一种具低阻的P型GaN外延层制备方法与流程

技术特征：

1.一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，采用MOCVD 技术，利用NH3、TMGa 或TEGa、TMIn、TMAl 分别作为N 源、Ga 源、In 源和Al 源，使用Cp2Mg 和SiH4 作为Mg 和Si 的掺杂源生长，包括如下步骤：

S1，在氢气气氛下高温处理衬底；

S2， 在处理的衬底表面依次生长缓冲层、非掺的GaN层、 n型GaN层、多量子阱有源区层和电子阻挡层；

S3，在电子阻挡层上生长P型GaN层；

S4，在P型GaN层上生长P型接触层；

其特征在于：

在S1之前往反应室中预通Cp₂Mg，通入时间0-3600S，流量为0—4000 sccm并将反应室暴露在大气中生长MgO，当反应室侧壁覆盖MgO时，开始步骤S1，且在所述S3中p型GaN层生长前，往反应室内通入CP₂Mg掺杂剂，所述CP₂Mg掺杂剂的流量为0—4000 sccm，通入时间为60—300 S，且控制Mg和Ga的摩尔流量比为0.01—0.02，使p型GaN层中的Mg杂质浓度稳定在最佳值(3-4e19 cm^-3)。

2.如权利要求1所述的一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石，SiC衬底、Si衬底、GaN衬底或尖晶石衬底。

3.如权利要求1所述的一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，其特征在于：所述S3中P型GaN的生长温度为800-1200℃，生长压力为50—1000 mbar，厚度为0.01—1 um。