一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法
【专利摘要】本发明公开了一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，通过一种化学方法对串联电阻（Rs）偏大晶硅太阳能电池片进行表面处理，降低Rs偏大电池片的正银浆料与硅片的接触电阻，从而使得电池片的串联电阻（Rs）恢复到正常水平，转换效率也恢复正常。
【专利说明】-种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，属于晶体硅太阳 能电池领域。
【背景技术】
[0002] 目前，在晶体硅太阳能电池制造过程中，因为工艺波动、辅料异常、设备异常导致 电池片的串联电阻（Rs)偏大，使得电池片的转换效率降低，从而降低电池品质，甚至使电池 片报废。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的是提供一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，通过一 种化学方法对串联电阻（Rs)偏大晶硅太阳能电池片进行表面处理，降低Rs偏大电池片的 正银浆料与硅片的接触电阻，从而使得电池片的串联电阻（RS)恢复到正常水平，转换效率 也恢复正常。
[0004] 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 01-0. 1%质量浓度的 氢氟酸溶液和〇. 01-0. 2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24±6°C，将两种溶液混 合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为2-5s，将浸泡过的电池片迅速 放入纯水中漂洗0. 5-2min，取出吹干或烘干。
[0005] -种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 01-0. 1%质量浓度的 氢氟酸溶液和〇. 01-0. 2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24±6°C，将两种溶液混 合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间2-5s，再用纯水冲洗电池片 0. 5-lmin，取出吹干或烘干。
[0006] 本发明采用两种不同的化学试剂对对串联电阻偏大的晶体硅太阳能电池片进行 表面处理，不仅使得晶体硅太阳能电池片的串联电阻恢复到正常水平，还使得晶体硅太阳 能电池片的转换效率恢复正常。
【具体实施方式】 [0007] 实施例1 : 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 01%质量浓度的氢氟酸 溶液和0. 01%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在18°C，将两种溶液混合，将串联电阻 偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为2s,将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗 0. 5min，取出吹干。
[0008] 实施例2 : 一种处理晶体娃太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 05%质量浓度的氢氟酸 溶液和〇. 1%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24°c，将两种溶液混合，将串联电阻偏 大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为3s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗 1. 5min，取出烘干。
[0009] 实施例3 : 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 1%质量浓度的氢氟酸溶 液和0. 2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在30°C，将两种溶液混合，将串联电阻偏 大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为5s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗 2min，取出烘干。
[0010] 实施例4: 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 008%质量浓度的氢氟酸 溶液和0. 25%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在15°C，将两种溶液混合，将串联电阻 偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为6s,将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗 0. 4min,取出吹干。
[0011] 实施例5: 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 01%质量浓度的氢氟酸溶 液和0. 01%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在18°C，将两种溶液混合，将该混合溶液喷 涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间2s，再用纯水冲洗电池片0. 5min，取出烘干。
[0012] 实施例6: 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 05%质量浓度的氢氟酸溶 液和0. 1%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24°C，将两种溶液混合，将该混合溶液喷 涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间4s，再用纯水冲洗电池片0.8min，取出吹干。
[0013] 实施例7: 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 1%质量浓度的氢氟酸溶 液和0. 2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在30°C，将两种溶液混合，将该混合溶液喷 涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间5s，再用纯水冲洗电池片lmin，取出吹干或烘 干。
[0014] 实施例8: 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 15%质量浓度的氢氟酸溶 液和0. 008%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在32°C，将两种溶液混合，将该混合溶液 喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间ls，再用纯水冲洗电池片1.2min，取出吹干 或烘干。
[0015] 对比例1 : 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 01%质量浓度的氢氟酸溶 液，温度控制在18°c，将串联电阻偏大电池片浸泡到该溶液中，浸泡时间为2s，将浸泡过的 电池片迅速放入纯水中漂洗0. 5min，取出吹干。
[0016] 对比例2: 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0. 1%质量浓度的氟化氢铵 溶液，温度控制在24°c，将该溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间4s，再用纯 水冲洗电池片〇. 8min，取出吹干。
[0017] 处理前的电池片、经过实施例1-8和对比例1-2处理后的电池片的电性能参数变 化如下表所示 ：
【权利要求】
1. 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，其特征为：配置0. Ol-o. 1%质 量浓度的氢氟酸溶液和0. 01-0. 2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24±6°C，将两种 溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为2-5s，将浸泡过的电池 片迅速放入纯水中漂洗0. 5-2min，取出吹干或烘干。
2. -种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，其特征为：配置0. 01-0. 1%质 量浓度的氢氟酸溶液和〇. 01-0. 2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24±6°C，将两种 溶液混合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间2-5s，再用纯水冲洗 电池片0. 5-lmin，取出吹干或烘干。
3. 如权利要求1所述的一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，其特 征为：配置〇. 05%质量浓度的氢氟酸溶液和0. 1%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在 24°C，将两种溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为3s，将浸 泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗1. 5min，取出烘干。
4. 如权利要求2所述的一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，其特 征为：配置〇. 05%质量浓度的氢氟酸溶液和0. 1%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在 24°C，将两种溶液混合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间4s，再 用纯水冲洗电池片0. 8min，取出吹干。
【文档编号】H01L31/18GK104124305SQ201410288195
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年6月25日 优先权日:2014年6月25日
【发明者】柳杉, 黄明, 王鹏, 黄治国, 张伟, 杨晓琴, 殷建安, 梅超 申请人:上饶光电高科技有限公司