技术领域本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆托盘。
背景技术：
半导体器件制作过程中的一些工艺，需将晶圆承载在晶圆托盘上完成。例如金属有机化合物化学气相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD)以其生长易控制、可生长纯度很高的材料、外延层大面积均匀性良好等优点，逐渐用于制造高亮度LED芯片。在MOCVD腔室内，为使得原料气体分解，从而沉积在晶圆托盘上的晶圆表面，该腔室内还具有加热器。现有技术中，晶圆托盘上承载的晶圆具有多个，该多个晶圆在受热过程中，容易出现翘曲。另外，如何通过扫描晶圆托盘，以精确获得其上的晶圆的温度也是本领域技术难题之一。这是因为：现有技术中为了防止晶圆翘曲，会在托盘上表面设置一个或多个盖板，这些盖板围绕所有的晶圆的外周缘，在完成沉积后先移除这些盖板，再取出完成沉积的晶圆；由于这些盖板是后加的，所有盖板与支撑晶圆的托盘上不可避免的存在缝隙，而气相沉积反应腔通常气压很低接近真空，所有热量只能通过辐射和传导传递，无法通过对流进行传递，所以这些不均匀的缝隙会导致盖板与下方的托盘温度差别很大而且盖板上的温度分布也不均匀，进一步会干扰对晶圆上温度的测量和调节。有鉴于此，本发明提供一种新的晶圆托盘，能避免晶圆翘曲，且可通过扫描，精确获得其上的晶圆的温度。
技术实现要素：
本发明实现的目的是避免晶圆翘曲，且可通过扫描，精确获得其上的晶圆的温度。为实现上述目的，本发明的一方面提供一种晶圆托盘，包括：承载盘，上表面具有若干向下凹陷的晶圆承载区，所述晶圆承载区用于放置晶圆，每一晶圆承载区的部分侧壁顶部具有伸向承载区中心的第一凸舌，每一晶圆承载区的底壁、侧壁以及与所述侧壁连接的第一凸舌一体成型，其中第一凸舌沿所述承载区的边缘适于覆盖晶圆的第一部分弧形外周缘，所述第一部分弧形外周缘小于等于晶圆外周缘的一半；盖板，嵌在所述承载盘的上表面，所述盖板的边缘具有第二凸舌，所述第二凸舌适于覆盖所述若干晶圆的第二部分弧形外周缘，所述第一和第二部分弧形外周缘共同围绕所述晶圆的整个外周缘。可选地，所述盖板为一块，所述盖板上的第二凸舌与所述承载盘上的第一凸舌互补，用于覆盖所述晶圆的整个外周缘；或所述盖板由多块拼接而成，所述多块盖板上的第二凸舌共同与所述承载盘上的第一凸舌互补，用于覆盖所述晶圆的整个外周缘。可选地，所述盖板嵌在所述承载盘的中心区域，所述若干晶圆承载区围绕所述盖板设置，所述盖板边缘的第二凸舌沿背离承载盘中心方向延伸，所述晶圆承载区上的第一凸舌沿朝向承载盘中心方向延伸；或所述盖板围绕所述若干晶圆承载区设置，嵌在所述承载盘的边缘区域，所述盖板边缘的第二凸舌沿朝向承载盘中心方向延伸，所述晶圆承载区上的第一凸舌沿背离承载盘中心方向延伸。可选地，所述承载盘上表面具有若干凹槽，每一凹槽形成一所述晶圆承载区，所述盖板与所述承载盘固定或未固定。可选地，还包括若干晶圆载盘，所述晶圆载盘位于所述承载盘的上表面，每一晶圆载盘形成一所述晶圆承载区，所述盖板与所述承载盘固定。可选地，所述若干晶圆载盘固定或未固定在所述承载盘的上表面。可选地，所述盖板通过螺钉固定在所述承载盘的上表面。可选地，所述晶圆承载区具有底壁，所述底壁具有相背离的上表面与下表面，所述上表面为晶圆承载面，所述下表面呈平面、凹面、凸面或呈台阶状。可选地，所述盖板以及所述承载盘适于一体旋转：a)转轴连接在所述承载盘的中心，所述承载盘带动所述盖板旋转；或b)所述转轴连接在所述盖板的中心，所述盖板带动所述承载盘旋转，所述承载盘具有适于所述转轴通过的孔。可选地，所述转轴的横截面呈方形或三角形，对于a)，所述承载盘的中心相应地具有方形或三角形槽；对于b)，所述盖板的中心相应地具有方形或三角形槽。可选地，对于a)，所述承载盘的中心还具有挡块，用于所述转轴抵靠，所述盖板上具有与所述挡块匹配的镂空区域。可选地，所述盖板以及所述承载盘适于一体旋转：a)转轴连接在所述承载盘的中心，所述承载盘带动所述若干晶圆载盘以及所述盖板旋转；或b)所述转轴连接在所述盖板的中心，所述盖板带动所述若干晶圆载盘以及所述承载盘旋转，所述承载盘具有适于所述转轴通过的孔。可选地，所述转轴的横截面呈方形或三角形，对于a)，所述承载盘的中心相应地具有方形或三角形槽；对于b)，所述盖板的中心相应地具有方形或三角形槽。可选地，对于a)，所述承载盘的中心还具有挡块，用于所述转轴抵靠，所述盖板上具有与所述挡块匹配的镂空区域。本发明的另一方面提供另外一种晶圆托盘，包括：若干晶圆载盘，每一晶圆载盘具有一向下凹陷的晶圆承载区，所述晶圆承载区用于放置晶圆，每一晶圆承载区的部分侧壁顶部具有伸向承载区中心的第一凸舌，每一晶圆承载区的底壁、侧壁以及与所述侧壁连接的第一凸舌一体成型，其中第一凸舌沿所述承载区的边缘适于覆盖晶圆的第一部分弧形外周缘，所述第一部分弧形外周缘小于等于晶圆外周缘的一半；盖板，嵌在所述若干晶圆载盘的上表面并暴露出所述若干晶圆承载区，所述盖板与所述若干晶圆载盘固定，所述盖板的边缘具有第二凸舌，所述第二凸舌适于覆盖所述若干晶圆的第二部分弧形外周缘，所述第一和第二部分弧形外周缘共同围绕所述晶圆的整个外周缘。可选地，所述盖板为一块，所述盖板上的第二凸舌与所述若干晶圆载盘上的第一凸舌互补，用于覆盖所述晶圆的整个外周缘；或所述盖板为多块，所述多块盖板上的第二凸舌共同与所述若干晶圆载盘上的第一凸舌互补，用于覆盖所述晶圆的整个外周缘。可选地，所述若干晶圆载盘围绕所述盖板设置，所述盖板边缘的第二凸舌沿背离盖板中心方向延伸，所述若干晶圆载盘上的第一凸舌沿朝向盖板中心方向延伸；或所述盖板围绕所述若干晶圆载盘设置，所述盖板边缘的第二凸舌沿朝向盖板中心方向延伸，所述若干晶圆载盘上的第一凸舌沿背离盖板中心方向延伸。可选地，所述晶圆承载区具有底壁，所述底壁具有相背离的上表面与下表面，所述上表面为晶圆承载面，所述下表面呈平面、凹面、凸面或呈台阶状。与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：1)提供一种晶圆托盘，包括承载盘以及嵌在承载盘上表面的盖板，该承载盘上表面具有若干向下凹陷的晶圆承载区，该晶圆承载区用于放置晶圆，每一晶圆承载区的部分侧壁顶部具有伸向承载区中心的第一凸舌，该第一凸舌沿承载区的边缘适于覆盖晶圆的第一部分弧形外周缘，盖板的边缘具有第二凸舌，该第二凸舌适于覆盖若干晶圆的第二部分弧形外周缘，第一和第二部分弧形外周缘共同围绕晶圆的整个外周缘；由于承载区上的第一部分弧形外周缘小于等于晶圆外周缘的一半，因而晶圆在放置时，可以滑入上述承载区，放置好后，盖上盖板，第一凸舌与第二凸舌位于同一高度，对晶圆整个外缘施压，防止晶圆翘曲；此外，每一晶圆承载区的底壁、侧壁以及与侧壁连接的第一凸舌一体成型，底壁对晶圆进行加热，而第一凸舌通过侧壁与底壁以一体成型方式连接，一体成型的底壁、侧壁与第一凸舌之间有良好的热传导性能，因而三者温度相同，使得在对晶圆托盘扫描过程中，第一凸舌不会因为温度不同而干扰扫描结果。第三，由于盖板嵌在承载盘内，两者互补区域不是位于承载盘中心，加之第一凸舌与第二凸舌互补，两者也不位于承载盘中心，因而盖板与承载盘适于一体旋转，上述旋转带动两者之间的晶圆一起旋转，高速旋转的晶圆托盘能使得反应气体在晶圆表面混合均匀，且在晶圆表面形成平流层，有助于提高沉积成膜的均匀性。2)可选方案中，a)盖板为一块，盖板上的第二凸舌与承载盘上的第一凸舌互补，即两者形成一个首尾闭合的环形，可以覆盖晶圆的整个外周缘，对晶圆整个外缘施压；b)盖板由多块拼接而成，多块盖板上的第二凸舌共同与承载盘上的第一凸舌互补，即每个盖板上的第二凸舌拼接起来，与第一凸舌形成一个首尾闭合的环形，以对晶圆的整个外周缘施压。本方案提供了两种盖板的方案。3)可选方案中，a)盖板嵌在承载盘的中心区域，若干晶圆承载区围绕盖板设置，此种情况下，盖板边缘的第二凸舌沿背离承载盘中心方向延伸，晶圆承载区上的第一凸舌沿朝向承载盘中心方向延伸；b)盖板围绕若干晶圆承载区设置，嵌在所述承载盘的边缘区域，此种情况下，盖板边缘的第二凸舌沿朝向承载盘中心方向延伸，晶圆承载区上的第一凸舌沿背离承载盘中心方向延伸。本方案提供了两种盖板与晶圆承载区的位置关系，并提供了每种位置关系中，第一凸舌与第二凸舌对应的延伸方向。4)可选方案中，a)承载盘上表面具有若干凹槽，每一凹槽形成一晶圆承载区，由于晶圆承载区是通过在承载盘上表面开槽设计，因而盖板不论与承载盘固定还是不固定，两者都可以一体旋转。对于不固定的情况，由于盖板嵌在承载盘上表面，两者互补区域不是位于承载盘中心，加之第一凸舌与第二凸舌互补，两者也不位于承载盘中心，因而不论承载盘旋转带动盖板旋转，还是后者带动前者旋转，两者都具有卡和关系，能一体旋转。b)晶圆托盘还包括若干晶圆载盘，晶圆载盘位于承载盘的上表面，每一晶圆载盘形成一晶圆承载区，此种情况下，盖板与承载盘固定；与a)方案不同的是，本方案中晶圆承载区是通过额外设置的晶圆载盘上的凹槽形成的，此种情况下，承载盘与盖板要一体旋转，两者需固定，上述固定并能将晶圆载盘夹设在两者之间，随两者旋转也不会移位。本发明还提供了另一种晶圆托盘，与现有技术相比，本发明的另一种晶圆托盘具有以下优点：提供一种晶圆托盘，包括相互固定的若干晶圆载盘以及盖板，每一晶圆载盘具有一向下凹陷的晶圆承载区，该晶圆承载区用于放置晶圆，每一晶圆承载区的部分侧壁顶部具有伸向承载区中心的第一凸舌，该第一凸舌沿承载区的边缘适于覆盖晶圆的第一部分弧形外周缘，盖板的边缘具有第二凸舌，该第二凸舌适于覆盖若干晶圆的第二部分弧形外周缘，第一和第二部分弧形外周缘共同围绕晶圆的整个外周缘；由于承载区上的第一部分弧形外周缘小于等于晶圆外周缘的一半，因而晶圆在放置时，可以滑入上述承载区，放置好后，固定上盖板，第一凸舌与第二凸舌位于同一高度，对晶圆整个外缘施压，防止晶圆翘曲；此外，每一晶圆承载区的底壁、侧壁以及与侧壁连接的第一凸舌一体成型，底壁对晶圆提供温度，而第一凸舌通过侧壁与底壁以一体成型方式连接，因而两者温度相同，使得在对晶圆托盘扫描过程中，第一凸舌不会因为温度不同而干扰扫描结果。第三，本方案中，由于每个晶圆载盘是固定在盖板上，因而该晶圆载盘可以更换，研究表明，在同一加热器的加热下，晶圆承载区的底壁的下表面具有不同形貌，例如平面、凹面、凸面或呈台阶状时，其上承载的晶圆的温度不同，这样，在加热过程中，可以根据晶圆受热调整需要更换具有不同形貌下表面的晶圆载盘。附图说明图1是本发明一实施例中的晶圆托盘的分解结构示意图；图2是图1中的晶圆托盘在装配完毕后的部分结构的剖视图；图3是晶圆装配在图1中的晶圆托盘过程中的结构示意图；图4是图3中的部分结构在装配完毕后的剖视图；图5是本发明另一实施例中的晶圆托盘在与晶圆装配过程中的结构示意图；图6是图5中的部分结构在装配完毕后的剖视图。具体实施方式如背景技术中所述，现有的晶圆托盘上承载的晶圆具有多个，该多个晶圆在受热过程中，容易出现翘曲。另外，如何通过扫描晶圆托盘，以精确获得其上的晶圆的温度也是本领域技术难题之一。针对上述问题，本发明提供一种新的晶圆托盘，包括承载盘以及嵌在承载盘上表面的盖板，该承载盘上表面具有若干向下凹陷的晶圆承载区，该晶圆承载区用于放置晶圆，每一晶圆承载区的部分侧壁顶部具有伸向承载区中心的第一凸舌，该第一凸舌沿承载区的边缘适于覆盖晶圆的第一部分弧形外周缘，盖板的边缘具有第二凸舌，该第二凸舌适于覆盖若干晶圆的第二部分弧形外周缘，第一和第二部分弧形外周缘共同围绕晶圆的整个外周缘；由于承载区上的第一部分弧形外周缘小于等于晶圆外周缘的一半，因而晶圆在放置时，可以滑入上述承载区，放置好后，盖上盖板，第一凸舌与第二凸舌位于同一高度，对晶圆整个外缘施压，防止晶圆翘曲；此外，每一晶圆承载区的底壁、侧壁以及与侧壁连接的第一凸舌一体成型，底壁对晶圆提供温度，而第一凸舌通过侧壁与底壁以一体成型方式连接，因而两者温度相同，使得在对晶圆托盘扫描过程中，第一凸舌不会因为温度不同而干扰扫描结果。第三，由于盖板嵌在承载盘内，两者互补区域不是位于承载盘中心，加之第一凸舌与第二凸舌互补，两者也不位于承载盘中心，因而盖板与承载盘适于一体旋转，上述旋转带动两者之间的晶圆一起旋转，高速旋转的晶圆托盘能使得反应气体在晶圆表面混合均匀，且在晶圆表面形成平流层，有助于提高沉积成膜的均匀性。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。图1是本发明一实施例提供的晶圆托盘的分解结构示意图。图2是图1中的晶圆托盘在装配完毕后的部分结构的剖视图。图3是晶圆3装配在图1中的晶圆托盘过程中的结构示意图。图4是图3中的部分结构在装配完毕后的剖视图。参照图1与图4所示，该晶圆托盘包括：承载盘1，上表面具有若干向下凹陷的晶圆承载区10，晶圆承载区10用于放置晶圆3，每一晶圆承载区10的部分侧壁顶部具有伸向承载区10中心的第一凸舌11，每一晶圆承载区10的底壁、侧壁以及与侧壁连接的第一凸舌11一体成型，其中第一凸舌11沿承载区10的边缘适于覆盖晶圆3的第一部分弧形外周缘，该第一部分弧形外周缘小于等于晶圆3外周缘的一半；盖板2，嵌在承载盘1的上表面，盖板2的边缘具有第二凸舌21，第二凸舌21适于覆盖若干晶圆3的第二部分弧形外周缘，所述第一和第二部分弧形外周缘共同围绕晶圆3的整个外周缘。以下分别介绍各部件。参照图1与图2所示，本实施例中的承载盘1上表面具有若干凹槽，每一凹槽形成一晶圆承载区10，该晶圆承载区10具有5个。其它实施例中，形成在一承载盘1上的晶圆承载区10也可以具有其它数目。仍参照图1与图2所示，由于晶圆3需滑入上述承载区10，因而第一凸舌11所覆盖的第一部分弧形外周缘需小于等于晶圆3外周缘的一半。此外，每一晶圆承载区10的底壁、侧壁以及与侧壁连接的第一凸舌11一体成型，这是因为：在对晶圆3处理过程中，由承载区10的底壁对晶圆3加热，本实施例中，上述底壁由承载盘1充当，在上方对晶圆托盘扫描过程中，第一凸舌11若与底壁温度不同，则会干扰扫描结果。承载盘1的材质可以为石墨。参照图1至图4所示，可以看出，盖板2嵌在承载盘1的中心区域，5个晶圆承载区10围绕盖板2设置，因而，盖板2边缘的第二凸舌21沿背离承载盘1中心方向延伸，晶圆承载区10上的第一凸舌11沿朝向承载盘1中心方向延伸。其它实施例中，盖板2也可以围绕若干晶圆承载区10设置，盖板2嵌在承载盘1的边缘区域，此种情况下，盖板2边缘的第二凸舌21沿朝向承载盘1中心方向延伸，晶圆承载区10上的第一凸舌11沿背离承载盘1中心方向延伸。参照图1与图3所示，本实施例中，盖板2为一块，盖板2上的第二凸舌21与承载盘1上的第一凸舌11互补，即两者形成一个首尾闭合的环形，可以覆盖晶圆3的整个外周缘，对晶圆3整个外缘施压。其它实施例中，盖板2也可以由多块拼接而成，多块盖板2上的第二凸舌21共同与承载盘1上的第一凸舌11互补，即每个盖板2上的第二凸舌21拼接起来，与第一凸舌11形成一个首尾闭合的环形，以对晶圆3的整个外周缘施压。在对晶圆3处理过程中，盖板2与承载盘1适于一体旋转。本实施例中，由于晶圆承载区10是通过在承载盘1上表面开槽设计，因而承载盘1与盖板2即使不固定也能实现一体旋转。这是因为，由于盖板2嵌在承载盘1上表面，两者互补区域不是位于承载盘1中心，加之第一凸舌11与第二凸舌21互补，两者都具有卡和关系，能一体旋转。盖板2与承载盘1的一体旋转可以通过下述两种方式实现：a)转轴(未图示)连接在承载盘1的中心，承载盘1带动盖板2旋转，此过程中，晶圆承载区10内的晶圆3也被带动旋转；或b)转轴连接在盖板2的中心，盖板2带动承载盘1旋转，此时，承载盘1具有适于转轴通过的孔，上述过程中，晶圆承载区10内的晶圆3也被带动旋转。在具体实施过程中，转轴可以呈方形或三角形(横截面)，对于a)方案，承载盘1的中心相应地具有方形或三角形槽；对于b)方案，盖板2的中心相应地具有方形或三角形槽。优选地，对于a)方案，如图1所示，承载盘1的中心还具有挡块12，上述挡块12用于转轴抵靠，此种情况下，盖板2上具有与挡块12匹配的镂空区域22。参照图1与图2所示，晶圆承载区10的底壁具有相背离的上表面与下表面，上表面为承载面，该下表面可以为平面、凹面、凸面或呈台阶状，研究表明，在同一加热器的加热下，具有不同形貌的下表面，例如平面、凹面、凸面或呈台阶状时，其上承载的晶圆3的温度不同，因而可以根据晶圆3受热调整需要选择不同形貌的承载区下表面。对于凹面、凸面，还可以为不同曲度的凹面、凸面，对于台阶状，还可以为不同步长、不同台阶高度差的台阶状。图5是本发明另一实施例中的晶圆托盘在与晶圆3装配过程中的结构示意图。图6是图5中的部分结构在装配完毕后的剖视图。参照图5与图6所示，盖板2与承载盘1也可以通过固定装置4，实现两者固定。上述固定装置4可以为螺钉，也可以为其它类型的固定装置。上述固定装置4可以从下往上依次穿过承载盘1与盖板2，以实现两者之间的固定，也可以从上往下依次穿过盖板2与承载盘1，以实现两者之间的固定。前者情况中，若固定装置为螺钉，螺钉的头部可以不透出盖板2的表面。本发明再一实施例中还提供了一种晶圆托盘，上述晶圆托盘与图1至图6中的晶圆托盘大致相同，区别在于：晶圆承载区10是通过额外设置的晶圆载盘上的凹槽形成的。相应地，该晶圆托盘除了包括盖板2与承载盘1，还包括若干个晶圆载盘。本实施例中，盖板2与承载盘1固定，上述固定例如通过螺钉实现。两者固定并能将晶圆载盘夹设在盖板2与承载盘1之间，随两者旋转也不会移位。此种情况下，晶圆载盘可以固定，也可以不固定在承载盘1上。本实施例中，盖板2以及承载盘1的一体旋转可以通过下述两种方案实现：a)转轴连接在承载盘1的中心，承载盘1带动若干晶圆载盘以及盖板2旋转；或b)转轴连接在盖板2的中心，盖板2带动若干晶圆载盘以及承载盘1旋转，此种情况下，承载盘1具有适于转轴通过的孔。在具体实施过程中，转轴可以呈方形或三角形(横截面)，对于a)方案，承载盘1的中心相应地具有方形或三角形槽；对于b)方案，盖板2的中心相应地具有方形或三角形槽。优选地，对于a)方案，承载盘1的中心还具有挡块，该挡块用于转轴抵靠，盖板2上具有与挡块匹配的镂空区域。本发明又一实施例还提供一种晶圆托盘，上述晶圆托盘前述实施例中的晶圆托盘相比，区别在于：无承载盘1，而是将多个晶圆载盘固定在盖板2上。上述固定例如通过螺钉实现。每一晶圆载盘具有一向下凹陷的晶圆承载区10，即晶圆承载区10由晶圆载盘上的凹槽提供。本实施例的好处在于：由于每个晶圆载盘是固定在盖板1上，因而该晶圆载盘可以更换，这样在加热过程中，可以根据晶圆3受热调整需要更换具有不同形貌承载区下表面，例如下表面呈平面、凹面、凸面或呈台阶状的晶圆载盘。具体地，该晶圆载盘可以具有两个对称的耳部，螺钉固定在耳部上。其它实施例中，螺钉也可以穿过该晶圆载盘的边缘区域。在具体实施过程中，螺钉优选从下往上依次穿过晶圆载盘与盖板2，以实现两者之间的固定，如此，在更换晶圆载盘时，向下旋下螺钉，即可进行新的晶圆载盘更换，使得更换过程中，不污染其它晶圆载盘上所承载的晶圆3。此外，上述自下而上的固定方式还可以使得螺钉的头部不透出盖板2的表面，实现盖板2上表面的整洁。其它实施例中，螺钉也可以从上往下依次穿过盖板2与晶圆载盘以实现两者固定。螺钉4的材质可以为石墨或钨。可以看出，不论晶圆承载区10由承载盘1上的凹槽提供，还是由晶圆载盘上的凹槽提供，不论有无承载盘1，承载区10的部分侧壁顶部伸向承载区中心的第一凸舌11与盖板2的边缘的第二凸舌21互补，两者位于同一高度且共同围绕晶圆3的整个外周缘，即可对晶圆3的整个外周缘施压，避免晶圆3的加工过程中翘曲。另外，每一晶圆承载区10的底壁、侧壁以及与侧壁连接的第一凸舌11一体成型，即能防止在对晶圆托盘扫描过程中，第一凸舌11不会因为与底壁温度不同而干扰扫描结果。虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。