半导体处理装置及方法与流程

本发明涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及半导体处理装置及方法。

背景技术：

专利号为201210171681.9和201210088237.0的中国专利都公开了一种用于半导体晶圆处理的微腔室处理装置。所述微腔室处理装置均包括上腔室部和下腔室部，所述上腔室部和下腔室部可在一驱动装置的驱动下装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳并处理该半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。上腔室部与下腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，半导体晶圆放置于所述微腔室内，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括一个或多个供处理流体进入的所述微腔室的入口和一个或多个供处理流体排出所述微腔室的出口。

所述上腔室部的面向所述微腔室的上工作表面和所述下腔室部的面向所述微腔室的下工作表面都是水平表面，在处理流体通过所述微腔室的入口进入所述微腔室对所述半导体晶圆进行处理时，所述处理流体流动的方向时随机的，难易受到精确控制。同时，需要的处理流体的量仍然比较大，在需要进行半导体晶圆表面的微量元素检测时，微量的元素溶于大量的处理流体中，微量元素的浓度会非常小，非常难以检测。

因此有必要提供一种新的解决方案来解决上述问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种半导体处理装置及方法，其可以精确控制处理流体的流动方向以及流动速度，同时可以大大节省处理流体的用量。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，待处理半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述待处理半导体晶圆能够被取出或放入。第一腔室部具有自该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面凹陷形成的凹槽道、自外部穿过该第一腔室部以与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和自外部穿过该第一腔室部以与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔。在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述待处理半导体晶圆容纳于所述微腔室内时，所述待处理半导体晶圆的一个表面与形成所述凹槽道的内壁表面相抵靠，此时所述凹槽道借助所述待处理半导体晶圆的所述表面的阻挡形成一条封闭通道，该条封闭通道通过第一通孔和第二通孔与外部相通。

进一步的，流体能够通过第一通孔进入所述封闭通道，进入所述封闭通道的流体能够沿所述封闭通道的导引前行，此时所述流体能够接触到并处理所述待处理半导体晶圆的所述表面的部分区域，处理过所述待处理半导体晶圆的所述表面的流体能够通过第二通孔流出并被提取。

进一步的，第一通孔包括与所述凹槽道直接相通且较所述凹槽道更深、更宽的第一缓冲口部和与该第一缓冲口部直接相通的第一通孔部，第二通孔包括与所述凹槽道直接相通且较所述凹槽道更深、更宽的第二缓冲口部和与该第二缓冲口部直接相通的第二通孔部。

进一步的，第二腔室部具有自该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面凹陷形成的凹槽道，形成于第一腔室部的内壁表面上的凹槽道的槽壁与形成于第二腔室部的内壁表面上的凹槽道的槽壁相对应。

根据本发明的另一个方面，本发明提供一种利用所述的半导体处理装置的半导体处理方法，其包括：将第二腔室部置于相对于第一腔室部的打开位置；将待处理半导体晶圆放于第一腔室部和第二腔室部之间；将第二腔室部置于相对于第一腔室部的关闭位置；通过第一通孔向所述凹槽道内注入提取流体；所述提取流体沿所述封闭通道行进直到第二通孔；从第二通孔提取所述提取流体。

进一步的，通过通入驱动流体来推动所述提取流体沿所述封闭通道行进直到第二通孔，所述提取流体为液体或气体，所述驱动流体为不易反应的超纯气体或超纯液体。

进一步的，在通过第一通孔向所述凹槽道内注入提取流体前，所述方法还包括：通过第一通孔向所述凹槽道内注入反应流体，以使得所述反应流体与其接触到的所述待处理半导体晶圆的表面进行反应。

与现有测试分析技术相比，本发明中在一个腔室部的内壁表面上设置凹槽道，该凹槽道借助所述待处理半导体晶圆的阻挡形成封闭通道，处理流体在所述封闭通道内流动的同时可以对所述待处理半导体晶圆的表面进行处理，这样不仅可以精确的控制处理流体的流动方向以及流动速度，还可以大大节省处理流体的用量。

【附图说明】

结合参考附图及接下来的详细描述，本发明将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：

图1a为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的剖视示意图；

图1b为图1a中的圈A的放大示意图；

图1c为图1a中的圈B的放大示意图；

图2a为本发明中的下腔室部在一个实施例中的俯视图；

图2b为图2a中的圈C的放大示意图；

图2c为图2a中的圈D的放大示意图；

图2d为沿图2a中的剖面线A-A的剖视示意图；

图2e为图2d中的圈E的放大示意图；

图2f为图2a中的圈F的放大示意图；

图3a为本发明中的上腔室部在一个实施例中的俯视图；

图3b为图3a中的圈G的放大示意图；

图3c为图3a中的圈H的放大示意图；

图3d为沿图3a中的剖面线B-B的剖视示意图；

图3e为图3d中的圈I的放大示意图；

图3f为图3a中的圈J的放大示意图；

图4a为本发明中的半导体处理装置在另一个实施例中的剖视示意图；

图4b图4a中的圈K的放大示意图；

图5a为本发明中的上腔室部在一个实施例中的俯视图；

图5b为沿图5a中的剖面线C-C的剖视示意图；

图5c为图5a中的圈L的放大示意图；

图6a为本发明中的下腔室部在另一个实施例中的俯视图；

图6b为沿图6a中的圈M的放大示意图；

图7为本发明中的半导体处理方法在一个实施例中的流程示意图；

图8a为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的剖视示意图；

图8b为图8a中的圈AA的放大示意图；

图8c为图8a中的圈BB的放大示意图；

图9a为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的剖视示意图；

图9b为图9a中的圈EE的放大示意图；

图9c为图9a中的圈FF的放大示意图；

图10为本发明中的下腔室部在一个实施例中的剖视示意图；

图11a为本发明中的下腔室部在另一个实施例中的俯视示意图；

图11b为图11a中的圈GG的放大示意图。

【具体实施方式】

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指与所述实施例相关的特定特征、结构或特性至少可包含于本发明至少一个实现方式中。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非必须都指同一个实施例，也不必须是与其他实施例互相排斥的单独或选择实施例。本发明中的“多个”、“若干”表示两个或两个以上。本发明中的“和/或”表示“和”或者“或”。

本发明提出一种半导体处理装置，其可以精确控制处理流体的流动方向以及流动速度，同时可以大大节省处理流体的用量。

图1a为本发明中的半导体处理装置100在一个实施例中的剖视示意图。图1b为图1a中的圈A的放大示意图；图1c为图1a中的圈B的放大示意图。如图1a所示的，所述半导体处理装置100包括上腔室部110和下腔室部120。

所述上腔室部110包括上腔室板111和自上腔室板的周边向下延伸而成的第一凸缘112。所述下腔室部120包括下腔室板121和在所述下腔室板121的周边向下凹陷而成的第一凹槽122。

所述上腔室部110可相对于下腔室部120在打开位置和关闭位置之间移动。在所述上腔室部110相对于下腔室部120处于打开位置时，可以将待处理半导体晶圆放置于所述下腔室部120的内壁表面上，或者可以从所述下腔室部120的内壁表面上取出所述待处理半导体晶圆。在所述上腔室部110相对于下腔室部120处于关闭位置时，在所述上腔室部110相对于下腔室部120处于关闭位置时，所述第一凸缘112与第一凹槽122配合，以在上腔室板和下腔室板之间形成密封的微腔室，所述待处理半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，等待被后续处理。

图2a为本发明中的下腔室部120在一个实施例中的俯视图。图2b为图2a中的圈C的放大示意图。图2c为图2a中的圈D的放大示意图。图2d为沿图2a中的剖面线A-A的剖视示意图。图2e为图2d中的圈E的放大示意图。图2f为图2a中的圈F的放大示意图。

结合图2a-2f所示，所述下腔室部120具有自该下腔室部120面向所述微腔室的内壁表面123凹陷形成的凹槽道124、自外部穿过该下腔室部以与所述凹槽道124的第一位置连通的第一通孔125和自外部穿过该下腔室部以与所述凹槽道124的第二位置连通的第二通孔126。所述凹槽道124的截面可以为U形、V形或半圆形，还可以是其他形状。所述凹槽道124内的通孔数量可以大于或等于1个。

如图1a、1b和1c所示的，在所述上腔室部110相对于下腔室部120位于所述关闭位置且所述待处理半导体晶圆200容纳于所述微腔室内时，所述待处理半导体晶圆200的一个表面(下表面)与形成所述凹槽道124的内壁表面123相抵靠，此时所述凹槽道124借助所述待处理半导体晶圆200的所述表面的阻挡形成一条封闭通道，该条封闭通道通过第一通孔125和第二通孔126与外部相通。在应用时，处理流体能够通过第一通孔125进入所述封闭通道，进入所述封闭通道的流体能够沿所述封闭通道的导引前行，此时所述处理流体能够接触到并处理所述待处理半导体晶圆200的所述表面的部分区域，处理过所述待处理半导体晶圆200的所述表面的流体能够通过第二通孔126流出并被提取。这样，这样不仅可以精确的控制处理流体的流动方向以及流动速度，还可以大大节省处理流体的用量。

在一个实施例中，如图2a、2b和2c所示的，所述凹槽道124环绕形成螺旋状，其中第一通孔125位于所述螺旋状的凹槽道中心区域(圈D的区域)，第二通孔126位于所述螺旋状的凹槽道124周边区域(圈C的区域)。第一通孔125可以被用作为入口，第二通孔126可以被用作为出口。在其他实施例中，也可以将第一通孔125可以被用作为出口，第二通孔126可以被用作为入口。

在一个实施例中，如图2d、2e和2f所示的，第一通孔125包括与所述凹槽道124直接相通且较所述凹槽道124更深、更宽的第一缓冲口部125a和与该第一缓冲口部125a直接相通的第一通孔部125b。由于设置了第一缓冲口部125a，可以避免处理流体通过第一通孔125进入的初速度过快导致所述半导体晶圆的中心区域被过分处理。第二通孔126包括与所述凹槽道124直接相通且较所述凹槽道124更深、更宽的第二缓冲口部126a和与该第二缓冲口部126a直接相通的第二通孔部126b。由于设置了第二缓冲口部126a，可以防止处理流体不能及时从第二通孔126排出而溢出。优选的，第一缓冲口部125a可以为锥形凹槽，第二缓冲口部126a可以为圆柱形凹槽。

图3a为本发明中的上腔室部110在一个实施例中的俯视图；图3b为图3a中的圈G的放大示意图；图3c为图3a中的圈H的放大示意图；图3d为沿图3a中的剖面线B-B的剖视示意图；图3e为图3d中的圈I的放大示意图；图3f为图3a中的圈J的放大示意图。

结合图3a至3f所示的，所述上腔室部110包括上腔室板111和自上腔室板111的周边向下延伸而成的第一凸缘112。上腔室部110具有自该上腔室部面向所述微腔室的内壁表面113凹陷形成的凹槽道113，形成于上腔室部的内壁表面113上的凹槽道114的槽壁(相邻的凹槽道114之间的部分)与形成于下腔室部120的内壁表面123上的凹槽道124的槽壁(相邻的凹槽道124之间的部分)相对应(图1b、图1c)。这样，在所述上腔室部110相对于下腔室部120位于所述关闭位置且所述待处理半导体晶圆200容纳于所述微腔室内时，所述上腔室部110的凹槽道114的槽壁能够抵压所述待处理半导体晶圆200的相应位置，并使得所述待处理半导体晶圆200能够更紧地抵靠于所述下腔室部120的凹槽道124的槽壁上，使得最后形成的封闭通道的封闭性能更好。此外，形成于上腔室部的内壁表面113上的凹槽道114的槽壁(相邻的凹槽道114之间的部分)与形成于下腔室部120的内壁表面123上的凹槽道124的槽壁(相邻的凹槽道124之间的部分)也可以相交错排布。

在另一个改变的实施例中，所述上腔室部110和所述下腔室部的结构可以互换或具备相同的结构，此时待处理半导体晶圆200的上表面将会与所述上腔室部110的凹槽道一起形成封闭通道。在封闭通道内流通处理流体可以对所述待处理半导体晶圆200的上表面或下表面进行处理，或上下表面同时处理。

图4a为本发明中的半导体处理装置在另一个实施例200中的剖视示意图；图4b图4a中的圈K的放大示意图。如4a中的半导体处理装置400与图1a中的半导体处理装置相比的差别在于：图4a中的上腔室部410和图1a中的上腔室部110的结构不同。图5a为本发明中的上腔室部410在一个实施例中的俯视图；图5b为沿图5a中的剖面线C-C的剖视示意图；图5c为图5a中的圈L的放大示意图。如图5a至5c所示，所述上腔室部410包括上腔室板411、第一凸缘412、面向微腔室的第一内壁表面413、第二凹槽414、位于第一内壁表面413和第二凹槽414之间的第二凸缘415和位于第一内壁表面413中心的通道416。由第二凸缘415抵靠于半导体晶圆200和第一内壁表面413形成一个封闭空间，通过通道416与外界连通。流体可通过通道416进入此封闭空间产生压力，并使得所述待处理半导体晶圆200能够更紧地抵靠于所述下腔室部120的凹槽道124的槽壁上，使得最后形成的封闭通道的封闭性能更好。

图6a为本发明中的下腔室部在另一个实施例620中的俯视图；图6b为沿图6a中的圈M的放大示意图。自该下腔室部620面向所述微腔室的内壁表面623凹陷形成的凹槽道624为多个，图6a中有5个，在其他实施例中，可以为其他数目个，每个凹槽道624都对应有一个第一通孔625和一个第二通孔626。所述下腔室部620的不同的凹槽道624位于所述内壁表面623的不同区域内。这样可以针对不同的区域进行不同的处理，它们互相独立。

本发明还提出了一种利用上述半导体处理装置的半导体处理方法。如图7所示的，所述半导体处理方法700包括如下步骤。

步骤710、将下腔室部120置于相对于上腔室部110的打开位置；

步骤720，将待处理半导体晶圆放于下腔室部120和第二腔室部110之间；

步骤730，将下腔室部120置于相对于上腔室部110的关闭位置；

步骤740，通过第一通孔125向所述凹槽道124内注入提取流体；

步骤750，用驱动流体推动所述提取流体沿所述封闭通道行进直到第二通孔126；

步骤760，从第二通孔126提取所述提取流体。

在一个实施例中，基于提取流体可以进行元素的检测，这样可以得到待处理半导体晶圆的表面上残留的元素以及其浓度。该方法可以用于对表面只有容易在提取液中溶解的隔离层以及表面没有任何隔离层的单晶硅晶圆片的表面污染的检测。

在一个实施例中，所述提取流体为液体或气体，所述驱动流体为不易反应的超纯气体或超纯液体，比如氮气、氦气、氩气、超纯水、丙酮、四氯甲烷等。

在一个实施例中，在通过第一通孔向所述凹槽道内注入提取流体前，所述方法还包括：通过第一通孔125向所述凹槽道124内注入反应流体，以使得所述反应流体与其接触到的所述待处理半导体晶圆的表面进行反应。

这样，对于表面具有不容易在提取流体中溶解的或者溶解速度缓慢的隔离层的单晶硅晶圆片的表面污染检测。

图8a为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的剖视示意图。图8b为图8a中的圈AA的放大示意图。图8c为图8a中的圈BB的放大示意图。

请参看图8a、8b和8c所示的，所述半导体处理装置800包括上腔室部810和下腔室部820。所述上腔室部810包括上腔室板811。所述下腔室部820包括下腔室板121。图8a、8b和8c中的半导体处理装置800与图1a、1b和1c中的半导体处理装置100的不同之处在于：所述下腔室部820具有自该下腔室部820面向所述微腔室的内壁表面凹陷形成的凹进部823、位于所述凹进部823的中心区域的贯穿所述下腔室部820并与所述凹进部823连通的第一开孔824和位于所述凹进部823的周边区域的贯穿所述下腔室部820并与所述凹进部823连通的第二开孔825；所述凹进部823的中心区域为低势区域，所述凹进部823的周边区域为高势区域，即所述凹进部823的周边高，中心低。所述凹进部823的底部表面为自低势区域倾斜延伸至所述高势区域的倾斜表面，所述凹进部823的底部表面的自中心向周边延伸的径向线可以为倾斜直线，也可以倾斜曲线。

所述第二开孔825可以为多个，其均匀分布在所述凹进部823的周边区域上。所述下腔室部820还包括有自该下腔室部820面向所述微腔室的内壁表面凹陷形成的环绕所述凹进部823的导流槽826，该导流槽连通所述第二开孔825。

在所述上腔室部810相对于下腔室部820处于关闭位置时，在上腔室板811和下腔室板821之间形成密封的微腔室，所述待处理半导体晶圆200能够容纳于所述微腔室内。所述待处理半导体晶圆200覆盖所述凹进部823，以在待处理半导体晶圆200和所述凹进部823的底部表面之间形成缝隙宽度不等流体处理空间，其中所述凹进部823的高势区域与待处理半导体晶圆200之间的距离低于所述凹进部823的低势区域与待处理半导体晶圆200之间的距离。第一开孔824可以被用作为流体的入口，第二开孔825可以被用作为流体的出口。在其他实施例中，也可以将第一开孔824可以被用作为流体的出口，第二开孔825可以被用作为流体的入口。很显然，所述第一开孔和第二开孔都与所述流体处理空间连通。

在应用时，自第二开孔825向所述流体处理空间通入处理流体，处理流体受重力作用，顺着所述凹进部823的底部表面向第一开孔824流动。在此过程中，所述处理流体能够接触到并处理所述待处理半导体晶圆200的所述表面。由所述第二开孔825通入一定量的处理流体使得晶圆200与所述凹进部823之间形成的间隙充满时，处理过所述待处理半导体晶圆200的所述表面的流体能够通过所述凹进部823上的第一开孔824流出。不断自第二开孔825通入处理流体，第一开孔824则流出处理过所述待处理半导体晶圆200的所述表面的流体，晶圆200受到处理流体的影响，可以处于浮起状态，也可以与所述下腔室相抵靠。由于所述凹进部823具有斜度且导向所述凹进部823的中心，所以自第二开孔825通入的处理流体流动方向受到控制，其受重力作用向所述凹进部823中心处流动。这样，可以精确的控制处理流体的流动。

图9a为本发明中的半导体处理装置900在一个实施例中的剖视示意图；图9b为图9a中的圈EE的放大示意图；图9c为图9a中的圈FF的放大示意图。

请参看图9a、9b和9c所示的，所述半导体处理装置900包括上腔室部910和下腔室部920。所述上腔室部910包括上腔室板911。所述下腔室部920包括下腔室板921。图9a、9b和9c中的半导体处理装置900与图8a、8b和8c中的半导体处理装置800的不同之处在于：所述下腔室部920的凹进部923的中心区域为高势区域，凹进部923的周边区域为低势区域，即中心高，周边低，第一开孔924位于所述凹进部923的高势区域，第二开孔925位于所述凹进部823的低势区域。

图10为本发明中的半导体处理装置在一个实施例1000中的示意图，其以更为明显的方式显示了凹进部1023的形状。如图10所示的，所述下腔室部1020具有自该下腔室部1020的内壁表面形成的凹进部1023、位于所述凹进部1023的中心区域的贯穿所述下腔室部1020的第一开孔1024和位于所述凹进部1023的周边区域的贯穿所述下腔室部1020的第二开孔1025；所述凹进部1023的中心区域为低势区域，所述凹进部1023的周边区域为高势区域。所述凹进部1023的底部表面自低势区域倾斜延伸至所述高势区域，所述凹进部1023的底部表面的自中心向周边延伸的径向线为倾斜曲线10231。待处理半导体晶圆200和所述凹进部1023的底部表面之间形成缝隙宽度不等流体处理空间。

如图10所示的，所述凹进部1023的垂直投影呈圆形。如图10所示，在X段处凹进部1023(其底部表面)与半导体晶圆200之间的间距比在Y段处凹进部1023与半导体晶圆200之间的间距要短。处理流体(或简称流体)自处于较低位置的第一开孔1024送入凹进部1023，流体在开始阶段处于凹进部1023的中心，随着输入的处理流体体积增加，流体由凹进部1023自底壁中心位置上升至凹进部1023的边缘，并可以自凹进部1023的边缘处的第二开孔1025流出凹进部1023。在此过程中，输入的流体首先与半导体晶圆200的下表面中心位置接触，此接触面积随着输入流体体积的增大而向半导体晶圆200边缘的方向扩大。当半导体晶圆200与下腔室部1020之间形成的间隙被流体充满时，流体覆盖整个半导体晶圆200的下表面的相应区域。此刻开始，不断自第一开孔1024送入流体，同时，自第二开孔1025送出多余的与半导体晶圆200下表面接触过的流体。不断流过半导体晶圆200下表面的流体与半导体晶圆200的下表面发生持续的化学和物理反应。由于流体与半导体晶圆200的下表面的接触方式，如角度、流速等，会直接影响流体与半导体晶圆200的下表面发生的化学和物理反应速度和效果。采用如图10所示的凹进部1023的结构，某位置的流体流动的面积等于该位置离凹进部1023中心的半径形成的圆的周长乘以凹进部1023与半导体晶圆200之间的间距。在X位置处，凹进部1023与半导体晶圆200之间的间距增大，例如Y段，但是在Y段处其离凹进部1023中心的半径减小，

由于某位置的流体流动的面积等于该位置离凹进部1023中心的半径形成的圆的周长乘以凹进部1023与半导体晶圆200之间的间距，当凹进部1023与半导体晶圆200之间的间距增大与离凹进部1023中心的半径减小保持在同一比例时，最终计算的流体流动的面积可以时刻保持在一恒定数值。比如X位置，其间距X较小，但是其离凹进部1023中心的半径较大，Y位置，其间距Y较大，但是其凹进部1023中心的半径较小，因此通过适当的设计，可以保证在X位置和Y位置的流体流动的面积相等。当流体的流动面积在不同位置保持一恒定数值时，流体在凹进部1023不同位置处的流动速度时刻也保持在一恒定数值。如此，流体在凹进部1023的不同位置与半导体晶圆200的接触处理的程度也可以保值在一恒定的程度，由于凹进部1023的特殊结构，整个半导体晶圆200表面所有位置经流体进行处理的程度几乎完全保持一致。

在一个实施例中，以所述第一开孔1024处为原点，以向所述凹进部1023的边缘径向延伸的方向为正方向，所述倾斜曲线10231所呈形状的解析函数为y＝-C/x，其中C为大于0的常数。当常数C越大时，在恒定的流体3的流量下，流体3在凹进部1023不同位置处的恒定的流动速度越小；当常数C越小时，在恒定的流体的流量下，流体在凹进部1023不同位置处的恒定的流动速度越大。

在一个实施例中，以所述第一开孔1024处为原点，以向所述凹进部1023的边缘径向延伸的方向为正方向，所述倾斜曲线10231所呈形状的解析函数为y＝Alnx+C，其中A、C为常数。在该种情况下，通过调节A、C值的大小，可以控制流体在凹进部1023不同位置处的流动速度，使得流动速度发生变化，从而控制流体在半导体晶圆200表面的中心处至边缘处的流动速度发生变化。

在第一种情况下，流体自半导体晶圆200表面的中心处至边缘处的流动速度变大，在第二情况下，流体自半导体晶圆200表面的中心处至边缘处的流动速度变小。

图11a为本发明中的下腔室部在一个实施例1120中的俯视示意图；图11b为图11a中的圈GG的放大示意图。如图11a和11b所述的，所述下腔室部1120包括有多个凹进部1123，每个凹进部1123包括有第一开孔1124和第二开孔1125。可以利用每个凹进部1123对所述待处理半导体晶圆的对应区域进行流体处理。

在另一个改变的实施例中，所述下腔室部只设置有位于所述凹进部823的低势区域的贯穿所述下腔室部的开孔，该开孔即作为流体的入口，也作为流体的出口。

上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于所述具体实施方式。