技术总结
本发明提供了一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，包括如下步骤：在氢气气氛下高温处理衬底；在处理的衬底表面依次生长缓冲层、非掺的GaN层、n型GaN层、多量子阱有源区层和电子阻挡层；在电子阻挡层上生长P型GaN层；在P型GaN层上生长P型接触层；在处理衬底之前往反应室中预通Cp2Mg，通入时间0-3600S，流量为0-4000sccm并将反应室暴露在大气中生长MgO且在所述S3中p型GaN层生长前，往反应室内通入CP2Mg掺杂剂，所述CP2Mg掺杂剂的流量为0-4000sccm，通入时间为60-300S，使p型GaN层中的Mg杂质浓度稳定在最佳值(3-4e19cm-3)。本发明保证了p型GaN中的空穴浓度和迁移率，降低p型GaN的电阻，降低了LED的工作电压。
技术研发人员：冯美鑫;南琦;蔡金;傅华;王辉;王怀兵
受保护的技术使用者：苏州新纳晶光电有限公司
文档号码：201510281069
技术研发日：2015.05.28
技术公布日：2017.01.04