Amoled器件结构及其制造方法
【专利摘要】本发明公开一种AMOLED器件结构，包括驱动电压和依次叠加设置的阴极层、有机发光层和阳极层，所述阴极层连接驱动电压负极，所述阳极层连接驱动电压正极，其特征在于，所述AMOLED器件结构还包括阴极辅助层，所述阴极辅助层连接阴极层和驱动电压负极。还公开一种上述AMOLED器件结构的制造方法。上述AMOLED结构及其制造方法，通过在原有结构中设置阴极辅助层，可以解决因阴极厚度较薄或显示屏尺寸较大导致的阴极电阻过大的问题。
【专利说明】AMOLED器件结构及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及OLED显示器件，尤其涉及一种AMOLED器件结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002]AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting D1de,有源矩阵有机发光二极管)，与传统的液晶面板相比，具有低驱动、低功耗、自主发光、反应速度快、对比度高、视角宽广等诸多优点，因此赢得了广泛关注。
[0003]传统技术中，AMOLED通常由阳极层、阴极层和夹在阳极层和阴极层中间的有机发光层构成。当在阳极层和阴极层分别施加合适的电压时，中间的有机发光层受到激发自主发光。在顶发光的AMOLED中，阴极层通常是由Mg、Ag等金属形成的薄膜，由于其需具有透光的特性因而要做的很薄，导致电阻较大。而阴极层在基板四周和外围的驱动电压负极走线相连，若阴极电阻较大的话，导致靠近基板周边的阴极电压和基板中间的阴极电压差异较大，使得AMOLED屏幕亮度均一性较差。尤其对于大尺寸的AMOLED器件，这种问题更加明显。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种发光亮度一致性较高的AMOLED器件结构。
[0005]一种AMOLED器件结构，包括驱动电压和依次叠加设置的阴极层、有机发光层和阳极层，所述阴极层连接驱动电压负极，所述阳极层连接驱动电压正极，其特征在于，所述AMOLED器件结构还包括阴极辅助层，所述阴极辅助层连接阴极层和驱动电压负极。
[0006]在其中一个实施例中，所述阴极辅助层位于阳极层。
[0007]在其中一个实施例中，所述阴极辅助层包括位于像素单元组之间的金属走线，所述金属走线延伸到AMOLED器件结构的边缘与驱动电压负极连接；所述像素单元组包括至少一个像素单元。
[0008]在其中一个实施例中，所述阴极层的中央区域与金属走线电连接。
[0009]在其中一个实施例中，所述阳极层包括多个相互间隔的阳极，其中每一个阳极均与一个像素单元的一个子像素对应，所述阳极之间的空隙填充绝缘材料形成像素限定层；所述像素限定层上与金属走线交叉处对应的位置形成过孔，所述金属走线通过所述过孔内填充的导电物与阴极层之间形成电连接。
[0010]在其中一个实施例中，所述导电物为可导电的光刻胶。
[0011]一种AMOLED器件结构的制造方法，包括如下步骤:形成与驱动电压正极电连接的阳极层；形成与驱动电压负极电连接的阴极辅助层；形成有机发光层；形成与阴极辅助层电连接的阴极层；所述阴极层也与驱动电压负极电连接。
[0012]在其中一个实施例中，所述阴极辅助层和阳极层同时形成，所述形成阳极层和阴极辅助层的步骤包括:在基板上沉积金属导电膜；蚀刻所述金属导电膜形成包含阳极图形的阳极层和包含金属走线的阴极辅助层。
[0013]在其中一个实施例中，还包括步骤:
[0014]在所述阳极层上涂覆光刻胶；
[0015]经过光刻工艺使所述光刻胶在阳极层上形成像素限定层；
[0016]所述有机发光层形成于像素限定层定义的范围中。
[0017]在其中一个实施例中，在像素限定层上与金属走线交叉处形成过孔，在所述过孔中形成导电物，所述导电物突出于像素限定层的表面；在形成阴极层的步骤中，所述阴极层覆盖所述导电物。
[0018]上述AMOLED结构及其制造方法，通过在原有结构中设置阴极辅助层，可以解决因阴极厚度较薄或显示屏尺寸较大导致的阴极电阻过大的问题。
[0019]进一步地，将该阴极辅助层设置在阳极层，既可以充分利用该AMOLED结构的空间，也可以减少工艺和节省材料。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1是减小AMOLED显示屏的阴极层电阻的原理图；
[0021]图2是一个实施例中AMOLED器件结构的剖视图；
[0022]图3是图2所示该实施例中AMOLED器件结构的俯视图(不包括阴极层);
[0023]图4是一实施例的AMOLED器件结构制造方法流程图；
[0024]图5是图4所示流程图中步骤S120之后的结构示意图；
[0025]图6是图4所示流程图中步骤S130之后的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]如图1所示，是减小AMOLED显示屏的阴极层电阻的原理图。该AMOLED显示屏包括AMOLED器件结构和其他相关组件。该AMOLED器件结构包括依次叠加的阴极层100、有机发光层200和阳极层300。阴极层100连接驱动电压负极V-，阳极层300连接驱动电压正极V+。驱动电压激发有机发光层200发光，形成像素发光。每个像素单元的子像素采用相同的阴极电压，不同的阳极电压来使子像素发出不同亮度的色光。由于阴极层100上不同的点与显示屏边缘处的驱动电压负极的连接端的距离并不相同，导致压降不相同。当采用相同的阳极电压使两个不同位置的子像素的亮度预期相同时，实际上二者的亮度并不相同。而当该压降由于电阻变大变得不可忽略时，二者的亮度差异就会被人眼感知，使得整个显示屏的亮度不均匀，致使显示效果下降。
[0027]如图1中，阴极层100上某个子像素对应的位置与驱动电压负极的连接端之间形成电阻R1。同时，阴极层100在该子像素处还连接旁路电阻R2至驱动电压负极的连接端。这样电阻Rl与电阻R2并联，会减小阴极层100在该子像素处至驱动电压负极的连接端之间的电阻(也即，电阻Rl与电阻R2并联的阻值小于电阻R1、电阻R2中任一的阻值)。在整个AMOLED器件结构中应用旁路电阻，即可形成调整整体阻值。所有旁路电阻即构成阴极辅助层。阴极辅助层在多处连接阴极层100，同时与驱动电压负极连接。
[0028]图2是一个实施例中AMOLED器件结构的剖视图。图3是该实施例中AMOLED器件结构的俯视图(不包括阴极层)。参考图2和图3，在一个实施例中，该AMOLED器件结构具有如下具体结构。
[0029]阳极层300包括多个相互间隔的阳极310。其中每一个阳极310均与一个像素单元的一个子像素对应。每个像素单元包括红、绿、蓝三个子像素，也即包括三个阳极310。
[0030]本实施例中，所述阴极辅助层位于阳极层300，也即阴极辅助层和阳极层300位于同一层。这样可以在制作工艺中一起形成。该阴极辅助层包括位于像素单元组之间的金属走线410，也即金属走线410位于阳极310的间隙。其中，所述像素单元组包括至少一个像素单元。如图3所示，一个像素单元的四周分别有一条金属走线410。在其他实施例中，四条金属走线也可以包围4个、9个或16个像素单元。也即像素单元组包括4个、9个或16个像素单元。金属走线410延伸到AMOLED器件结构的边缘与驱动电压负极连接(图未示)。
[0031]参考图2，阳极310之间、阳极310与金属走线410之间均有空隙。该空隙中填充绝缘材料形成像素限定层500。像素限定层500用来定义有机材料层200的位置。在两个像素单元相邻的位置，若存在上述的金属走线410，则绝缘材料填充在金属走线410和阳极310的空隙中并覆盖金属走线。
[0032]同时，在两条金属走线410的交叉处，像素限定层500形成过孔使金属走线410裸露。所述过孔内填充的导电物600,导电物600突出于像素限定层500的表面。金属走线410通过导电物600与阴极层100之间形成电连接，在其他实施例中导电物600也可以是不突出于像素限定层500的表面的，只要可以与金属走线410形成电连接即可。本实施例中，导电物600为可导电的光刻胶。
[0033]可以理解，需要改善电阻的区域为显示屏的中央区域，边缘部分的电阻较小，压降有限。因此可以仅在阴极层的中央区域与金属走线电连接。这样可以节省工艺和材料。所述中央区域为以显示屏中心为中心的矩形区域。具体比例按实际情况确定。
[0034]可以理解，上述的阴极辅助层不限于形成在阳极层，也可以是其他的层，例如有机发光层或者除原有各层之外的额外的一层。
[0035]可以理解，上述的阴极辅助层的导电材质并不限于金属，还可以是其他导电材料。
[0036]如图4所示，为一实施例的AMOLED器件结构的制造方法流程图。该方法包括如下步骤。
[0037]步骤SllO:形成阳极层。
[0038]步骤S120:形成阴极辅助层。本实施例中，所述阴极辅助层和阳极层同时形成。在步骤SllO中，在基板上沉积金属导电膜，然后蚀刻所述金属导电膜形成包含阳极图形的阳极层和包含金属走线的阴极辅助层，结果如图5所示。在其他实施例中，阴极辅助层也可以单独形成，可以与阳极层位于同一层或不同层。形成方式与单独形成阳极层的方式相同。
[0039]步骤S130:形成有机发光层。本步骤包括在阳极层的多个间隔的阳极的空隙之间填充绝缘材料形成像素限定层，在像素限定层定义的图形内形成有机发光层。
[0040]一个示例的步骤如下:
[0041]在所述阳极层(包括阴极辅助层)上涂覆光刻胶。
[0042]经过光刻工艺使所述光刻胶在阳极层上形成像素限定层。
[0043]所述有机发光层形成于像素限定层定义的范围中。
[0044]结果如图6所示。
[0045]步骤S140:形成与阴极辅助层电连接的阴极层。在整个所述阴极辅助层连接阴极层和驱动电压负极。
[0046]本步骤包括在像素限定层上与金属走线交叉处形成过孔，在所述过孔中形成导电物，所述导电物突出于像素限定层的表面；在形成阴极层的过程中，所述阴极层覆盖在整个结构上，进而与所述导电物电连接。
[0047]结果如图2所示。
[0048]上述AMOLED结构及其制造方法，通过在原有结构中设置阴极辅助层，可以解决阴极因显示屏的尺寸或厚度原因导致的电阻过大的问题。进一步地，将该阴极辅助层设置在阳极层，既可以充分利用该AMOLED结构的空间，也可以减少工艺和节省材料。
[0049]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种AMOLED器件结构，包括驱动电压和依次叠加设置的阴极层、有机发光层和阳极层，所述阴极层连接驱动电压负极，所述阳极层连接驱动电压正极，其特征在于，所述AMOLED器件结构还包括阴极辅助层，所述阴极辅助层连接阴极层和驱动电压负极。
2.根据权利要求1所述的AMOLED器件结构，其特征在于，所述阴极辅助层与阳极层位于同一层。
3.根据权利要求2所述的AMOLED器件结构，其特征在于，所述阴极辅助层是间隔设置于阳极层之间的金属走线，所述金属走线延伸到AMOLED器件结构的边缘与驱动电压负极连接。
4.根据权利要求3所述的AMOLED器件结构，其特征在于，所述金属走线位于像素单元组之间，所述像素单元组包括至少一个像素单元。
5.根据权利要求3或4所述的AMOLED器件结构，其特征在于，所述阳极层包括多个相互间隔的阳极，其中每一个阳极均与一个像素单元的一个子像素对应，所述阳极之间的空隙填充绝缘材料形成像素限定层；所述阴极层通过所述像素限定层间的过孔与所述金属走线的交叉处电连接。
6.根据权利要求5所述的AMOLED器件结构，其特征在于，所述过孔中填充有导电物，所述导电物为可导电的光刻胶。
7.一种AMOLED器件结构的制造方法，包括如下步骤: 形成与驱动电压正极电连接阳极层； 形成与驱动电压负极电连接的阴极辅助层； 形成有机发光层； 形成与阴极辅助层电连接的阴极层；所述阴极层也与驱动电压负极电连接。
8.根据权利要求7所述的AMOLED器件结构的制造方法，其特征在于，所述阴极辅助层和阳极层同时形成，所述形成阳极层和阴极辅助层的步骤包括: 在基板上沉积金属导电膜； 蚀刻所述金属导电膜形成包含阳极图形的阳极层和包含金属走线的阴极辅助层。
9.根据权利要求8所述的AMOLED器件结构的制造方法，其特征在于，还包括步骤: 在所述阳极层上涂覆光刻胶； 经过光刻工艺使所述光刻胶在阳极层上形成像素限定层； 所述有机发光层形成于像素限定层定义的范围中。
10.根据权利要求9所述的AMOLED器件结构的制造方法，其特征在于，在金属走线交叉处的像素限定层上形成过孔，在所述过孔中形成导电物，所述导电物突出于像素限定层的表面；在形成阴极层的步骤中，所述阴极层覆盖所述导电物。
【文档编号】H01L51/52GK104466021SQ201410789005
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月17日 优先权日:2014年12月17日
【发明者】赵海廷, 魏朝刚, 刘青刚 申请人:昆山国显光电有限公司