固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。一个实施方式的固体摄像装置具备第一受光部以及第一光波导路层。上述第一受光部形成于半导体基板的表面。第一光波导路层以与上述第一受光部的上方对应的方式形成，具有从其上面遍及到下面、宽度从其上面朝向下面变大那样的倒锥形状。
【专利说明】固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法
[0001]本申请享受于2013年8月13日提交的日本专利申请2013-168284的优先权利益，该日本专利申请的全部内容被援用于本申请。
【技术领域】
[0002]本发明的实施方式涉及固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。
【背景技术】
[0003]在数码相机、摄像机等中，为了对被摄体进行摄像而使用固体摄像装置。固体摄像装置具有呈矩阵状排列有多个像素的像素阵列。各像素具有微透镜、滤色器、光波导路层以及受光部(光电二极管)。在各像素中，入射到微透镜的光通过滤色器并经由光波导路层集中到受光部。
[0004]通常，在层间绝缘层上形成了槽之后，通过填埋该槽来形成光波导路层。即，光波导路层的形状成为形成于层间绝缘层的槽的形状。形成于层间绝缘层的槽，由于制造方法而形成为其宽度从上部侧朝向下部侧变小的锥形状。因而，光波导路层具有其宽度从上部侧(微透镜侧)朝向下部侧(受光部侧)变小那样的锥形状。
[0005]但是，在光波导路层具有锥形状的情况下，难以抑制入射到光波导路层侧面的光向上部侧的反射成分，向下部侧的反射效率变差。即，向位于光波导路层的下部侧的受光部的聚光性变差。
【发明内容】
[0006]本发明要解决的课题在于，提供能够实现向受光部的聚光性的提高的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。
[0007]—个实施方式的固体摄像装置具备:第一受光部，形成于半导体基板的表面；以及第一光波导路层，以与所述第一受光部的上方对应的方式形成，具有从其上面遍及到下面、宽度从其上面朝向下面变大的倒锥形状。
[0008]另一个实施方式的固体摄像装置的制造方法为，在半导体基板的表面上形成第一受光部，以与所述第一受光部的上方对应的方式形成第一光波导路层，该第一光波导路层具有从其上面遍及到下面、宽度从其上面朝向下面变大的倒锥形状，在形成所述第一光波导路层时，在所述半导体基板上的整面形成所述第一光波导路层，图案形成所述第一光波导路层。
[0009]根据上述构成的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法，能够实现向受光部的聚光性的提高。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是具备第一实施方式的固体摄像装置的数码相机的概略构成的框图；
[0011]图2是表示第一实施方式的固体摄像装置的概略构成的框图；
[0012]图3是表示第一实施方式的固体摄像装置的摄影专用像素的构成的截面图；
[0013]图4是表示第一实施方式的固体摄像装置的摄影专用像素的制造工序的截面图；
[0014]图5是表示第一实施方式的固体摄像装置的摄影专用像素的制造工序的截面图；
[0015]图6是表示第一实施方式的固体摄像装置的摄影专用像素的制造工序的截面图；
[0016]图7是表示第一实施方式的固体摄像装置的摄影专用像素的制造工序的截面图；
[0017]图8是表示第一实施方式的固体摄像装置的摄影专用像素的制造工序的截面图；
[0018]图9是表示比较例的光波导路层的光的入射以及反射的图；
[0019]图10是表示第一实施方式的光波导路层的光的入射以及反射的图；
[0020]图11是表示第二实施方式的固体摄像装置的相位差检测像素的构成的截面图；
[0021]图12是表示第二实施方式的固体摄像装置的相位差检测像素的构成的变形例的截面图。
【具体实施方式】
[0022]一般情况下，一个实施方式的固体摄像装置具备第一受光部以及第一光波导路层。上述第一受光部形成于半导体基板的表面。第一光波导路层以与上述第一受光部的上方对应的方式形成，具有从其上面遍及到下面、宽度从其上面朝向下面变大那样的倒锥形状。
[0023]以下，参照附图对本实施方式进行说明。在附图中，对相同部分赋予相同的参照符号。此外，根据需要进行重复的说明。
[0024]<第一实施方式>
[0025]以下，使用图1至图10对第一实施方式的固体摄像装置进行说明。
[0026]在第一实施方式中，各像素(摄影专用像素30)中的光波导路层35具有从上部侧朝向下部侧而其宽度变大那样的倒锥形状。由此，能够提高光波导路层35侧面的入射的光向下部侧的反射效率，能够提高向受光部32的聚光性。以下，对第一实施方式进行详细说明。
[0027][构成]
[0028]首先，参照图1至图3对第一实施方式的固体摄像装置的构成进行说明。
[0029]图1是表示具备第一实施方式的固体摄像装置的数码相机的概略构成的框图。图2是表示第一实施方式的固体摄像装置的概略构成的框图。
[0030]如图1所示，数码相机I具有相机模块2以及后级处理部3。相机模块2具有摄像光学系统4以及固体摄像装置5。后级处理部3具有ISP (图像信号处理器)6、存储部7以及显示部8。相机模块2除了应用于数码相机I之外，例如还可以应用于带相机便携终端等电子设备。
[0031]摄像光学系统4取入来自被摄体的光，并使被摄体像成像。固体摄像装置5对被摄体像进行摄像。ISP6实施通过固体摄像装置5的摄像而获得的图像信号的信号处理。存储部7对经过了 ISP6的信号处理的图像进行存储。存储部7根据用户的操作等而向显示部8输出图像信号。显示部8根据从ISP6或者存储部7输入的图像信号来显示图像。显示部8例如是液晶显示器。此外，由ISP6信号处理后的数据被反馈至相机模块2内。
[0032]如图2所示，固体摄像装置5具备信号处理电路11以及摄像元件即图像传感器10。图像传感器10例如是CMOS图像传感器。除了 CMOS图像传感器之外，图像传感器10也可以是(XD。
[0033]图像传感器10具有像素阵列12、垂直移位寄存器13、定时控制部15、⑶S(相关双采样部)16、ADC (模拟数字转换部(传感器核))17以及线路存储器18。像素阵列12设置于图像传感器10的摄像区域。像素阵列12由沿横向(行方向)以及纵向(列方向)呈阵列状配置的多个像素构成。各像素具备光电转换元件即光电二极管。像素阵列12生成与向各像素的入射光量相对应的信号电荷。所生成的信号电荷经由CDS/ADC转换成数字数据，向信号处理电路11输出。在信号处理电路11中，例如进行透镜阴影修正、缺陷修正、噪声降低处理等。这些被信号处理后的数据例如输出至芯片外部，并且反馈至图像传感器10内。
[0034]图3是表示第一实施方式的固体摄像装置的摄影专用像素的构成的截面图。此处，示出邻接的两个摄影专用像素30。
[0035]如图3所示，摄影专用像素30具备受光部32、光波导路层35、滤色器38以及微透镜40。
[0036]受光部32形成于例如由Si形成的半导体基板31的表面。受光部32例如由形成于半导体基板31的P型阱的表面的N型层构成。受光部32例如是光电二极管，将入射的光转换成电荷而蓄积。
[0037]在受光部32以及半导体基板31上，形成有由从下部侧起依次形成的第一层33和第二层34构成的层叠构造的反射防止层41。即，反射防止层41形成在受光部32以及半导体基板31与后述的光波导路层35之间。第一层33具有比半导体基板31以及第二层34低的折射率，第二层34具有比第一层33高、比半导体基板31低的折射率。由此，反射防止膜41能够防止从上部侧入射的光的反射，能够提高光向受光部32的入射效率。第一层33例如由S1x构成，第二层34例如由SiN构成。或者，第一层33例如由S1x构成，第二层34例如由HfOy构成。
[0038]光波导路层35形成在反射防止层41上且以与受光部32的上方对应的方式形成。换言之，光波导路层35与受光部32在平面上重叠。此外，光波导路层35的平面形状例如是圆形。因此，光波导路层35例如为圆柱形状。而且，光波导路层35具有从其上面(微透镜40侧)朝向下面(受光部32侧)而宽度(直径)变大那样的倒锥形状。换言之，光波导路层35具有与微透镜40侧相比在受光部32侧宽度更大的开口部。此外，光波导路层35从其上面遍及到下面地具有倒锥形状。光波导路层35具有比后述的层间绝缘层36大的折射率，例如由SiN构成。
[0039]在反射防止层41上且在邻接的两个光波导路层35之间，以填埋的方式形成有层间绝缘层36。换言之，层间绝缘层36形成在光波导路层35的周围。此外，层间绝缘层36的上面与光波导路层35的上面为几乎相同高度。即，光波导路层35形成为，在层间绝缘层36内从该层间绝缘层的上面达到(贯通)下面。层间绝缘层36具有比光波导路层35小的折射率，例如由S1x构成。另外，所谓几乎相同高度表示实质上相同的高度。
[0040]在光波导路层35以及层间绝缘层36上形成有例如由SiN构成的第一绝缘层42。在该第一绝缘层42上形成有例如由S1x构成的第二绝缘层43。该第一绝缘层42以及第二绝缘层43作为形成于半导体基板31上的未图示的元件的保护膜而形成。由此，能够实现元件特性的提高。
[0041]在第二绝缘层43上形成有平坦化层37。由此，能够提高上表面的平坦性，能够容易地形成后述的滤色器38。平坦化层37例如由通过涂布法形成的有机膜构成，但并不限定于此。
[0042]滤色器38形成在平坦化层37上且以与光波导路层35的上方对应的方式形成。换言之，滤色器38与光波导路层35在平面上重叠。通过了滤色器38的光向受光部32入射，由此能够获得彩色的图像。
[0043]在滤色器38上形成有平坦化层39。由此，能够提高上表面的平坦性，能够容易地形成后述的微透镜40。平坦化层39例如由通过涂布法形成的有机膜构成，但并不限定于此。
[0044]微透镜40形成在平坦化层39上且以与滤色器38的上方对应的方式形成。换言之，微透镜40与滤色器38在平面上重叠。微透镜40将入射的光向对应的受光部32聚光。
[0045]另外，在邻接的两个摄影专用像素30之间形成有未图示的布线。布线例如形成在光波导路层35以及层间绝缘层36上所形成的第一绝缘层42以及第二绝缘层43与半导体基板31之间。
[0046]此外，布线与半导体基板31上所形成的未图示的元件连接。元件进行聚集的电子的信号化以及快门动作(电子的排出等)。
[0047][制造方法]
[0048]接着，使用图4至图8对第一实施方式的固体摄像装置的制造方法进行说明。
[0049]图4至图8是表示第一实施方式的固体摄像装置的摄影专用像素的制造工序的截面图。
[0050]首先，如图4所示，在半导体基板31的表面上形成有受光部32。在半导体基板31上形成了 P型阱之后，在其表面上形成N型层，由此形成受光部32。
[0051]接着，在受光部32以及半导体基板31上，例如通过CVD (Chemical VaporDeposit1n:化学汽相淀积)法来形成第一层33以及第二层34。由此,形成由第一层33和第二层34构成的层叠构造的反射防止层41。第一层33例如由S1x构成，第二层34例如由SiN构成。或者，第一层33例如由S1x构成，第二层34例如由HfOY构成。
[0052]接着，如图5所示，在反射防止层41上的整面上，例如通过CVD法来形成光波导路层35。光波导路层35具有比层间绝缘层36大的折射率，例如由SiN构成。之后，在光波导路层35上形成抗蚀剂51，并通过光刻技术来进行图案形成。此时，抗蚀剂51以与受光部32的上方对应的方式残留。此外，抗蚀剂51的平面形状例如为圆形。
[0053]接着，如图6所示,通过将抗蚀剂51作为掩模的RIE(Reactive 1n Etching:反应离子蚀刻)来图案形成光波导路层35。由此，光波导路层35形成在反射防止层41上且以与受光部32的上方对应的方式形成。换言之，光波导路层35与受光部32在平面上重叠。此外，光波导路层35的平面形状例如为圆形。因此，光波导路层35例如为圆柱形状。
[0054]此时，光波导路层35通过规定的RIE来图案形成，由此形成为倒锥形状。更具体而言，光波导路层35形成为，具有从其上面(微透镜40侧)朝向下面(受光部32侧)而宽度(直径)变大那样的倒锥形状。换言之，光波导路层35具有与微透镜40侧相比在受光部32侧宽度更大的开口部。此外，光波导路层35形成为，从其上面遍及到下面地具有倒锥形状。
[0055]此后，例如通过灰化来剥离抗蚀剂51。
[0056]接着，如图7所示，在整面上例如通过CVD法来形成层间绝缘层36。由此，层间绝缘层36填埋在反射防止层41上且填埋在邻接的两个光波导路层35之间。换言之，层间绝缘层36形成在光波导路层35的周围。此外，层间绝缘层36还形成在光波导路层35上。层间绝缘层36具有比光波导路层35小的折射率，例如由S1x构成。
[0057]接着,如图8所示,例如通过CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学机械抛光)法来使层间绝缘层36的上面平坦化。由此，层间绝缘层36的上面与光波导路层35的上面成为几乎相同的高度。即，光波导路层35形成为，在层间绝缘层36内从该层间绝缘层的上面达到(贯通)下面。
[0058]接着，如图3所示，在光波导路层35以及层间绝缘层36上例如通过CVD法来形成第一绝缘层42。在该第一绝缘层42上例如通过CVD法来形成第二绝缘层43。第一绝缘层42例如由SiN构成，第二绝缘层43例如由S1x构成。该第一绝缘层42以及第二绝缘层43作为形成在半导体基板31上的未图示的元件的保护膜而形成。
[0059]接着，在第二绝缘层43上例如通过涂布法来形成平坦化层37。平坦化层37例如由有机膜构成，但并不限定于此。接着，在平坦化层37上且以与光波导路层35的上方对应的方式形成滤色器38。接着，在滤色器38上例如通过涂布法来形成平坦化层39。平坦化层39例如由有机膜构成，但并不限定于此。此后，在平坦化层39上且以与滤色器38的上方对应的方式形成微透镜40。
[0060]如此，形成第一实施方式的固体摄像装置的摄影专用像素。
[0061]另外，也可以在形成平坦化层37之前，在光波导路层35以及层间绝缘层36上形成未图示的绝缘层，在层间绝缘层36之上的绝缘层上形成槽，并且在槽内形成导电层，由此形成布线。另外，并不限定于这种镶嵌法，也可以在层间绝缘层36上形成进行了图案形成的导电层，并在整面上形成绝缘层，由此形成布线。
[0062][效果]
[0063]图9是表不比较例的光波导路层的光的入射以及反射的图，图10是表不第一实施方式的光波导路层的光的入射以及反射的图。
[0064]在比较例中，如图9所示，光波导路层35具有从其上面(微透镜40侧)朝向下面(受光部32侧)而宽度变小那样的锥形状。在该情况下，光波导路层35的侧面(反射面)与垂直相比更朝向上部侧。因此，如图所示，尤其是当入射角度(相对于垂直方向的角度)较大的光入射时，该光在光波导路层35的侧面上反复反射,最终被向上部侧反射。结果，向位于下部侧的受光部32的聚光性变差。
[0065]与此相对,在上述第一实施方式中，如图10所不,光波导路层35具有从其上面(微透镜40侧)朝向下面(受光部32侧)而宽度变大那样的倒锥形状。在该情况下，光波导路层35的侧面(反射面)与垂直相比更朝向下部侧。因此，如图所示，即便入射角度较大的光入射，该光也在光波导路层35的侧面被向下部侧反射。结果，能够提高入射的光向下部侧的反射效率，能够提高向受光部32的聚光性。
[0066]此外，在第一实施方式中，光波导路层35的上面以及下面与层间绝缘层36的上面以及下面形成为相同高度。而且，从光波导路层35的上面遍及到下面形成倒锥形状。由此，与仅在光波导路层35的一部分形成倒锥形状的情况相比，也能够提高向下部侧的光反射效率。
[0067]<第二实施方式>
[0068]以下，使用图11至图12对第二实施方式的固体摄像装置进行说明。
[0069]第二实施方式是将第一实施方式的光波导路层35的构造应用于进行自动对焦的相位差检测像素(第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素30b)的例子。S卩，各相位差检测像素具有遮光膜91a、91b。由此，能够提高向相位差检测像素的受光部32a、32b的聚光性。以下，对第二实施方式进行详细说明。
[0070]另外，在第二实施方式中，对与上述第一实施方式相同的点省略说明，主要对不同的点进行说明。
[0071]< 构成 >
[0072]首先，使用图11至图12对第二实施方式的固体摄像装置的构成进行说明。
[0073]图11是表示第二实施方式的固体摄像装置的相位差检测像素的构成的截面图。此处，示出邻接的两个相位差检测像素(第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素 30b)。
[0074]如图11所示，在第二实施方式中，与第一实施方式不同的点在于，邻接的第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素30b具有遮光膜91a以及遮光膜91b。
[0075]第一相位差检测像素30a具备受光部32a、光波导路层35a、滤色器38a、微透镜40a以及遮光膜91a。此外，第二相位差检测像素30b具备受光部32b、光波导路层35b、滤色器38b、微透镜40b以及遮光膜91b。
[0076]在第一相位差检测像素30a中，遮光膜91a在反射防止膜41上以与受光部32a的一部分的上方对应的方式形成。更具体而言，遮光膜91a形成为覆盖受光部32a的一方侧(第二相位差检测像素30b侧、左侧)一半。换言之，遮光膜91a具有使受光部32a的另一方侧(与第二相位差检测像素30b相反侧、右侧)一半露出的开口部。即，遮光膜91a位于光波导路层35a的最下层的一方侧。由此，由微透镜40a聚光的来自各方向的光中、从左侧进入的光，不入射到受光部32a而被遮光膜91a遮挡。
[0077]另一方面，在第二相位差检测像素30b中，遮光膜91b在反射防止膜41上以与受光部32b的一部分的上方对应的方式形成。更具体而言，遮光膜91b形成为覆盖受光部32b的另一方侧(第一相位差检测像素30a侧、右侧)一半。换言之，遮光膜91b具有使受光部32b的一方侧(与第一相位差检测像素30a相反侧、左侧)一半露出的开口部。S卩,遮光膜91b位于光波导路层35b的最下层的另一方侧。由此，由微透镜40b聚光的来自各方向的光中、从右侧进入的光，不入射到受光部32b而被遮光膜91b遮挡。
[0078]如此，第一相位差检测像素30a构成为从微透镜40a的左侧进入的光不会入射到受光部32a，第二相位差检测像素30b构成为从微透镜40b的右侧进入的光不会入射到受光部32b。即，第一相位差检测像素30a和第二相位差检测像素30b (遮光膜91a和遮光膜91b)形成为镜面对称。在由该第一相位差检测像素30a的摄像信号形成的图像和由该第二相位差检测像素30b的摄像信号形成的图像中，根据对被摄体像进行成像的摄影透镜的聚焦状态而在左右方向上产生偏差。由此，通过对由第一相位差检测像素30a的摄像信号构成的图像与由第二相位差检测像素30b的摄像信号构成的图像之间的偏差量以及其偏差的方向进行检测，由此能够求出摄影透镜的聚焦调整量。
[0079]另外，第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素30b不仅能够在自动对焦时使用，而且通过与摄影专用像素30组合使用，由此还能够在图像形成时使用。
[0080]此外，在邻接的第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素30b之间，遮光膜91a和遮光膜91b连接地形成。换言之，遮光膜91a和遮光膜91b为一体。遮光膜91a、91b例如由Al(铝)或W(钨)等能够遮断光的金属构成。
[0081]图12是表示第二实施方式的固体摄像装置的相位差检测像素的构成的变形例的截面图。此处，示出邻接的两个相位差检测像素(第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素30b)。
[0082]如图12所示，根据变形例，在邻接的第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素30b之间，遮光膜91a和遮光膜91b连接地形成，光波导路层35a和光波导路层35b连接地形成。换言之，在光波导路层35a以及光波导路层35b之间未形成层间绝缘层36。
[0083]其原因为，由于遮光膜91a和遮光膜91b连接地形成，因此即便不将光波导路层35a和光波导路层35b分离，也能够遮挡来自邻接像素的光的侵入。即，通过遮光膜91a、91b，能够防止入射到第一相位差检测像素30a(微透镜40a)的光向第二相位差检测像素30b的受光部32b侵入，并能够防止入射到第二相位差检测像素30b (微透镜40b)的光向第一相位差检测像素30a的受光部32a侵入。
[0084][制造方法]
[0085]接着，对第二实施方式的固体摄像装置的制造方法进行说明。
[0086]首先，进行与第一实施方式的图4相同的工序。即，在受光部32以及半导体基板31上形成反射防止层41。
[0087]接着，在反射防止层41上形成遮光膜91a、91b。
[0088]在遮光膜9la、9Ib由Al构成的情况下，通过Al层的RIE来形成遮光膜9la、9lb。即，在反射防止层41上的整面上形成了 Al层之后，通过RIE来图案形成Al层，由此形成遮光膜 91a、91b。
[0089]另一方面，在遮光膜9la、9Ib由W构成的情况下，通过W层的镶嵌法来形成遮光膜91a、91b。即，在反射防止层41上的整面上形成未图示的绝缘层(例如S12)，并在绝缘层上形成槽之后，向槽中填埋W层，由此形成遮光膜91a、91b。另外，之后也可以除去绝缘层。
[0090]此外，在遮光膜9la、9Ib由W构成的情况下，也可以与由Al构成的情况相同，通过W层的RIE来形成遮光膜91a、91b。即，也可以在反射防止层41上的整面上形成了 W层之后，通过RIE来图案形成W层，由此形成遮光膜91a、91b。
[0091]如此，形成覆盖受光部32a的一方侧的遮光膜91a以及覆盖受光部32b的另一方侧的遮光膜91b。
[0092]此后，进行与第一实施方式的图5至图8相同的工序。即，在反射防止膜41以及遮光膜91a上形成光波导路层35a,在反射防止膜41以及遮光膜91b上形成光波导路层35b。此后，依次形成层间绝缘层36、平坦化层37、滤色器38a、38b、平坦化层39以及微透镜40a、40b。
[0093]如此，形成第二实施方式的固体摄像装置的相位差检测像素。
[0094][效果]
[0095]根据上述第二实施方式，以覆盖受光部32a、32b的一部分的方式形成遮光膜91a、91b。由此，构成进行自动对焦的第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素30b。通过对该第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素30b应用第一实施方式的光波导路层35的构造，由此能够提高向第一相位差检测像素30a以及第二相位差检测像素30b的受光部32a、32b的聚光性。
[0096]对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子来提示的，并不意图对发明的范围进行限定。这些新的实施方式能够以其他各种方式加以实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围及主旨中，并同样包含于专利请求范围所记载的发明和与其等同的范围中。
【权利要求】
1.一种固体摄像装置，具备: 第一受光部，形成于半导体基板的表面；以及 第一光波导路层，以与所述第一受光部的上方对应的方式形成，具有从其上面遍及到下面、宽度从其上面朝向下面变大的倒锥形状。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中， 还具备层间绝缘层，该层间绝缘层形成在所述光波导路层的周围， 所述光波导路层的上面和所述层间绝缘层的上面为相同高度。
3.如权利要求2所述的固体摄像装置，其中， 所述第一光波导路层由SiN构成，所述层间绝缘层由S1x构成。
4.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中， 还具备反射防止膜，该反射防止膜形成在所述第一受光部与所述第一光波导路层之间。
5.如权利要求4所述的固体摄像装置，其中， 所述反射防止膜包括从所述第一受光部侧依次形成的由S1x构成的第一层以及由SiN构成的第二层。
6.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中， 还具备第一遮光膜，该第一遮光膜形成在所述第一受光部的上方，并覆盖所述第一受光部的一部分。
7.如权利要求6所述的固体摄像装置，还具备: 第二受光部，形成于所述半导体基板的表面，与所述第一受光部邻接； 第二光波导路层，以与所述第二受光部的上方对应的方式形成，具有从其上面遍及到下面、宽度从其上面朝向下面变大的倒锥形状；以及 第二遮光膜，形成在所述第二受光部的上方，覆盖所述第二受光部的一部分，与所述第一遮光膜连接地形成。
8.如权利要求7所述的固体摄像装置，其中， 所述第一光波导路层和所述第二光波导路层连接地形成。
9.如权利要求6所述的固体摄像装置，其中， 所述第一遮光膜由Al或者W构成。
10.如权利要求1所述的固体摄像装置，还具备: 滤色器，以与所述第一光波导路层的上方对应的方式形成；以及 微透镜，以与所述滤色器的上方对应的方式形成。
11.一种固体摄像装置的制造方法，其中， 在半导体基板的表面上形成第一受光部， 以与所述第一受光部的上方对应的方式形成第一光波导路层，该第一光波导路层具有从其上面遍及到下面、宽度从其上面朝向下面变大的倒锥形状， 在形成所述第一光波导路层时，在所述半导体基板上的整面上形成所述第一光波导路层，图案形成所述第一光波导路层。
12.如权利要求11所述的固体摄像装置的制造方法，其中， 在图案形成所述第一光波导路层时，在所述半导体基板上形成图案形成的抗蚀剂，通过将所述抗蚀剂作为掩模的RIE来蚀刻所述第一光波导路层。
13.如权利要求11所述的固体摄像装置的制造方法，其中， 在形成所述第一光波导路层之后，在所述第一光波导路层的周围形成层间绝缘层。
14.如权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法，其中， 所述光波导路层的上面和所述层间绝缘层的上面为相同高度。
15.如权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法，其中， 所述第一光波导路层由SiN构成，所述层间绝缘层由S1x构成。
16.如权利要求11所述的固体摄像装置的制造方法，其中， 在形成所述第一受光部之后，进一步在所述第一受光部上形成反射防止膜。
17.如权利要求16所述的固体摄像装置的制造方法，其中， 所述反射防止膜包括从所述第一受光部侧依次形成的由S1x构成的第一层以及由SiN构成的第二层。
18.如权利要求11所述的固体摄像装置的制造方法，其中， 在形成所述第一受光部之后，进一步在所述第一受光部的上方以覆盖所述第一受光部的一部分的方式形成第一遮光膜。
19.如权利要求18所述的固体摄像装置的制造方法，其中， 在形成所述第一受光部的工序中，在所述半导体基板的表面上形成与所述第一受光部邻接的第二受光部， 在形成所述第一光波导路层的工序中，以与所述第二受光部的上方对应的方式形成第二光波导路层，该第二光波导路层具有从其上面遍及到下面、宽度从其上面朝向下面变大的倒锥形状， 在形成所述第一遮光膜的工序中，在所述第二受光部的上方形成覆盖所述第二受光部的一部分并与所述第一遮光膜连接的第二遮光膜。
20.如权利要求19所述的固体摄像装置的制造方法，其中， 所述第一光波导路层和所述第二光波导路层连接地形成。
【文档编号】H01L27/146GK104377213SQ201410083639
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年3月7日 优先权日:2013年8月13日
【发明者】饭岛匡 申请人:株式会社东芝