技术总结
提高具有多个处理室的处理装置的生产率的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括：能够处理衬底的多个处理室；能够向多个处理室分别供给处理气体的处理气体供给部；能够向多个处理室分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部；能够对多个处理室的任一方或全部进行排气的排气部；和控制部，以如下方式控制处理气体供给部、吹扫气体供给部和排气部，即，在向多个处理室中的一个处理室输送衬底、不向该一个处理室以外的至少一个其他处理室输送衬底时，与向一个处理室供给所述处理气体并行地，向其他处理室供给吹扫气体，并对一个处理室和其他处理室进行排气。
技术研发人员：广地志有
受保护的技术使用者：株式会社日立国际电气
文档号码：201510618477
技术研发日：2015.09.24
技术公布日：2017.03.08