技术总结
本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法。包括在形成有金属互连层的前端芯片上形成保护层，在所述保护层上形成焊垫，所述焊垫与所述金属互连层相连接；以及位于所述焊垫上的铜柱凸块；其中，所述保护层的强度小于或等于所述前端芯片的强度。与现有技术相比，本发明中由于保护层的引入，在发生应力拉扯时，保护层可以起到释放应力的效果，而不破坏芯片的结构，保证芯片结构的完整，同时芯片的功能也不受影响。
技术研发人员：孙沿林;郭守柱;徐明洁
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510570274
技术研发日：2015.09.08
技术公布日：2017.03.15