一个，并且可以通过上述材料进行欧姆接触。欧姆层145可以具有至少一个图案并且可以包括从由SiO2, SiOx, SiOxNy> Si3N4, Α1203、以及TiO2组成的组中选择的一个。如果欧姆层145包括与保护层140的材料相同的材料，那么通过与保护层140的工艺相同的工艺可以形成欧姆层145，但是实施例不限于此。
[0075]通过溅射方案(例如，射频磁电管溅射)或者沉积方案可以在第二导电半导体层130的顶表面上形成欧姆层145，但是实施例不限于此。欧姆层145的厚度可以根据电流阻挡层而变化，但是实施例不限于此。
[0076]反射层150可以形成在欧姆层145上使得反射层150可以覆盖欧姆层145的整个区域。另外，反射层150可以延伸到保护层140或者缓冲层155的顶表面，但是实施例不限于此。
[0077]反射层150可以以单层结构或者多层结构包括从由Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及其组合组成的组中选择的一个。反射层150可以通过使用上述材料和诸如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖ0、以及ATO的导电氧化物材料具有多重结构。例如，反射层150可以具有IZO/N1、AZO/Ag、IZO/Ag/N1、或者AZO/Ag/Ni的堆叠结构。通过电子束(电子束)方案可以沉积反射层150或者通过溅射方案可以形成反射层150，但是实施例不限于此。如果反射层150包括与缓冲层155的材料相同的材料，那么通过与缓冲层155的工艺相同的工艺可以形成反射层150，但是实施例不限于此。
[0078]例如，反射层150可以具有第一粘附层/反射层/第二粘附层/晶种层的堆叠结构。第一和第二粘附层包括Ni，反射层包括Ag，并且晶种层包括Cu。第一粘附层可以具有数纳米或者更少的厚度，并且反射层可以具有数百纳米或更少的厚度。第二粘附层可以具有数十纳米的厚度，并且晶种层可以具有Iym或者更少的厚度，但是实施例不限于此。
[0079]反射层150可以完全地或者部分地覆盖保护层140。由于反射层150包括反射金属，因此反射层150可以用作电极。反射层150和反射层150上方的金属材料可以用作电极。
[0080]参考图6和图7，粘附层160形成在反射层150上。粘附层160可以包括阻挡金属或者结合金属。例如，粘附层160可以包括从由T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In, Bi, Cu, Ag以及Ta组成的组中选择的至少一个，但是实施例不限于此。
[0081]粘附层160用作结合层，并且可以与被提供在粘附层160上的导电支撑构件170结合。导电支撑构件170用作基底衬底，并且可以包括Cu、Ag、N1、Mo、Cu-W、或者诸如S1、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、或者GaN的载具晶圆。导电支撑构件170可以与粘附层160结合，涂覆在粘附层160上，或者以导电片的形式附着到粘附层160。根据实施例，导电支撑构件170可以在没有粘附层160的情况下形成在反射层150上。
[0082]参考图7和图8，导电支撑构件170被提供在基底处。在衬底101被提供在发光结构135上之后，衬底101被去除。
[0083]通过激光剥离(LLO)工艺可以去除衬底101。根据LLO工艺，具有预定的波长带的激光束被照射到衬底101上以分离衬底101。如果在衬底101和第一导电半导体层110之间存在另一半导体层(例如，缓冲层)或者空隙，那么可以通过使用湿法蚀刻剂去除衬底101。可以通过实施例的技术范围内的各种方案去除衬底101。尽管在上述实施例中已经描述去除衬底101的方案，但是当具有特定折射率的半导体层形成在衬底101和第一导电半导体层110之间时，能够从该半导体层分离衬底101。
[0084]另外，缓冲层155的一部分通过保护层140接触第一导电半导体层110，从而防止在LLO工艺中在保护层140和粘附层160之间或者在保护层140和第二导电半导体层130之间分层。
[0085]参考图8和图9，在隔离蚀刻工艺期间去除芯片之间的发光结构以形成沟道区域105。换言之，对芯片之间的边界区域执行隔离蚀刻工艺使得缓冲层155和保护层140的一部分可以被暴露在沟道区域105处。发光结构135的横向表面可以倾斜或者垂直地形成。
[0086]当保护层140是透明材料时，保护层140允许激光束在激光划片工艺或者隔离蚀刻工艺中从其通过，能够防止诸如粘附层160和导电支撑构件170的金属材料在激光束的照射方向上突出或者被损坏。
[0087]保护层140允许激光束从其通过以防止由于激光束导致在沟道区域105中出现金属碎片并且保护发光结构135的每层的外壁。
[0088]当执行隔离蚀刻工艺时，保护层140被支撑直到在沟道区域105的第二导电半导体层130已经被蚀刻之后缓冲层155被暴露。另外，因为通过缓冲层155增加保护层140、缓冲层155、以及粘附层160之间的粘附强度，所以能够防止保护层140分层。
[0089]然后，对第一导电半导体层110的顶表面执行蚀刻工艺以形成粗糙和/或图案112。粗糖和/或图案112可以提闻光提取效率。
[0090]电极115形成在第一导电半导体层110上，并且电极115可以包括具有预定的形状的分支图案和焊盘。
[0091]绝缘层190可以形成在发光结构135周围。绝缘层190形成在芯片周围。绝缘层190的下端形成在保护层140上，并且绝缘层190的上端194形成在第一导电半导体层110的顶表面周围。绝缘层190形成在发光结构135周围以防止半导体层110、120以及130之间的短路。绝缘层190和保护层140能够防止湿气渗透到芯片中。另外，绝缘层190可以延伸到保护层140或者缓冲层155的一部分。
[0092]绝缘层190可以包括具有低于化合物半导体的折射率(GaN具有大约2.4的折射率)的折射率的绝缘材料。例如，绝缘层190可以包括从由Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4、Al203、以及TiO2组成的组中选择的一个。
[0093]可以在分离芯片之前或者之后形成绝缘层190以及电极115，但是实施例不限于此。
[0094]另外，通过芯片边界形成单个芯片。在这样的情况下，通过切割工艺、激光工艺、或者断裂工艺可以形成单个芯片单元。在这样的情况下，因为缓冲层155被提供在两个相邻的芯片之间的边界线处，所以能够围绕缓冲层155将相邻的两个芯片彼此分开。在这样的情况下，缓冲层155能够减少施加在保护层140上的影响。换言之，缓冲层155能够防止保护层140被损坏。
[0095]缓冲层155可以具有大约Iym至大约10 μ m的厚度,并且可以具有大约Inm至大约100 μ m的宽度。缓冲层155的宽度可以根据隔离蚀刻宽度而变化。
[0096]图10是示出根据第二实施例的发光器件100A的侧截面图。在下文中，将会主要描述第二实施例与第一实施例之间的不同来描述第二实施例以避免解释的重复。
[0097]参考图10，发光器件100A具有其中反射层150A接触第二导电半导体层130的下部的结构。
[0098]反射层150可以包括欧姆层，并且以单层结构或者多层结构包括从由Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及其组合组成的组中选择的一个。通过使用上述金属材料和诸如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZ0、IGT0, ΑΖ0,以及ATO的导电氧化物材料可以以多层形成反射层150A。例如，反射层150A可以具有IZO/N1、AZO/Ag、IZO/Ag/N1、以及AZO/Ag/Ni的堆叠结构。
[0099]反射层150A可以形成为超出保护层140和缓冲层155。
[0100]电流阻挡层146形成在反射层150A和第二导电半导体层130之间，并且电流阻挡层146可以包括具有低于反射层150A的导电性的导电性的非金属材料。电流阻挡层146可以包括 ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖΟ、ATO、ZnO、SiO2, SiOx、SiOxNy、Si3N4' Al2O3'以及TiO2中的至少一个。在这样的情况下，当反射层150Α包括Ag时，电流阻挡层146可以包括ΙΤ0、Ζη0、或者SiO2，但是实施例不限于此。
[0101]电流阻挡层146可以包括与保护层140的材料相同的材料，或者包括不同于保护层140的材料的材料。
[0102]电流阻挡层146可以具有相对于发光结构135的厚度方向面对电极115的图案和位置，并且电流阻挡层146的大小可以根据电流扩散而变化。电流阻挡层146可以具有多边形图案或者圆形图案，并且被提供为面向电极115和/或焊盘的结构中，使得电流能够在芯片的整个区域上扩散。电流阻挡层146以电流阻挡层146相对于发光结构135的厚度方向部分地重叠电极115的方式形成在发光结构145下面。电流阻挡层146可以包括具有低于反射层150的导电性的导电性的材料。
[0103]图11是示出根据第三实施例的发光器件100B的侧截面图。在下文中，将会主要描述上述实施例与第三实施例之间的不同来描述第三实施例以避免解释的重复。
[0104]参考图11，发光器件100B具有其中欧姆层145A被设置在电流阻挡层146和第二导电半导体层130下面的结构。另外，欧姆层145A可以形成为超出保护层140和缓冲层155。
[0105]反射层150A可以形成在欧姆层145A下面。反射层150A可以全部地或者部分地覆盖欧姆层145A的下表面，但是实施例不限于此。
[0106]通过湿法蚀刻工艺可以移除被暴露在保护层140的外部之外的缓冲层155的部分。在这样的情况下，缓冲层155和保护层140的外部可以被提供在同一平面上或者形成为台阶结构。
[0107]图12和图13是示意性地示出根据第四实施例的发光器件的制造方法的侧截面图。在下文中，将会主要描述第一实施例与第四实施例之间的不同来描述第四实施例以避
免重复。
[0108]参考图12，第一导电半导体层110、有源层120、以及第二导电半导体层130被堆叠在衬底101上。
[0109]缓冲层155B形成在第二导电半导体层130上的沟道区域中。通过溅射方案通过使用掩模图案可以以形成环形、回路形状、或者框架形状形成缓冲层155B。缓冲层155B可以包括在第一实施例中公开的材料。缓冲层155B可以具有比保护层140的厚度小的厚度。缓冲层155B可以具有大约14 111至104 111的厚度。
[0110]保护层140形成在缓冲层155B上。保护层140以环形、回路形状、或者框架形状形成同时覆盖缓冲层155B的外部。保护层140在沟道区域中接触第二导电半导体层130的顶表面的外围部分。
[0111]缓冲层155B被设置在芯片之间的边界线上，并且被设置在保护层140和第二导电半导体层130之间。保护层140可以具有较薄的厚度。因此，缓冲层155B缓冲在LLO工艺、隔离蚀刻工艺、或者芯片断裂工艺中出现的冲击以防止冲击被转移到保护层140。因此，能够防止保护层140分层。
[0112]参考图13，在发光器件100C中，缓冲层155B保持在保护层140上或者可以通过湿法蚀刻工艺去除。当已经去除缓冲层155B时，保护层140可以具有台阶状顶表面。
[0113]图14是示出根据第五实施例的发光器件100D的侧截面图，在下文中，将会主要描述第五实施例和上述实施例之间的不同来描述第五实施例以避免解释的重复。
[0114]参考图14，在发光器件100D中，缓冲层155C被提供在保护层140的下表面和顶表面的外部上，使得防止保护层140由于沟道区域中的冲击而分层。
[0115]被提供在保护层140的顶表面和下表面上的缓冲层155C可以通过芯片边界线相互连接或者通过湿法蚀刻工艺去除。在这样的情况下，由于缓冲层155C使得能够更好地提高保护层140的粘附效率。[0116]图15是示出根据实施例的发光器件封装30的截面图。
[0117]参考图15，发光器件封装30包括:主体20 ;第一和第二引线电极31和32，该第一和第二引线电极31和32形成在主体20上；根据实施例的发光器件100，该发光器件100被安装在主体20中并且被电气地连接到第一和第二电极31和32 ;以及成型构件40，该成型构件40围绕发光器件100。
[0118]主体20可以包括:包括硅的导电衬底、包括PPA的合成树脂、陶瓷衬底、绝缘衬底、或者金属衬底(例如，MCPCB)。倾斜表面可以形成在发光器件100的周围。主体20可以具有贯通孔结构，但是实施例不限于此。
[0119]第一和第二引线电极31和32相互电气地绝缘，并且将电力提供给发光器件100。第一和第二引线电极31和32可以反射从发光器件100发射的光以增加光效率,并且可以将从发光器件100发射的热发散到外部。
[0120]发光器件100能够被安装在主体20上，或者第一引线电极31或第二引线电极32上。
[0121]发光器件100可以通过布线电气连接到第一引线电极31，并且可以通过贴片方案与第二引线电极32连接。
[0122]成型构件40可以保护发光器件100同时围绕发光器件100。另外，成型构件40可以包括荧光体以改变从发光器件100发射的光的波长。透镜可以被提供在成型构件40上，并且可以以与成型构件40接触或非接触的结构实现透镜。
[0123]经由贯通孔，发光器件100可以与主体20或者衬底的下表面电气地连接。
[0124]根据实施例的上述发光器件中的至少一个可以被安装在发光器件封装中，但是实施例不限于此。
[0125]尽管已经描述了发光器件封装具有顶视型的实施例，但是发光器件封装可以具有侧视型。因此，能够提高散热特性、导电性、以及反射特性。在树脂层中封装此顶视型或者侧视型发光器件之后，透镜可以形成在树脂层上或者透镜可以与树脂层结合，但是实施例不限于此。
[0126]〈照明系统〉
[0127]根据实施例的发光器件和发光器件封装可以被应用于照明单元。照明单元可以具有包括多个发光器件或者多个发光器件封装的阵列结构。除了照明灯、信号灯、车辆大灯、电子显示等等之外，照明系统可以包括图16和图17中所示的显示设备、图18中所示的照明单元。
[0128]图16是根据实施例的显示设备的分解透视图。
[0129]参考图16,根据实施例的显不设备1000可以包括:导光面板1041 ;发光模块1031,该发光模块1031将光提供给导光面板1041 ;在导光面板1041的下方的反射构件1022 ;在导光面板1041上的光学片1051 ;在光学片1051上的显示面板1061 ；以及底盖1011，该底盖1011容纳导光面板1041、发光模块1031、以及反射构件1022，但是本公开不限于此。
[0130]底盖1011、反射片1022、导光面板1041、以及光学片可以被定义为照明单元1050。
[0131]导光面板1041用于通过扩散线性光来将线性光变为平面光。导光面板1041可以由透明材料制成，并且可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸系树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、COC、以及聚萘二甲酸乙二酯树脂中的一个。
[0132]发光模块1031将光提供给导光面板1041的至少侧表面，并且最终用作显示设备的光源。
[0133]发光模块1031可以包括至少一个发光模块,并且从导光面板1041的一侧表面直接或者间接地提供光。发光模块1031可以包括板1033，和根据上述的实施例的发光器件封装30，并且发光器件封装30可以布置在板1033上并且以预定间隔相互隔开。
[0134]板1033可以是包括电路图案(未示出)的印制电路板(PCB)。板1033可以包括金属核PCB(MCPCB)、柔性PCB (FPCB)等等以及普通PCB，但是本公开不限于此。在发光器件封装30被安装在侧表面或散热板上的情况下，板1033可以被移除。在此，一些散热板可以接触底盖1011的上表面。
[0135]多个发光器件封装30可以被安装在板1033上从而多个发光器件封装30的发光表面与导光面板1041隔开预定距离，但是本公开不限于此。发光器件封装30可以将光直接或者间接地提供给是导光面板1041的一侧表面的光入射部分，但是本公开不限于此。
[0136]反射构件1022可以被设置在导光面板1041下面。反射构件1022反射从导光面板1041的下表面入射的光以允许反射光朝着上方向被导向，从而能够增强照明单元1050的亮度。反射构件1022可以由例如PET、PC、PVC树脂等等形成，但是本公开不限于此。
[0137]底盖1011可以容纳导光面板1041、发光模块1031、反射构件1022等等。为此，底盖1011可以具有以其顶表面开口的盒形状形成的容纳部分1012，但是本公开不限于此。底盖1011可以耦接到顶盖，但是本公开不限于此。
[0138]底盖1011可以由金属材料或者树脂材料形成，并且可以通过使用诸如压制成型或者挤出成型的工艺来制造。而且，底盖1011可以包括具有高热导率的金属或者非金属材料，但是本公开不限于此。
[0139]例如，显示面板1061是IXD面板，并且包括相互面对的第一和第二透明基板，和被插入在第一和第二基板之间的液晶层。偏振板可以附着在显示面板1061的至少一个表面上，但是本公开不限于此。显示面板1061通过使用通过光学片1051的光来显示信息。显示设备1000可以被应用于各种移动终端、用于笔记本电脑的监视器、用于膝上电脑的监视器、电视等等。
[0140]光学片1051被布置在显不面板1061和导光面板1041之间，并且包括至少一个透明片。光学片1051可以包括例如扩散片、水平和/或垂直棱镜片、以及亮度增强片中的至少一个。扩散片扩散入射光，水平和/或垂直棱镜片将入射光聚集在显示区域上，并且亮度增强片通过重新使用丢失的光来增强亮度。而且，保护片可以被布置在显示面板1061上，但是本公开不限于此。在此，显示设备1000可以包括导光面板1041和光学片1051作为放置在发光模块1031的光路径上的光学构件，但是本公开不限于此。
[0141]图17是根据实施例的显示设备的横截面图。
[0142]参考图17，显示设备1100包括底盖1152 ;板1120，在其上排列上面所述的发光器件封装30 ;光学构件1154、以及显示面板1155。
[0143]板1120和发光器件封装30可以被定义为发光模块1060。底盖1152、至少一个发光模块1060、以及光学构件1154可以被定义为照明单元。
[0144]底盖1152可以被提供有容纳部分，但是本公开不限于此。[0145]在此，光学构件1154可以包括透镜、导光面板、扩散片、水平和垂直棱镜片、以及亮度增强片中的至少一个。导光面板可以由聚碳酸酯(PC)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成，并且可以被去除。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光聚集在显示区域上，并且亮度增强片通过重新使用丢失的光增强亮度。
[0146]光学构件1154被布置在发光模块1060上。光学构件1154将从发光模块1060发射的光变为平面光，并且执行扩散、聚光等等。
[0147]图18是根据实施例的照明单元的透视图。
[0148]参考图18，照明单元1500可以包括外壳1510 ;发光模块1530，该发光模块1530被装备在外壳1510中；以及连接端子1520，该连接端子1520被装备在外壳1510中并且被提供有来自于外部电源的电力。
[0149]外壳1510可以优选地由具有良好的热屏蔽特性的材料形成，例如，可以由金属材料或者树脂材料形成。
[0150]发光模块1530可以包括板1532,和安装在板1532上的至少一个根据实施例的发光器件封装30。发光器件封装30可以包括多个发光器件封装，其以矩阵构造排列并且彼此隔开预定的距离。
[0151]板1532可以是其上印制电路图案的绝缘体基板，并且可以包括例如印制电路板(PCB)、金属核PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4基板等等。
[0152]而且，板1532可以由有效地反射光的材料形成，并且其表面可以以例如白色、或者银色的能够有效地反射光的颜色形成。
[0153]至少一个发光器件封装30可以安装在板1532上。发光器件封装30中的每一个可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括发射红、绿、蓝或者白色光的彩色LED，和发射紫外线(UV)的UV LED。
[0154]发光模块1530可以具有各种发光器件封装的组合以获得想要的颜色和亮度。例如，发光模块1530可以具有白色LED、红色LED、以及绿色LED的组合以获得高显色指数(CRI)0
[0155]连接端子1520可以电气地连接到发光模块1530以提供电力。连接端子1520可以螺纹耦合到插座类型的外部电源，但是本公开不限于此。例如，连接端子1520可以是插头型并且被插入到外部电源，或者可以通过电源线连接到外部电源。
[0156]根据实施例，包括发光器件100的发光器件封装可以被布置在衬底上以形成发光模块。另外，如图1中所示的发光器件被布置在衬底上并且然后被封装以形成发光模块。
[0157]根据实施例的发光器件的制造方法包括下述步骤:在衬底上形成包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在化合物半导体层的沟道区域中形成保护层；在化合物半导体层的沟道区域中形成与第二导电半导体层电气地连接的缓冲层；在化合物半导体层上形成反射层；在基底处提供反射层以去除衬底；蚀刻化合物半导体层的沟道区域以暴露保护层和缓冲层；以及在化合物半导体层上形成电极。
[0158]如上所述，根据实施例，能够防止保护层的损坏，并且能够解决芯片的沟道区域中的层之间的粘附问题，能够解决在用于芯片的沟道区域的制造工艺中的金属和非金属之间的分层问题，并且能够防止芯片的保护层的损坏。因此，能够提高发光器件的可靠性。
[0159]在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
[0160]虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
【权利要求】
1.一种发光器件，包括: 发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；电极，所述电极被布置在所述第一导电半导体层上； 反射层，所述反射层在所述第二导电半导体层的下表面之下； 粘附层，所述粘附层被布置在所述反射层之下； 保护层，所述保护层被布置在所述第二导电半导体层的下表面的周围；以及 缓冲层，所述缓冲层被布置在所述保护层的下表面之下， 其中，所述缓冲层被布置在所述保护层和所述粘附层之间， 其中，所述缓冲层包括金属材料，以及 其中，所述保护层的顶表面的内部与所述第二导电半导体层的下表面的外围部分接触。
2.一种发光器件，包括: 发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；电极，所述电极被布置在所述第一导电半导体层上； 反射层，所述反射层在所述第二导电半导体层的下表面之下； 粘附层，所述粘附层被布置在所述反射层之下； 保护层，所述保护层被布置在所述第二导电半导体层的下表面的周围； 缓冲层，所述缓冲层被布置在所述保护层的下表面之下；以及 导电支撑构件，所述导电支撑构件在所述粘附层之下， 其中，所述缓冲层被布置在所述保护层和所述导电支撑构件之间， 其中，所述缓冲层包括金属材料， 其中，所述保护层的顶表面的内部与所述第二导电半导体层的下表面的外围部分接触， 其中，所述保护层具有0.02 μ m至5 μ m的厚度，以及 其中，所述缓冲层具有比所述保护层的厚度薄的厚度或者具有在I μ m至10 μ m的范围内的厚度。
3.一种发光器件，包括: 发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；电极，所述电极被布置在所述第一导电半导体层上； 反射层，所述反射层在所述第二导电半导体层的下表面之下； 粘附层，所述粘附层被布置在所述反射层之下； 保护层，所述保护层被布置在所述第二导电半导体层的下表面的周围；以及 缓冲层，所述缓冲层被布置在所述保护层的下表面之下； 其中，所述缓冲层被布置在所述保护层和所述粘附层之间， 其中，所述缓冲层包括金属材料， 其中，所述保护层的顶表面的内部与所述第二导电半导体层的下表面的外围部分接触， 其中，所述反射层与所述第二导电半导体层的下表面接触， 其中，所述反射层被延伸到所述保护层的下表面或者所述缓冲层的下表面中的至少一个。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，所述缓冲层被布置到所述保护层的下表面的外部， 其中，所述保护层包括透射氧化物材料。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述粘附层与所述保护层的下表面接触。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，所述反射层覆盖所述保护层的下表面的一部分。
7.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述缓冲层被布置到所述保护层的外横向表面。
8.根据权利要求1或3所述的发光器件，进一步包括在所述粘附层之下的导电支撑构件。
9.根据权利要求4所述的发光器件，进一步包括在所述发光结构的外表面上形成的绝缘层。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述绝缘层与所述保护层的顶表面部分地接触。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层和所述反射层之间形成的欧姆层。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述反射层部分地覆盖所述欧姆层的下表面。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述反射层在所述欧姆层的图案之间的区域中与所述第二导电半导体层接触。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，所述保护层的顶表面具有粗糖。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述粗糙被形成在所述保护层的顶表面的外部处。
16.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述粗糙包括与所述保护层的材料不同的材料。
17.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，所述保护层包括具有比II1-V族元素的化合物半导体的折射率低的折射率的材料。
18.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，所述缓冲层的一部分被暴露在所述保护层的下表面的外部之外。
19.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，所述缓冲层包括从由T1、N1、W、Pt、Pd、Cu、Mo、In、以及Sn组成的组中选择的至少一个。
20.根据权利要求1或3所述的发光器件，其中，所述保护层具有0.02 μ m至5 μ m的厚度，其中，所述缓冲层具有 比所述保护层的厚度薄的厚度或者具有在1μ m至10 μ m的范围内的厚度。
【文档编号】H01L33/44GK103928586SQ201410083845
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2011年2月9日 优先权日:2010年2月9日
【发明者】丁焕熙 申请人:Lg伊诺特有限公司