一种倒装晶片的led结构的制作方法

文档序号:7243375阅读:294来源:国知局
一种倒装晶片的led结构的制作方法
【专利摘要】本发明一种倒装晶片的LED结构涉及LED的结构;以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13);CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12),N型CaAlN层(9)、N型电极(11),N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10),CaInN层(8),CaN层(7),P型CaAlN层(6),P型CaN层(5),电流扩散反光层(4);在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3),P型电极(1);在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2);本发明省去引线焊接工艺,使高导热的热流通道与电流通道独立,实现了热电分离;从而避免了电热相互影响,电流热量叠加造成晶片热负荷增加,因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。
【专利说明】—种倒装晶片的LED结构
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED的结构。
【背景技术】
[0002]LED作为一种新型发光器件,逐渐为全世界所认识。随着LED在各个领域的大规模应用,特别是照明功率LED的逐步推广,LED晶粒的可靠性越来越受到人们重视,特别是针对免焊线工艺的倒装LED晶片结构与工艺。如发明专利CN 100468796C,LED倒装芯片的制备方法,描述的倒装晶片技术,结构采用热电合一的倒装结构,热流与电流叠加,使晶片的热失效风险加大;现有的倒装晶片焊接时采用直接将电极与外部热沉或者电路连接,焊接时仅在电极处植球焊接。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于:提供省去引线焊接工艺的一种倒装晶片的LED结构。
[0004]以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13);CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12),N型CaAlN层(9)、N型电极(11),N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10),CaInN层(8),CaN层(7),P型CaAlN层(6),P型CaN层(5),电流扩散反光层(4);在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3),P型电极(I);在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2);倒置晶片由上植球(15)与焊接基板(18)上的P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23) P型电极穿孔沉铜(21)、N型电极穿孔沉铜(19)、热流穿孔沉铜(20)、覆铜线路(22),热流穿孔沉铜(20)连接。
[0005]本发明采用倒装结构,省去引线焊接工艺,直接依靠植球工艺加上倒装焊接设备达到可靠焊接。使高导热的热流通道与电流通道独立,实现了热电分离。从而避免了电热相互影响,电流热量叠加造成晶片热负荷增加,因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。
[0006]【专利附图】

【附图说明】:
附图1是本发明LED晶片主视图;
附图2是本发明LED晶片俯视图;
附图3是本发明倒装LED晶片使用时的主视剖面图。
[0007]【具体实施方式】:
采用MOCVD设备在传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14),在衬底上生长CaN缓冲层
(13),然后依次生长 N 型 CaN (12),N 型 CaAlN (9),MQW 多量子阱层(10),CaInN 层(8),CaN层(7),P型CaAlN (6),P型CaN (5),电流扩散反光层(4),AlN层(3),热沉焊接极(2),P型电极(1),N型电极(11)。通过晶片生产工艺完成整个晶片的生产。
[0008]在倒装焊接基板(18)上制备线路,P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23)上植球(15),倒装焊接基板采用穿孔工艺,将P型电极穿孔沉铜(21),N型电极穿孔沉铜(19),热流穿孔沉铜(20)引出到基板背面的覆铜线路(22),热流通过(20)导出,外部供电通过(19) (21)引入。
【权利要求】
1.一种倒装晶片的LED结构,其特征在于:以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13);CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12),N型CaAlN层(9)、N型电极(11),N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10),CaInN层(8),CaN层(7),P型CaAlN层(6),P型CaN层(5),电流扩散反光层(4);在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3),P型电极(I);在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2);倒置晶片由上植球(15)与焊接基板(18)上的P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23)P型电极穿孔沉铜(21)、N型电极穿孔沉铜(19)、热流穿孔沉铜(20)、覆铜线路(22),热流穿孔沉铜(20)连接。
【文档编号】H01L33/62GK103531702SQ201210225514
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2012年7月3日 优先权日:2012年7月3日
【发明者】江淳民, 胡启胜, 马洪毅 申请人:深圳市蓝科电子有限公司
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