半导体晶片加工用胶带的制作方法
【专利摘要】本发明的半导体晶片加工用胶带在基材片上具有粘合剂层，基材片的从下述状态起的应力松弛的时间变化中，0～5秒的反弹力的时间变化(A)为0.23N/s～0.28N/s，且与超过5秒至10秒为止的反弹力的时间变化(B)的比(B)/(A)为0.40～0.45，所述状态为在所述基材片的厚度方向以1mm/min压入前端形状R＝5.0±0.1mm(即R＝4.9～5.1mm)的压头、并保持来自该基材片的反弹力为50N的位移的状态。
【专利说明】半导体晶片加工用胶带
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种将半导体晶片切断分离成小片的切割（dicing)工序中所使用的 半导体晶片加工用胶带。
【背景技术】
[0002] 近年来，由于移动机器的发展，对半导体器件期望进一步的薄型化。因此，有必要 使半导体芯片变薄至厚度为50?100 μ m或更薄。一般而言，在背面磨削时，将表面保护片 材贴附至半导体晶片的电路面，保护电路面并固定晶片，从而进行背面磨削。其后，经由切 害IJ、拾取、粘晶、树脂密封等各种工序，制造半导体装置。
[0003] 在对半导体晶片进行切割而将其芯片化时，半导体晶片的背面（磨削面）贴附有 切割胶带，在将晶片保持在切割胶带上的同时进行晶片的单片化（切割）。作为切割胶带， 市售有各种切割胶带，特别优选地使用被称为UV胶带的紫外线固化型胶带。UV胶带具有通 过紫外线照射而粘合剂层发生固化从而使粘合力消失或锐减的性质。因此，在晶片的切割 时，能够以充分的粘合力固定晶片，在切割结束后，可通过使粘合剂层发生紫外线固化而容 易地拾取芯片。
[0004] 在半导体晶片的切割时，有时产生被称为崩裂（chipping)的芯片的缺损、开裂， 其尺寸会达到100 μ m。在薄膜化不断发展的半导体器件中，即便为数十微米的崩裂，有时也 会导致电路面产生崩裂，这关系到成品率的降低。
[0005] 该崩裂起因于：芯片在进行切割时因旋转刀而振动，芯片与旋转刀、或芯片彼此发 生接触。为了解决崩裂的问题，专利文献1中公开了一种用于更牢固地保持芯片的粘合剂 构成物。另一方面，未提及基材片，而未达成充分的崩裂抑制。
[0006] 专利文献2中公开了对崩裂抑制具有效果的基材片的拉伸强度。然而，在切割时， 由旋转刀带来的压入的应力较大地施加于基材片，相对于压入的反弹力的指标的研究并不 充分。另外，关于拉伸强度的上限，着眼于延伸性进行设定，并未提及拾取工序，尚未能满足 作为适于拾取工序的基材片。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1 :日本特开2011-233718号公报
[0010] 专利文献2 :日本特开2001-207140号公报
【发明内容】
[0011] 发明要解决的问题
[0012] 本发明的目的在于提供一种半导体晶片加工用胶带，其在薄膜化不断发展的半导 体晶片的切割工序与拾取工序中满足要求性能、使崩裂减少、且可使拾取变得容易、可靠。
[0013] 用于解决问题的手段
[0014] 本发明人为了达成上述目的而反复进行深入研究，结果发现，将对构成胶带的基 材片赋予压入应力时的松弛应力的时间变化利用其与时间的关系进行控制，由此可减少崩 裂、使拾取变得容易。本发明是基于该见解而完成的。
[0015] 即，上述课题是通过以下手段而达成的。
[0016] (1) 一种半导体晶片加工用胶带，其是在基材片上层积有粘合剂层的半导体晶片 加工用胶带，其特征在于，该基材片的从下述状态起的应力松弛的时间变化中，0?5秒的 反弹力的时间变化（A)为0· 23N/S?0· 28N/S，且与超过5秒至10秒为止的反弹力的时间 变化（B)的比（BV(A)为0.40?0.45,所述状态为在所述基材片的厚度方向以lmm/min压 入前端形状R = 5. 0±0. Imm(即R = 4. 9?5. Imm)的压头、并保持来自该基材片的反弹力 为50N的位移的状态。
[0017] (2)如（1)所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，上述粘合剂层厚度为5? 10 μ m〇
[0018] (3)如（1)或（2)所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，在上述粘合剂层中 相对于粘合剂树脂成分100质量份而含有邻苯二甲酸二酯〇. 1?30质量份。
[0019] ⑷如⑴?⑶中任一项所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，上述基材 片为聚氯乙烯树脂。
[0020] (5)如⑴?⑷中任一项所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，上述半导 体晶片加工用胶带用于半导体器件的切割工序。
[0021] 发明的效果
[0022] 在本发明的半导体晶片加工用胶带中，通过将对基材片赋予压入力时的松弛应力 的时间变化（应力松弛性）利用其与从由压入应力赋予位移起的经过时间的关系控制在特 定范围，可同时谋求崩裂的减少与易拾取性。尤其作为薄膜化半导体晶片的加工用胶带是 有用的。
[0023] 本发明的上述及其它特征及优点可适当参照附图而由下述的记载更加明确。
【专利附图】
【附图说明】
[0024] 图1是示意性地表示本发明的半导体晶片加工用胶带的一实施方式的截面图。
[0025] 图2是实施例中进行的反弹力测定中的压缩试验的测定示意图。
【具体实施方式】
[0026] 以下，详细地说明本发明的优选实施方式。
[0027] <<半导体晶片加工用胶带>>
[0028] 图1是表示本发明的半导体晶片加工用胶带的优选实施方式的概略截面图，形成 有基材片1、和基材片1上的粘合剂层2。
[0029] 对于本发明的半导体晶片加工用胶带而言，基材片的从下述状态起的应力松弛的 时间变化中，0?5秒的反弹力的时间变化（A)为0. 23N/s?0. 28N/s，且与超过5秒至10 秒为止的反弹力的时间变化（B)的比（BV(A)为0.40?0.45,所述状态为在所述基材片的 厚度方向以lmm/min压入前端形状R = 5. 0±0. Imm的压头、并保持来自基材片的反弹力为 50N的位移的状态。
[0030] 在利用切割刀片的切削中，因旋转刀的高速旋转而削去被粘合体及胶带的一部 分。旋转刀的旋转方向相对于胶带面为垂直，因此在切割时胶带产生向旋转刀的垂直下方、 即自胶带来看为压入方向的压缩力。
[0031] 一般而言，切割时，在切削被粘合体的同时切入至胶带的一部分。作为崩裂的主要 原因的切割时的振动起因于由被粘合体产生的切削时阻力、以及由胶带产生的阻力。若着 眼于胶带在切削时的阻力，则一般而言，粘合剂层因切割而被完全分割断裂，因此基材片针 对压入力的反弹力占主导地位。因此，若基材片被压入时的应力松弛的时间变化较大，则可 抑制芯片的振动，可减少崩裂。
[0032] 另外，此时所产生的反弹力是以接近一定值的方式进行时间变化，若该时间较短， 则在切削邻接线时保持稳定的状态，因此难以受到其影响，可减少由芯片彼此的接触引起 的崩裂。
[0033] 在本发明中，对于基材片的自该状态起的应力松弛的时间变化而言，0?5秒的应 力松弛的时间变化（A)为0· 23?0· 28N/s，且与超过5秒至10秒为止的应力松弛的时间变 化⑶的比（B/A)为0. 40?0. 45,所述状态为在基材片的厚度方向以lmm/min压入前端形 状R = 5.0±0. Imm(R为曲率半径）的压头、并保持来自基材片的反弹力为50N的位移的状 态。通过将上述（A)和比（B/A)的值设定为上述范围，可抑制切割工序中产生崩裂，防止拾 取工序的芯片拾取不良。在（A)小于0.23N/S的情况下，相对于压入力的应力松弛速度并 不充分，芯片发生振动，产生崩裂。另外，若超过0. 28N/s，则应力松弛速度过快而会缓和拾 取时顶出销产生的压入力，有可能发生拾取不良。并且，在（B/A)小于0.40的情况下，基材 片的反弹力停留在较高的状态，因此有时在拾取时销的顶出力过度传达至芯片而使芯片产 生裂痕。另外，在大于0.45的情况下，基材片的反弹力达到一定值需要时间，因此即便移至 下一邻接芯片切削阶段后反弹力仍有可能发生变化，存在因邻接芯片彼此的接触而引起崩 裂的危险。需要说明的是，一般而言，反弹力随着时间经过而减小，因此（B/A)为1以下。 [0034] 上述应力松弛的时间变化的测定可利用后述实施例中所示的方法进行测定。
[0035] 此处，应力松她的关系为在基材片的厚度为80 μ m、粘合剂层的厚度为100 μ m的 状态下所得的值，其表示半导体晶片加工用胶带的特性。因此，应力松弛的关系并非对本发 明中的半导体晶片加工用胶带的基材片与粘合剂层的厚度进行规定。
[0036] 0?5秒的应力松弛的时间变化（A)优选为0· 23?0· 25N/s。另外，（B/A)优选 为 0· 41 ?0· 44。
[0037] 为了将应力松弛的关系如此调整，可利用基材片的树脂成分、树脂中的添加物、片 材的厚度等的变更进行调整，另外，在基材片为复合膜的情况下，除上述以外，也可利用组 合的膜的树脂成分或复合的膜的厚度进行调整。另外，也可通过粘合剂层的种类或厚度进 行调整。
[0038] 作为构成基材片的树脂，只要为上述应力松弛的时间变化的范围内，则并无特别 限制，也可合用其它树脂或橡胶等可成型为片状的物质。
[0039] 例如，可使用：聚丙烯、高密度聚乙烯（HDPE)、低密度聚乙烯（LDPE)、直链低密度 聚乙烯（LUFE)、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、 聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基）丙烯酸甲酯共聚物、乙 烯_(甲基）丙烯酸乙酯共聚物、乙烯_(甲基）丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙 酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚酰胺、离聚物、腈橡胶、丁基 橡胶、苯乙烯-异戊二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯橡胶、天然橡胶及其氢化物或改质物、各种离 聚物树脂等。
[0040] 需要说明的是，离聚物树脂使用聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯 共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等。所使用的金属离子可有1(、似工 &、211等各种选择。其 中，优选为利用金属离子使乙烯与（甲基）丙烯酸共聚物中的羧基的至少一部分中和交联 而成的二元共聚物系离聚物树脂、或者利用金属离子使乙烯与（甲基）丙烯酸及α，β-不 饱和羧酸酯的三元共聚物中的羧基的至少一部分中和而成的三元共聚物系离聚物树脂。
[0041] 作为上述金属离子，可以举出例如Na离子、K离子或Li离子等碱金属离子；Ca离 子、Mg离子、Zn离子等二价金属离子；例如Al离子或Nd离子等三价金属离子；及它们的混 合物；从耐久性等而言，优选使用Na离子、Zn离子或Li离子等。
[0042] 若以商品名示例出上述二元共聚物系离聚物树脂的具体例，则可列举：由 DuPont-Mitsui Polychemicals 株式会社市售的 Himilan 1605 (Na)、Himilan 1706 (Zn)、 Himilan 1707 (Na)、Himilan AM7318 (Na)、Himilan AM7315 (Zn)、Himilan AM7317 (Zn)、 Himilan AM7311(Mg)或Himilan MK7320(K)等。进而，作为由Dupont社市售的离聚物树 月旨，可列举：Surlyn 8920 (Na)、Surlyn 8940 (Na)、Surlyn AD8512 (Na)、Surlyn9910 (Zn)、 Surlyn AD8511 (Zn)、Surlyn 7930 (Li)或 Surlyn 7940 (Li)等。另外，作为由 Exxon Chemical社市售的离聚物树脂，可列举：Iotek 7010 (Zn)或Iotek 8000 (Na)等。
[0043] 若以商品名示例出上述三元共聚物系离聚物树脂的具体例，则可列举：由 DuPont-Mitsui Polychemicals 株式会社市售的 Himilan 1856 (Na)、Himilan 1855 (Zn)、 Himilan AM7316(Zn)等，由 Dupont 社市售的 Surlyn AD8265(Na)、Surlyn AD8269(Na)等。 需要说明的是，上述离聚物树脂的商品名后的括号内记载的Na、Zn、K、Li、Mg等表示它们的 中和金属离子的金属种类。
[0044] 这些树脂之中，优选为聚氯乙烯树脂、乙烯_(甲基）丙烯酸共聚物、或除乙烯及 (甲基）丙烯酸以外也包含（甲基）丙烯酸酯等其它共聚成分的三元以上的共聚物、以及离 聚物树脂。
[0045] 其中，乙烯_(甲基）丙烯酸共聚物中，（甲基）丙烯酸的含量优选为1?20质 量％，更优选为1?15质量％。
[0046] 另外，离聚物树脂优选为乙烯_(甲基）丙烯酸系的二元或三元（除上述以外还包 含（甲基）丙烯酸酯的三元）以上。
[0047] 另外，上述优选的共聚物或树脂之中，特别优选聚氯乙烯树脂。
[0048] 在使用聚氯乙烯的情况下，可适当使用稳定剂、塑化剂。
[0049] 这些构成基材片的树脂可设为单层或多层构成，在本发明中优选为多层构成。
[0050] 在设为多层构成的情况下，粘合剂层侧的树脂优选为聚氯乙烯、乙烯_(甲基）丙 烯酸共聚物，与设置粘合剂层侧的相反一侧的膜的树脂优选为聚氯乙烯、乙烯_(甲基）丙 烯酸共聚物、乙烯_(甲基）丙烯酸_(甲基）丙烯酸酯共聚物或离聚物树脂。
[0051] 基材片的厚度并无特别限定，从易操作性而言，优选为50?200 μ m，更优选为 70 ?110 μ m〇
[0052] 为了进一步提高密合性，也可对基材片的与粘合剂层接触的面实施电晕处理、底 涂等处理。
[0053] 作为构成粘合剂层的粘合剂，优选为放射线固化型，例如优选使用日本特公平 1-56112号公报、日本特开平7-135189号公报等中记载的粘合剂，但并不限于此。只要具有 通过放射线而固化并三维网状化的性质即可，例如可使用向通常的橡胶系或（甲基）丙烯 酸系压敏性基础树脂（聚合物）混配分子中具有至少2个光聚合性碳-碳双键的低分子量 化合物（以下称为光聚合性化合物）及光聚合引发剂而成的物质。
[0054] 此处，所谓放射线，意指如紫外线的光线、或如电子束的电离放射线。所谓"（甲 基）丙烯酸"，意指"丙烯酸"或"甲基丙烯酸"的任一者或两者。
[0055] 上述橡胶系或丙烯酸系的基础树脂可使用：天然橡胶、各种合成橡胶等橡胶系聚 合物，或聚（甲基）丙烯酸烷基酯、（甲基）丙烯酸烷基酯、（甲基）丙烯酸烷基酯与能够与 其共聚的其它不饱和单体的共聚物等（甲基）丙烯酸系聚合物。
[0056] (甲基）丙烯酸系聚合物并无特别限制，可设为重均分子量为10万?100万、玻璃 化转变温度（Tg)为-50?0°C的范围。
[0057] 另外，通过在上述粘合剂中混合异氰酸酯系固化剂，可将初始的粘合力设定为任 意值。作为上述固化剂，具体而言为多元异氰酸酯化合物，例如可使用：2, 4-甲苯二异氰 酸酯、2, 6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲 烷-4, 4' -二异氰酸酯、二苯基甲烷-2, 4' -二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六 亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4, 4' -二异氰酸酯、二环己基甲 烷-2, 4' -二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯等。
[0058] 固化剂的含量只要根据所需的粘合力而进行调整即可，相对于粘合剂的上述基础 树脂共聚物100质量份，优选为〇. 01?10质量份，更优选为〇. 1?5质量份。
[0059] 放射线固化型粘合剂通过在粘合剂中混入光聚合引发剂，从而可体现通过放射线 照射而聚合固化的反应。
[0060] 作为上述光聚合引发剂，具体而言，可列举：苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯 偶姻异丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、1，2-二苯乙烷、双乙酰、 β-氯蒽醌等。
[0061] 粘合剂层的厚度优选为5?10 μ m。若薄于5 μ m，则难以获得稳定制造性；另外， 若厚于10 μ m，则切割时的芯片振动的影响变大。
[0062] 另外，通过使如上所述的粘合剂层中包含光聚合性化合物及光聚合引发剂，可基 于照射放射线而进行固化，使粘合剂的粘合力降低，由此能够容易地将粘合剂层从被粘合 体剥离。
[0063] 粘合剂层的形成可与通常的切割胶带相同地在基材片上涂布粘合剂而制造。
[0064] 在本发明中，优选为粘合剂层含有塑化剂。通过使用塑化剂，可使粘合剂的柔软性 提高，缓和切割时的旋转刀的应力。塑化剂的量、种类并无特别限制，可使用一般的塑化剂。 [0065] 作为上述塑化剂，可列举：芳香族酯、脂肪族酯、磷酸酯、酰胺化合物、脂肪族醇、石 蜡类。其中，优选为芳香族酯、磷酸酯，更优选为芳香族酯。作为芳香族酯，其中优选为邻苯 二甲酸二酯，更优选为醇部的碳数为6?12的芳香族酯，最优选为邻苯二甲酸二辛酯。 [0066] 作为芳香族酯，可以举出例如：邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二己酯、邻苯二甲 酸二（十二烷基）酯、邻苯二甲酸二（2-乙基己基）酯或对苯二甲酸二（2-乙基己基）酯、 间苯二甲酸二丁酯、偏苯三甲酸三异丙酯等；作为磷酸酯，可列举：磷酸三甲酚酯、磷酸三 (2-乙基己基）醋等。
[0067] 相对于粘合剂树脂成分100质量份，塑化剂的添加量优选为0. 1?30质量份，更 优选为〇. 1?25质量份，进而优选为0. 1?10质量份。若添加量少于0. 1质量份，则无法 体现上述应力松弛。另外，若添加量多于30质量份，则粘合剂层变得过于柔软，崩裂恶化。 [0068] 在使用本发明的半导体晶片加工用胶带时，可依据通常的方法使用，例如，将半导 体晶片加工用胶带贴附在半导体晶片而固定后，利用旋转刀将半导体晶片切割成芯片。其 后，从上述胶带的基材侧照射紫外线或电子束，接着使用专用夹具将上述胶带呈放射状进 行扩大而使芯片间空开一定间隔（扩展）后，利用顶针等将芯片顶出，并且通过利用真空夹 头、真空镊子等进行吸附的方法等进行拾取，与此同时进行安装即可。
[0069] 另外，应用本发明的半导体晶片的厚度优选为200?75 μ m，更优选为100? 75 μ m，在其厚度较薄的情况下效果较为显著。
[0070] 实施例
[0071] 以下，基于实施例更详细地说明本发明，但本发明并不限于这些实施例。
[0072] 以下，基于实施例进一步说明本发明，但本发明并不限于此。
[0073] <构成粘合剂层的树脂组合物>
[0074] 作为构成粘合剂层的树脂组合物，使用以下的树脂组合物A?E。
[0075] (构成粘合剂层的树脂组合物A)
[0076] 相对于丙烯酸系基础聚合物（由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸酯甲酯、丙烯酸2-羟 基乙酯所构成的共聚物，重均分子量30万，玻璃化转变温度_35°C ) 100质量份，添加多元异 氰酸酯化合物（Nippon Polyurethane社制造，商品名Coronate L) 2质量份、作为具有光聚 合性碳-碳双键的化合物的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯50质量份、作为光聚合引发剂的日本 Ciba-Geigy公司制造的Irgacure-184(商品名）0. 5质量份及邻苯二甲酸二辛酯0. 1质量 份并进行混合，从而制备放射线固化性的粘合剂树脂组合物A。
[0077](构成粘合剂层的树脂组合物B)
[0078] 将邻苯二甲酸二辛酯设为25质量份，除此以外，按照与粘合剂树脂组合物A相同 的方式制备构成粘合剂层的树脂组合物B。
[0079](构成粘合剂层的树脂组合物C)
[0080] 将邻苯二甲酸二辛酯设为30质量份，除此以外，按照与粘合剂树脂组合物A相同 的方式进行制备。
[0081] (构成粘合剂的树脂组合物D)
[0082] 使由丙烯酸丁酯（79质量％)、甲基丙烯酸（1质量％)、丙烯酸2-羟基乙酯（20质 量％ )所构成的丙烯酸系共聚物100质量份与作为具有光聚合性碳-碳双键及官能团的化 合物的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯（昭和电工社制造，商品名Karenz Μ0Ι)0. 2质量 份发生反应，从而获得在主链的重复单元键合有残基的聚合物，上述残基具有丙烯酸系单 体部，上述丙烯酸系单体部具有含放射线固化性碳-碳双键的基团。该聚合物的重均分子 量为60万。此处，重均分子量是通过凝胶渗透色谱仪（Waters社制造，商品名150-C ALC/ GPC)对溶解在四氢呋喃中所得的1%溶液进行测定，并对所得的值进行聚苯乙烯换算而算 出的。相对于上述聚合物100质量份，添加多元异氰酸酯化合物（Nippon Polyurethane 社制造，商品名Coronate L)0. 5质量份、作为光聚合引发剂的日本Ciba-Geigy社制造的 Irgacure-184 (商品名）0. 5质量份及邻苯二甲酸二辛酯0. 08质量份并进行混合，从而制备 放射线固化性的粘合剂树脂组合物D。
[0083](构成粘合剂层的树脂组合物E)
[0084] 将邻苯二甲酸二辛酯设为0. 2质量份，除此以外，按照与粘合剂树脂组合物D相同 的方式进行制备。
[0085] <构成基材片的树脂组合物>
[0086] 作为构成基材片的树脂组合物，使用以下的树脂F?I。另外，作为基材片，使用片 材J。
[0087] (树脂 F)聚丙烯 Prime Polymer 社制造 "F724NP"
[0088] (树脂G)乙烯-甲基丙烯酸共聚物DuPont-Mitsui Polychemicals社制造制品名 "N0908C"（甲基丙烯酸含量：9质量％ )
[0089] (树脂H)乙烯-乙酸乙烯酯共聚物Nippon Unicar社制造"NUC-3758"
[0090](树脂I)乙烯-甲基丙烯酸_(丙烯酸2-甲基-丙酯）-Zn2+离聚物树脂 DuPont-MitsuiPolychemicals 社制造 "Himilan AM7316"
[0091] (片材J)氯乙烯片材厚度80 μ m
[0092] 将树脂F?树脂I调整为下述表1、2所示的构成，利用双轴混炼机在约200°C进行 膜挤出成型，从而以厚度的合计为80 μ m的方式来制造作为各基材树脂膜的基材片。接着， 如表1、表2所示，在各基材片的与粘合剂层接触的层以干燥后的厚度为下述表1、2的构成 的方式涂布上述粘合剂，形成粘合剂层，从而制造如图1的构造的实施例1?9、比较例1、2 的半导体晶片加工用胶带。
[0093](反弹力的时间变化评价）
[0094] 将所制作的基材片采取为25mmX40mm，利用与胶带制作时相同的方法以成为 100 μ m的方式涂布各胶带的粘合剂，从而制作测定用样品。其后，使用Instron拉伸试验机 (双柱（twin columns)桌上型5567)，在以下条件进行测定。
[0095](反弹力测定条件）
[0096] 装置：Instron拉伸试验机（双柱桌上型5567)
[0097] 压缩速度：1. Omm/min
[0098] 试验温度：23 °C
[0099] 压头：弯曲试验（JIS K 7171)的压头
[0100] 压头前端形状：R = 5. 0±0. Imm
[0101] 压入方向：自基材片侧压缩
[0102] (试验方法）
[0103] -）如图2那样在压缩平行板上按照粘合剂层朝下的方式设置试验样品
[0104] 二）使弯曲压头接触胶带的厚度
[0105] 三）将位移及反弹力设置为0
[0106] 四）以速度I. Omm/min进行压缩直至负载有50N的反弹力为止
[0107] 五）将反弹力为50N时作为开始时刻，在维持压头位置的状态下每隔1. 0秒采集 反弹力值
[0108] 六）将自开始时刻起经过0?5秒的反弹力的时间变化设为（A)(单位：N/s)
[0109] 七）将自开始时刻起经过5秒?10秒的反弹力的时间变化设为（B)(单位：N/s)
[0110] 八）算出㈧与⑶的比（B/A)
[0111] 在实施例1?9及比较例1、2的半导体晶片加工用粘合片材上贴合直径6英寸、 厚度100 μ m的附有虚设电路面（夕' $ -回路面）的硅晶片，使用切割装置（DISCO公司制 造，DAD-340)以芯片尺寸为IOmm见方的方式进行切割工序。
[0112] (切割条件）
[0113] 切割机：DISC0公司制造，DAD-340
[0114] 旋转刀转速：40000rpm
[0115] 切削速度：100mm/s
[0116] 切削水流量：20mL
[0117] 旋转刀切割硅晶片后，切入粘合片材的深度：1〇μπι
[0118] (拾取）
[0119] 将硅晶片贴合在半导体晶片加工用粘合片材的粘合剂层后，对硅晶片进行切割， 将半导体晶片加工用粘合片材呈放射状进行扩大而使芯片间空开一定间隔（扩展），从切 割胶带的基材片侧照射紫外线500mJ/mm 2而使粘合剂层固化后，使用Dice Picker装置 (Canon Machinery公司制造的CAP-30011)拾取已单片化的半导体芯片。在下述拾取条件 下拾取任意50个芯片，计数成功拾取的芯片数，将成功拾取全部50个半导体芯片的情况设 为◎，成功拾取47?49个半导体芯片的情况设为〇，成功拾取44?46个半导体芯片的情 况设为Λ，此外的情况设为X，评价拾取性。
[0120] (拾取条件）
[0121] Dice Picker 装置：Canon Machinery 公司制造的 "CAP-300II"
[0122] 销数：4根
[0123] 销的间隔：7· 8X7. 8mm
[0124] 销前端曲率：0.25mm
[0125] 销顶出量：0. 40_
[0126] (崩裂）
[0127] 利用光学显微镜对拾取后的任意50个芯片的崩裂进行测定。将自端部起的崩裂 高度均为?ο μ m以下的情况设为◎，均为15 μ m以下的情况设为〇，均为25 μ m以下的情况 设为Λ，大于上述范围的情况设为X。
[0128]
【权利要求】
1. 一种半导体晶片加工用胶带，其是在基材片上层积有粘合剂层的半导体晶片加工用 胶带，其特征在于， 该基材片的从下述状态起的应力松弛的时间变化中，0?5秒的反弹力的时间变化 (A)为0. 23N/s?0. 28N/s，且与超过5秒至10秒为止的反弹力的时间变化⑶的比（B)/ (A)为0. 40?0. 45,所述状态为在所述基材片的厚度方向以lmm/min压入前端形状R = 5. 0±0. 1mm的压头、并保持来自该基材片的反弹力为50N的位移的状态。
2. 如权利要求1所述的半导体晶片加工用胶带，其中，所述粘合剂层厚度为5 ? 10. m〇
3. 如权利要求1或2所述的半导体晶片加工用胶带，其中，在所述粘合剂层中相对于粘 合剂树脂成分100质量份而含有邻苯二甲酸二酯〇. 1质量份?30质量份。
4. 如权利要求1?3中任一项所述的半导体晶片加工用胶带，其中，所述基材片为聚氯 乙烯树脂。
5. 如权利要求1?4中任一项所述的半导体晶片加工用胶带，其中，所述半导体晶片加 工用胶带用于半导体器件的切割工序。
【文档编号】H01L21/301GK104335329SQ201480001188
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年3月4日 优先权日:2013年3月5日
【发明者】大田乡史, 矢吹朗 申请人:古河电气工业株式会社