一种刻蚀方法
【专利摘要】本发明涉及一种刻蚀方法，包括以下步骤，步骤一：将芯片固定并浸入用于刻蚀的溶液中；步骤二：在浸入芯片的所述溶液中施加静电场；步骤三：所述溶液中的离子在所述静电场的作用下定向移向所述晶片，并对所述晶片表面进行刻蚀。在刻蚀溶液中加入静电场，刻蚀溶液中的离子会选择性的定向移向晶片，对晶片表面进行刻蚀，刻蚀溶液刻蚀晶片呈现出非等向性，保证了线宽的不同和刻蚀均匀性。
【专利说明】一种刻蚀方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种去除晶片表面需要去除的物质的方法，具体的涉及一种刻蚀方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体芯片的集成密度的不断提高，关键尺寸(CD)越来越小。干法刻蚀工艺作为将光罩上电路图形转移到芯片上的关键工艺步骤，所遇到的挑战越来越大，例如，关键尺寸越小，对刻蚀均匀性的要求就会越高，然而实际面临的状况是不同线宽间的刻蚀速率差异会越大，刻蚀均匀与不同线宽之间的刻蚀速率这对矛盾体需要很好的解决。而现有技术则是通过尽可能的优化干法刻蚀工艺程式来进行刻蚀均匀性的改善，传统的干法刻蚀会由于线宽的不同而无法很好的保持刻蚀均匀性，如图1所示，由左至右，随着线宽的减少，刻蚀深度越来越浅。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种提高刻蚀均匀性的刻蚀方法。
[0004]本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种刻蚀方法，包括以下步骤，
[0005]步骤一:将芯片固定并浸入用于刻蚀的溶液中；
[0006]步骤二:在浸入芯片的所述溶液中施加静电场；
[0007]步骤三:所述溶液中的离子在所述静电场的作用下定向移向所述晶片，并对所述晶片表面进行刻蚀。
[0008]本发明的有益效果是:在刻蚀溶液中加入静电场，刻蚀溶液中的离子会选择性的定向移向晶片，对晶片表面进行刻蚀，刻蚀溶液刻蚀晶片呈现出非等向性，保证了线宽的不同和刻蚀均匀性。
[0009]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
[0010]进一步，所述晶片通过静电吸盘固定并浸入刻蚀溶液中的。
[0011]进一步，所述用于刻蚀的溶液的刻蚀选择比与所述芯片刻蚀时的刻蚀选择比相匹配。
[0012]进一步，所述用于刻蚀的溶液中包含活性剂，所述活性剂用于保证在单位面积上刻蚀晶片表面的离子的密度一致。
[0013]采用上述进一步方案的有益效果是:所述活性剂用于保证在单位面积上刻蚀晶片表面的离子的密度一致，目的在于保证不同线宽间的刻蚀均匀性。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为现有技术中传统干法刻蚀晶片后的结构示意图；
[0015]图2为本发明一种刻蚀方法的流程图；
[0016]图3为本发明一种刻蚀方法刻蚀晶片后的结构物示意图。【具体实施方式】
[0017]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0018]图1为现有技术中传统干法刻蚀晶片后的结构示意图，从图1中可以看出，由左至右，随着线宽的减少，刻蚀深度越来越浅。
[0019]图2为本发明一种刻蚀方法的流程图，一种刻蚀方法，首先，晶片浸入刻蚀溶液中，通过静电吸盘将晶片固定并浸入刻蚀溶液中，所述刻蚀溶液需要至少具备下述两点特征:1，所述用于刻蚀的溶液的刻蚀选择比与所述芯片刻蚀时的刻蚀选择比相匹配，最好选择具有较高的刻蚀选择比的刻蚀溶液；2，溶液中需要包含活性剂，其作用在于保证在单位面积上刻蚀晶片表面的离子的密度一致。目的在于保证不同线宽和刻蚀均匀性；然后向刻蚀溶液中施加静电场，最后，刻蚀溶液中的离子刻蚀晶片表面，所述溶液中的离子在所述静电场的作用下定向移向所述晶片，并对所述晶片表面进行刻蚀，在有静电场的作用下，刻蚀将呈现出非等向性。
[0020]图3是本发明一种刻蚀方法刻蚀晶片后的结构物示意图，如图3所示，通过本发明一种刻蚀方法刻蚀后的晶片，由左至右，随着线宽的减少，刻蚀深度总是保持一致。
[0021 ] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种刻蚀方法，其特征在于:包括以下步骤， 步骤一:将芯片固定并浸入用于刻蚀的溶液中； 步骤二:在浸入芯片的所述溶液中施加静电场； 步骤三:所述溶液中的离子在所述静电场的作用下定向移向所述晶片，并对所述晶片表面进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的一种刻蚀方法，其特征在于:所述晶片通过静电吸盘固定并浸入刻蚀溶液中的。
3.根据权利要求1或2所述的一种刻蚀方法，其特征在于:所述用于刻蚀的溶液的刻蚀选择比与所述芯片刻蚀时的刻蚀选择比相匹配。
4.根据权利要求1或2所述的一种刻蚀方法，其特征在于:所述用于刻蚀的溶液中包含活性剂，所述活性剂用于保证在单位面积上刻蚀晶片表面的离子的密度一致。
【文档编号】H01L21/3065GK103903977SQ201410104938
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年3月20日 优先权日:2014年3月20日
【发明者】黄海, 洪齐元 申请人:武汉新芯集成电路制造有限公司