一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备，用于在晶圆进行连接孔刻蚀后、进行清洗之前，对晶圆进行净化处理，通过在晶圆净化设备的腔体内按不同的方向分别设置喷射枪，可同时向旋转的晶圆支撑台上的晶圆喷射净化气体，并通过腔体上方穹顶形状的内壁中心的抽气管将腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，还可通过喷射枪设有的气体搅动装置或喷嘴，来进一步增强净化的效果，因此，应用本发明的晶圆净化设备既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤，又可实现去除晶圆粘附的刻蚀副产物，从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺陷。
【专利说明】一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于对半导体晶圆进行净化的设备，更具体地，涉及一种在半导 体晶圆的连接孔刻蚀工艺后、清洗工艺前，用于消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净 化设备。
【背景技术】
[0002] 随着半导体集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小，半导体工艺生产将 应用越来越先进的工艺制程。比如，对于连接孔刻蚀工艺，将应用最先进的APF(advanced pattern film,先进的图形薄膜）工艺。同时，由于⑶的缩小，所用的刻蚀反应物将更复杂， 而其刻蚀的副产物成分对后续的清洗工艺提出了更大的挑战。例如，55纳米逻辑产品的连 接孔刻蚀副产物，在清洗工艺与水反应会产生凝结物缺陷，此缺陷将挡住连接孔钨栓的填 充，成为制约良率提升的一大阻碍。
[0003] 连接孔刻蚀通常应用等离子体进行，它是部分电离的气体，由电子、离子、自由 基、中性粒子及光子组成。等离子体本身是含有物理和化学活泼粒子的电中性混合物，这些 活泼自由基粒子能够做化学功，而带电原子和分子通过溅射能够做物理功。因此，通过物 理轰击和化学反应，等离子工艺能够完成各种材料表面改性，包括表面活化、污染物去除、 刻蚀等功效。
[0004] 目前，针对刻蚀后的副产物，通常应用刻蚀腔在刻蚀完成后应用等离子体对晶圆 进行处理。此种方法将降低生产率，而且，由于等离子体的特性，很难控制其不对晶圆（如 对CD)造成损伤，以及带来金属硅化物损失等。另外一种常用的方式是通过增加后续清洗 步骤的清洗时间来去除刻蚀后的副产物。此种方式同样会降低生产率，而且很难清洗干净。 如果将上述两种方式一起应用，不但对生产率的影响将加倍，同时还会存在损伤CD等潜在 问题，以及造成缺陷去除不净的风险。所以，以上去除刻蚀后的副产物的方式均存在很大的 弊端。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种消除连接孔刻蚀副产 物凝结缺陷的晶圆净化设备，用于在所述晶圆进行连接孔刻蚀后、进行清洗之前，对所述晶 圆进行净化处理，通过在所述晶圆净化设备的腔体内按不同方向设置喷射枪，可同时向晶 圆支撑台上旋转的所述晶圆喷射净化气体，并通过所述腔体上方的抽气管将所述腔体内的 净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，还可通过喷射枪设有的气体搅动装置或喷嘴，来 进一步增强净化的效果，既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤，又可实现去除所述晶圆 粘附的刻蚀副产物，从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺 陷。
[0006] 为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
[0007] -种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备，用于在所述晶圆进行连接 孔刻蚀后、进行清洗之前，对所述晶圆进行前置净化处理，去除所述晶圆粘附的刻蚀副产 物，以消除刻蚀副产物与水反应产生的凝结物缺陷，所述晶圆净化设备包括：
[0008] 腔体，所述腔体形成用于所述晶圆净化的密闭空间，所述腔体具有穹顶形状的上 方内壁，所述腔体设有所述晶圆的传输窗口；利用穹顶弧面的导向作用，可使腔体内净化后 的气体及其携带的刻蚀副产物能尽快向腔体顶部汇聚并抽出，以避免刻蚀副产物在腔体内 沉积或二次污染晶圆；晶圆通过传输窗口进入腔体进行净化，并在净化后通过传输窗口移 出腔体；
[0009] 喷射枪，包括活动设于所述腔体内上方的一顶部喷射枪和设于所述腔体内侧面的 一侧壁喷射枪，所述喷射枪连通所述净化设备外部的净化气源，所述顶部喷射枪和所述侧 壁喷射枪按不同的方向设置，可分别从不同方向向放置在所述腔体内的所述晶圆喷射净化 气体，对所述晶圆进行净化处理；由于晶圆表面具有连接孔的立体结构，二个喷射枪分别从 不同方向喷射净化气体，可以从不同方位冲击刻蚀副产物，更好地将连接孔部位粘附的刻 蚀副产物冲刷掉；所述喷射枪设有气体搅动装置或喷嘴，通过气体搅动装置可调整喷射枪 内净化气体的流动状态，通过喷嘴可调整净化气体的喷射形态及出口压力；
[0010] 晶圆支撑台，转动设于所述腔体内下方，用于承载所述晶圆，所述支撑台位于所述 顶部喷射枪和所述侧壁喷射枪的下方；可通过晶圆支撑台的转动，带动晶圆旋转，使从不同 方向喷射出的净化气体在晶圆表面形成旋流状态，利用净化气体旋流的冲刷特性，使晶圆 粘附的刻蚀副产物松动，并在净化气体的带动作用下通过离心力从晶圆分离，从而使晶圆 得到净化；
[0011] 抽气管，所述抽气管的抽气口设于所述腔体上方内壁的中心部位，并与所述腔体 内壁平齐，所述抽气管连通所述净化设备外部的气体回收装置，所述抽气管可将所述腔体 内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，并排向所述气体回收装置。抽气口与腔体内 壁平齐，配合穹顶的汇聚作用，可更好地抽出净化后气体及其携带的刻蚀副产物。
[0012] 进一步地，所述晶圆的传输窗口设于所述腔体的侧壁，包括输入窗口和输出窗口。 设置2个窗口，可方便晶圆以单向流水进出，提高净化效率。
[0013] 进一步地，所述顶部喷射枪、侧壁喷射枪分设于所述腔体内相对侧的上方和侧面， 其在所述腔体内的位置及角度可调节，可使净化气体从不同方向相向喷向晶圆，以增强净 化效力，并可根据晶圆的具体条件调整喷射枪与晶圆之间的距离、水平位置及喷射净化气 体的角度。
[0014] 进一步地，所述顶部喷射枪垂直于所述支撑台设置，并可调整与所述支撑台之间 的距离。
[0015] 进一步地，所述顶部喷射枪垂直设于所述支撑台中心的上方，并可调整与所述支 撑台之间的距离，从上方喷出的净化气体在适当的垂直距离下，通过离心作用从晶圆的中 心向外侧漫延，使晶圆均匀地受到净化。
[0016] 进一步地，所述侧壁喷射枪倾斜于所述支撑台设置，并可调整与所述支撑台之间 的喷射角度。
[0017] 进一步地，所述喷射枪设有压力及流量调节装置，可根据晶圆的具体条件调整净 化气体的喷射压力及流量，以进一步增强净化效力。
[0018] 进一步地，所述喷射枪的喷管内设有一至多个气体搅动装置，所述气体搅动装置 包括一顺所述净化气体流向设置的螺旋状叶片，所述螺旋状叶片转动连接所述喷射枪的喷 管内壁，当所述喷射枪的喷管内通有所述净化气体时，所述螺旋状叶片可在所述净化气体 的冲击下旋转，使所述净化气体在通过所述螺旋状叶片后由平行状气流转变为旋转状气流 喷出。通过气体搅动装置可调整喷射枪内净化气体的流动状态，可使净化气体在接触晶圆 的瞬间，产生一股旋刷式的作用力，以对晶圆的局部净化起到更好的效果。
[0019] 进一步地，所述喷射枪设有喷嘴，所述喷嘴具有收缩的喷口或花洒形的喷口。通过 喷嘴可调整净化气体的喷射形态及出口压力。收缩的喷口可对净化气体起到汇聚的作用， 使净化气体集成一束增压喷向晶圆，对晶圆产生良好的冲刷作用；花洒形的喷口可使净化 气体分成多束增压喷向晶圆，可在扩大对晶圆的直接冲刷面积的同时，以较细的气流对晶 圆的微观刻蚀结构产生更佳的冲刷效力。
[0020] 进一步地，所述支撑台具有承载所述晶圆的水平台面，使晶圆在旋转时处于水平 状态保持平稳，均衡地进行净化；所述支撑台可转动，并可在垂直方向上下移动，可在喷射 枪位置固定好之后，通过调整支撑台的高低位置来调整净化气体的喷射距离。
[0021] 使用本发明的上述技术方案中的晶圆净化设备时，在晶圆进行连接孔刻蚀后，将 晶圆从腔体的输入窗口放入，置于支撑台上。启动支撑台使其转动，并带动晶圆旋转。然 后，打开顶部喷射枪、侧壁喷射枪，从晶圆的上方及侧面两个方向向晶圆喷射高于室温的净 化气体，例如氮气或惰性气体或其混合气体，并利用晶圆旋转的离心作用，使净化气体在晶 圆表面形成旋流状态。同时，根据晶圆的具体条件，调整好喷射枪与晶圆之间的喷射距离、 喷射角度及喷射流量，以对晶圆的上表面施以一定的冲击作用，使晶圆粘附的刻蚀副产物 松动，并通过晶圆旋转产生的离心力，使刻蚀副产物在净化气体的携带下从晶圆分离，从而 使晶圆得到净化。接着打开抽气管，利用腔体穹顶弧面的导向作用，使腔体内净化后的气体 及其携带的刻蚀副产物尽快地向抽气口汇聚并抽出，以避免刻蚀副产物在腔体内沉积或二 次污染晶圆。还可以择一的方式在喷射枪的喷管内安装气体搅动装置或在喷管管口安装喷 嘴，通过气体搅动装置可调整喷射枪内净化气体的流动状态，通过喷嘴可调整净化气体的 喷射形态及出口压力，以进一步增强净化的效果。净化完毕后，停止支撑台的转动，关闭喷 射枪和抽气管，打开输出窗口，将晶圆取出，可继续进行正常的清洗步骤。
[0022] 从上述技术方案可以看出，利用本发明的晶圆净化设备，在晶圆进行连接孔刻蚀 后、进行清洗之前，可对晶圆进行前置净化处理，本发明通过在晶圆净化设备的腔体内按垂 直和倾斜两个方向分别设置顶部喷射枪和侧壁喷射枪，可从垂直方向及倾斜方向同时向晶 圆支撑台上旋转的晶圆喷射净化气体，并通过腔体穹顶中心的抽气管将腔体内的净化后气 体及其携带的刻蚀副产物抽出，还可通过在喷射枪的喷管内安装气体搅动装置或在喷管管 口安装喷嘴，来进一步增强净化的效果，既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤，又可实现 去除所述晶圆粘附的刻蚀副产物，从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生 的凝结物缺陷。本发明在保证生产率的同时，可有效去除刻蚀后产生的副产物，为后续清洗 步骤提供了更大的工艺窗口，因此为良率的提升提供了有力保障。
【专利附图】
【附图说明】
[0023] 图1是本发明一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备的一种结构 示意图；
[0024] 图2是图1中的气体搅动装置的结构示意图；
[0025] 图3是本发明一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备的另一种结 构示意图。
【具体实施方式】
[0026] 下面结合附图，对本发明的【具体实施方式】作进一步的详细说明。
[0027] 需要说明的是，在下述的实施例中，在详述本发明的实施方式时，为了清楚地表示 本发明的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变 形及省略处理，因此，应避免以此作为对本发明的限定来加以理解。
[0028] 实施例一
[0029] 在本实施例中，请参阅图1，图1是本发明一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的 晶圆净化设备的一种结构示意图。本发明的晶圆净化设备，用于在晶圆进行连接孔刻蚀后、 进行清洗之前，对晶圆进行前置净化处理，去除晶圆粘附的刻蚀副产物，以消除刻蚀副产物 与水反应产生的凝结物缺陷。本发明的晶圆净化设备包括腔体、喷射枪、晶圆支撑台和抽气 管几个组成部分。如图1所示，腔体1形成用于晶圆19净化的密闭空间，腔体1具有穹顶 形状的上方内壁8。利用穹顶弧面的导向作用，可使腔体1内净化后的气体及其携带的刻蚀 副产物能尽快向腔体1顶部汇聚并抽出，以避免刻蚀副产物在腔体1内沉积或二次污染晶 圆19。腔体1两侧靠近下方的侧壁设有2个晶圆19的传输窗口 2和17,其中1个是输入 窗口 2,另1个是输出窗口 17。晶圆19通过输入窗口 2进入腔体1进行净化，并在净化后 通过输出窗口 17移出腔体1。设置2个窗口的形式，可方便晶圆19以单向流水进出，提高 净化效率。
[0030] 请继续参阅图1。在腔体1内靠上方的位置按垂直喷射方向安装有一个顶部喷射 枪11。顶部喷射枪11通过折转的连接管7安装在腔体1侧壁上，并可通过腔体1侧壁上的 活动安装固定机构3来调整顶部喷射枪11的下端喷射口在腔体1内的垂直高度及水平位 置。在与顶部喷射枪11相对侧的腔体1侧壁上、并低于顶部喷射枪11的安装高度，倾斜安 装有1个侧壁喷射枪18。侧壁喷射枪18通过折转的连接管12安装在腔体1侧壁上，并可 通过腔体1侧壁上的活动安装固定机构13来调整侧壁喷射枪18在腔体1内的喷射角度及 水平位置。顶部喷射枪11和侧壁喷射枪18分别通过进气管4和16连通外部的净化气源 (图略），可向腔体1内喷射净化气体。顶部喷射枪11和侧壁喷射枪18分别安装在腔体1 内的上方和侧面，可分别从不同方向向放置在腔体1内的晶圆19喷射净化气体，对晶圆19 进行净化处理，以增强净化效力。
[0031] 由于晶圆19表面具有连接孔的立体结构，二个喷射枪11和18分别从不同方向喷 射净化气体，可以从不同方位冲击刻蚀副产物，更好地将连接孔部位粘附的刻蚀副产物冲 刷掉。在顶部喷射枪11和侧壁喷射枪18的进气管4和16上分别装有压力调节装置5和 15及流量调节装置6和14,可根据晶圆19的具体条件调整净化气体的喷射压力及流量，以 进一步增强净化效力。顶部喷射枪11在腔体1内的高度及水平位置可调节，侧壁喷射枪18 在腔体1内的水平位置及喷射角度可调节，可根据晶圆19的具体条件调整喷射枪与晶圆之 间的距离、水平位置及喷射净化气体的角度，以更好地将连接孔部位粘附的刻蚀副产物冲 刷干净。
[0032] 请继续参阅图1。晶圆支撑台20安装在腔体1内下方的中心，用于承载晶圆19。 支撑台20的台面为水平安装，以使晶圆19在旋转时处于水平状态并保持平稳，均衡地进行 净化。支撑台20位于顶部喷射枪11和侧壁喷射枪18的下方，支撑台20的下方中心装有转 轴21，转轴21连接腔体1外部的旋转及升降机构22。旋转及升降机构22可采用传统的机 电一体化传动形式或其他可同时转动及升降的机构形式来实现。旋转及升降机构22通过 转轴21带动晶圆支撑台20在腔体1内可同时作旋转及上下移动。在使用时，可在喷射枪 11和18位置固定好之后，通过调整支撑台20的高低位置来调整净化气体的喷射距离。通 过晶圆支撑台20的转动，带动晶圆19旋转，使从垂直及倾斜方向喷射出的净化气体在晶圆 19表面形成旋流状态，利用净化气体旋流的冲刷特性，使晶圆19粘附的刻蚀副产物松动， 并在净化气体的带动作用下通过离心力从晶圆19分离，从而使晶圆19得到净化。
[0033] 请继续参阅图1。抽气管9安装在腔体1上方的中心部位，并连通腔体1内部，抽 气管9的抽气口 10与腔体1内壁平齐，抽气管9连通净化设备外部的气体回收装置（图 略）。抽气管9可将腔体1内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，并排向气体回收装 置。抽气口 10与腔体1内壁平齐，配合腔体1穹顶内壁8对气流的汇聚作用，可更好地抽 出净化后气体及其携带的刻蚀副产物。
[0034] 请继续参阅图1。在顶部喷射枪11和侧壁喷射枪18的喷管内各设有2个气体搅 动装置23,用来调整喷射枪内净化气体的流动状态，起到更好的净化效果。气体搅动装置 23的具体结构可通过图2来说明。
[0035] 请参阅图2,图2是图1中的气体搅动装置的结构示意图。如图2所示，2个气体搅 动装置23串联设置在喷射枪的喷管27内（或直接加装在喷射枪的喷管27的管段之间）。 每个气体搅动装置23内部包括一个顺着净化气体流向（如图中左侧箭头所指）设置的螺 旋状叶片26,螺旋状叶片26模仿螺杆传动的形式和方向加工。螺旋状叶片26的中心设有 转轴25,转轴25的二端分别转动连接一个支架24,支架24固定连接喷管27的内壁（如果 将气体搅动装置直接加装在喷射枪的喷管27的管段之间，则支架24是固定连接气体搅动 装置23的内壁）。由于喷管27的管径较小，为了增强对气体的搅动作用，将螺旋状叶片26 制作得比较大，并因此将气体搅动装置安装处的喷管27的管壁作了圆弧形外扩处理。当喷 射枪的喷管27内通有净化气体时，螺旋状叶片26可在净化气体的冲击下旋转，使净化气体 在通过螺旋状叶片26后由平行状气流转变为旋转状气流喷出（如图中中间及右侧箭头所 指）。2个气体搅动装置中的第二个气体搅动装置可进一步加强由第一个气体搅动装置流 出的旋转状气流的旋转状态。通过气体搅动装置可调整喷射枪内净化气体的流动状态，可 使净化气体在接触晶圆的瞬间，产生一股旋刷式的作用力，以对晶圆的局部净化起到更好 的效果。
[0036] 在使用本实施例中的晶圆净化设备时，在晶圆19进行连接孔刻蚀后，将晶圆19从 腔体1的输入窗口 2移入，置于支撑台20上。将顶部喷射枪11垂直设于支撑台20中心的 上方，调整好与晶圆之间的距离；并调整好侧壁喷射枪18的喷射角度及水平位置，以便其 喷射的净化气体能准确地喷向晶圆19上表面所需的喷射位置。然后，启动支撑台20使其 转动，并带动晶圆19旋转。接着，打开顶部喷射枪11、侧壁喷射枪18,从晶圆19的垂直上 方及侧面倾斜的两个方向同时向晶圆19喷射高于室温的净化气体，例如氮气或其混合气 体或惰性气体，并利用晶圆19旋转的离心作用，使净化气体从晶圆19的中心向外侧漫延， 并在晶圆19表面形成旋流状态，利用旋流的冲刷作用，使晶圆19均匀地受到净化。在此过 程中，根据晶圆19的具体条件，还可以继续调整喷射枪与晶圆19之间的喷射距离、喷射角 度及喷射压力、流量，以对晶圆19的上表面施以一定的有效冲击作用，使晶圆19粘附的刻 蚀副产物松动，并通过晶圆19旋转产生的离心力，使刻蚀副产物在净化气体的携带下从晶 圆19分离，从而使晶圆19得到净化。还可以在喷射枪11和18的喷管内安装气体搅动装置 23,可调整喷射枪内净化气体的流动状态，以进一步增强净化的效果。随后，打开抽气管9， 利用腔体1穹顶弧面内壁8的气流导向作用，使腔体1内净化后的气体及其携带的刻蚀副 产物尽快地向抽气口 10汇聚并抽出，以避免刻蚀副产物在腔体1内沉积或二次污染晶圆。 净化完毕后，停止支撑台20的转动，关闭喷射枪11、18和抽气管9,打开输出窗口 17,将晶 圆19取出，即可继续进行正常的清洗步骤。
[0037] 实施例二
[0038] 在本实施例中，请参阅图3,图3是本发明一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的 晶圆净化设备的另一种结构示意图。如图3所示，本实施例中的晶圆净化设备的主要结构 与实施例一完全相同，区别仅在于，在顶部喷射枪11和侧壁喷射枪18的喷管内没有设有气 体搅动装置，而是在顶部喷射枪11和侧壁喷射枪18的喷射端管口各设有1个喷嘴28,通过 喷嘴28可调整净化气体的喷射形态及出口压力。在本实施例中，喷嘴28采用花洒形的喷 口（喷口与通常的花洒相同，作图略处理）。花洒形的喷口可使净化气体分成多束增压喷向 晶圆19,可在扩大对晶圆19的直接冲刷面积的同时，以较细的气流对晶圆19的微观刻蚀结 构产生更佳的冲刷效力。本实施例中的晶圆净化设备的其他结构与实施例一完全相同，故 不再赘述。
[0039] 需要说明的是，喷嘴也可以采用具有收缩的喷口，例如收缩的圆孔形喷口或扁嘴 形喷口以及其他任何可对净化气体起到汇聚及增压作用的喷口形状，只要可使净化气体能 够集成一束增压喷向晶圆，对晶圆产生良好的冲刷作用即可。
[0040] 以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保 护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在 本发明的保护范围内。
【权利要求】
1. 一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备，其特征在于，所述晶圆净化 设备用于在所述晶圆进行连接孔刻蚀后、进行清洗之前，对所述晶圆进行净化处理，去除所 述晶圆粘附的刻蚀副产物，以消除刻蚀副产物与水反应产生的凝结物缺陷，所述晶圆净化 设备包括： 腔体，所述腔体形成用于所述晶圆净化的密闭空间，所述腔体具有穹顶形状的上方内 壁，所述腔体设有所述晶圆的传输窗口； 喷射枪，包括活动设于所述腔体内上方的一顶部喷射枪和设于所述腔体内侧面的一 侧壁喷射枪，所述喷射枪连通所述净化设备外部的净化气源，所述顶部喷射枪和所述侧壁 喷射枪按不同的方向设置，可分别从不同方向向放置在所述腔体内的所述晶圆喷射净化气 体，对所述晶圆进行净化处理；所述喷射枪设有气体搅动装置或喷嘴； 晶圆支撑台，转动设于所述腔体内下方，用于承载所述晶圆，所述支撑台位于所述顶部 喷射枪和所述侧壁喷射枪的下方； 抽气管，所述抽气管的抽气口设于所述腔体上方内壁的中心部位，并与所述腔体内壁 平齐，所述抽气管连通所述净化设备外部的气体回收装置，所述抽气管可将所述腔体内的 净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，并排向所述气体回收装置。
2. 如权利要求1所述的晶圆净化设备，其特征在于，所述晶圆的传输窗口设于所述腔 体的侧壁，包括输入窗口和输出窗口。
3. 如权利要求1所述的晶圆净化设备，其特征在于，所述顶部喷射枪、侧壁喷射枪分设 于所述腔体内相对侧的上方和侧面，其在所述腔体内的位置及角度可调节。
4. 如权利要求1所述的晶圆净化设备，其特征在于，所述顶部喷射枪垂直于所述支撑 台设置，并可调整与所述支撑台之间的距离。
5. 如权利要求4所述的晶圆净化设备，其特征在于，所述顶部喷射枪垂直设于所述支 撑台中心的上方，并可调整与所述支撑台之间的距离。
6. 如权利要求1所述的晶圆净化设备，其特征在于，所述侧壁喷射枪倾斜于所述支撑 台设置，并可调整与所述支撑台之间的喷射角度。
7. 如权利要求1、3?6任意一项所述的晶圆净化设备，其特征在于，所述喷射枪设有压 力及流量调节装置。
8. 如权利要求1、3?6任意一项所述的晶圆净化设备，其特征在于，所述喷射枪的喷管 内设有一至多个气体搅动装置，所述气体搅动装置包括一顺所述净化气体流向设置的螺旋 状叶片，所述螺旋状叶片转动连接所述喷射枪的喷管内壁，当所述喷射枪的喷管内通有所 述净化气体时，所述螺旋状叶片可在所述净化气体的冲击下旋转，使所述净化气体在通过 所述螺旋状叶片后由平行状气流转变为旋转状气流喷出。
9. 如权利要求1、3?6任意一项所述的晶圆净化设备，其特征在于，所述喷射枪设有喷 嘴，所述喷嘴具有收缩的喷口或花洒形的喷口。
10. 如权利要求1所述的晶圆净化设备，其特征在于，所述支撑台具有承载所述晶圆的 水平台面，所述支撑台可转动，并可在垂直方向上下移动。
【文档编号】H01L21/67GK104091776SQ201410357115
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年7月25日 优先权日:2014年7月25日
【发明者】范荣伟, 陈宏璘, 龙吟, 顾晓芳, 王恺 申请人:上海华力微电子有限公司