专利名称：一种倒装晶片的led结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED的结构。
背景技术：
LED作为一种新型发光器件，逐渐为全世界所认识。随着LED在各个领域的大规模应用，特别是照明功率LED的逐步推广，LED晶粒的可靠性越来越受到人们重视，特别是针对免焊线工艺的倒装LED晶片结构与工艺。如发明专利CN 100468796C，LED倒装芯片的制备方法，描述的倒装晶片技术，结构采用热电合一的倒装结构，热流与电流叠加，使晶片的热失效风险加大；现有的倒装晶片焊接时采用直接将电极与外部热沉或者电路连接，焊接时仅在电极处植球焊接。 发明内容本实用新型的目的在于提供省去引线焊接工艺的一种倒装晶片的LED结构。以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13);CaN缓冲层
(13)再依次向外设置N型CaN层(12)，N型CaAlN层(9)、N型电极(11)，N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10)，CaInN层(8)，CaN层(7)，P型CaAlN层(6)，P型CaN层(5)，电流扩散反光层(4);在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3)，P型电极(I);在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2);倒置晶片由上植球(15)与焊接基板(18)上的P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23) P型电极穿孔沉铜(21)、N型电极穿孔沉铜(19)、热流穿孔沉铜(20)、覆铜线路(22)，热流穿孔沉铜(20)连接。本实用新型采用倒装结构，省去引线焊接工艺，直接依靠植球工艺加上倒装焊接设备达到可靠焊接。使高导热的热流通道与电流通道独立，实现了热电分离。从而避免了电热相互影响，电流热量叠加造成晶片热负荷增加，因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。
附图I是本实用新型LED晶片主视图；附图2是本实用新型LED晶片俯视图；附图3是本实用新型倒装LED晶片使用时的主视剖面图。
具体实施方式
采用MOCVD设备在传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)，在衬底上生长CaN缓冲层
(13)，然后依次生长 N 型 CaN (12)，N 型 CaAlN (9)，MQW 多量子阱层(10)，CaInN 层(8)，CaN层(7)，P型CaAlN (6)，P型CaN (5)，电流扩散反光层(4)，AlN层(3)，热沉焊接极(2)，P型电极(1)，N型电极(11)。通过晶片生产工艺完成整个晶片的生产。在倒装焊接基板(18)上制备线路，P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23)上植球(15)，倒装焊接基板采用穿孔工艺，将P型电极穿孔沉铜(21)，N型电极穿孔沉铜(19)，热流穿孔沉铜(20)引出到基板背面的覆铜线路(22)，热流通过(20)导出，外部供电通过N型电极穿孔沉铜(19)、P型电极穿孔沉铜( 21)引入。
权利要求1.一种倒装晶片的LED结构，其特征在于以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13);CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12)，N型CaAlN层(9)、N型电极(11)，N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10)，CaInN层(8)，CaN层(7)，P型CaAlN层(6)，P型CaN层(5)，电流扩散反光层(4);在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3)，P型电极(I);在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2);倒置晶片由上植球(15)与焊接基板(18)上的P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23)P型电极穿孔沉铜(21)、N型电极穿孔沉铜(19)、热流穿孔沉铜(20)、覆铜线路(22)，热流穿孔沉铜(20)连接。
专利摘要本实用新型一种倒装晶片的LED结构涉及LED的结构；以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13)；CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12)，N型CaAlN层(9)、N型电极(11)，N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10)，CaInN层(8)，CaN层(7)，P型CaAlN层(6)，P型CaN层(5)，电流扩散反光层(4)；在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3)，P型电极(1)；在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2)；本实用新型省去引线焊接工艺，使高导热的热流通道与电流通道独立，实现了热电分离；从而避免了电热相互影响，电流热量叠加造成晶片热负荷增加，因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。
文档编号H01L33/62GK202721194SQ20122031618
公开日2013年2月6日 申请日期2012年7月3日 优先权日2012年7月3日
发明者江淳民, 胡启胜, 马洪毅 申请人:深圳市蓝科电子有限公司