一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法及装置与流程

本发明涉及一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法及装置，属于半导体制造技术领域。

背景技术：

对于现代半导体行业来说，器件的微小型化正在快速的发展，目前线宽已发展至14nm，因此对工艺过程中的颗粒管控的级别也越来越高，颗粒的管控是器件向更小型化发展的一个关键问题，是提高产品良率的重要指标。现有工艺中，基片在设备中传片时，尤其是在成膜工艺完成之后，大量的副产物附着在腔体中裸露的部件上，包括移动和不移动的部件，此时部件的移动一定程度上会使基片表面存在颗粒增多的风险。

技术实现要素：

本发明以解决上述问题为目的，提供一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法及装置，该工艺方法是在中低真空室内，使半导体基片位于可移动的载基片台，对其通过上部来气方式吹扫，环载物台四周回风抽气的方式，通过控制吹气种类，通气流量及载物台位置来降低半导体基片在传片过程中颗粒的工艺方法。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法，具体实现步骤如下：半导体基片在真空腔室中通入工艺气体进行薄膜沉积，此时载 物台位于工艺位置，当沉积结束后，载物台会升至吹扫位置，使载物台载物面处于回气孔的上方，同时出气孔通入吹扫气体进行吹扫；所述吹扫气体通常为N₂、Ar、He气体中的一种或者几种的气体组合，并且上述吹扫气体在气态非等离子体状态下不互相反应。

所述吹扫气体时腔室保持中低真空度，半导体基片传片时的传片通道可为成膜或非成膜。

所述吹扫气体的流量在2000-10000sccm。

所述吹扫气体进行吹扫的时间为5-20s。

一种半导体基片传片时通气降低颗粒的装置，该装置包括载物台，出气孔，回气孔；所述载物台上方安装多个出气孔，环绕载物台外部安装回气孔，半导体基片置于载物台上，气体通过出气孔吹入工艺腔室，通过回气孔流出工艺腔室。

所述载物台上下发生位移，载物台处于回气孔的上方，载物台上方来气吹扫与载物台位移同时发生。

本发明的有益效果是：本发明是半导体基片在传片的过程中，使半导体基片位于可移动的载基片台，对其通过上部来气方式吹扫，环载物台四周回风抽气的方式，通过控制吹气种类，通气流量及载物台位置来降低半导体基片在传片过程中颗粒的工艺方法。基片在传片过程中将载物台升至回气孔以上，出气孔来气更近距离地对基片表面进行吹扫，会有效地将基片表面的颗粒去除。而且载物台在回气孔以上可更有效地将腔室内的气体排出腔室外，可降低腔室环境中颗粒对基片表面的影响，从而达到降低颗粒的目的。实践过程中，实验结果证 实此方法可有效地降低基片成膜后表面的颗粒，提高工艺性能和器件的成品率。

附图说明

图1为载物台处于工艺位置的剖面图；

图2为载物台处于吹扫位置气体吹扫的剖面图；

图3为实施例1中吹扫气体通气流量与颗粒数的曲线图；

图4为实施例2中吹扫气体通气流量与颗粒数的曲线图。

具体实施方式

下面结合实施例进一步对本发明进行详细说明，但发明保护内容不局限于所述实施例：

实施例1

参考图1，一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法，具体实现步骤如下：半导体基片在真空腔室中进行薄膜沉积，载物台位于工艺位置，当沉积结束后，对半导体基片进行气体吹扫，载物台升至参考图2所示的吹扫位置,载物台位于回气孔的上部，同时出气孔分别每次通入0sccm,2000sccm,4000sccm,6000sccm的N₂进行气体吹扫,每次的吹扫时间为10s。参考图3可以看出随着气体流量的增大，颗粒数明显减少。

实施例2

参考图1，一种半导体基片传片时通气降低颗粒的工艺方法，具体实现步骤如下：半导体基片在真空腔室中进行薄膜沉积，载物台位于工艺位置，当沉积结束后，载物台会升至参考图2所示的吹扫位置， 使载物台位于回气孔的上部，同时出气孔分别每次通入0sccm,2000sccm,4000sccm,6000sccm,10000sccm的He进行气体吹扫，每次的吹扫时间为20s,参考图4可以看出随着气体流量的增大，颗粒数明显减少。

如图1和2所示，一种半导体基片传片时通气降低颗粒的装置，该装置包括载物台1，出气孔2，回气孔3；所述载物台1上方安装多个出气孔2，环绕载物台1外部安装回气孔3，半导体基片4置于载物台1上,吹扫气体通过出气孔2吹入工艺腔室，通过回气孔3流出工艺腔室。

所述载物台1上下发生位移，载物台1处于回气孔3的上方，载物台1上方来气吹扫与载物台1位移同时发生。