技术特征：
1.一种电子器件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极间隔开；二维(2D)材料层，连接到所述第一电极和所述第二电极，所述2D材料层包括多个2D纳米材料，所述2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。2.如权利要求1所述的电子器件，其中所述2D纳米材料具有半导体特性。3.如权利要求2所述的电子器件，其中所述2D材料层还包括导电材料。4.如权利要求3所述的电子器件，其中所述导电材料包括石墨烯、导电颗粒、导电纳米管和导电纳米线中的至少一个。5.如权利要求2所述的电子器件，其中所述2D材料层还包括掺杂剂。6.如权利要求2所述的电子器件，其中所述2D纳米材料掺杂有杂质。7.如权利要求2所述的电子器件，其中所述2D材料层是所述电子器件的沟道层。8.如权利要求7所述的电子器件，还包括：栅绝缘层，在所述2D材料层上；和栅电极，在所述栅绝缘层上。9.如权利要求7所述的电子器件，还包括：栅电极，在基板上；栅绝缘层，在所述栅电极上，所述2D材料层在所述栅绝缘层上。10.如权利要求2所述的电子器件，其中肖特基结形成在所述第一电极和所述第二电极中的至少一个与所述2D材料层之间。11.如权利要求2所述的电子器件，其中p-n结形成在所述2D材料层的第一导电类型材料层与第二导电类型材料层之间。12.如权利要求1所述的电子器件，其中所述多个2D纳米材料的每个包括至少一层。13.如权利要求1所述的电子器件，其中所述多个2D纳米材料的每个包括过渡金属二硫属化物(TMD)、磷烯、锗烯和硅烯中的至少一个。14.一种制造电子器件的方法，该方法包括：通过喷墨印刷在基板上形成二维(2D)材料层，所述2D材料层包括具有半导体特性的多个2D纳米材料，所述多个2D纳米材料中的至少一些彼此交叠；和形成连接到所述2D材料层的第一电极和第二电极。15.如权利要求14所述的方法，其中形成所述2D材料层包括：通过喷射墨水到所述基板上而形成墨水图案，所述墨水包括溶剂和所述2D纳米材料；和干燥所述墨水图案。16.如权利要求15所述的方法，其中所述墨水中的所述2D纳米材料与所述溶剂的混合比率在从1μg/mL至100mg/mL的范围。17.如权利要求15所述的方法，其中所述墨水还包括导电材料。18.如权利要求15所述的方法，其中所述墨水还包括掺杂剂。19.如权利要求15所述的方法，其中所述2D纳米材料掺杂有杂质。20.如权利要求14所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极通过喷墨印刷而形成。21.如权利要求14所述的方法，还包括：在所述2D材料层上形成栅绝缘层；和在所述栅绝缘层上形成栅电极。22.如权利要求21所述的方法，其中所述栅绝缘层和所述栅电极通过喷墨印刷而形成。23.一种制造电子器件的方法，该方法包括：形成二维(2D)材料层，所述2D材料层包括具有半导体特性的多个2D纳米材料，所述2D纳米材料中的至少一些彼此交叠；形成连接到所述2D材料层的第一部分的第一电极；和形成连接到所述2D材料层的第二部分的第二电极，所述第二电极与所述第一电极间隔开。24.如权利要求23所述的方法，还包括：在基板上形成栅电极；以及在所述基板上形成栅绝缘层，其中形成所述2D材料层包括在所述基板上喷墨印刷墨水图案并干燥所述墨水图案，所述墨水包括溶剂和所述2D纳米材料，形成所述栅绝缘层包括以下之一：在所述栅电极的顶部上形成所述栅绝缘层和在所述栅电极与所述基板之间形成栅绝缘层，所述栅绝缘层在所述2D材料层与所述栅电极之间延伸。25.如权利要求23所述的方法，其中所述2D纳米材料包括过渡金属二硫属化物(TMD)、磷烯、锗烯和硅烯中的一个。26.如权利要求23所述的方法，其中形成所述第一电极包括：在所述2D材料层的所述第一部分处形成所述2D材料层与所述第一电极之间的肖特基结。27.如权利要求23所述的方法，其中所述2D材料层包括在所述2D纳米材料周围的导电材料和掺杂剂中的至少之一，并且所述导电材料包括石墨烯、导电颗粒、导电纳米管和导电纳米线中的一个。