一种倒装发光二极管结构及其制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
【专利说明】一种倒装发光二极管结构及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及倒装发光二极管结构，尤其是涉及一种倒装发光二极管结构及其制作方法。
[0002]
【背景技术】
[0003]发光二极管(英文为LED，缩写为Light EmittingDiode)由于具有寿命长、耗能低等优点，应用于各种领域，尤其随着其照明性能指标日益大幅提升，LED的应用越来越广泛，例如用于光学显示装置、交通标志、数据储存装置、通信装置及照明装置等。其中，以氮化镓(GaN)为代表的II1-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。
[0004]然而，目前半导体发光二极管存在着发光效率低的问题。对于普通的未经封装的发光二极管，大量的能量聚集在器件内部不能出射，既造成能量浪费，又影响器件的使用寿命。因此，提高半导体发光二极管的出光效率成为现在最大的课题。基于应用需求，许多种提高发光二极管出光效率的方法被应用到器件结构中，例如采用透明衬底、表面粗化、金属反射镜结构、倒装芯片等。其中倒装芯片由于具备耐大电流、电压低、光效高、无需打线等应用优势受到越来越多重视。
[0005]目前倒装发光二极管芯片一般被设计成矩形形状，结构上一般是由基板、外延层、P型欧姆接触层(兼做反射金属层)、绝缘层、N型欧姆接触层至下而上形成的层状堆叠结构，其中金属层均做成较大面状结构，因此绝缘层的设计就尤为重要，一旦绝缘层有破损，就会造成P、N电极短路；一般芯片内部的绝缘层较为稳定不易破裂，但是芯片边缘的绝缘层往往会在芯片切割工艺中产生破裂，另一方面因考虑芯片的出光效率、电流分布，尤其是对于大尺寸芯片设计，P、N金属电极的大小、位置受限，在封装时如采用锡膏焊接的作业方式，往往会造成锡膏涂布不均、锡膏溢流出焊盘区域，若遇到芯粒边缘绝缘层受损时就会发生电路不良、漏电等异常，如图1和2所示，影响封装作业的良率，不利于倒装芯片的推广应用。
[0006]
【发明内容】
[0007]本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，从芯片设计与制作工艺中采用特殊阻隔栅结构，提供一种具有提高可靠性的倒装发光二极管芯片及其制作方法，从根本上解决锡膏或其他固晶导电材料溢流导致芯片内部短路问题。
[0008]本发明通过在倒装发光二极管芯片的外延层边缘制作阻隔栅结构，避免常规芯片绝缘层包覆材料在芯片切割中容易发生破裂，从而形成新型绝缘防护结构，有效保护了芯片的侧壁，避免芯片在使用中由于锡膏或其他固晶导电材料的溢流导致短路，提高芯片的
可靠性。[0009]本发明的技术方案为:一种倒装发光二极管结构，包括:
一基板；
一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括:第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；
至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；
一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
[0010]上述倒装发光二极管结构，还可以包括在外延层上形成至少一个开口结构之前增设反射层，所述反射层可以是反射金属层或者是分布布拉格反射层或者是全方位反射层；还可以包括在形成绝缘层后，再在外延层上设置金属电极。
[0011]本发明还提供一种倒装发光二极管的制作方法，其主要包括以下工艺步骤:
1)提供一基板；
2)在基板上制作外延层，所述外延层包括:第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；
3)采用蚀刻工艺，从外延层表面往下蚀刻出至少一个开口结构，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；
4)在所述开口结构沉积绝缘层，作为金属电极隔离层。
[0012]上述倒装发光二极管的制作方法，还可以包括以下工艺步骤:在外延层上形成至少一个开口结构之前先形成反射层，所述反射层可以是反射金属层或者是分布布拉格反射层或者是全方位反射层；也可以包括在形成绝缘层后，再在外延层上制作金属电极。
[0013]本发明中,优选地,所述开口结构为U型或者是V型或者是W型或者是前述任意组
I=I ^ O
[0014]本发明中，优选地，所述基板可以是生长基板或者是散热基板或者是粘合基板或者是前述任意组合之一。
[0015]本发明中，优选地，所述生长基板材料可以是蓝宝石(Al2O3)或者是碳化硅(SiC)或者是氮化镓(GaN)或者是前述任意组合之一。
[0016]本发明中，优选地，所述反射金属层包括Ag或者是Al或者是Rh或者是前述任意
组合之一。
[0017]本发明中，优选地,所述绝缘层可以是SiO2或者是SiNx或者是TiO2或者是前述材料任意组合之一。
[0018]本发明中，优选地,所述金属电极可以是Ni/Au或者是Cr/Pt/Au或者是Ti/Al/Ti/Au或前述的任意组合之一。
[0019]与现有技术相比，本发明至少包括如下有益效果:
本发明通过在倒装发光二极管芯片的外延层边缘制作开口，形成外围或局部的阻隔栅结构，发挥绝缘防护作用，有效地保护芯片的侧壁，克服常规芯片绝缘层包覆材料在芯片切割中容易发生破裂的隐患，从而避免芯片在使用中由于锡膏或其他固晶导电材料的溢流导致短路，提高倒装发光二极管芯片的可靠性和良率。
[0020]本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0021]虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
[0023]图1是现有的倒装发光二极管的剖视图。
[0024]图2是现有的倒装发光二极管的顶视图。
[0025]图3是本发明实施例1的倒装发光二极管的剖视图。
[0026]图4是本发明实施例1的倒装发光二极管的顶视图。
[0027]图5、是本发明实施例2制作倒装发光二极管的工艺流程剖面示意图。
[0028]图10是本发明实施例3的倒装发光二极管的剖视图。
[0029]图11是本发明实施例4的倒装发光二极管的剖视图。
[0030]图12是本发明实施例4的倒装发光二极管的顶视图。
[0031]图中部件符号说明:
100:生长基板；101:N型层102:发光层；103:P型层；104:金属电极；105:绝缘层；106:V型开口结构；107:锡膏；108:反射层；109:W型开口结构；A:外延主体层；B:阻隔栅结构。
【具体实施方式】
[0032]以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0033]实施例1
如图3和4所示的氮化镓基倒装发光二极管，包括:生长基板100、N型层101、发光层102、P型层103、金属电极104、绝缘层105、V型开口结构106、外延主体层A与阻隔栅结构B0
[0034]具体来说，上述氮化镓基倒装发光二极管结构中生长基板100为蓝宝石基板；夕卜延层，形成于发光层102上，其中外延层依次包括N型层101、发光层102和P型层103 ；V型开口结构106，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至生长基板100表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层A与阻隔栅结构B，由于阻隔栅结构B与外延主体层A分离，可以充当“挡墙”的作用，尽可能增加焊锡攀爬的难度，又由于芯片切割线位于B外侧而不是位于V型槽，因此V型槽内绝缘层不易因切割应力发生破损，从而有效地避免芯片在使用中由于锡膏107的溢流导致短路，从而改善倒装发光二极管芯片的可靠性和良率；金属电极104，形成于部分外延主体层A上；绝缘层105，形成于V型开口结构106之上,作为金属电极隔离层。
[0035]实施例2
如图5、所示的倒装发光二极管结构的制作工艺流程剖面示意图，具体来说:
如图5所示，首先提供生长基板100，在本实施例中，所述生长基板100选用蓝宝石，用以形成GaN基倒装发光二极管的磊晶基板；然而应当认识到，所述生长基板100还可以是碳化硅或氮化镓或硅或其他基板；
如图6所示，在生长基板100上长外延层，外延层依次包括N-GaN层101、发光层102和P-GaN层103，更进一步地，还可以先在生长基板上生长GaN缓冲层，再生长外延层，以取得更优的晶格质量；
如图7所示，采用ICP蚀刻工艺定义芯片尺寸，从外延层之P-GaN层表面103往下蚀刻出V型开口结构106，且延伸至生长基板100表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层A与阻隔栅结构B，即阻隔栅结构B与外延主体层A完全分离；
如图8所不,在部分外延主体层A表面上制作金属电极104,其中金属电极104优选Cr/Vt/Ku材料。
[0036]如图9所示，在V型开口结构106上沉积绝缘层105，作为金属电极隔离层，其中绝缘层105优选SiO2与TiO2多层交叠构成的分布布拉格反射层；使用研磨设备对蓝宝石生长基板减薄，并抛光，使用切割、划裂工艺将芯片分割，每个芯片外延主体层A还应至少保留一个阻隔栅结构B，该结构可以发挥绝缘防护作用，有效地保护芯片的外延层侧壁，克服常规芯片绝缘层包覆材料在芯片切割中容易发生破裂的隐患，从而避免芯片在使用中由于锡膏或其他固晶导电材料的溢流导致短路，提高倒装发光二极管芯片的可靠性和良率；此外，由于阻隔栅结构B与外延主体层A完全隔离开，即使在芯片分割中可能于阻隔栅结构B上产生绝缘层包覆材料破裂，也不会发生锡膏或其他固晶导电材料的溢流导致短路，因而有效提升倒装发光二极管芯片的可靠性和良率。
[0037]实施例3
如图10所示，与实施例1不同的是，本实施例在外延层上形成V型开口结构106之前先形成反射层108，所述反射层108可以是反射金属层或者是分布布拉格反射层或者是全方位反射层，本实施例反射层108优选反射金属层，反射金属层可以包括Ni或者是Pt或者是Ag或者是Al或者是Rh。
[0038]实施例4
如图1f 12所示，与实施例3不同的是，本实施例在外延层上形成开口结构不是V型，是W型(属于V型的变形，即开口结构不限于一维光栅，可以是两个或多个V型阻隔栅的组合，阻隔栅形状也不限于V型，也可以是U型或其他曲线形状)，需要指出的是W型开口结构109中距外延层边缘较远的V型开口须延伸至基板100表面亦可，而W型开口结构109中距外延层边缘较近的V型开口可以不延伸至基板100表面亦可，只需为凹形结构能起到阻隔的作用即可。
【权利要求】
1.一种倒装发光二极管结构，包括: 一基板； 一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括:第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层； 至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构； 一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
2.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管结构，其特征在于:所述阻隔栅结构具有避免芯片在使用中由于锡膏或其他固晶导电材料的溢流导致短路，提高倒装发光二极管芯片的可靠性和良率的功效。
3.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管结构，其特征在于:所述开口结构为U型或者是V型或者是W型或者是前述任意组合之一。
4.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管结构，其特征在于:还包括在外延层上形成至少一个开口结构之前增设反射层。
5.根据权利要求4所述的一种倒装发光二极管结构，其特征在于:所述反射层为反射金属层或者是分布布拉格反射层或者是全方位反射层。
6.根据权利要求1 所述的一种倒装发光二极管结构，其特征在于:还包括在形成绝缘层后，再在外延层上设置金属电极。
7.一种倒装发光二极管的制作方法，其主要包括以下工艺步骤: 1)提供一基板； 2)在基板上制作外延层，所述外延层包括:第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层； 3)采用蚀刻工艺，从外延层表面往下蚀刻出至少一个开口结构，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构； 4)在所述开口结构沉积绝缘层，作为金属电极隔离层。
8.根据权利要求7所述的一种倒装发光二极管结构的制作方法，其特征在于:所述阻隔栅结构具有避免发光二极管结构在使用中由于锡膏或其他固晶导电材料的溢流导致短路，提闻倒装发光 极管的可罪性和良率的功效。
9.根据权利要求7所述的一种倒装发光二极管结构的制作方法，其特征在于:所述开口结构为U型或者是V型或者是W型或者是前述任意组合之一。
10.根据权利要求7所述的一种倒装发光二极管结构的制作方法，其特征在于:还包括在外延层上形成至少一个开口结构之前先形成反射层。
11.根据权利要求7所述的一种倒装发光二极管结构的制作方法，其特征在于:还包括在形成绝缘层后，再在外延层上制作金属电极。
【文档编号】H01L33/00GK103996773SQ201410248717
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年6月6日 优先权日:2014年6月6日
【发明者】何安和, 林素慧, 郑建森, 彭康伟, 林潇雄, 徐宸科 申请人:厦门市三安光电科技有限公司