电子器件及其制造方法与流程

技术总结
本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。

技术研发人员：李珉贤;申铉振;李载昊;金海龙;
受保护的技术使用者：三星电子株式会社;
文档号码：201510765524
技术研发日：2015.11.11
技术公布日：2016.07.06