一种人工表面等离子场强增强器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种人工表面等离子场强增强器，包括传统的同轴波导，同轴波导到人工表面等离子波导的过渡波导以及圆锥形等离子波导；其中，过渡波导包括内导体和外导体过渡，内导体过渡由深度递增的周期性环型凹槽阵列实现，外导体过渡由开口逐渐变大的喇叭天线实现；圆锥形等离子波导由深度和宽度恒定、半径递减、周期变化的环型凹槽阵列组成。本发明具有结构简单、尺寸紧凑、高效宽频带、场强增强倍数高，以及适合与传统微波或太赫兹传输电路匹配使用等一系列优点，并且可在微波或太赫兹成像，高分辨率医学内窥镜技术、生物检测、国家安全、食品和农产品质量控制、全球环境检测和信息与雷达通信技术等领域实现广泛应用。
【专利说明】一种人工表面等离子场强增强器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种场强增强器结构，尤其涉及一种人工表面等离子场强增强器结构。
【背景技术】
[0002]近年来，有人提出在金属表面挖孔或刻槽的方法来增加电磁场在金属内的渗透能力，从而可以在较低频率对SPPs进行工程设计。这种等离子体频率受表面几何结构控制的表面等离子体被称为人工表面等离子体(Spoof Surface Plasmon Polaritons,简称SSPPs)。其基本思想是在金属表面挖周期分布的孔洞，孔洞的尺寸和间隔都小于波长，以增强电磁波的渗透作用，从而通过等效媒质的手段降低了金属表层的等离子频率。2005年，Hibbins等人在微波段证实了 SSPPs现象，自此SSPPs引起了研究者的极大兴趣。
[0003]一般来说，金属在低频段(微波段)近似为理想导体，故在其表面是不能传播SPPs的，但有了周期分布的孔洞后，表面不仅可以传播SPPs，还可以实现场的亚波长约束，而且周期性亚波长结构的等离子频率可以通过改变亚波长结构的几何尺寸来灵活改变。目前光滑的金属线被认为是最好的太赫兹波导之一。这种导波具有低损耗和低色散的优点，但是约束较差。因此，Maier等人把SSPPs的概念推广到了金属线的几何位形上，理论上证明了在理想导线上沿长度方向刻周期性分布的环型凹槽，可以传输SSPPs并实现场的亚波长约束，从而实现微波或太赫兹波的局域增强效应，为周期性金属线结构在微波或太赫兹成像，高分辨率医学内窥镜技术、生物检测、国家安全、食品和农产品质量控制、全球环境检测和信息与雷达通信技术等领域的应用开拓了广阔的前景。
[0004]一直以来，空间导波到SPPs的转换被广泛地研究，如通过棱镜耦合或衍射光栅。但对于导波到SSPPs的转换却研究甚少。2013年，东南大学提出了一种在微波频段实现导波到SSPPs的高效转换的结构,它由传统的共面波导(coplanar waveguipe,简称CPW)和“牙齿型”等离子波导(超薄的周期性结构金属条带)构成，两者之间设计了沟槽深度渐变的匹配过渡带。匹配过渡部分实现了 CPW和等离子波导的波矢匹配和阻抗匹配，此结构在微波段实现了从导波到Spoof SPPs的高效率和宽频段转换，为等离子功能器件和电路在微波段的高度集成开创了应用前景。然而，考虑到超薄“牙齿型”等离子波导和金属线型等离子波导传输电磁场形式的区别，上述方案将不再适用。
【发明内容】
[0005]为了达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的:
[0006]一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于:包括传统的同轴波导和同轴波导到人工表面等离子波导的过渡波导，以及圆锥形等离子波导；
[0007]其中，过渡波导包括内导体和外导体过渡，内导体过渡由深度递增的周期性环型凹槽阵列实现，外导体过渡由开口逐渐变大的喇叭天线实现；圆锥形等离子波导由深度和宽度恒定、半径递减、周期变化的环型凹槽阵列组成。
[0008]本发明可以根据同轴波导的类型和尺寸来调节过渡波导和圆锥形等离子波导的结构尺寸，从而实现微波段或太赫兹波段空间导波到SSPPs的转化，进而达到微波或太赫兹频段场强增强的效应，实现人工表面等离子超材料更为广泛的应用。
[0009]本发明具有如下有益效果:
[0010]1.本发明主要提出一种人工表面等离子场强增强器结构，包含传统的同轴波导和同轴波导到人工表面等离子波导的过渡波导，以及圆锥形等离子波导结构。这种结构一方面借鉴同轴波导到人工表面等离子波导转化结构的设计思想，提出了利用深度递增的环型凹槽结构来实现同轴波导和人工表面等离子波导之间的波数匹配以及外导体采用喇叭天线渐变来实现同轴波导和人工表面等离子波导之间的阻抗匹配，从而实现空间导波到SSPPs的高效转化，另一方面，利用人工表面等离子波导的可调谐色散特性，提出半径渐变的圆锥形等离子波导来实现场强的高度聚焦能力。这种立体结构能实现信号的高效输入和场强的高度聚焦以及在微波器件和集成电路结构的设计中具有更大的灵活性。
[0011]2.创新性强，技术前瞻性好:本发明在微波或太赫兹频段实现了电磁波的高度聚焦和高效传输，创新性强，国内外未见此类结构；其可以很好的与传统微波传输线配合使用，拓展了人工表面等离子器件的应用范围，具有很好的技术前瞻性。
[0012]3.场强增强系数大:本发明最终可以实现人工表面等离子场强增强器的终端场强的高度聚焦。在圆锥形等离子结构的顶点处的场强可以达到信号源入射端口处场强的近12倍，同时可以达到过渡波导结束处场强的近5倍。
[0013]4、应用范围广泛:本发明可在微波或太赫兹成像，高分辨率医学内窥镜技术、生物检测、国家安全、食品和农产品质量控制、全球环境检测和信息与雷达通信技术等领域实现广泛应用。
【专利附图】
【附图说明】
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[0014]图1是实施例一的主视图；
[0015]图2(a)是实施例二的结构剖面主视图；
[0016]图2(b)是实施例二的同轴波导部分的左视图；
[0017]图2(c)是实施例二的过渡部分的内、外导体图；
[0018]图2(d)是实施例二的的人工表面等离子波导图；
[0019]图3是实施例二过渡波导环型凹槽阵列的凹槽深度的变化对其色散特性的影响曲线图；
[0020]图4是实施例二等离子波导环型凹槽阵列的半径的变化对其色散特性的影响曲线图；
[0021]图5是实施例二的观察点处场强随频率变化曲线图。
具体实施方案:
[0022]下面结合附图对技术方案的实施作进一步的详细描述:
[0023]实施例一
[0024]如图1、图2(a)所示，场强增强器由三个部分组成。区域I为传统的同轴波导，作为信号的输入端；区域II为过渡波导，包括内导体和外导体过渡，内导体过渡由深度递增的周期性环型凹槽阵列实现，外导体过渡由开口逐渐张大的喇叭天线实现；区域III为圆锥形等离子波导，由深度和宽度恒定、半径递减、周期变化的环型凹槽阵列组成。过渡波导和圆锥形离子波导的结构尺寸参数根据同轴波导的类型和尺寸来调节，与同轴波导参数(如波导类型、波导长度、波导横截面尺寸等)相匹配。
[0025]实施例二
[0026]以如图2(b)所示结构为例，区域I为传统的同轴波导，单个总长L1 = 200微米，波导内导体外径2? = 280微米，外导体内径2R2 = 644微米，壁厚t = 10微米。同轴波导作为导波信号的输入端。
[0027]过渡波导与同轴波导连接，起到将信号高效地转化为SSPPs信号的作用。如图2(c)所示，过渡波导区域II包括内导体和外导体过渡。内导体过渡环型凹槽阵列的渐变深度从Ii1 = 2.5微米按步长Ah = 2.5微米逐渐增大到h2 = 30微米,环型凹槽阵列的其余部分保持渐变的最终深度h2，用来实现同轴波导和人工表面等离子波导之间的波数匹配，环型凹槽深度的变化对其色散特性的影响如图3所示。外导体的喇叭天线渐变内径从2R2=644微米按锥角α = 10°递增，到达过渡波导的总长度处结束，厚度为t = 10微米，用来实现同轴波导和人工表面等离子波导之间的阻抗匹配，过渡波导内相邻两个环型凹槽的水平周期间距P = 100微米，凹槽宽度为a = 50微米，过渡波导的总长度为L2 = 1600微米。
[0028]圆锥形等离子波导作为SSPPs信号增强传输的载体。如图2(d)所示，区域III的圆锥形等离子波导，导体半径从R1 = 140微米按照恒定步长AR = 5微米递减到R3 = 40微米；相邻两个环型凹槽的水平周期距离值为P = 100微米，凹槽宽度为a = 50微米，深度为h2 = 30微米，均保持不变，长度L3 = 2100微米，环型凹槽半径的变化对其色散特性的影响如图4所示。该实施例场强增强器总长度为3900微米。
[0029]根据实施例二，利用电磁仿真软件可得到如图5所示的场强增强效能，在圆锥形等离子结构的顶点处(观察点3)的场强可达到同轴线入射端口处(观察点I)场强的近12倍，可达到过渡波导结束处(观察点2)场强的5倍左右。
【权利要求】
1.一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于:包括传统的同轴波导和同轴波导到人工表面等离子波导的过渡波导，以及圆锥形等离子波导； 其中，过渡波导包括内导体和外导体过渡，内导体过渡由深度递增的周期性环型凹槽阵列实现，外导体过渡由开口逐渐变大的喇叭天线实现；圆锥形等离子波导由深度和宽度恒定、半径递减、周期变化的环型凹槽阵列组成。
2.根据权利要求1所述的一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于:过渡波导中，内导体过渡的环型凹槽阵列渐变采用深度从Ii1按照恒定步长Ah递增到h2，环型凹槽阵列的其余部分保持渐变的最终深度h2 ;环型凹槽阵列相邻两个凹槽的水平周期距离为P ;夕卜导体过渡的喇叭天线渐变采用内径从2R2按照锥角α平滑递增，到达过渡波导的总长度处结束，厚度为t保持不变，过渡波导单个总长度为L2，参数4、Ah、h2、p、R2、t、α、L2与同轴波导参数相匹配。
3.根据权利要求1或2所述的一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于:圆锥形等离子波导的导体半径从R1按照恒定步长AR递减到R3;相邻两个环型凹槽的水平周期距离为P，凹槽宽度为a，深度为h2，均保持不变；总长度为L3，参数％、AR、R3、p、a、h2、L3与同轴波导参数相匹配。
4.根据权利要求1或2所述的一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于:同轴波导作为导波信号的输入端。
5.根据权利要求3所述的一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于:同轴波导作为导波信号的输入端。
【文档编号】H01P5/08GK104253294SQ201410318752
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年7月4日 优先权日:2014年7月4日
【发明者】刘亮亮, 李茁, 陈晨, 顾长青, 许秉正, 宁苹苹 申请人:南京航空航天大学