半导体装置以及测量设备的制造方法

半导体装置以及测量设备本申请是下述申请的分案申请：发明名称：半导体装置以及测量设备，申请日：2013年4月26日，申请号：201310150076.8。技术领域本发明涉及半导体装置以及测量设备。

背景技术：
近年来，在对累计电量进行测量的电度表等的测量设备中，按时间段来测量累计电量的需要增长。伴随于此，有以通过在测量设备的内部设置振荡器和集成电路来构成半导体装置而能够测量功率和时间的方式设计的测量设备。此外，有如下电路装置，即，在引线框的上表面装载有集成电路（IC芯片），用接合线（bondingwire）将集成电路和引线框连接，并在集成电路的上表面经由各向异性导电性粘接膜装载有振荡器（例如，专利文献1）。可是，在集成电路的上表面装载振荡器的情况下，需要将形成于集成电路的端子和形成于振荡器的端子的位置对准，因此存在缺乏通用性的问题。此外，由于进行用接合线将引线框和集成电路连接的工序和经由各向异性导电性粘接膜将集成电路和振荡器连接的工序，所以生产效率差。专利文献专利文献1：日本特开2010–34094号公报。

技术实现要素：
本发明考虑到上述事实，其目的在于提供一种使生产效率提高且具有通用性的半导体装置以及测量设备。方案1所述的半导体装置具有：振荡器，在一个面上具备沿着第一方向隔开规定距离配置的多个外部端子；集成电路，具备沿着矩形的面上的一边形成有多个第一电极焊盘的第一区域和夹着所述第一区域形成有多个第二电极焊盘的第二区域；引线框，以所述外部端子和所述第一电极焊盘及所述第二电极焊盘朝向大致同一方向并且所述第一方向和所述集成电路的一边大致平行的方式装载所述振荡器和所述集成电路，并且，在周围具备端子；第一接合线，连接所述外部端子和所述第一电极焊盘；第二接合线，连接所述引线框的端子和所述第二电极焊盘；以及密封构件，将所述振荡器、所述集成电路、所述引线框、所述第一接合线、以及所述第二接合线密封。本发明由于采用了上述的结构，所以能够提供一种使生产效率提高且具有通用性的半导体装置以及测量设备。附图说明图1是具备第一实施方式的半导体装置的电度表的立体图。图2是从背面观察第一实施方式的半导体装置的部分断裂图。图3是图2的3–3线剖视图。图4是表示第一实施方式的振荡器的分解立体图。图5是用于说明第一实施方式的半导体装置的LSI的框图。图6（a）～（e）是表示在制造第一实施方式的半导体装置的制造方法中将振荡器和LSI配置在引线框上并进行引线接合的顺序的说明图。图7（a）～（d）是表示在制造第一实施方式的半导体装置的制造方法中用树脂对引线框、振荡器和LSI进行密封的顺序的说明图。图8是表示第一实施方式的半导体装置的变形例的部分断裂图。图9是表示第一实施方式的第一频率校正处理的流程的流程图。图10是表示第一实施方式的第二频率校正处理的流程的流程图。图11是表示第一实施方式的半导体装置中的温度和频率偏差的关系的图。图12是用于说明第二实施方式的半导体装置的LSI的框图。图13：（a）是表示第二实施方式的半导体装置的振荡器的时钟值的一个例子的图，（b）是表示第二实施方式的半导体装置的基准信号振荡器的时钟值的一个例子的图。图14是表示第二实施方式的第一频率校正处理的流程的流程图。图15是表示第二实施方式的频率误差导出处理的流程的流程图。图16是第二实施方式的频率误差导出处理中的时间图，（a）是表示计数开始时的图，（b）是表示计数停止时的图。图17是表示第二实施方式的第二频率校正处理的流程的流程图。图18是用于说明第二实施方式的半导体装置的LSI的另一例的框图。图19是用于说明第二实施方式的半导体装置的LSI的另一例的框图。图20是从背面观察第三实施方式的半导体装置的部分断裂图。图21是图20的21–21线剖视图。图22是从背面观察第四实施方式的半导体装置的部分断裂图。图23是用于说明第四实施方式的半导体装置的引线框的说明图。图24是从背面观察第五实施方式的半导体装置的部分断裂图。图25是图24的14–14线剖视图。图26（a）～（e）是表示在制造第五实施方式的半导体装置的制造方法中将振荡器和LSI配置在引线框上并进行引线接合的顺序的说明图。图27（a）～（d）是表示在制造第五实施方式的半导体装置的制造方法中用树脂对引线框、振荡器和LSI进行密封的顺序的说明图。图28是从背面观察第六实施方式的半导体装置的部分断裂图。图29是图28的18–18线剖视图。图30是表示在将以往的内置有计时功能的半导体装置和振荡器进行连接后的状态下的一个例子的框图。图31是表示在将以往的内置有计时功能的半导体装置和振荡器进行连接后的状态下的一个例子的框图。图32是表示以往的进行封装件化后的一般的半导体装置的概略剖视图。具体实施方式（第一实施方式）以下，针对本发明的半导体装置，使用附图详细地进行说明。<结构>如图1所示，具备实施方式1的半导体装置的电度表10被安装于在住宅等的外壁100上固定的固定板102的上表面，该电度表10主要由主体部12、覆盖主体部12的透明盖14、以及设置在主体部12的下部的连接部16构成。从连接部16的下方连接有电源侧布线18和负载侧布线20，向电度表10供给电流。主体部12在平面视图中为矩形形状的箱体，在主体部12的内部，在基板（未图示）上安装有后面叙述的半导体装置24、以及作为根据从半导体装置24输出的信号来测量累计电量的测量单元的电量测量电路22。再有，在图1中，为了便于说明，夸大地描绘了电量测量电路22和半导体装置24的大小。在主体部12的正面设置有横长的液晶显示器15。在液晶显示器15显示有电量测量电路22测量出的每单位时间的使用电量、按时间段使用的累计电量等。再有，虽然本实施方式的电度表10是使用电量测量电路22来作为测量单元的电子式的电度表，但不限于此，例如也可以是使圆盘旋转来测量电量的感应型的电度表。接着，对本实施方式的半导体装置24的详细的结构进行说明。再有，在以下的说明中，将图2所示的半导体装置24在平面视图中的左右方向设为箭头X方向，将上下方向设为箭头Y方向，将图3所示的半导体装置24的剖视图中的高度方向设为Z方向来进行说明。如图2和图3所示，半导体装置24的外形形状在平面视图中为矩形形状，构成为包含：成为骨架的引线框（leadframe）26、装载于引线框26的表面（第一面）的振荡器28、装载于引线框26的背面（第二面）的作为集成电路的LSI30、以及成为密封构件的模塑（mold）树脂32。引线框26是用冲压（press）机对由铜（Cu）、铁（Fe）和镍（Ni）的合金等的金属构成的平板进行冲裁而形成的板构件，构成为包含：在中央部设置的作为装载部的下垫板（diepad）26A、在对角线上从下垫板26A向外侧延伸的悬吊引线26B、以及在相邻的悬吊引线26B之间设置的多个引线（端子）38。引线38是朝向下垫板26A的中央部延伸的细长的构件，在下垫板26A的周围以规定的间隔形成有多个。在本实施方式中，在相邻的悬吊引线26B之间形成有16根引线38。此外，引线38由位于下垫板26A侧的内引线38A和位于半导体装置24的外周端部侧的外引线38B构成，内引线38A以比下垫板26A位于下方的方式被冲压机压低，与下垫板26A平行地延伸（参照图3）。此外，与下垫板26A最接近的内引线38A的顶端部被镀膜40包覆。虽然在本实施方式中，作为一个例子用银（Ag）形成镀膜40，但不限于此，例如也可以用金（Au）等金属形成镀膜。外引线38B从模塑树脂32露出并向下方弯曲，顶端部与内引线38A平行。即，成为鸥翼（gullwing）引线。此外，外引线38B被焊料镀膜包覆。作为焊料镀膜的材质，使用锡（Sn）、锡（Sn）和铅（Pb）的合金、或者锡（Sn）和铜（Cu）的合金等。引线框26的中央部的下垫板26A是在平面视图中呈矩形形状形成的平板状的构件，在下垫板26A的中央部的右侧形成有在下垫板26A的厚度方向上贯通的两个开口部26C。开口部26C呈横长的矩形形状形成，并以与后面叙述的振荡器28的外部电极34相对的方式进行设置（参照图4）。两个开口部26C之间的区域为在左右方向上延伸的作为振荡器装载区域的振荡器装载用梁42，在引线框26的表面的振荡器装载用梁42经由粘接剂（未图示）装载有振荡器28（参照图4）。换言之，在振荡器装载用梁42的两肋分别设置有开口部26C。振荡器28是将上下方向作为长尺寸方向的矩形形状的电子部件，在本实施方式中，使用对装载于一般的电子设备的频率为32.768kHz的通用的半导体装置24能够外接的振荡器28。如图4所示，振荡器28构成为包含：振动片44、收容振动片44的封装件主体46、以及盖体48，并且在平面视图中呈矩形形状。振动片44是在用人造石英形成的音叉型石英片的表面成膜有激发电极44A的石英振动片，当在激发电极44A流过电流时，利用压电效应使振动片44振荡。在此，作为振动片44，不限于音叉型，也可以使用AT切割的石英片。此外，除了石英之外，也可以使用由钽酸锂（LiTaO3）或铌酸锂（LiNbO3）形成的振动片。进而，也可以使用由硅形成的MEMS振动片。封装件主体46是上部开口了的箱体，在长尺寸方向一端侧的底部形成有固定振动片44的台座47。在该台座47固定振动片44的基部并能使其振动，通过在真空状态下使封装件主体46和盖体48相接合，从而能够对振动片44进行气密密封。此外，在封装件主体46的下表面的两端，隔开规定的距离L1分别形成有作为与振动片44的激发电极44A电连接的端子的外部电极34。此外，振荡器装载用梁42的宽度L2以与外部电极34间的距离相比宽度窄的方式形成。外部电极34以宽度与封装件主体46的宽度相同的方式形成，如图2所示，外部电极34的大小大于后面叙述的形成于LSI30的电极焊盘50以及振荡器用电极焊盘54。此外，下垫板26A的开口部26C形成得比外部电极34大。如图2和图3所示，在引线框26的背面，在下垫板26A的中央部经由粘接材料（未图示）装载有作为集成电路或半导体芯片的LSI30。LSI30是矩形形状、薄片的电子部件，LSI30右侧的端部覆盖开口部26C大致一半。因此，在平面视图中进行投影时，振荡器28和LSI30以重叠的方式进行配置。此外，当从LSI30侧观察引线框26时，从开口部26C露出振荡器28的外部电极34。在沿着形成矩形形状的LSI30的各边的下表面的外周端部，设置有与LSI30的内部的布线电连接的多个电极焊盘50。电极焊盘50用铝（Al）或铜（Cu）等金属形成，在LSI30的各边各设置有16个。再有，电极焊盘50的数量可以在各边相同，也可以在设置有后面叙述的振荡器用电极焊盘54的边中减少或增多等而使其不同。此外，电极焊盘50分别通过接合线52与内引线38A连接。再有，虽然在本实施方式中，电极焊盘50的数量以与引线38的数量一致的方式在LSI30的各边各设置有16个，但不限于此，也可以设置得比引线38的数量多并用于其它用途。在LSI30的振荡器28侧的外周端部，在电极焊盘50之外另设置有振荡器用电极焊盘54。振荡器用电极焊盘54在LSI30的上下方向的中央部设置有两个，并位于电极焊盘50之间。即，在中央部形成有振荡器用电极焊盘54的配置区域（第一区域），在从该中央部到设置有振荡器用电极焊盘54的边的终端的各个区域和剩余的三边形成有电极焊盘50的配置区域（第二区域）。此外，将振荡器用电极焊盘54由接合线52通过开口部26C与振荡器28的外部电极34连接。再有，接合线是由金（Au）、铜（Cu）等金属构成的线状的导电构件。在LSI30的上下方向的中央部设置的两个振荡器用电极焊盘54以从设置于相同的边的电极焊盘50隔开的方式进行设置。换言之，振荡器用电极焊盘54和与振荡器用电极焊盘54相邻的电极焊盘50之间的距离比电极焊盘50间的距离长。再有，使振荡器用电极焊盘54和相邻的电极焊盘50之间的距离等于电极焊盘50间的距离，不对振荡器用电极焊盘54和相邻的电极焊盘50进行引线接合，由此使进行引线接合后的电极焊盘50和振荡器用电极焊盘54之间的距离比进行引线接合后的电极焊盘50间的距离长也可。换言之，在LSI30的电极焊盘50上，与连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52间的距离相比，连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52与连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52的距离长。在此，连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52与连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52立体交叉，如图3所示，连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52以跨过连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52的方式形成。即，为了防止接合线52的短路，连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52的顶点以比连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52的顶点低的方式形成。换言之，连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52的顶点与引线框26的距离以比连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52的顶点与引线框26的距离短的方式形成。再有，连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52的顶点的高度比全部的连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52的顶点的高度低也可，比位于振荡器用电极焊盘54和外部电极34之间的连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52的顶点的高度低也可。此外，LSI30的中心和长方体形状的振荡器28的中心CP以在X轴上大致一致的方式平行地进行配置。即，振荡器28的中心CP从X轴向Y轴方向的偏移宽度比中央部的Y轴方向的宽度窄。在这样的配置状态下，通过接合线52连接在LSI30的任意一边的中央附近设置的振荡器用电极焊盘54和在振荡器28的长尺寸方向的两端隔开配置的外部电极34。与此同时，通过接合线52连接以夹着振荡器用电极焊盘54的方式排列配置的电极焊盘50和在Y轴方向与电极焊盘50平行排列的内引线38A。进而，由于振荡器用电极焊盘54从电极焊盘50隔开地设置，所以连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52通过连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52的比振荡器28低的部分。即，能够避免通过连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52的顶点附近而交叉，能有效地使其立体交叉。进而，由于能够将连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52的顶点的高度抑制得较低，所以还能够降低封装件的高度。此外，在振荡器28的外部电极34中的接合线52的连接位置在X轴方向上从振荡器28的中心位置向内引线38A侧偏移。通过像这样连接，从而能够减少接合线52与LSI30的端部相接触。另一方面，在X轴方向上从外部电极34的中心向振荡器28的中心方向偏移。通过像这样连接，从而能够减少与连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52的交叉次数。振荡器28、LSI30以及引线框26被模塑树脂32密封来形成半导体装置24的外形。模塑树脂32以在内部不设置空隙的方式进行填充，模塑树脂32的高度为内引线38A的高度的2倍以上的高度。换言之，从模塑树脂32的振荡器28装载侧的表面到内引线38A的中心的距离H1比从模塑树脂32的LSI30装载侧的表面到内引线38A的中心的距离H2长。此外，从模塑树脂32的LSI30装载侧的表面到下垫板26的中心的距离H3比从模塑树脂32的LSI30装载侧的表面到内引线38A的距离H2长。再有，虽然在本实施方式中，作为模塑树脂32，使用含有二氧化硅类的填充材料的热固化性环氧树脂，但不限于此，例如也可以使用热塑性树脂。接着，对LSI30的内部结构进行说明。如图5所示，在LSI30内置有振荡电路51、分频电路53、计时电路56、温度传感器58、控制部60以及寄存器部70。振荡电路51与振荡器28连接，使振荡器28振荡。分频电路53对从振荡器28输出的信号（在本实施方式中为32.768kHz的频率）进行分频来形成规定的时钟（例如1Hz）。计时电路56基于由分频电路53进行分频后的信号对时间进行测量，并向控制部60传递时间。温度传感器58对LSI30的温度进行测定，并向控制部60传递。再有，在LSI30的附近配置于同一引线框、也与LSI30电连接的振荡器28的温度能够视为与LSI30的温度相同。即，温度传感器58能高精度地测定在LSI30的周围配置的振荡器28的温度。控制部60基于计时电路56所测量的时间，使液晶显示器15显示电量测量电路22所测量的每单位时间的累计电量等（参照图1）。寄存器部70由用于储存在对振荡器28的振荡频率进行校正时使用的各种数据的多个寄存器构成。再有，针对该多个寄存器在后面叙述的振荡频率的校正说明中会详细地进行说明。此外，在LSI30中除了上述以外还内置有进行运算的运算电路、内部电源。<制造顺序>以下，针对半导体装置24的制造顺序进行说明。首先，如图6（a）所示，以引线38位于下方的方式将引线框26载置于接合装置1的载置台2。再有，在载置台2形成有用于在将振荡器28固定于第一面的状态下上下翻转引线框26时收容振荡器28的凹陷部3。此外，振荡器28在将外部电极34朝向下方的状态下被封入到带（tape）上的封装件29中并输送而来。再有，在引线框26预先通过冲压加工等形成开口部26C。接着，如图6（b）所示，对封装件29进行开封，用拣选机（picker）4取出振荡器28，在下垫板26A的第一面、即图6（b）中的上方的面以振荡器28的外部电极34与开口部26C重叠的方式配置振荡器28，并用粘接剂固定于下垫板26A。再有，在将振荡器28以外部电极34朝向上方的状态封入在封装件29时，优选作为拣选机4使用带旋转机构的拣选机，在用拣选机4取出振荡器28之后，利用旋转机构使振荡器28上下翻转，将外部电极34朝向下方之后载置于下垫板26A的第一面。在将振荡器28固定于下垫板26A的第一面后，如图6（c）所示，使引线框26上下翻转并载置于载置台2。由此，引线框在第一面朝向下方的状态下载置于载置台2。此时，振荡器28收容于载置台2的凹陷部3。在使引线框26上下翻转并载置于载置台2后，如图6（d）所示，在下垫板26A的与第一面相反侧的第二面中的与开口部26C相邻的部分固定LSI30。再有，在图6（d）中，第二面是下垫板26A的上方的面。最后，如图6（e）所示，用接合线52连接LSI30的电极焊盘50和引线38，并且用接合线52连接LSI30的振荡器用电极焊盘54和振荡器28的外部电极34来作成半导体装置24。此时，以连接LSI30的振荡器用电极焊盘54和振荡器28的外部电极34的接合线52的顶点的高度低于连接LSI30的电极焊盘50和引线38的接合线52的顶点的高度的方式进行连接。此外，在先用接合线连接LSI30的振荡器用电极焊盘54和振荡器28的外部电极34之后，以在该接合线52之上越过的方式用接合线52连接LSI30的电极焊盘50和引线38。此外，连接LSI30的振荡器用电极焊盘54和振荡器28的外部电极34的接合线52与连接电极焊盘50和引线38的接合线52以立体交叉的方式进行连接。此时，以在从连接LSI30的振荡器用电极焊盘54和振荡器28的外部电极34的接合线52的顶点偏移的位置，连接LSI30的电极焊盘50和引线38的接合线52交叉的方式进行连接。通过以图6（a）～图6（e）所示的顺序将振荡器28和LSI30固定于引线框26（下垫板26A），进行LSI30和振荡器28的连接，从而尽管将LSI30在下垫板26A中固定于与固定振荡器28的第一面相反侧的第二面，也能与LSI30和引线框的引线38的连接同样地从下垫板26A的第二面进行LSI30和振荡器28的连接，效率高。此外，由于振荡器28和LSI30不经由引线框26而用接合线52直接连接，所以与经由引线框26连接振荡器28和LSI30的情况、将接合线绕到引线框26的背侧进行连接的情况相比，能够降低布线电阻。接着，针对用模塑树脂32密封半导体装置24的顺序进行说明。首先，如图7（a）所示，以引线框26（下垫板26A）的第一面、即固定有振荡器28的一侧的面为上表面，引线框26（下垫板26A）的第二面、即固定有LSI30的一侧的面为下表面的方式，将半导体装置24固定在金属模5的空腔（cavity）6内部。在此，由于振荡器28与LSI30相比厚度厚，所以将半导体装置24以引线框26（下垫板26A）比金属模5中的空腔6的高度方向的中心位于下方的方式配置在空腔6内部。此外，在将半导体装置24固定在空腔6内部的状态下，外引线38B突出到金属模5的外侧。在将半导体装置24固定在空腔6内部后，如图7（b）中以箭头a所示出的那样，从沿着引线38的下表面设置的注入口7注入模塑树脂32。在此，如上所述，由于将引线框26（下垫板26A）以比金属模5中的空腔6的高度方向的中心位于下方的方式进行固定，所以在开始模塑树脂32沿着引线框26（下垫板26A）注入。在此，由于注入的模塑树脂32具有欲流入到存在更广阔的空间的一方的特性，所以例如欲从引线38的后端和下垫板26A的间隙等流入到引线框26的上方，但是由于被振荡器28遮挡住前进的道路，所以如图7（c）中以箭头b所示出的那样，以迂回到引线框26的下方的方式流过。之后，如图7（d）中以箭头c所示出的那样，模塑树脂32也流入到引线框26的上表面侧。而且，当引线框26的下表面侧被模塑树脂32充满时，引线框26的上表面侧也被模塑树脂32充满。在引线框26的两侧被模塑树脂32充满后，对金属模5进行加热使模塑树脂32固化。由于在半导体装置24中，在引线框26（下垫板26A）的上表面固定有振荡器28，在下表面固定有LSI30，所以在用模塑树脂32密封半导体装置24的情况下，需要使引线框26与金属模5的空腔6的高度方向中心相比配置在下方。像这样，在引线框26的上侧存在广阔的空间的情况下，模塑树脂32欲流入到引线框26的上侧。因此，认为由从注入口7向空腔6注入的模塑树脂32造成的压力不会均等地施加于引线框26的两面，而是更强地施加于引线框26的上表面。可是，通过使用振荡器28对模塑树脂32的流路进行调整，使模塑树脂32先流入到引线框26的下方，从而能够期待利用向空腔6注入的模塑树脂32从下方对引线框26进行支撑。因此，防止在对模塑树脂32进行注入中在空腔6内部引线框26沿着上下方向偏移。<作用>接着，针对本实施方式的半导体装置24以及电度表10的作用进行说明。在本实施方式的半导体装置24中，振荡器28和LSI30被模塑树脂32密封而成为一体，LSI30内置有振荡电路51、分频电路53以及计时电路56，因此仅在图1所示的电度表10的内部的基板安装半导体装置24就能够测量时间。即，没有必要将振荡器28、分频电路53等分别安装于基板。因此，也不需要振荡器28和半导体装置24的连接调整等的工夫。此外，由于在LSI30内置有温度传感器58，所以能够正确地测定振荡器28周围的温度。由此，即使从振荡器28输出的信号（频率）根据温度变化而变动，也能够以高精度进行频率的校正。因此，不用使用高价的高精度振荡器，即使是廉价的振荡器，也能够使频率成为高精度。进而，如图2所示，振荡器28的外部电极34和LSI30的振荡器用电极焊盘54由接合线52通过开口部26C直接连接。因此，能够不经由引线框26以最短距离进行布线，能够降低布线电阻。此外，由于连接外部电极34和振荡器用电极焊盘54的两根接合线52的长度均匀，所以能够使施加到接合线52的张力相等，能够防止由于接合线52的断裂或挠曲而引起的接触。此外，由于能够不经由引线框26进行布线，所以也难以受到噪声的影响，因此能从振荡器28向LSI30顺畅地传递信号。此外，虽然在平行地形成的接合线52之间容易产生噪声，但是，由于连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52相对于其它接合线52立体交叉，所以能够减少连接振荡器用电极焊盘54和外部电极34的接合线52与其它接合线52间的干扰，特别是能够减少从其它接合线52对振荡器28的噪声的影响。进而，由于外部电极34比振荡器用电极焊盘54大，所以能够容易地进行引线接合。此外，振荡器28和LSI30装载在引线框26的表面和背面，并配置为在平面视图中进行投影时重叠，因此与将振荡器28和LSI30排列装载在引线框26的单面的情况相比，能够使半导体装置24的纵横尺寸变小。此外，由于LSI30位于下垫板26A的中央部，所以能够使连接电极焊盘50和内引线38A的接合线52的长度变为固定。由此，引线接合的操作变得容易，能够提高成品率。再有，虽然在本实施方式中，全部的内引线38A与LSI30的电极焊盘50连接，但并不限于此，也可以如图8所示的变形例那样，通过用接合线52使任意的内引线38A与下垫板26A连接，并将外引线38B接地，从而使下垫板26A接地。在该情况下，能够抑制下垫板26A带电。此外，由于以夹着引线框的方式在引线框的两面分开配置有LSI30和振荡器28，所以能够利用下垫板26A遮蔽从LSI30对振荡器28的噪声。此外，在本变形例中，在振荡器用电极焊盘54的附近配置有振荡电路51，以包围该振荡电路51的方式配置有数字电路部55。数字电路部55是对数字信号进行处理的电路部，与其它元件相比难以产生噪声。因此，能够减少振荡电路51从内置于LSI30的其它元件（特别是模拟电路部）受到的噪声的影响。再有，作为数字电路部55的一个例子，有CPU等。<振荡频率的校正>接着，说明本实施方式的半导体装置24中的、对振荡器28的振荡频率的依赖于温度的误差进行校正的频率校正处理。半导体装置24例如在出厂时，在使半导体装置24内部的LSI30的温度为常温（在此是25℃）的情况、成为温度比常温低的基准温度（以下，也称为“低温”。）的情况以及成为温度比常温高的基准温度（以下，也称为“高温”。）的情况的各个状态下，利用温度传感器58来测定温度。而且，半导体装置24例如在出厂后，将在该测定中得到的温度作为修整数据（trimmingdata），并考虑由于温度传感器58的制造偏差产生的测定误差来校正振荡器28的频率误差。上述的寄存器部70（参照图5）具有：温度测量值寄存器71，储存表示由温度传感器58测定的温度的数据；低温寄存器72，储存表示在使周围温度成为低温的情况下由温度传感器58测定的温度的数据；常温寄存器73，储存表示在使周围温度成为常温的情况下由温度传感器58测定的温度的数据；高温寄存器74，储存表示在使周围温度成为高温的情况下由温度传感器58测定的温度的数据；以及频率校正寄存器75，用于储存根据表示这些温度的数据导出的振荡器28的振荡频率的校正值。再有，各寄存器经由数据总线（databus）76与控制部60连接，控制部60经由数据总线76对各寄存器进行读写。半导体装置24为了对振荡器28的频率误差进行校正而进行如下这样的第一频率校正处理：在使半导体装置24的温度成为低温的情况、成为常温的情况以及成为高温的情况的各个状态下，利用温度传感器58来测定温度，并将在测定中得到的温度作为修整数据分别储存在低温寄存器72、常温寄存器73以及高温寄存器74中。试验者例如在出厂测试时，首先在槽内温度被设定为常温的恒温槽的内部配置半导体装置24。然后，用户通过向半导体装置24输入例如用于使利用温度传感器58的温度测量开始的测量工作信号，从而使半导体装置24执行第一频率校正处理。此时，用户例如在半导体装置24的引线38连接输出该测量工作信号的设备，由此使该测量工作信号输入至半导体装置24。此外，在该测量工作信号中包含表示对恒温槽设定的温度是常温、高温或低温的哪一个的信息。图9是表示本实施方式的半导体装置24中的第一频率校正处理的流程的流程图。执行该第一频率校正处理的程序是在输入了上述测量工作信号的定时执行的程序，并预先存储在控制部60所具有的存储单元中。再有，执行的定时并不限定于此。在步骤S101中，控制部60判定从输入测量工作信号起是否经过了规定时间（例如，数小时）。再有，优选将该规定时间设为为了使半导体装置24的内部温度（LSI30的温度）与恒温槽的温度一致所需要的时间。在步骤S101中判定为经过了规定时间的情况下，在步骤S103中，控制部60取得温度传感器58的测量值。再有，将温度传感器58的测量值储存在温度测量值寄存器71中。此外，在由温度传感器58取得测量值时，每经过规定时间（例如，1分钟）进行测量，取得对通过多次测量所得到的多个测量值进行平均后的值来作为测量值也可。在步骤S105中，控制部60在对恒温槽设定的温度为常温（在此是25℃）的情况下，将取得的测量值储存在常温寄存器73中，控制部60在对恒温槽设定的温度为高温的情况下，将取得的测量值储存在高温寄存器74中，控制部60在对恒温槽设定的温度为低温的情况下，将取得的测量值储存在低温寄存器72中，结束第一频率校正处理。再有，上述第一频率校正处理在晶片状态时预先进行也可。试验者在槽内的温度被设定为常温的恒温槽的内部配置有半导体装置24的状态之外，分别在槽内的温度被设定为高温的恒温槽的内部配置有半导体装置24的状态下、以及在槽内的温度被设定为低温的恒温槽的内部配置有半导体装置24的状态下，对半导体装置24进行上述步骤S101至S105的处理。由此，在常温寄存器73、高温寄存器74、低温寄存器72中分别储存温度传感器58的测量值。本实施方式的半导体装置24在进行了上述的处理之后出厂，在出厂后的预先确定的定时进行后面叙述的第二频率校正处理。用户例如在出厂后向半导体装置...