1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：
基板；
导电层，设置于所述基板上；
电阻转态层，设置于所述导电层上；
含铜氧化物层，设置于所述电阻转态层上；以及
电子供应层，设置于所述含铜氧化物层上。
2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述导电层包括单层结构或多层结构。
3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述导电层的厚度为1纳米至500纳米。
4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述电阻转态层的厚度为1纳米至100纳米。
5.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述电阻转态层的沉积温度范围为100℃至500℃。
6.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述含铜氧化物层的材料包括氧化铜钛、氧化铜钽、氧化铜铝、氧化铜钴、氧化铜钨、氧化铜铱、氧化铜钌、氧化铜镍、氧化铜钼、氧化铜锆或铟锡氧化铜。
7.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述含铜氧化物层的厚度为1纳米至100纳米。
8.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述电子供应层的材料包括铜钛合金、氮化铜钛、铜铝合金、铜钨合金、铜铱合金、氧化铜铱、铜合钌金、铜钽合金、氮化铜钽、铜镍合金、铜钼合金、铜锆合金或铟锡氧化铜。
9.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述电子供应层的厚度为1纳米至1000纳米。
10.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述电阻式随机存取存储器还包括介电层，其中所述介电层设置于所述基板与所述导电层之间。