1.一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法，其特征在于,具体实现步骤如下：半导体基片在真空腔室中通入工艺气体进行薄膜沉积，此时载物台位于工艺位置，当沉积结束后，载物台会升至吹扫位置，使载物台载物面处于回气孔的上方，同时出气孔通入吹扫气体进行吹扫；所述吹扫气体为N2、Ar、He气体中的一种或者几种的气体组合，并且上述吹扫气体在气态非等离子体状态下不互相反应。
2.如权利要求1所述的一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法，其特征在于,所述吹扫气体时腔室保持中低真空度，半导体基片传片时的传片通道可为成膜或非成膜。
3.如权利要求1所述的一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法，其特征在于,所述吹扫气体的流量在2000-10000sccm。
4.如权利要求1所述的一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法，其特征在于,所述吹扫气体进行吹扫的时间为5-20s。
5.一种半导体基片传片时通气降低颗粒的装置，其特征在于,该装置包括载物台，出气孔，回气孔；所述载物台上方安装多个出气孔，环绕载物台外部安装回气孔，半导体基片置于载物台上，气体通过出气孔吹入工艺腔室，通过回气孔流出工艺腔室。
6.如权利要求4所述的一种半导体基片传片时通气降低颗粒的装置，其特征在于,所述载物台上下发生位移，载物台处于回气孔的上方，载物台上方来气吹扫与载物台位移同时发生。