技术总结
本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，涉及半导体技术领域。包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底中定义有像素区；对半导体衬底的用于形成MOS晶体管的区域进行第一离子注入形成阈值电压控制区，以调整预定形成的MOS晶体管的阈值电压；对半导体衬底的用于形成光电二极管的区域依次进行第二离子注入和第三离子注入，以形成具有第二导电类型的第一阱，第三离子注入的注入能量小于第二离子注入的注入能量，第一阱具有凸起部分，该凸起部分靠近与光电二极管相连的MOS晶体管的沟道区表面；在半导体衬底上形成MOS晶体管的栅极结构。本发明的制作方法显著提高了CMOS图像传感器的电子迁移率，有效改善拖影现象。
技术研发人员：刘欣;郑大燮;马燕春
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510418405
技术研发日：2015.07.16
技术公布日：2017.01.25