1.一种量子点电致发光结构，其特征在于，所述量子点电致发光结构包括：
基板(10)；
第一电极(30)，设置在所述基板(10)的表面上；
量子点材料层(50)，设置在所述第一电极(30)的远离所述基板(10)的表面上；
第二电极(70)，设置在所述量子点材料层(50)的远离所述第一电极(30)的表面上，所述第一电极(30)与所述第二电极(70)中至少有一个是透明电极；以及
光色转化层(90)，设置在一个或两个所述透明电极的远离所述量子点材料层(50)的表面上。
2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述光色转化层(90)包括至少一个光色转化部。
3.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，各所述光色转化部覆盖所述透明电极的面积不同。
4.根据权利要求2所述的发光结构，其特征在于，所述光色转化部为量子点光色转化部、有机模块或量子点材料与有机材料制成的混合光色转化部。
5.根据权利要求2所述的发光结构，其特征在于，相邻的所述光色转化部之间具有透光部(93)。
6.根据权利要求5所述的发光结构，其特征在于，所述透光部(93)中设置有黑色矩阵(94)，所述黑色矩阵(94)与所述光色转化部的至少一个侧面接触设置。
7.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述光色转化层(90)包括：
第一光色转化部(91)，用于将量子点材料层(50)发射的光谱转换为峰值波长在600～700nm之间的光谱；以及
第二光色转化部(95)，用于将量子点材料层(50)发射的光谱转换为峰值波长在500nm～600nm之间的光谱。
8.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述量子点电致发光结构还包括：
空穴传输层(51)，设置在所述量子点材料层(50)的远离所述第一电极(30)或所述第二电极(70)的表面上。
9.根据权利要求8所述的发光结构，其特征在于，所述量子点电致发光结构还包括：
至少一层空穴注入层(53)，设置在所述空穴传输层(53)的远离所述量子点材料层(50)的表面上，优选各所述空穴注入层(53)为掺杂3,4乙撑噻吩单体的聚合物的聚 苯乙烯磺酸盐层。
10.根据权利要求1、8或9所述的发光结构，其特征在于，所述量子点电致发光结构还包括：
电子传输层(55)，设置在所述量子点材料层(50)的远离所述第一电极(30)或所述第二电极(70)的表面上。
11.根据权利要求10所述的发光结构，其特征在于，所述量子点电致发光结构还包括：
至少一层电子注入层(57)，设置在所述电子传输层(55)的远离所述量子点材料层(50)的表面上。
12.根据权利要求1或7所述的发光结构，其特征在于，所述量子点材料层(50)发射的光谱的峰值波长小于480nm。
13.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述量子点电致发光结构还包括驱动层(20)，设置在所述基板(10)与所述第一电极(30)之间。
14.一种显示器，包括量子点电致发光结构，其特征在于，所述量子点发光结构为权利要求1至13中任一项所述的量子点发光结构。